JPS61234035A - 遠紫外線照射ドライ現像方法 - Google Patents
遠紫外線照射ドライ現像方法Info
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- JPS61234035A JPS61234035A JP60068286A JP6828685A JPS61234035A JP S61234035 A JPS61234035 A JP S61234035A JP 60068286 A JP60068286 A JP 60068286A JP 6828685 A JP6828685 A JP 6828685A JP S61234035 A JPS61234035 A JP S61234035A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置のりソグラフイプロセスに用いられる電子ビ
ーム感光性のネガレジスト（クロロメチールポリスチレ
ン）は、通常その現像方法として、有機溶剤によるウェ
ット現像法が用いられているが、紫外線照射によるドラ
イ現像方法を可能とした。
ーム感光性のネガレジスト（クロロメチールポリスチレ
ン）は、通常その現像方法として、有機溶剤によるウェ
ット現像法が用いられているが、紫外線照射によるドラ
イ現像方法を可能とした。
本発明は、リソグラフィプロセスにおいて、露光処理の
終わった、ウェハー上のレジストのドライ現像方法に関
する。
終わった、ウェハー上のレジストのドライ現像方法に関
する。
電子ビーム露光用に開発されたネガレジストとしてクロ
ロメチールポリスチレンは高解像度で、且つエツチング
工程でのエツチング比が大きいこと等の理由で、広く用
いられつつある。
ロメチールポリスチレンは高解像度で、且つエツチング
工程でのエツチング比が大きいこと等の理由で、広く用
いられつつある。
露光工程の終わったウェハーは、通常ウェットプロセス
で現像されるが、有機溶剤よりなる現像液の温度、濃度
の経時変化等の管理が必要であり、そのドライ化が実現
できれば、これらの心配がなくなり、ウェハーに有害な
る付着物もなく、開発が要望されている。
で現像されるが、有機溶剤よりなる現像液の温度、濃度
の経時変化等の管理が必要であり、そのドライ化が実現
できれば、これらの心配がなくなり、ウェハーに有害な
る付着物もなく、開発が要望されている。
上記に述べた、クロロメチールポリスチレンは現像方法
として、有機溶剤によるウェット現像法が用いられる。
として、有機溶剤によるウェット現像法が用いられる。
現像液としては、
（１） 酢酸イソアミール＋エチルセロソルブあるい
は （２） アセトン＋イソプロピルアルコールの混合溶
液が用いられている。
は （２） アセトン＋イソプロピルアルコールの混合溶
液が用いられている。
一方、先に述べたごとく、ウェット現像を避けた、ドラ
イ現像についても、例えば、真空槽に酸素ガスを導入し
、高周波を印加により発生するプラズマを利用した現像
方法も、検討されてしくる。
イ現像についても、例えば、真空槽に酸素ガスを導入し
、高周波を印加により発生するプラズマを利用した現像
方法も、検討されてしくる。
上記に述べた酸素プラズマによるドライ現像方法は、真
空槽と排気ポンプ系、ガス導入系、高周波電源等を備え
た装置を必要とし、工程が複雑になり、工数がかさむ等
の問題があり、通常の大気圧の雰囲気で作業の可能なド
ライ現像方法の出現が要望されている。
空槽と排気ポンプ系、ガス導入系、高周波電源等を備え
た装置を必要とし、工程が複雑になり、工数がかさむ等
の問題があり、通常の大気圧の雰囲気で作業の可能なド
ライ現像方法の出現が要望されている。
上記問題点は、電子ビーム照射により、照射部に架橋反
応を起こすネガ型レジストを塗布した後、電子ビームに
よるパターンニングを行ない、次いで、大気の雰囲気中
にて遠紫外線を照射して、非露光部のレジストを除去す
ることよりなる本発明の方法によって解決される。
応を起こすネガ型レジストを塗布した後、電子ビームに
よるパターンニングを行ない、次いで、大気の雰囲気中
にて遠紫外線を照射して、非露光部のレジストを除去す
ることよりなる本発明の方法によって解決される。
また、上記ネガ型レジストとして、クロロメチールポリ
スチレンを用いることにより好結果を得ることが出来る
。
スチレンを用いることにより好結果を得ることが出来る
。
遠紫外線は大気中の酸素と反応して、オゾンおよび酸素
ラジカルを発生し、非露光部のレジストと反応してｃｏ
、ＣｏｔおよびＨ２Ｏ等のガスとして排出される。
ラジカルを発生し、非露光部のレジストと反応してｃｏ
、ＣｏｔおよびＨ２Ｏ等のガスとして排出される。
これらの作業は大気中の雰囲気で行われるので、従来の
ウェット現像法のごとく現像液の汚れによる心配もなく
、また酸素プラズマを用いたドライ現像のごとく真空槽
、ガス導入機構、高周波電源等を必要としない。
ウェット現像法のごとく現像液の汚れによる心配もなく
、また酸素プラズマを用いたドライ現像のごとく真空槽
、ガス導入機構、高周波電源等を必要としない。
本発明によるドラ“イ現像方法の実施例を第１図により
詳細説明する。
詳細説明する。
図面において１は遠紫外光（Ｄｅｅｐ ＵＶ）発生槽で
、水銀とクセノンガス中の放電現象による紫外線発光ラ
ンプ２を内蔵し、石英板３を通して作業槽４に遠紫外光
、特に強い１８４９人、 ２５３７人光を照射する。図
では３個のランプの例を示す。
、水銀とクセノンガス中の放電現象による紫外線発光ラ
ンプ２を内蔵し、石英板３を通して作業槽４に遠紫外光
、特に強い１８４９人、 ２５３７人光を照射する。図
では３個のランプの例を示す。
石英は遠紫外線に対して透過率が大で紫外線を有効に利
用出来る。また、紫外線ランプ２を冷却するための窒素
ガス流入機構５を備えている。
