JPH0794450A - 局所アッシング装置 - Google Patents
局所アッシング装置Info
- Publication number
- JPH0794450A JPH0794450A JP18765193A JP18765193A JPH0794450A JP H0794450 A JPH0794450 A JP H0794450A JP 18765193 A JP18765193 A JP 18765193A JP 18765193 A JP18765193 A JP 18765193A JP H0794450 A JPH0794450 A JP H0794450A
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- Japan
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- assist gas
- ashing device
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造や液晶表示パネル製造において、マ
スク，ガラス基板等に塗布されたレジストの不要部分を
現像工程によらず局所的に剥離を行う局所アッシング装
置を提供する。 【構成】直管状の紫外線ランプと反射板から成る光源
と、光源より照射される紫外線を集光して紫外線強度を
増加するためのレンズを備える。オゾン、酸素等のアシ
ストガスを吹き付ける機構を備える。アシストガスの排
気機構を備える。
スク，ガラス基板等に塗布されたレジストの不要部分を
現像工程によらず局所的に剥離を行う局所アッシング装
置を提供する。 【構成】直管状の紫外線ランプと反射板から成る光源
と、光源より照射される紫外線を集光して紫外線強度を
増加するためのレンズを備える。オゾン、酸素等のアシ
ストガスを吹き付ける機構を備える。アシストガスの排
気機構を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造や液晶表示
パネル製造において、マスク、ガラス基板等に塗布され
たレジストの不要部分を局所的に剥離するための局所ア
ッシング装置に関するものである。
パネル製造において、マスク、ガラス基板等に塗布され
たレジストの不要部分を局所的に剥離するための局所ア
ッシング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体や液晶表示パネルの製造におい
て、微細パターンはガラスマスク、ガラス基板等にレジ
ストを塗布し露光、現像、エッチング等の工程により形
成する。レジスト塗布は一般にスピンコート法により行
われるが、塗布の際レジストがパターン形成に不要な周
縁部や裏側にはみ出してしまうことがある。この周縁部
や裏側にはみ出したレジストは種々の処理工程での搬送
時に爪、吸着パッド等の保持具などにより機械的に保持
されるとき、こすれて剥離，飛散し、パーティクルとし
て製品の歩留まりを下げたりサービスタイムを増加させ
る原因となる。
て、微細パターンはガラスマスク、ガラス基板等にレジ
ストを塗布し露光、現像、エッチング等の工程により形
成する。レジスト塗布は一般にスピンコート法により行
われるが、塗布の際レジストがパターン形成に不要な周
縁部や裏側にはみ出してしまうことがある。この周縁部
や裏側にはみ出したレジストは種々の処理工程での搬送
時に爪、吸着パッド等の保持具などにより機械的に保持
されるとき、こすれて剥離，飛散し、パーティクルとし
て製品の歩留まりを下げたりサービスタイムを増加させ
る原因となる。
【０００３】これを防止する方法としてたとえば特開平
２−１３９９１６号や特開平３−２４２９２２号に示さ
れる紫外線により不要レジストを露光した後現像工程に
て現像、除去する方法がある。
２−１３９９１６号や特開平３−２４２９２２号に示さ
れる紫外線により不要レジストを露光した後現像工程に
て現像、除去する方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、レジストには
紫外線露光により現像時定着するネガタイプのものと除
去されるポジタイプのものがあり、前記方法ではポジタ
イプのレジストにしか有効に使用できない。また、周縁
部はレジストの塗布膜が厚いため現像時間が長くなりパ
ターン化されたレジストが膨潤するという問題があっ
た。
紫外線露光により現像時定着するネガタイプのものと除
去されるポジタイプのものがあり、前記方法ではポジタ
イプのレジストにしか有効に使用できない。また、周縁
部はレジストの塗布膜が厚いため現像時間が長くなりパ
ターン化されたレジストが膨潤するという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、前記問題点を解決し、現像工程
によらずネガタイプ、ポジタイプともに不要部分のレジ
ストを局所的に剥離を行う局所アッシング装置を提供す
ることを目的としたものである。
によらずネガタイプ、ポジタイプともに不要部分のレジ
ストを局所的に剥離を行う局所アッシング装置を提供す
ることを目的としたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記不要レジ
ストは主に周縁部であることを鑑み周縁部のレジストを
効率よく剥離するため、直管状の紫外線ランプと反射板
から成る光源より照射される紫外線をレンズにより集光
し、紫外線強度を増加し、剥離形状に合わせて不要レジ
