JPH01192120A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH01192120A JPH01192120A JP1597888A JP1597888A JPH01192120A JP H01192120 A JPH01192120 A JP H01192120A JP 1597888 A JP1597888 A JP 1597888A JP 1597888 A JP1597888 A JP 1597888A JP H01192120 A JPH01192120 A JP H01192120A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
シリコン層またはタングステン層に対し、ダメージを与
えることなく、しかも、マスクと太きな選択比をもって
、エツチングをなすことを可能にするドライエツチング
方法に関し、 シリコン層またはタングステンの一部領域上に形成され
た二酸化シリコンよりなるマスクを使用し、紫外線を照
射しながら、三フッ化窒素を前記のシリコン層またはタ
ングステンに接触させることとするドライエツチング方
法をもって構成される。
えることなく、しかも、マスクと太きな選択比をもって
、エツチングをなすことを可能にするドライエツチング
方法に関し、 シリコン層またはタングステンの一部領域上に形成され
た二酸化シリコンよりなるマスクを使用し、紫外線を照
射しながら、三フッ化窒素を前記のシリコン層またはタ
ングステンに接触させることとするドライエツチング方
法をもって構成される。
本発明は、ドライエツチング方法の改良に関する。特に
、シリコン層またはタングステン層に対し、ダメージを
与えることなく、しかも、マスクと大きな選択比をもっ
て、エツチングをなすことを可能にするドライエツチン
グ方法に関する。
、シリコン層またはタングステン層に対し、ダメージを
与えることなく、しかも、マスクと大きな選択比をもっ
て、エツチングをなすことを可能にするドライエツチン
グ方法に関する。
半導体装置の製造方法において、エツチング方法は必須
である。半導体装置の主要部をなすシリコン層や電極・
配線等をなすタングステン層等をパターニングすること
が必須だからである。
である。半導体装置の主要部をなすシリコン層や電極・
配線等をなすタングステン層等をパターニングすること
が必須だからである。
伝統的には、湿式の化学エツチング法が使用されていた
が、容易に異方性を実現しうるイオンエツチング法等の
物理的エツチング法が開発され、さらに、反応性のイオ
ンを使用する反応性イオンエツチング法等を経由して、
反応性の極めて強いプラズマエツチング法が開発される
に至った。
が、容易に異方性を実現しうるイオンエツチング法等の
物理的エツチング法が開発され、さらに、反応性のイオ
ンを使用する反応性イオンエツチング法等を経由して、
反応性の極めて強いプラズマエツチング法が開発される
に至った。
従来技術に係るプラズマエツチング方法は、四フッ化炭
素と酸素との混合ガス・三フッ化窒素等を、高周波電力
を使用して励起して、プラズマ状とし、このプラズマの
強い反応性を利用してエツチングするものである。
素と酸素との混合ガス・三フッ化窒素等を、高周波電力
を使用して励起して、プラズマ状とし、このプラズマの
強い反応性を利用してエツチングするものである。
〔発明が解決しようとする課題］
このプラズマエツチング法は、すぐれたエツチング方法
ではあるが、被エツチング体が直接プラズマと接触する
ため、ダメージを受けることが避は難い、また、適切な
マスク材が得難く、マスク材と被エツチング材とのエツ
チング選択比を大きくなし得ないという欠点があった。
ではあるが、被エツチング体が直接プラズマと接触する
ため、ダメージを受けることが避は難い、また、適切な
マスク材が得難く、マスク材と被エツチング材とのエツ
チング選択比を大きくなし得ないという欠点があった。
例えば、三フッ化窒素を反応ガスとし、二酸化シリコン
をマスク材とする場合のエツチング選択比は２０程度で
あり、満足すべきものではない。
をマスク材とする場合のエツチング選択比は２０程度で
あり、満足すべきものではない。
本発明の目的はこの欠点を解消することにあり、マスク
材と被エツチング材とのエツチング選択比が大きく、し
かも、被エツチング材がダメージを受けにくい利益を有
するドライエツチング法を提供することにある。
材と被エツチング材とのエツチング選択比が大きく、し
かも、被エツチング材がダメージを受けにくい利益を有
するドライエツチング法を提供することにある。
上記の目的は、シリコン層（１）またはタングステン（
３）の一部領域上に形成された二酸化シリコンよりなる
