JPS62299967A - ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
ネガ型レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS62299967A JPS62299967A JP14291686A JP14291686A JPS62299967A JP S62299967 A JPS62299967 A JP S62299967A JP 14291686 A JP14291686 A JP 14291686A JP 14291686 A JP14291686 A JP 14291686A JP S62299967 A JPS62299967 A JP S62299967A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/18—Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
半導体装置の製造のために有用な、特にネガ型レジスト
パターンを形成するためのパターン形成方法が提供され
る。このパターン形成方法は、好ましいことに、ドライ
プロセスで現像を実施することができる。形成されるレ
ジストパターンは膨潤を示すことがなく、したがって、
サブミクロンのオーダーで得ることができる。
パターンを形成するためのパターン形成方法が提供され
る。このパターン形成方法は、好ましいことに、ドライ
プロセスで現像を実施することができる。形成されるレ
ジストパターンは膨潤を示すことがなく、したがって、
サブミクロンのオーダーで得ることができる。
本発明はパターン形成方法に関する。本発明は、さらに
詳しく述べると、例えば集積回路、バブルメモリー素子
などのような半導体装置をリソグラフィー技術を用いて
製造する場合の、特にネガ型のレジストパターンを形成
する方法に関する。
詳しく述べると、例えば集積回路、バブルメモリー素子
などのような半導体装置をリソグラフィー技術を用いて
製造する場合の、特にネガ型のレジストパターンを形成
する方法に関する。
半導体装置の製造のため、いろいろな、そしてすぐれた
レジスト材料が実用に供されている。また、このような
レジスト材料に対して、１μｍもしくはそれ以下の解像
性、すなわら、サブミクロンのオーダーの微細パターン
の形成可能性を保証することが求められている。しかし
、現実には、ポジ型レジストパターンの場合には満足し
得る微細パターンを形成し得るにもかかわらず、ネガ型
レジストパターンの場合には否である。これは、ネガ型
のレジスト材料を紫外線や電子線等の光で像露光して部
分的に架橋せしめ、引き続いて常法に従って現像液でウ
ェット現像した場合、現像の終了後に著しい膨潤を生じ
る傾向があるからである。レジスト材料の膨潤は、レジ
スト材料の架橋部位間に現像液が浸透する結果としてひ
きおこされるものと考えられる。レジスト材料の膨潤は
、ライン幅およびスペースが２μｍよりも大であるよう
なレジストパターンの場合にはさほど問題ではないけれ
ども、上記したように１μｍもしくはそれ以下のライン
及スペースのパターンの場合には非常に深刻である。し
たがって、つｔノド現像に代えてドライ現像を適用し得
るネガ型レジスト材料は現在ないけれども、この問題を
克服することが今望まれている。
レジスト材料が実用に供されている。また、このような
レジスト材料に対して、１μｍもしくはそれ以下の解像
性、すなわら、サブミクロンのオーダーの微細パターン
の形成可能性を保証することが求められている。しかし
、現実には、ポジ型レジストパターンの場合には満足し
得る微細パターンを形成し得るにもかかわらず、ネガ型
レジストパターンの場合には否である。これは、ネガ型
のレジスト材料を紫外線や電子線等の光で像露光して部
分的に架橋せしめ、引き続いて常法に従って現像液でウ
ェット現像した場合、現像の終了後に著しい膨潤を生じ
る傾向があるからである。レジスト材料の膨潤は、レジ
スト材料の架橋部位間に現像液が浸透する結果としてひ
きおこされるものと考えられる。レジスト材料の膨潤は
、ライン幅およびスペースが２μｍよりも大であるよう
なレジストパターンの場合にはさほど問題ではないけれ
ども、上記したように１μｍもしくはそれ以下のライン
及スペースのパターンの場合には非常に深刻である。し
たがって、つｔノド現像に代えてドライ現像を適用し得
るネガ型レジスト材料は現在ないけれども、この問題を
克服することが今望まれている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、現像中及び現像後に認め得る程度のレ
ジストの膨潤がなく、したがって、１μｍもしくはそれ
以下の幅及びスペースをもったネガ型レジストパターン
を形成可能なパターン形成方法を提供することにある。
ジストの膨潤がなく、したがって、１μｍもしくはそれ
以下の幅及びスペースをもったネガ型レジストパターン
を形成可能なパターン形成方法を提供することにある。
本発明者は、従来ポジ型レジスト材料として広く用いら
れており、ウェット現像により微細パターンを形成可能
であったポリメチルイソプロペニルケトン（ＰＭＩＰＫ
）が特定の処理条件の下でネガ化する事実に着目し、こ
れを研究していく過程で本発明を完成した。すなわち、
本発明によれば、Ｐ旧ＰＫからなるレンスＩ・材料をそ
の像露光後に乾式現像してネガ型しジス１−パターンを
形成することによって、上記した目的を達成することが
できる。
れており、ウェット現像により微細パターンを形成可能
であったポリメチルイソプロペニルケトン（ＰＭＩＰＫ
）が特定の処理条件の下でネガ化する事実に着目し、こ
れを研究していく過程で本発明を完成した。すなわち、
本発明によれば、Ｐ旧ＰＫからなるレンスＩ・材料をそ
の像露光後に乾式現像してネガ型しジス１−パターンを
形成することによって、上記した目的を達成することが
できる。
本発明の実施においてレジスト材料として用いられるＰ
ＭＩＰＫは周知の通りに遠紫外線（ディープＵＶ）のみ
に吸収を示し、したがって、これを像露光源として使用
することが好ましい。
ＭＩＰＫは周知の通りに遠紫外線（ディープＵＶ）のみ
に吸収を示し、したがって、これを像露光源として使用
することが好ましい。