スト部に紫外線を照射するとともに、オゾン、酸素等の
アシストガスを吹き付ける機構を設けアシストガスをレ
ジストに吹き付けることにより剥離速度を増加させ、同
時にレジスト剥離部近傍に排気機構を設け剥離する部分
以外にアシストガスの作用が及ぶことを防止することに
より局所的に不要レジストを剥離することを特徴とす
る。
ストは主に周縁部であることを鑑み周縁部のレジストを
効率よく剥離するため、直管状の紫外線ランプと反射板
から成る光源より照射される紫外線をレンズにより集光
し、紫外線強度を増加し、剥離形状に合わせて不要レジ
スト部に紫外線を照射するとともに、オゾン、酸素等の
アシストガスを吹き付ける機構を設けアシストガスをレ
ジストに吹き付けることにより剥離速度を増加させ、同
時にレジスト剥離部近傍に排気機構を設け剥離する部分
以外にアシストガスの作用が及ぶことを防止することに
より局所的に不要レジストを剥離することを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】紫外線を用いたレジストアッシング装置では、
紫外線ランプから放射する波長１８５ｎｍおよび２５４
ｎｍの光エネルギーは、ほとんどの有機化合物の結合を
切断することができ、有機化合物のフリーラジカルや励
起状態の分子を生成する。
紫外線ランプから放射する波長１８５ｎｍおよび２５４
ｎｍの光エネルギーは、ほとんどの有機化合物の結合を
切断することができ、有機化合物のフリーラジカルや励
起状態の分子を生成する。
【０００８】一方、波長１８５ｎｍの紫外線は大気中の
酸素に吸収されるとオゾンを発生する。このオゾンに波
長２５４ｎｍの紫外線が吸収されると、励起酸素原子が
生成する。この強力な酸化力をもつ励起酸素原子が、紫
外線照射によって生成した有機化合物のフリーラジカル
や励起状態の分子と反応してＣＯ2 やＨ2 Ｏのような揮
発性物質を生成する。これが、有機化合物を分解・除去
する光アッシングの原理である。
酸素に吸収されるとオゾンを発生する。このオゾンに波
長２５４ｎｍの紫外線が吸収されると、励起酸素原子が
生成する。この強力な酸化力をもつ励起酸素原子が、紫
外線照射によって生成した有機化合物のフリーラジカル
や励起状態の分子と反応してＣＯ2 やＨ2 Ｏのような揮
発性物質を生成する。これが、有機化合物を分解・除去
する光アッシングの原理である。
【０００９】ここで、アッシングの速度を速くするに
は、基板温度とオゾン濃度および紫外線強度を高めるこ
とが重要である。しかし、前記のパターン形成前に不要
レジストを除去する場合はパターン形成部のレジストの
加熱による変質を防止するため基板温度をあまり上げる
わけにはいかない。よって、アッシングの速度を速くす
るために紫外線強度を高める必要がある。また、オゾン
によるパターン形成部のレジストの変質も防止しなけれ
ばいけない。
は、基板温度とオゾン濃度および紫外線強度を高めるこ
とが重要である。しかし、前記のパターン形成前に不要
レジストを除去する場合はパターン形成部のレジストの
加熱による変質を防止するため基板温度をあまり上げる
わけにはいかない。よって、アッシングの速度を速くす
るために紫外線強度を高める必要がある。また、オゾン
によるパターン形成部のレジストの変質も防止しなけれ
ばいけない。
【００１０】そこで、本発明は前記不要レジストの領域
が主に基板周縁の細長い領域であることを鑑み光学系、
オゾン等アシストガスの供給方法を工夫した。即ち、直
管状の紫外線ランプと反射板から成る光源より照射され
る紫外線をレンズにより集光し、紫外線強度を増加し除
去すべき形状に紫外線を照射し、強度の大きい紫外線と
オゾンや酸素等のアシストガスの相互作用によるレジス
トの剥離速度を増加するとともに排気機構によりアシス
トガスの剥離部以外への作用を防止することにより局所
の不要レジストの剥離ができる。
が主に基板周縁の細長い領域であることを鑑み光学系、
オゾン等アシストガスの供給方法を工夫した。即ち、直
管状の紫外線ランプと反射板から成る光源より照射され
る紫外線をレンズにより集光し、紫外線強度を増加し除
去すべき形状に紫外線を照射し、強度の大きい紫外線と
オゾンや酸素等のアシストガスの相互作用によるレジス
トの剥離速度を増加するとともに排気機構によりアシス
トガスの剥離部以外への作用を防止することにより局所
の不要レジストの剥離ができる。
【００１１】
【実施例】本発明になる局所アッシング装置の構成を実
施例に基づいて説明する。
施例に基づいて説明する。
【００１２】図１に示されるように光源部は直管状の紫
外線ランプ１と反射板２で構成される。紫外線ランプ１
は３００ｎｍ以下の短波長の紫外線を効率よく放射する
低圧水銀灯が用いられるが、紫外線強度が大きくかつ１
８５ｎｍの紫外線を放射する外管を合成石英製にした高
圧水銀灯がさらによい。
外線ランプ１と反射板２で構成される。紫外線ランプ１
は３００ｎｍ以下の短波長の紫外線を効率よく放射する
低圧水銀灯が用いられるが、紫外線強度が大きくかつ１
８５ｎｍの紫外線を放射する外管を合成石英製にした高
圧水銀灯がさらによい。
【００１３】また、レジストの種類によっては高温によ
り変質するものがあり、光源からの熱線によるパターン
形成部の加熱を防止するためには図２に示したように紫
外線を反射し熱線を透過するコールドミラー９や合成石
英製の水冷ジャケット１０などにより熱線を除去してい
る。この、冷却水は紫外線の吸収の少ない純水が好まし
い。
り変質するものがあり、光源からの熱線によるパターン