マスク（２１）を使用し、紫外線を照射しながら、三フ
ッ化窒素を前記シリコン層（１）またはタングステン（
３）に接触させてなすドライエツチング方法によって達
成される。
３）の一部領域上に形成された二酸化シリコンよりなる
マスク（２１）を使用し、紫外線を照射しながら、三フ
ッ化窒素を前記シリコン層（１）またはタングステン（
３）に接触させてなすドライエツチング方法によって達
成される。
本発明に係るドライエツチング方法においては、上記の
通り、高周波電力を使用して、三フッ化窒素をプラズマ
化する手法に代えて、紫外光を使用して、三フッ化窒素
を励起することとしているので、三フッ化窒素はプラズ
マ化せず、シリコンに対してはエツチング性が大きいが
二酸化シリコンに対するエツチング性がプラズマエツチ
ング法に比べて小さいので、被エツチング体としてのシ
リコンやタングステンに対するエツチングレートとマス
ク材としての二酸化シリコンに対するエツチングレート
とに大きな差が生じる。実験の結果によれば、シリコン
に対するエツチングレートが１ 、２００人／分であり
、タングステンに対するエツチングレートが１ 、００
０人／分であるに比し、二酸化シリコンに対するエツチ
ングレートは僅かに６人／分であり、前者においては２
００：１であり、後者においては１７０：ｌであり、十
分に大きい。
通り、高周波電力を使用して、三フッ化窒素をプラズマ
化する手法に代えて、紫外光を使用して、三フッ化窒素
を励起することとしているので、三フッ化窒素はプラズ
マ化せず、シリコンに対してはエツチング性が大きいが
二酸化シリコンに対するエツチング性がプラズマエツチ
ング法に比べて小さいので、被エツチング体としてのシ
リコンやタングステンに対するエツチングレートとマス
ク材としての二酸化シリコンに対するエツチングレート
とに大きな差が生じる。実験の結果によれば、シリコン
に対するエツチングレートが１ 、２００人／分であり
、タングステンに対するエツチングレートが１ 、００
０人／分であるに比し、二酸化シリコンに対するエツチ
ングレートは僅かに６人／分であり、前者においては２
００：１であり、後者においては１７０：ｌであり、十
分に大きい。
また、反応性ガスはプラズマとはならないので、被エツ
チング体にダメージが発生する基それは極めて少ない。
チング体にダメージが発生する基それは極めて少ない。
以下、図面を参照しつ＼、本発明の二つの実施例に係る
ドライエツチング方法について、さらに説明する。
ドライエツチング方法について、さらに説明する。
星土適
第２図参照
シリコン基板１上に二酸化シリコン膜２を形成する。こ
の工程は、酸化によっても、ＣＶＤ法によっても容易に
実現しうる。
の工程は、酸化によっても、ＣＶＤ法によっても容易に
実現しうる。
第３図参照
フォトリソグラフィー法を使用して、エツチング領域か
ら、この二酸化シリコン膜２を除去して、エツチング用
マスク２１を製造する。
ら、この二酸化シリコン膜２を除去して、エツチング用
マスク２１を製造する。
第１図参照
上記のシリコン基板ｌを、下記のエツチング装置に装入
する。
する。
図において、４はエツチング容器であり、エツチングガ
ス送入口５と排気口６と被エツチング体を支持するサセ
プタ７とを有する。８は紫外光源例えば水銀灯であり、
本例においては水晶板よりなる紫外光源透過窓８１を介
して、紫外光が、サセプタ７に支持されるシリコン基板
１に照射されるようにされている。
ス送入口５と排気口６と被エツチング体を支持するサセ
プタ７とを有する。８は紫外光源例えば水銀灯であり、
本例においては水晶板よりなる紫外光源透過窓８１を介
して、紫外光が、サセプタ７に支持されるシリコン基板
１に照射されるようにされている。
上記のシリコン基板１をサセプタ７上に載置して３５０
°Ｃ程度に保持し、エツチングガス送入口５から三フッ
化窒素を送入し内圧を１０Ｔｏｒｒ程度に保持し、紫外
光源８を使用して紫外光を上記のシリコン基板１に照射
する。
°Ｃ程度に保持し、エツチングガス送入口５から三フッ
化窒素を送入し内圧を１０Ｔｏｒｒ程度に保持し、紫外
光源８を使用して紫外光を上記のシリコン基板１に照射
する。
ここで、三フッ化窒素は励起されてラジカルやイオンと
なり活性を得て、露出しているシリコン基板１をエツチ
ングする。しかし、上記のとおり、三フッ化窒素はプラ
ズマ化されるに至っていないため、二酸化シリコンより
なるマスク２１は殆どエツチングせず、そのため、マス
ク２１は破壊されず、深くエツチングする場合でも、マ
スクとしての機能を持続する。この場合、エツチング選
択比は２００：工程度であり、極めて正確にエツチング
することができる。また、本実施例にあっては、エツチ