本発明の乾式現像は、酸素（０２）と四弗化炭素（ＣＦ
４）の混合ガスプラズマを用いて有利に実施することが
できる。また、このプラズマ処理は、いわゆる“ダウン
フロー”プロセス、すなわち、プラズマ発生室とその下
流側のプラズマ処理室とからなる２室型装置を用いて特
に有利に実施することができる。
４）の混合ガスプラズマを用いて有利に実施することが
できる。また、このプラズマ処理は、いわゆる“ダウン
フロー”プロセス、すなわち、プラズマ発生室とその下
流側のプラズマ処理室とからなる２室型装置を用いて特
に有利に実施することができる。
本発明方法の実施を以下の例で説明する。なお、記載以
外のプロセス条件は常用のものを適用することができる
。
外のプロセス条件は常用のものを適用することができる
。
ポリメチルイソプロペニルケトン（ＰＭＩＰＫ）を適当
な基板上に膜厚約１μｍでスピンコードする。
な基板上に膜厚約１μｍでスピンコードする。
ｒ’ＭＩＰＫ膜の乾艙後、Ｘｅ−Ｈｇランプを遠紫外露
光源として使用して約１分間の像露光を行なう。
光源として使用して約１分間の像露光を行なう。
商売後のつ１４ハを第１図に図示のようなプラズマ処理
装置１に収容して、０□とＣＦ４の混合ガスプラズマの
ダウンフローで処理する。周波数１３．５６ＭＨｚの高
周波電力が印加されているプラズマ処理装置１のプラズ
マ発生室２に０□及びＣＦ、の混合ガスを導入する。室
中の７は上部電極である。
装置１に収容して、０□とＣＦ４の混合ガスプラズマの
ダウンフローで処理する。周波数１３．５６ＭＨｚの高
周波電力が印加されているプラズマ処理装置１のプラズ
マ発生室２に０□及びＣＦ、の混合ガスを導入する。室
中の７は上部電極である。
０２１０００ｓＣｃｌＩ及びＣＦ４２０５ｃｃｌＩ、１
Ｔｏｒｒの条件下でプラズマを発生させる。ここで、プ
ラズマ発生室ンとそのダウンフロー（下流側）のプラズ
マ処理室３とは有孔（孔径約１１１）のアルミニウムプ
レート６で区画されているため、イオン及び電子は室２
中に滞留せしめられ、酸素ラジカルのみが室３に流入す
る。処理室３内にウェハ５を入れてテーブル４の回転下
に１分間にわたってプラズマ処理すると、非常に効率良
く現像を行なうことができる。約３０００人の解像度（
ライン及スペース）でネガパターンが得られる。レジス
トパターンの膨潤は認められない。
Ｔｏｒｒの条件下でプラズマを発生させる。ここで、プ
ラズマ発生室ンとそのダウンフロー（下流側）のプラズ
マ処理室３とは有孔（孔径約１１１）のアルミニウムプ
レート６で区画されているため、イオン及び電子は室２
中に滞留せしめられ、酸素ラジカルのみが室３に流入す
る。処理室３内にウェハ５を入れてテーブル４の回転下
に１分間にわたってプラズマ処理すると、非常に効率良
く現像を行なうことができる。約３０００人の解像度（
ライン及スペース）でネガパターンが得られる。レジス
トパターンの膨潤は認められない。
〔発明の効果〕
本発明によれば、従来のウェット現像では達成困難であ
った約１μｍもしくはそれ以下の解像度をもったネガ型
レジストパターンを容易に、しかもレジストの膨潤を伴
なわないで、得ることができる。また、本発明によれば
、必要に応じて像露光とダウンフロー処理とを同時に行
うこともでき、このようにした場合には直接にネガパタ
ーンを描くことができる。
った約１μｍもしくはそれ以下の解像度をもったネガ型
レジストパターンを容易に、しかもレジストの膨潤を伴
なわないで、得ることができる。また、本発明によれば
、必要に応じて像露光とダウンフロー処理とを同時に行
うこともでき、このようにした場合には直接にネガパタ
ーンを描くことができる。
第１図は、本発明の実施において用いられるプラズマ処
理装置の好ましい一例を示した略示図である。 図中、ｌは処理装置の全体、２はプラズマ発生室、３は
プラズマ処理室、４はテーブル、５はウェハ、６は有孔
アルミニウムプレート、そして７は電極である。 プラズマ処理装置の略示図 １− 処理装置 ４− テーブル ５− ウェハ ６−＊孔アルミニウムプレート ７− 電極
理装置の好ましい一例を示した略示図である。 図中、ｌは処理装置の全体、２はプラズマ発生室、３は
プラズマ処理室、４はテーブル、５はウェハ、６は有孔
アルミニウムプレート、そして７は電極である。 プラズマ処理装置の略示図 １− 処理装置 ４− テーブル ５− ウェハ ６−＊孔アルミニウムプレート ７− 電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ポリメチルイソプロペニルケトンからなるレジスト
材料をその像露光後に乾式現像することを特徴とするネ
ガ型レジストパターンの形成方法。 ２、遠紫外線光を用いて像露光を行なう、特許請求の範
囲第１項に記載のパターン形成方法。 ３、酸素と四弗化炭素の混合ガスプラズマを用いて乾式
現像を行なう、特許請求の範囲第１項または第２項に記
載のパターン形成方法。 ４、前記乾式現像処理を、プラズマ発生室とその下流側
のプラズマ処理室とからなる２室型装置を用いて実施す
る、特許請求の範囲第３項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14291686A JPS62299967A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14291686A JPS62299967A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299967A true JPS62299967A (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=15326605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14291686A Pending JPS62299967A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14291686A patent/JPS62299967A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
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