形成部の加熱を防止するためには図２に示したように紫
外線を反射し熱線を透過するコールドミラー９や合成石
英製の水冷ジャケット１０などにより熱線を除去してい
る。この、冷却水は紫外線の吸収の少ない純水が好まし
い。
【００１４】光源からの紫外線は、１個以上のレンズ、
たとえば棒状のシリンドリカルレンズ３により長方形状
に集光される。剥離すべきレジストの形状が長方形なら
ばこれだけで十分であるが、剥離する形状は多様であ
り、また剥離境界部をシャープにするためにもマスク４
を設置し紫外線の照射領域を限定しガラス基板５上のレ
ジストに紫外線を照射する。マスク４は、オゾン、酸素
等のアシストガスの通路６を有し開口部よりアシストガ
スを噴出する。これにより紫外線の作用によって発生す
るラジカルと紫外線との相互作用によりレジストの分
解、除去が促進される。また、紫外線によってラジカル
を発生することが公知のＨ2 Ｏ、ＣＯ2 、ＮＯ、ＮＨ3
等のガスを添加するのも有効である。また、アシストガ
スを間欠に吹き出すのも紫外線の有機化合物の結合切断
作用を促進するのに有効である。
たとえば棒状のシリンドリカルレンズ３により長方形状
に集光される。剥離すべきレジストの形状が長方形なら
ばこれだけで十分であるが、剥離する形状は多様であ
り、また剥離境界部をシャープにするためにもマスク４
を設置し紫外線の照射領域を限定しガラス基板５上のレ
ジストに紫外線を照射する。マスク４は、オゾン、酸素
等のアシストガスの通路６を有し開口部よりアシストガ
スを噴出する。これにより紫外線の作用によって発生す
るラジカルと紫外線との相互作用によりレジストの分
解、除去が促進される。また、紫外線によってラジカル
を発生することが公知のＨ2 Ｏ、ＣＯ2 、ＮＯ、ＮＨ3
等のガスを添加するのも有効である。また、アシストガ
スを間欠に吹き出すのも紫外線の有機化合物の結合切断
作用を促進するのに有効である。
【００１５】一方、パターン形成部のレジストが前記ア
シストガスに接触すると変質しその後の処理において障
害を生じるおそれがある。そこで、マスク４の一部や周
辺に排気口７をもうけアシストガスを吸引しアシストガ
スのパターン形成部への流入を防止してある。
シストガスに接触すると変質しその後の処理において障
害を生じるおそれがある。そこで、マスク４の一部や周
辺に排気口７をもうけアシストガスを吸引しアシストガ
スのパターン形成部への流入を防止してある。
【００１６】レジストの剥離速度を上げるためにヒータ
ー８により加熱することも有効である。このときパター
ン形成部のレジストが変質しない温度にとどめることが
必要である。
ー８により加熱することも有効である。このときパター
ン形成部のレジストが変質しない温度にとどめることが
必要である。
【００１７】以上述べた本発明によりネガタイプのノボ
ラック系ＥＢレジストを５インチサイズのマスク周縁の
一辺５mm×１２７mmの範囲で剥離テストを行った。この
時の、処理条件は以下に示すとおりである。 Ａ： 紫外線強度８０ｍＷ／ｃｍ2 、処理温度２５℃、
大気中処理 Ｂ： 紫外線強度１５０ｍＷ／ｃｍ2 、処理温度２５
℃、オゾンフロー Ｃ： 紫外線強度１５０ｍＷ／ｃｍ2 、処理温度１００
℃、オゾンフロー ５分間の処理において、紫外線強度、処理温度が低く、
オゾンを用いなかったＡ条件では０．０４μｍの厚みの
レジストが剥離された。また、紫外線強度を１５０ｍＷ
／ｃｍ2 に高めさらにオゾンを作用させたＢ条件では
０．１０μｍとＡ条件の２．５倍の厚みのレジストが剥
離できた。さらに処理温度を１００℃にしたＣ条件では
剥離されたレジスト厚みは０．４８μｍと最も大きかっ
た。
ラック系ＥＢレジストを５インチサイズのマスク周縁の
一辺５mm×１２７mmの範囲で剥離テストを行った。この
時の、処理条件は以下に示すとおりである。 Ａ： 紫外線強度８０ｍＷ／ｃｍ2 、処理温度２５℃、
大気中処理 Ｂ： 紫外線強度１５０ｍＷ／ｃｍ2 、処理温度２５
℃、オゾンフロー Ｃ： 紫外線強度１５０ｍＷ／ｃｍ2 、処理温度１００
℃、オゾンフロー ５分間の処理において、紫外線強度、処理温度が低く、
オゾンを用いなかったＡ条件では０．０４μｍの厚みの
レジストが剥離された。また、紫外線強度を１５０ｍＷ
／ｃｍ2 に高めさらにオゾンを作用させたＢ条件では
０．１０μｍとＡ条件の２．５倍の厚みのレジストが剥
離できた。さらに処理温度を１００℃にしたＣ条件では
剥離されたレジスト厚みは０．４８μｍと最も大きかっ
た。
【００１８】なお、本発明は、直線状のレジスト剥離の
みならずパターンをＥＢ描画する際の導電パット接触部
の形状にマスクを限定して利用することもできる。
みならずパターンをＥＢ描画する際の導電パット接触部
の形状にマスクを限定して利用することもできる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明は強度の高い紫
外線とオゾンなどのアシストガスとの相互作用によりガ
ラス基板上の不要なレジストを局所的に現像工程によら
ず剥離ができる。
外線とオゾンなどのアシストガスとの相互作用によりガ
ラス基板上の不要なレジストを局所的に現像工程によら
ず剥離ができる。
【図１】本発明装置の一実施例を示す構成図。
【図２】光源部にコールドミラーと水冷ジャケットを用
いた例を示す構成図。
いた例を示す構成図。
１ 紫外線ランプ ２ 反射板 ３ レンズ ４ マスク ５ ガラス基板 ６ アシストガスの通路 ７ 排気口 ８ ヒーター ９ コールドミラー １０ 水冷ジャケット