ング容器内４内にプラズマは発生しないので、シリコン
基板１がダメージを受けることは極めて少ない。
なり活性を得て、露出しているシリコン基板１をエツチ
ングする。しかし、上記のとおり、三フッ化窒素はプラ
ズマ化されるに至っていないため、二酸化シリコンより
なるマスク２１は殆どエツチングせず、そのため、マス
ク２１は破壊されず、深くエツチングする場合でも、マ
スクとしての機能を持続する。この場合、エツチング選
択比は２００：工程度であり、極めて正確にエツチング
することができる。また、本実施例にあっては、エツチ
ング容器内４内にプラズマは発生しないので、シリコン
基板１がダメージを受けることは極めて少ない。
１１班
第４図参照
タングステン基板３上に二酸化シリコン膜２を形成する
。この工程はＣＶＤ法によって容易に実現しうる。
。この工程はＣＶＤ法によって容易に実現しうる。
第５図参照
フォトリソグラフィー法を使用して、エツチング領域か
らこの二酸化シリコン膜２を除去して、エンチング用マ
スク２１を製造する。
らこの二酸化シリコン膜２を除去して、エンチング用マ
スク２１を製造する。
第１図再参照
上記のタングステン基板３をサセプタ７上に載置して３
５０°Ｃ程度に保持し、エツチングガス送入口５から三
フッ化窒素を送入し内圧を１０Ｔｏｒｒ程度に保持し、
紫外光ａ８を使用して紫外光を上記のタングステン基板
３に照射する。
５０°Ｃ程度に保持し、エツチングガス送入口５から三
フッ化窒素を送入し内圧を１０Ｔｏｒｒ程度に保持し、
紫外光ａ８を使用して紫外光を上記のタングステン基板
３に照射する。
ここで、三フッ化窒素は励起されてラジカルやイオンと
なり活性を得て、露出しているタングステン基板３をエ
ツチングする。しかし、上記のとおり、三フッ化窒素は
プラズマ化されるに至っていないため、二酸化シリコン
よりなるマスク２１は殆どエツチングされず、マスク２
１は破壊されず、深くエツチングする場合でも、マスク
としての機能を持続する。この場合、エツチング選択比
は１７０：ｌ程度であり、極めて正確にエツチングする
ことができる。また、本実施例にあっては、エツチング
容器内４内にプラズマは発生しないので、タングステン
基板３がダメージを受けることは極めて少ない。
なり活性を得て、露出しているタングステン基板３をエ
ツチングする。しかし、上記のとおり、三フッ化窒素は
プラズマ化されるに至っていないため、二酸化シリコン
よりなるマスク２１は殆どエツチングされず、マスク２
１は破壊されず、深くエツチングする場合でも、マスク
としての機能を持続する。この場合、エツチング選択比
は１７０：ｌ程度であり、極めて正確にエツチングする
ことができる。また、本実施例にあっては、エツチング
容器内４内にプラズマは発生しないので、タングステン
基板３がダメージを受けることは極めて少ない。
以上説明せるとおり、本発明に係るドライエツチング方
法においては、シリコン層またはタングステンの一部領
域上に形成された二酸化シリコンよりなるマスクを使用
し、紫外線を照射しながら、三フッ化窒素を前記シリコ
ン層またはタングステンに接触させることとされている
ので、三フッ化窒素はプラズマ化せず、シリコンに対し
てはエツチング性が大きいが二酸化シリコンに対するエ
ツチング性がプラズマエツチング法に比べて小さくなり
、被エツチング体としてのシリコンやタングステンに対
するエツチングレートとマスク材としての二酸化シリコ
ンに対するエンチングレートとに大きな差が生じ、マス
クと大きな選択比をもって、エツチングをなすことを可
能になる。実験の結果によれば、シリコンに対するエツ
チングレートが１ 、２００人／分であり、タングステ
ンに対するエンチングレートが１ 、０００人／分であ
るに比し、二酸化シリコンに対するエツチングレートは
僅かに６人／分であり、前者においては２００：１であ
り、後者においては１７０：１であり、十分に大きい、
また、反応性ガスはプラズマとはならないので、被エツ
チング体にダメージが発生するおそれは極めて少ない。
法においては、シリコン層またはタングステンの一部領
域上に形成された二酸化シリコンよりなるマスクを使用
し、紫外線を照射しながら、三フッ化窒素を前記シリコ
ン層またはタングステンに接触させることとされている
ので、三フッ化窒素はプラズマ化せず、シリコンに対し
てはエツチング性が大きいが二酸化シリコンに対するエ
ツチング性がプラズマエツチング法に比べて小さくなり
、被エツチング体としてのシリコンやタングステンに対
するエツチングレートとマスク材としての二酸化シリコ
ンに対するエンチングレートとに大きな差が生じ、マス
クと大きな選択比をもって、エツチングをなすことを可
能になる。実験の結果によれば、シリコンに対するエツ
