JPS6319821A - パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 - Google Patents
パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置Info
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- JPS6319821A JPS6319821A JP61163627A JP16362786A JPS6319821A JP S6319821 A JPS6319821 A JP S6319821A JP 61163627 A JP61163627 A JP 61163627A JP 16362786 A JP16362786 A JP 16362786A JP S6319821 A JPS6319821 A JP S6319821A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔童業上の利用分野〕
本発明はリソグラフィの露光技術に係り、特に、高感度
で、微細なレジストパターンの形成方法に関する。
で、微細なレジストパターンの形成方法に関する。
従来、レジストの感光反応の効率を上げるために、主と
して、分子構造の側鎖に置換基を導入したり、共重合化
するなどの化学修飾が試みられていた。しかし、これら
の方法では、レジストの現像溶解性を変化させることは
できるが、大幅な反応効率の向上は達成できなかった。
して、分子構造の側鎖に置換基を導入したり、共重合化
するなどの化学修飾が試みられていた。しかし、これら
の方法では、レジストの現像溶解性を変化させることは
できるが、大幅な反応効率の向上は達成できなかった。
最近、露光後にレジストをモノマー雰囲気にさらすこと
によって感光を大幅に向上させた報告（リン池、アップ
ライド・フィジックス・レター、 Ｇ １５ 巻筒９７
３頁、１９８４年（’ｉＶ、 Ｔ、 Ｌｉｎｅｔａｌ、
、 Ａｐｐｌ。
によって感光を大幅に向上させた報告（リン池、アップ
ライド・フィジックス・レター、 Ｇ １５ 巻筒９７
３頁、１９８４年（’ｉＶ、 Ｔ、 Ｌｉｎｅｔａｌ、
、 Ａｐｐｌ。
ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、Ｖｏｔ、１５（１９８４）ｐ、
９７３））があるが、これは、本来のレジストとは異な
る物質に変ってしまうため、初期の特性が失われるとい
う欠点を有していた。
９７３））があるが、これは、本来のレジストとは異な
る物質に変ってしまうため、初期の特性が失われるとい
う欠点を有していた。
上記従来技術はレジストの放射線による分解反応の効率
を向上せしめるものではなく、分子構造の変形、あるい
は、他分子との反応によるものであった。このため、レ
ジストの初期の特性、例えば、耐ドライエツチング性や
解像性などが低下するという問題があった。
を向上せしめるものではなく、分子構造の変形、あるい
は、他分子との反応によるものであった。このため、レ
ジストの初期の特性、例えば、耐ドライエツチング性や
解像性などが低下するという問題があった。
本発明の目的はレジストの初期特性を変えることなく、
感［−向上することにある。
感［−向上することにある。
上記目的は放射線の照射によυ起きる感光反応の効率を
向上させることにより、達成される。レジスト高分子は
放射線エネルギーを吸収して、ラジカルを生じるが、こ
のラジカルは短寿命のうちに分解反応と同時に他ラジカ
ルとの再結合によって安定化してしまう。したがって、
感光反応の効率を向上させるためには上記再結合反応を
抑えて。
向上させることにより、達成される。レジスト高分子は
放射線エネルギーを吸収して、ラジカルを生じるが、こ
のラジカルは短寿命のうちに分解反応と同時に他ラジカ
ルとの再結合によって安定化してしまう。したがって、
感光反応の効率を向上させるためには上記再結合反応を
抑えて。
分解反応を促進することが必要である。そこで、放射線
の照射中にラジカルに所定の光を吸収させることにより
、その電子状態を励起させて再結合反応を抑える方法を
発明した。
の照射中にラジカルに所定の光を吸収させることにより
、その電子状態を励起させて再結合反応を抑える方法を
発明した。
〔作用〕
ラジカル中の不対電子は一般に基底電子状態では非結合
性軌道（ｎ軌道）にあり、他のラジカル中の不対電子と
結合して安定化しようとする傾向が強い。一方、電子が
励起状態の反結合性軌道（σ９あるいは、π９軌３Ｂ）
にある場合には再結合の反応確率が減少し、相対的に分
解反応が促進される。ラジカルの基底電子状態から励起
電子状態への遷移（ｎ→π１あるいは、ｎ→σ傘）は波
長４００〜２０Ｏｎｍ付近の光吸収によって可能となる
。
性軌道（ｎ軌道）にあり、他のラジカル中の不対電子と
結合して安定化しようとする傾向が強い。一方、電子が
励起状態の反結合性軌道（σ９あるいは、π９軌３Ｂ）
にある場合には再結合の反応確率が減少し、相対的に分
解反応が促進される。ラジカルの基底電子状態から励起
電子状態への遷移（ｎ→π１あるいは、ｎ→σ傘）は波
長４００〜２０Ｏｎｍ付近の光吸収によって可能となる
。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
半導体基板４上にレジストとしてＰ Ｍ Ｍ Ａ ３
ｋ１μｍの厚さに塗布し、１５０Ｃ，３０分のプリベー
クを行う。次にＸ線マスク２を介してＸ線露光を行う。
ｋ１μｍの厚さに塗布し、１５０Ｃ，３０分のプリベー
クを行う。次にＸ線マスク２を介してＸ線露光を行う。
Ｘ線マスク２は窒化ホウ素（２μｍ厚）上に金（１μｍ
）の吸収体パターンを形成したものを用いた。Ｘ線源は
モリブデンをターゲットとする対陰極型でλ＝０．５４
ｎｍ、ウェーハ面での強度は０．２５ ｍ Ｗ／ ｃｍ
２である。Ｘ、線露光と同時にキセノン水銀ランプを用
いて紫外線を試料面に照射した。ランプの出力は５００
Ｗで、試料面での紫外線強度は１０ｍＷ／ｃｍ”である
。以上の条件で、共に２００秒の露光を行った後、現像
処理を行ってレジストのパターンを得る。
）の吸収体パターンを形成したものを用いた。Ｘ線源は
モリブデンをターゲットとする対陰極型でλ＝０．５４
ｎｍ、ウェーハ面での強度は０．２５ ｍ Ｗ／ ｃｍ
２である。Ｘ、線露光と同時にキセノン水銀ランプを用
いて紫外線を試料面に照射した。ランプの出力は５００
Ｗで、試料面での紫外線強度は１０ｍＷ／ｃｍ”である
。以上の条件で、共に２００秒の露光を行った後、現像
処理を行ってレジストのパターンを得る。
本実施例によればＰ〜Ｉ Ｍ ＡのＸ線感ｉｔ従来の５
００ ｍ Ｊ ／ｃｍ”から５０ｍＪ／ｃｒｎ”へと約
−桁面上できる効果が得られた。
００ ｍ Ｊ ／ｃｍ”から５０ｍＪ／ｃｒｎ”へと約
−桁面上できる効果が得られた。
本発明によれば露光中にラジカルを分解する光を照射す
るという比較的簡単な方法で、レジストの他の性質を変
えることなく、感度を向上させることができるので、露
光時間の短縮できる効果があるう
るという比較的簡単な方法で、レジストの他の性質を変
えることなく、感度を向上させることができるので、露
光時間の短縮できる効果があるう
第１図は本発明の実施例におけるＸ線露光方法を示す概
念図である。 １・・・ＸＱ源、２・・・Ｘ線マスク、３・・・ＰＭＭ
Ａ、４第 ／図
念図である。 １・・・ＸＱ源、２・・・Ｘ線マスク、３・・・ＰＭＭ
Ａ、４第 ／図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、放射線リソグラフィによりレジストのパターンを形
成する方法において、該放射線のレジストへの露光中、
あるいは、露光後にレジストに光を照射することにより
、レジスト中のラジカルの分解を促進させることを特徴
とするパターン形成方法。 ２、上記光の波長が可視〜遠紫外領域であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。 ３、パターン転写用の放射線源とラジカル分解促進用前
記光源とを有するパターン転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163627A JPS6319821A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163627A JPS6319821A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319821A true JPS6319821A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15777525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163627A Pending JPS6319821A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6319821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190337A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | Canon Inc | リソグラフイ−装置及びリソグラフイ−法 |
| JPS6489424A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electronics Corp | Resist-pattern forming method |
| JP2014140003A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61163627A patent/JPS6319821A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190337A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | Canon Inc | リソグラフイ−装置及びリソグラフイ−法 |
| JPS6489424A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electronics Corp | Resist-pattern forming method |
| JP2014140003A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
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