用出来る。また、紫外線ランプ２を冷却するための窒素
ガス流入機構５を備えている。
作業槽４は、両端に出入口６を備え、ウェハー７を搭載
した支持台８が自由にベルトコンベヤ９によって作業槽
内を移動可能な構造となっている。
した支持台８が自由にベルトコンベヤ９によって作業槽
内を移動可能な構造となっている。
作業槽は強力なる遠紫外線の照射による作業員障害防止
、あるいは付近の機器に対する損傷を防止するための遮
蔽の役割を果たし、その雰囲気は大気圧そのものであり
、真空槽を使用する場合に比し取扱は極めて容易である
。
、あるいは付近の機器に対する損傷を防止するための遮
蔽の役割を果たし、その雰囲気は大気圧そのものであり
、真空槽を使用する場合に比し取扱は極めて容易である
。
レジストとしてのクロロメチールポリスチレンを用い、
電子ビーム露光を終わったウェハーは作業槽に導入され
て遠紫外線の照射を受ける。
電子ビーム露光を終わったウェハーは作業槽に導入され
て遠紫外線の照射を受ける。
石英板３を透過した１８４９人の遠紫外線は作業槽内の
大気中の酸素と反応し、オゾン（Ｏ２）を発生する。
大気中の酸素と反応し、オゾン（Ｏ２）を発生する。
ｈ ν（１８４９人＞＋ｏｚ −−＋ ｏ＋。
Ｏ□＋Ｏ□→ ０゜
０、は強い酸化作用を持っているので非露光部のレジス
トと酸化反応をおこし、 Ｏｘ ＋ Ｃｎ Ｈｔａ Ｏｋ□ Ｃ○＋ＣＯ２＋Ｈ２
０これらの生成物は気体となって排出される。
トと酸化反応をおこし、 Ｏｘ ＋ Ｃｎ Ｈｔａ Ｏｋ□ Ｃ○＋ＣＯ２＋Ｈ２
０これらの生成物は気体となって排出される。
一方０３は２５３７人の遠紫外線のエネルギーを吸収し
て活性化の強い酸素ラジカルＯ“を発生させる。
て活性化の強い酸素ラジカルＯ“を発生させる。
ｈν （２５３７人）＋０．−→０” ＋０２０“も非
露光部のレジストと反応して、０” ＋ ＣＩ％Ｈ＋ａ
ＯＩＩ−Ｃｏ ＋ Ｃｏｔ ＋ ＨｚＯこれも気体とな
って排出される。
露光部のレジストと反応して、０” ＋ ＣＩ％Ｈ＋ａ
ＯＩＩ−Ｃｏ ＋ Ｃｏｔ ＋ ＨｚＯこれも気体とな
って排出される。
実験の結果、３００人／…ｉｎの速度でドライ現像可能
のデータを得た。
のデータを得た。
５０００人のレジスト膜厚で、１６〜１７分で現像が行
われる。この時露光部のレジストの消耗は殆ど見られな
い。
われる。この時露光部のレジストの消耗は殆ど見られな
い。
ドライ現像の作業中は、ウェハー７を搭載した支持台８
を作業槽内で静止させず、コンベヤ９により前後に動か
すことにより現像の均一性を保つ効果がある。
を作業槽内で静止させず、コンベヤ９により前後に動か
すことにより現像の均一性を保つ効果がある。
以上に説明せるごとく、本発明の方法を用いることによ
って、非常に簡単なる方法でレジストのドライ現像が可
能となり、半導体装置の品質の改。 善、
工数の削減に寄与する所大である。
って、非常に簡単なる方法でレジストのドライ現像が可
能となり、半導体装置の品質の改。 善、
工数の削減に寄与する所大である。
第１図は本発明のドライ現像方法に用いた装置の断面図
を示す。 図面において、 ｌは遠紫外線発生槽、 ２は紫外線発光ランプ、 ３は石英板、 ４は作業槽、 ５は窒素ガス流入口、 ６は出入口、 ７はウェハー、 ８は支持台、 ９はコンベヤ、 をそれぞれ示す。 オ発ｇ小：するに７グ芝イ象λ話に１ｔ＋ｒ−家業第
１）１ 手続補正書Ｃ自釦 昭和 年 月 日 ６Ｌ５．７ １、事件の表示 昭Ｎ ｌＯ’ｒ持許願第１Ｔｒｚ２（＋＞３、補正をす
るｈ ＩＩＧ件との関係 持許出順人ｆＬ所 神奈川
県用崎市中ＩＧ（区１−１）・１）１中１０１５番地（
５２２）名称富士通株式会社 ４、代 理 人 住所 神奈用県川崎１を
用１原区１−小田中１０１５番地 −３゜（１）本願
の特許請求の範囲を次のとおり補正する。 「は） 基板上に、電子ビームの照射により照射部にお
いて架橋反応を示すネガ型レジストを塗布し、大気雰囲
気中において、該レジスＨＣ遠紫外線成することを特徴
とする遠紫外線照射ドライ現像方法。 （２１繭記ネガ型レジストとして、クロロメチールポリ
スチレンを用いることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の遠紫外線照射ドライ現像方法。」
を示す。 図面において、 ｌは遠紫外線発生槽、 ２は紫外線発光ランプ、 ３は石英板、 ４は作業槽、 ５は窒素ガス流入口、 ６は出入口、 ７はウェハー、 ８は支持台、 ９はコンベヤ、 をそれぞれ示す。 オ発ｇ小：するに７グ芝イ象λ話に１ｔ＋ｒ−家業第
１）１ 手続補正書Ｃ自釦 昭和 年 月 日 ６Ｌ５．７ １、事件の表示 昭Ｎ ｌＯ’ｒ持許願第１Ｔｒｚ２（＋＞３、補正をす
るｈ ＩＩＧ件との関係 持許出順人ｆＬ所 神奈川
県用崎市中ＩＧ（区１−１）・１）１中１０１５番地（
５２２）名称富士通株式会社 ４、代 理 人 住所 神奈用県川崎１を
用１原区１−小田中１０１５番地 −３゜（１）本願
の特許請求の範囲を次のとおり補正する。 「は） 基板上に、電子ビームの照射により照射部にお
いて架橋反応を示すネガ型レジストを塗布し、大気雰囲
気中において、該レジスＨＣ遠紫外線成することを特徴
とする遠紫外線照射ドライ現像方法。 （２１繭記ネガ型レジストとして、クロロメチールポリ
スチレンを用いることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の遠紫外線照射ドライ現像方法。」
Claims (2)
- （１）基板上に、電子ビームの照射により照射部におい
て架橋反応を示すネガ型レジストを塗布し、次いで、電
子ビームによるパターンニングを行った後、 大気雰囲気中において、遠紫外線照射によりレジストパ
ターンを形成することを特徴とする遠紫外線照射ドライ
現像方法。 - （２）前記ネガ型レジストとして、クロロメチールポリ