チングレートが１ 、２００人／分であり、タングステ
ンに対するエンチングレートが１ 、０００人／分であ
るに比し、二酸化シリコンに対するエツチングレートは
僅かに６人／分であり、前者においては２００：１であ
り、後者においては１７０：１であり、十分に大きい、
また、反応性ガスはプラズマとはならないので、被エツ
チング体にダメージが発生するおそれは極めて少ない。
第１図は、本発明に係るドライエツチング方法の説明図
である。 第２．３図は、本発明の第一実施例に係るドライエツチ
ング方法の工程図である。 第４．５図は、本発明の第二実施例に係るドライエツチ
ング方法の工程図である。 １・ ・ ・シリコン基讐反、 ２・・・二酸化シリコン膜、 ２１・・・エツチング用マスク、 ３・・・タングステン基半反、 ４・・・エツチング容器、 ５・・・エツチングガス送入口、 ６・・・排気口、 ７・・・サセプタ、 ８・・・紫外光源、 ２１・・・エツチング用マスク、 ８１・・・紫外光透過窓。
である。 第２．３図は、本発明の第一実施例に係るドライエツチ
ング方法の工程図である。 第４．５図は、本発明の第二実施例に係るドライエツチ
ング方法の工程図である。 １・ ・ ・シリコン基讐反、 ２・・・二酸化シリコン膜、 ２１・・・エツチング用マスク、 ３・・・タングステン基半反、 ４・・・エツチング容器、 ５・・・エツチングガス送入口、 ６・・・排気口、 ７・・・サセプタ、 ８・・・紫外光源、 ２１・・・エツチング用マスク、 ８１・・・紫外光透過窓。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕シリコン層（１）の一部領域上に形成された二酸
化シリコンよりなるマスク（２１）を使用し、紫外線を
照射しながら、 三フッ化窒素を前記シリコン層（１）に接触させてなす ことを特徴とするドライエッチング方法。 〔２〕タングステン（３）の一部領域上に形成された二
酸化シリコンよりなるマスク（２１）を使用し、紫外線
を照射しながら、 三フッ化窒素を前記シリコン層（１）に接触させてなす ことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1597888A JPH01192120A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1597888A JPH01192120A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192120A true JPH01192120A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11903779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1597888A Pending JPH01192120A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017168526A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | エッチング装置及びエッチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111433A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | エツチング方法 |
| JPS62232927A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法及び装置 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP1597888A patent/JPH01192120A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111433A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | エツチング方法 |
| JPS62232927A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法及び装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017168526A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | エッチング装置及びエッチング方法 |
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