JPH0473871B2 - - Google Patents
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- JPH0473871B2 JPH0473871B2 JP59202293A JP20229384A JPH0473871B2 JP H0473871 B2 JPH0473871 B2 JP H0473871B2 JP 59202293 A JP59202293 A JP 59202293A JP 20229384 A JP20229384 A JP 20229384A JP H0473871 B2 JPH0473871 B2 JP H0473871B2
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- resist
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- film pattern
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレジスト除去方法および装置に係り、
特にレジスト膜パターンの残査を簡単に除くため
の方法とその装置に関する。
特にレジスト膜パターンの残査を簡単に除くため
の方法とその装置に関する。
ICなど、半導体装置を製造する際、ウエハー
プロセスにおけるフオト工程は極めて重要で、
ICの微細化はフオト技術（リソグラフイ技術）
の進歩によつて大きく推進されてきた。例えば、
電子ビーム露光法はその代表的な例と云える。
プロセスにおけるフオト工程は極めて重要で、
ICの微細化はフオト技術（リソグラフイ技術）
の進歩によつて大きく推進されてきた。例えば、
電子ビーム露光法はその代表的な例と云える。
従つて、基板上にはサブミクロン程度の非常に
微細なパターンを形成することも可能になつてい
る、基板上に形成されたレジスト膜パターンは、
現像後に余分のレジスト残査が残存しないように
除去されることが大切で、しかも、容易に除去さ
れるように配慮されなければならない。
微細なパターンを形成することも可能になつてい
る、基板上に形成されたレジスト膜パターンは、
現像後に余分のレジスト残査が残存しないように
除去されることが大切で、しかも、容易に除去さ
れるように配慮されなければならない。
［従来の技術］
さて、従来の電子ピーム露光によるフオト工程
の一例を説明すると、凡そ次のような方法によつ
て処理されている。
の一例を説明すると、凡そ次のような方法によつ
て処理されている。
例えば、基板をマスク基板として、その上に膜
厚5000Åのネガ型レジスト（例えば、クロロメチ
ルポリスチレンからなるレジスト）を塗布して、
基板面のクロム膜をエツチングして、パターンニ
ングする工程を例にすると、まず、レジスト膜を
塗布して、110〜120℃、20〜30分程度のプレベー
キングした後、所要の電子ピーム露光を行なう。
次いで、アセトンなどの有機溶剤で現像し、更に
窒素中で130℃、20〜30分程度のポストベーキン
グを行なう。このポストベーキングはレジスト膜
パターン中の溶剤を蒸発させるための処置で、一
般に窒素ガス中で行なわれる。
厚5000Åのネガ型レジスト（例えば、クロロメチ
ルポリスチレンからなるレジスト）を塗布して、
基板面のクロム膜をエツチングして、パターンニ
ングする工程を例にすると、まず、レジスト膜を
塗布して、110〜120℃、20〜30分程度のプレベー
キングした後、所要の電子ピーム露光を行なう。
次いで、アセトンなどの有機溶剤で現像し、更に
窒素中で130℃、20〜30分程度のポストベーキン
グを行なう。このポストベーキングはレジスト膜
パターン中の溶剤を蒸発させるための処置で、一
般に窒素ガス中で行なわれる。
次いで、プラズマ処理装置に入れて、酸素プラ
ズマで軽くアツシングして、余分のレジスト膜残
査を除去する。このアツシングとは、レジストを
酸化して灰化し、飛散除去させることである。し
かる後、その矯正されたレジスト膜パターンをマ
スクにして、所望のクロム膜をエツチングする。
ズマで軽くアツシングして、余分のレジスト膜残
査を除去する。このアツシングとは、レジストを
酸化して灰化し、飛散除去させることである。し
かる後、その矯正されたレジスト膜パターンをマ
スクにして、所望のクロム膜をエツチングする。
ここに、レジスト膜残査とは、第３図の基板断
面図に示しているように、現像して形成されたレ
ジスト膜パターン１の側面からテーパー状にだれ
て残るものＨであつたり、除去されるべき面に薄
くに残つている薄膜Ｂであつたりして、これを除
去するまで更に過度に現像すれば、かえつて全体
のレジスト膜パターンの制度が悪化するため、適
切に現像時間を制御し、上記のようなアツシング
処理を行なつて、僅かに数100Å程度のレジスト
膜表面を酸化除去しているものである。尚、図
中、２は基板、３はクロム膜を示している。
面図に示しているように、現像して形成されたレ
ジスト膜パターン１の側面からテーパー状にだれ
て残るものＨであつたり、除去されるべき面に薄
くに残つている薄膜Ｂであつたりして、これを除
去するまで更に過度に現像すれば、かえつて全体
のレジスト膜パターンの制度が悪化するため、適
切に現像時間を制御し、上記のようなアツシング
処理を行なつて、僅かに数100Å程度のレジスト
膜表面を酸化除去しているものである。尚、図
中、２は基板、３はクロム膜を示している。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記のプラズマ処理装置に収容して
処理する方法は、非常に時間と工数がかかる方法
で、余り好ましいものではない。第４図にプラズ
マ処理装置の概要断面を示しており、その処理方
法は、レジスト膜パターンを設けた基板２を両電
極５の一方に載置して、処理容器６内を真空に吸
引し、１〜10Torrの減圧度になるように酸素を
流入して、電源７より電力を印加する。そうする
と、酸素プラズマによつてレジスト膜が酸化され
て、除去される。しかし、この方法は、肝心のプ
ラズマ処理時間は短時間であるが、真空吸引や減