スチレンを用いることを特徴とする特許請求範囲第（１
）項記載の遠紫外線照射ドライ現像方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068286A JPS61234035A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 遠紫外線照射ドライ現像方法 |
| DE8686102665T DE3681478D1 (de) | 1985-03-29 | 1986-02-28 | Trockenentwicklungsverfahren fuer schutzlackfilme. |
| EP86102665A EP0197286B1 (en) | 1985-03-29 | 1986-02-28 | A dry development method for a resist film |
| KR1019860002300A KR900001238B1 (ko) | 1985-03-29 | 1986-03-27 | 레지스트막 건조현상 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068286A JPS61234035A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 遠紫外線照射ドライ現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234035A true JPS61234035A (ja) | 1986-10-18 |
Family
ID=13369368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60068286A Pending JPS61234035A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 遠紫外線照射ドライ現像方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0197286B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61234035A (ja) |
| KR (1) | KR900001238B1 (ja) |
| DE (1) | DE3681478D1 (ja) |
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| US11988965B2 (en) | 2020-01-15 | 2024-05-21 | Lam Research Corporation | Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction |
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| WO1989007286A1 (en) * | 1988-02-08 | 1989-08-10 | Stangl Guenther | Process for producing a structure on a substrate coated with a resist based on an organic polymer |
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| JPS5775426A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Ultraviolet rays irradiator for transcription |
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- 1985-03-29 JP JP60068286A patent/JPS61234035A/ja active Pending
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1986
- 1986-02-28 EP EP86102665A patent/EP0197286B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-28 DE DE8686102665T patent/DE3681478D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-27 KR KR1019860002300A patent/KR900001238B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100504189B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-10-21 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 원자외선광발생장치및그발생방법 |
| US11988965B2 (en) | 2020-01-15 | 2024-05-21 | Lam Research Corporation | Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction |
Also Published As
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| DE3681478D1 (de) | 1991-10-24 |
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