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に塗布されたレジストに紫外線を照
射してレジストを局所的に剥離する局所アッシング装置
であって、 光源は紫外線を放射する直管状のランプと反射板から構
成され、 光源より照射された紫外線を集光し、剥離形状にあわせ
て基板上のレジストに局所的に紫外線を照射するための
１個以上のレンズを備えることを特徴とする局所アッシ
ング装置。 - 【請求項２】紫外線の照射領域を限定するためのマスク
を備えた請求項１記載の局所アッシング装置。 - 【請求項３】請求項１記載の局所アッシング装置におい
て、 レジストにオゾン、酸素等のアシストガスを局所的に噴
出する機構と、 剥離する部分以外へのアシストガスの作用が及ぶことを
防止するためのアシストガスの排気機構を備えたことを
特徴とする局所アッシング装置。 - 【請求項４】アシストガスを局所的に噴出する機構と、
アシストガスの排気機構の一方または双方を、マスクに
設けたことを特徴とする請求項２記載の局所アッシング
装置。 - 【請求項５】光源部に、コールドミラーと、合成石英製
の水冷ジャケットの一方または双方を備えたことを特徴
とする請求項１記載の局所アッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18765193A JPH0794450A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 局所アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18765193A JPH0794450A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 局所アッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794450A true JPH0794450A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16209835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18765193A Pending JPH0794450A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 局所アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794450A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017150657A1 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
| CN108699722A (zh) * | 2016-03-04 | 2018-10-23 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置及镀覆方法 |
| KR20200118864A (ko) * | 2018-03-13 | 2020-10-16 | 가부시키가이샤 야마모토메키시켄키 | 도금 장치 및 도금 시스템 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218175A (en) * | 1975-08-01 | 1977-02-10 | Hitachi Ltd | Circuit pattern formation method and its device |
| JPS5724538A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPH04354321A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Nikon Corp | 薄膜除去方法 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP18765193A patent/JPH0794450A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218175A (en) * | 1975-08-01 | 1977-02-10 | Hitachi Ltd | Circuit pattern formation method and its device |
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| KR20180119575A (ko) * | 2016-03-04 | 2018-11-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 장치 및 도금 방법 |
| JP2021063306A (ja) * | 2016-03-04 | 2021-04-22 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
| KR20200118864A (ko) * | 2018-03-13 | 2020-10-16 | 가부시키가이샤 야마모토메키시켄키 | 도금 장치 및 도금 시스템 |
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