圧度・電力調整に多くの時間と工数を要する方法
である。
処理する方法は、非常に時間と工数がかかる方法
で、余り好ましいものではない。第４図にプラズ
マ処理装置の概要断面を示しており、その処理方
法は、レジスト膜パターンを設けた基板２を両電
極５の一方に載置して、処理容器６内を真空に吸
引し、１〜10Torrの減圧度になるように酸素を
流入して、電源７より電力を印加する。そうする
と、酸素プラズマによつてレジスト膜が酸化され
て、除去される。しかし、この方法は、肝心のプ
ラズマ処理時間は短時間であるが、真空吸引や減
圧度・電力調整に多くの時間と工数を要する方法
である。
且つ、このプラズマ処理装置は電源を含んで高
価な処理装置である。
価な処理装置である。
本発明は、このような欠点を有するプラズマ処
理装置を用いることなく、余分のレジスト膜残査
を容易に除去するためのレジスト除去方法と、そ
の装置を提供するものである。
理装置を用いることなく、余分のレジスト膜残査
を容易に除去するためのレジスト除去方法と、そ
の装置を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
その問題は、レジスト膜パターンをマスクにし
て被処理物をエツチングしてパターンを形成する
に際し、露光・現像して形成されたレジスタ膜パ
ターンを、該処理物のエツチング工程の前に、酸
素含有雰囲気中で遠紫外光によつて全面照射し
て、前記レジスト膜の現像残査を除去し前記レジ
スト膜パターンを整形する工程を有することを特
徴とするパターン形成方法によつて解決される。
て被処理物をエツチングしてパターンを形成する
に際し、露光・現像して形成されたレジスタ膜パ
ターンを、該処理物のエツチング工程の前に、酸
素含有雰囲気中で遠紫外光によつて全面照射し
て、前記レジスト膜の現像残査を除去し前記レジ
スト膜パターンを整形する工程を有することを特
徴とするパターン形成方法によつて解決される。
［作用］
即ち、本発明にかかるレジスト除去方法は、大
気中において遠紫外線を短時間照射するのみで、
レジスト膜表面を僅かに酸化して、レジスト膜の
残査を除去する方法で、そうすれば、フオト工程
が著しく簡単になる。
気中において遠紫外線を短時間照射するのみで、
レジスト膜表面を僅かに酸化して、レジスト膜の
残査を除去する方法で、そうすれば、フオト工程
が著しく簡単になる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によつて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明にかかるレジスト膜残査を除去
するためのレジスト除去装置の概要断面図で、１
１は照射ランプ、１２はレジスト膜パターンを設
けた基板である。且つ、両者の間には透明石英板
１３を介在させており、これは塵埃を遮断して、
遠紫外光を基板面に照射させるために設けた仕切
板である。更に、両側には遮蔽板１４を設けてい
る。かくして、照射ランプ１１よつて、例えば波
長1849Åの遠紫外光線を基板１２に照射し、約
120秒間曝すと、レジスト膜の残査が酸化して飛
散し除去される。
するためのレジスト除去装置の概要断面図で、１
１は照射ランプ、１２はレジスト膜パターンを設
けた基板である。且つ、両者の間には透明石英板
１３を介在させており、これは塵埃を遮断して、
遠紫外光を基板面に照射させるために設けた仕切
板である。更に、両側には遮蔽板１４を設けてい
る。かくして、照射ランプ１１よつて、例えば波
長1849Åの遠紫外光線を基板１２に照射し、約
120秒間曝すと、レジスト膜の残査が酸化して飛
散し除去される。
これは、大気中の酸素が遠紫外光の照射を受け
てオゾン（O3）となり、更にオゾンは遠紫外光
によつて分解されて、発生基の酸素（O+）を生
じ、この活性化した酸素によつてレジスト膜表面
が酸化され、このようにして残査が酸化除去され
るものと推察される。上記した温度と時間によつ
て酸化除去されるレジスト膜の膜厚は、約300〜
400Åである。
てオゾン（O3）となり、更にオゾンは遠紫外光
によつて分解されて、発生基の酸素（O+）を生
じ、この活性化した酸素によつてレジスト膜表面
が酸化され、このようにして残査が酸化除去され
るものと推察される。上記した温度と時間によつ
て酸化除去されるレジスト膜の膜厚は、約300〜
400Åである。
従つて、このように構成した照射装置にすれ
ば、残渣を除去する処理を大気中において行なう
ことができ、而も、短い時間で処理できる。
ば、残渣を除去する処理を大気中において行なう
ことができ、而も、短い時間で処理できる。
次に、第２図は本発明にかかる更に実用的なレ
ジスト除去装置の概要断面図を示しており、本例
はベルトによつて自動的に左右に動かして処理す
る装置例である。図において、第１図と同一部材
には同一記号を付しているが、基板１２は真空チ
ヤツクによつてステージ１５に吸引され、そのス
テージをベルト１６によつて左右に揺動する構造
となつている。また、照射ランプ１１の口金部１
７はランプとは隔離させており、その部分は窒素
ガスを流し込んで冷却している。口金部１７の加
熱酸化による接触不良を防止するためである。且
つ、照射ランプ１１と基板１２との距離は20〜30
mm程度としている。このように、本装置は基板を
揺動して、基板全面を均一に照射し、残査が残存
しないように完全に除去することを図つたもので
ある。
ジスト除去装置の概要断面図を示しており、本例
はベルトによつて自動的に左右に動かして処理す
る装置例である。図において、第１図と同一部材
には同一記号を付しているが、基板１２は真空チ
ヤツクによつてステージ１５に吸引され、そのス
テージをベルト１６によつて左右に揺動する構造
となつている。また、照射ランプ１１の口金部１
７はランプとは隔離させており、その部分は窒素
ガスを流し込んで冷却している。口金部１７の加
熱酸化による接触不良を防止するためである。且
つ、照射ランプ１１と基板１２との距離は20〜30
mm程度としている。このように、本装置は基板を
