JPS62141722A - 有機物除去方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子デバイス製造プロセス等で使用されるレジ
ストや有機物汚染などの有機物を除去する方法、および
その装置に関するものである。

（従来の技術） 従来のレジスト除去方法としては酸素雰囲気中で放電を
行ない酸素プラズマを発生させ、プラズマ中の活性励起
１１にニジレジストを構成する有機化合物を酸化焼却さ
せる酸素プラズマアッシング法が一般的な技術となって
いるが、プラズマ中の荷電粒子がデバイスに損傷を与え
ることが指摘されておシ、これにかわる技術として紫外
線とオゾンを利用してレジストのような有機化合物を二
酸化炭素や水などに分解する新しいアッシング技術の開
発が行なわれている。この新しいアッシング方法には、
紫外線によシ１反応容器内で酸素からオゾンや活性１１
２原子を生成する方式、オゾン発生器で発生させたオゾ
ンを反応容器内に導入する方式、オゾン発生器で発生さ
せたオゾンを反応容器内に導入し、補助的に紫外線を試
料に照射する方式がある。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、紫外線によジオシンを生成する方式では
、オゾンの発生量がたかだか数百ｐｐｍ穐度であ）、レ
ジストの分解除去能力も低い。一方のオゾン発生器で発
生させたオゾンを反応容器内に導入する方式ではオゾン
濃度は発生器においては数パーセントの濃度が得られる
が、分層除去速度は発生濃度に見合うだけの値が得られ
ていない。

またオゾン発生器でオゾンを発生させ補助的に紫外線を
試料に照射する方式ではレジストの種類によって紫外線
照射による効果が異なシ、ノボラック樹脂など紫外＠Ｉ
ＩＣ対して架橋反応がおこる高分子によシ構成されるレ
ジストの場合には効果はきわめて小さく１分解速度が若
干向上する程度であったＯ 本発明は、従来技術のこのような欠点を改善するためオ
ゾン発生器と紫外光源を併用した新規の有機物除去方法
およびその装置会提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明の有機物除去方法は試料表面にオゾン発生器から
供給されるオゾンを含むｉｔを吹きつけるとともに、こ
の吹きつけガスにのみ真空紫外域の紫外線を集中的に照
射し、試料前部で絶えずオゾンの供給を増強することを
特徴とする。

また本発明の有機物除去装置は、オゾン発生器、反応容
器および反応容器内で試料表面にオゾン発生器から供給
されるガスを吹きつける吹きつけ口を備えてお）吹きつ
け口を取υ囲む位置に真空紫外域に発光を有する紫外光
源を配置し、紫外光源のまわシに紫外光源から放射され
る紫外線を前記吹きつけ口の方向に反射させる反射光学
系を備えてｂることを特徴とする。

（作用） レジスト除去速度はオゾンの供給量に大きく依存する。

オゾン発生器によシ発生させたオゾンを反応容器に導入
する場合、試料表面にオゾンが到達するまでの失活によ
るオゾンａ度の減少は避けられない０本発明ではオゾン
発生器から供給されるオゾンを試料表面に吹きつける構
造にし、この吹きつけガスに紫外線を照射して、オゾン
の生成を増強し、試料へのオゾン供給量を大きくするこ
とによシ、レジストの除去効率を高めることができる。

また、紫外線を直接試料に照射しないことによシ、紫外
線硬化型のレジストの架橋反応によるタジスト除去阻害
の影響を軽減するととができる。さらにはレジストに限
らず有機物汚染された試料を高速度で洗浄することがで
きる。

（実施例） 以下、図に従って本発明の詳細な説明する。

第１図は一実施例を示す断面図で、反応容器１内にオゾ
ン発生器２から供給されるオゾンを含む酸素を試料６に
吹きつけるためのオゾン導入口３が試料前部に設けられ
、紫外光源４と反射鏡５によシ試料上部の空間に紫外線
が照射される構造になっている。７は試料加熱用のヒー
ター、８は排気口である。

オゾン発生器２から供給されるオゾンは導入口ｊ（Ａｃ
−、せ凱６ｒ而げで瞼六つ汁ちｈ−ス、皆版＋渭５と反
射鏡によシこの吹きつけガスに紫外線が集中的に照射さ
れることくよシ、オゾンの供給量を増強している。ここ
で用いる紫外光源はオゾン生成用であシ、２００　ｎｍ
以下に発光強度を有するものであればよく、たとえば低
圧水銀ランプや重水素ランプが使用できる０反射鏡５は
回転楕円体の形をしておシ紫外光源４はこの回転楕円体
の焦点の位置に固定され、紫外光源４から直接的には紫
外線が照射されない構造になっている。したがって試料
６には紫外光源４からの迷光が若干照射される程度で、
紫外線硬化型のレジスト、たとえばノボラック系のポジ
型フォトレジストの場合も紫外線照射の影響はほとんど
ない。

ヒーター７はオゾンによるレジストの酸化反応を促進さ
せるだめのものである。本実施例では紫外光源を反応容
器内に設置したが紫外光源と光学系を反応容器の外側に
設置し、紫外線透過窓を介して紫外線を反応容器内に導
いてもよいロオゾン導入口３は試料６に均一にオゾンが
吹きつけられる構造のものの方がよく、第１図に示した
ような試料中心に向かって吹きつける構造の他に、第２
図に示すように導入口３を同一円心上に配置する構造に
することにより均一性を向上させることができる。

紫外線分解型のレジスト、たとえばアクリレート系のレ
ジストの場には、従来法によれば、オゾンに加えて紫外
線を補助的に試料に照射する方式の方が紫外線によるレ
ジスト高分子の主鎖切断効果が加わるため、オゾンによ
る酸化力だけを利用する場合に比べ、レジスト除去速度
は向上する。

この場合、レジスト除去は紫外線による主鎖切断効果と
オゾンの酸化作用による効果の相乗効果によフ進行する
ため、オゾンの供給を積極的に増強してやることＫよシ
、レジスト除去の高速化を図ることができる口したがっ
て紫外線分解型のレジスト除去の際には第３図に示すよ
うに、第一のオゾン発生用の紫外光源の他に試料照射用
の第二の紫外光源９を設置し、オゾン供給量を増強させ
るとともにレジストの分解を促進させることＫよシ、レ
ジスト除去効率をさらに向上させることができる。この
第二の紫外光源としてはレジスト分解用の遠紫外域に発
光を有するものであればよく、たとえば低圧水銀ランプ
、高圧水銀ランプ、重水素ランプ等からの光のうち真空
紫外域の光をフィルタでカットしたものが使用できる。

（発明の効果） 第４図に本発明の実施例（第１図に示すもの）の装置で
紫外線を照射した場合としない場合のノボラック系ポジ
塁フォトレジストの除去速度の温度依存性を示す口紫外
光源としては低圧水銀ランプを使用している０このよう
に本発明によれば従来にない高い除去速度を得ることが
できるとともに、オゾン生成に必要な真空紫外域の波長
の光を直接試料表面に照射していないのでデバイスが損
傷を受けることもない。またレジストのみならず一般の
有機物汚染に対しても大きな洗浄能力をもつため、電子
デバイス製造工程の各個別プロセスの前処理としても活
用することができ、プロセスのクリーン化に大きな効果
をもたらす。

【図面の簡単な説明】

第１図から第３図は本発明の実施例を示す断面図、第４
図は実施例により得られたレジスト除去速度の温度依存
性を示す図である。 図において、２は反応容器、２はオゾン発生器、３はオ
ゾン導入口、４は紫外光源、５は反射鏡、６は試料、７
はヒーター、８は排気口、９は試料照射用紫外光源、１
０は紫外線透過窓を示す。 代理人弁理士　内　原　　　！　　。 ＼、−一・ 亭　　　１　　　圓 １、反起２．器 番　　２　　図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）有機物が付着した試料表面にオゾン発生器から供
   給されるオゾンを含む酸素を吹きつけるとともに、この
   吹きつけガスにのみ真空紫外域の紫外線を集中的に照射
   し、試料前部で絶えずオゾンの供給を増強することを特
   徴とする有機物除去方法。
2. （２）オゾン発生器、反応容器および反応容器内で試料
   表面にオゾン発生器から供給されるガスを吹きつける吹
   きつけ口を備えており吹きつけ口を取り囲む位置に真空
   紫外域に発光を有する紫外光源を配置し、紫外光源のま
   わりに、紫外光源から放射される紫外線を前記吹きつけ
   口の方向に反射させる反射光学系を備えていることを特
   徴とする有機物除去装置。