揺動して、基板全面を均一に照射し、残査が残存
しないように完全に除去することを図つたもので
ある。
この第２図に示すレジスト除去装置において、
ベルト１６を一方向にのみ動かすと、この照射装
置のインライン自動化が容易になり、本発明はウ
エハー処理の自動化に容易に対応することができ
る装置である。一方、従来のプラズマ処理装置で
は、真空処理のためにスポツト処理に適してお
り、自動化への対応は容易ではない。
ベルト１６を一方向にのみ動かすと、この照射装
置のインライン自動化が容易になり、本発明はウ
エハー処理の自動化に容易に対応することができ
る装置である。一方、従来のプラズマ処理装置で
は、真空処理のためにスポツト処理に適してお
り、自動化への対応は容易ではない。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ばフオト工程における残査処理を大気中で行なう
ことができて、その処理時間および工数が大幅に
削減され、且つ、本発明にかかる遠紫外光照射装
置は安価に作成され、フオト工程のコストダウン
に大きく役立つと共に、フオト工程の自動化にも
容易に対応できるものである。
ばフオト工程における残査処理を大気中で行なう
ことができて、その処理時間および工数が大幅に
削減され、且つ、本発明にかかる遠紫外光照射装
置は安価に作成され、フオト工程のコストダウン
に大きく役立つと共に、フオト工程の自動化にも
容易に対応できるものである。
尚、上記マスク基板を例として説明したが、半
導体基板にも適用できることは当然である。
導体基板にも適用できることは当然である。
第１図および第２図は本発明にかかるレジスト
膜の残査を除去するためのレジスト除去装置、第
３図は従来の問題点を説明するためのレジスト膜
パターンを設けた基板断面図、第４図は従来のレ
ジスト膜の残査を除去するためのプラズマ処理装
置である。 図において、１はレジスト膜パターン、２，１
２は基板、３はクロム膜、１１は遠紫外光照射ラ
ンプ、１３は仕切板、１４は遮蔽板、１５はステ
ージ、１６はベルト、１７はランプの口金を示し
ている。
膜の残査を除去するためのレジスト除去装置、第
３図は従来の問題点を説明するためのレジスト膜
パターンを設けた基板断面図、第４図は従来のレ
ジスト膜の残査を除去するためのプラズマ処理装
置である。 図において、１はレジスト膜パターン、２，１
２は基板、３はクロム膜、１１は遠紫外光照射ラ
ンプ、１３は仕切板、１４は遮蔽板、１５はステ
ージ、１６はベルト、１７はランプの口金を示し
ている。
Claims (1)
- １ レジスト膜パターンをマスクにして被処理物
をエツチングしてパターンを形成するに際し、露
光・現像して形成されたレジスタ膜パターンを、
該処理物のエツチング工程の前に、酸素含有雰囲
気中で遠紫外光によつて全面照射して、前記レジ
スト膜の現像残査を除去し前記レジスト膜パター
ンを整形する工程を有することを特徴とするパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20229384A JPS6177852A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20229384A JPS6177852A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177852A JPS6177852A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0473871B2 true JPH0473871B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=16455140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20229384A Granted JPS6177852A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177852A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108135A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US5482803A (en) * | 1992-02-07 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing filter |
| JP4162756B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2008-10-08 | 富士通株式会社 | 膜のパターニング方法 |
| JP2011008848A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | レジスト除去方法及び磁気記録媒体製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS5424020A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of removing resist material |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP20229384A patent/JPS6177852A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS5424020A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of removing resist material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6177852A (ja) | 1986-04-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |