KR920004171B1 - 드라이에칭장치 - Google Patents

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KR920004171B1
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유우스께 야지마
세이이찌 무라야마
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가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
미다 가쓰시게
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Abstract

내용 없음.

Description

드라이에칭장치
제 1 도는 본원발명에 의한 에칭장치의 제 1 의 실시예의 기본구성도.
제 2a 도, 제 2b 도는 본원발병의 제 2 의 실시예의 매엽식(枚葉式) 에칭장치의 부분구성도로서, 제 2a 도는 그 정면도, 제 2b 도는 그 상면도.
제 3a 도, 제 3b 도는 본원발명의 제 3 의 실시예의 복수기판을 병렬에 칭하는 장치의 부분구성도로서, 제 3a 도는 그 정면도, 제 3b 도는 그 상면도.
제 4 도는 본원발명의 제 4 의 실시예의 드라이에칭장치의 개략구성도.
제 5 도는 본원발명의 제 5 의 실시예장치의 개략구성도.
제 6a 도, 제 6b 도는 본원발명의 제 6 의 실시예의 장치의 개략구성도.
제 7 도는 본원발명의 제 7 의 실시예장치의 개략구성도.
제 8 도는 본원발명의 제 8 의 실시예장치의 개략구성도.
제 9 도는 본원발명의 제 9 의 실시예장치의 개략구성도.
제 10 도는 본원발명의 제 10 의 실시예장치의 개략구성도.
제 11a 도, 제 11b 도는 본원발명의 제 11 의 실시예장치의 개략구성도.
제 12 도는 본원발명의 제 12 의 실시예장치의 개략구성도.
제 13a 도, 제 13b 도는 본원발명의 제 13 의 실시예장치의 개략구성도.
본원발명은 반도체집적회로 등을 제조하는 공정에 사용되는 드라이에칭장치의 개량에 관한 것이다.
반도체집적회로 등의 제조공정에서 사용되는 드라이에칭법에는 플라즈마에칭법이나 반응성스패터에칭법 등이 있으며, 이들 에칭법은 현재 널리 사용되고 있다. 이들 에칭법에 있어서는 반응성가스를 감압하에서 방전하여 래디컬이나 이온 등의 반응종(反應種)을 발생시켜, 피에칭기판의 표면과 반응시켜서 에칭을 하는 것이다. 이와 같은 드라이에칭법은 가공정도에 있어서 용액에칭법보다 뛰어나기 때문에, 가공치수가 미세화하여 1㎛ 레벨의 패턴의 가공이 필요한 상황하에서는 갈수록 중요한 기술로 되어 있다. 그러나, 플라즈마에칭법이나 반응성스패터에칭법에 있어서는 방전용기내에 피에칭기판을 설치하기 위해 하전입자에 의한 피에칭기판의 손상이 생기기 쉬우며, 또 플라즈마의 열복사 등에 의해 레지스트가 열화한다는 등의 문제점이 있어서 어떠한 대책이 요망되고 있다.
또, 상술한 플라즈마에칭법이나 반응성스패터에칭법의 프로세스에 있어서는 레지스트도포, 패턴노광현상, 에칭, 레지스트의 박리 등의 많은 공정을 거쳐 소망의 회로패턴이 형성된다. 이와 같은 번잡한 공정을 대폭 단축하여 패턴형성을 하는 기술이 공지화되고, 그 상세는 제 5 회 드라이프로세스 심포쥼강연예고집 97페이지(1983년)이나 엘렉트로닉스, 쇼와 59년(1984년) 2월호, 5페이지 등에 기술되어 있다.
이들 공지의 기술에서는 염소를 함유하는 가스를 도입한 반응실내에 설치한 P형 또는 무첨가의 실리콘기판에 파장이 300㎚ 전후의 빚(Hg-Xe 램프나 Xecl 엑시머레이저의 빛)을 조사하면, 빛이 닿은 부분만이 에칭되는 현상을 이용하고 있다. 이 현상의 기구는 충분히 파악되어 있지는 않지만 염소분자가 300㎚ 전후의 파장의 빛을 흡수함으로써 래디컬로 분해하는 동시에, 광여기에 의해 실리콘기판 표면에 생긴 전자가 염소원자에 부착하여 Cl-로 되고, 정전위의 Si 격자중에 끌려 들어가서 실리콘결정의 결합을 절단하여, SiClx의 모양으로 기화증발하는 결과 에칭이 일어나는 것으로 설명되어 있다.
이 기술에 의해 대규모집적회로의 제조공정을 대폭 삭감하는 것이 가능하지만, 염소가스를 효율좋게 광분해하기 때문에 또 기판의 에칭속도를 빠르게 하기 위해서는 300㎚ 부근에 높은 휘도(輝度)의 빛을 방사하는 광원이 불가결하며, XeCl 등의 엑시머레이저가 유효한 것으로 되어 있다. 그러나, 엑시머레이저는 고가인 동시에 점등함으로써 점차 출력이 저하되는 외에 정기적으로 레이저가스를 교환하지 않으면 안된다고 하는 문제가 있다.
본원발명에 가까운 다른 공지예로서 레이저조사에 의한 마스크레스에칭의 기술이 있다. 광원으로서 레이저를 사용할 경우는 지향성, 집광성에 뛰어난다고 하는 레이저의 특징을 살릴 수 있고 가늘게 조린 레이저 광으로 피에칭기판면상을 주사함으로써 마스크를 통하지 않고 직접 미세한 에칭패턴을 그릴 수도 있다. 예를들어 반응가스로서 염소나 염화수소를, 또 이 가스의 활성화수단으로서 Ar+레이저를 이용하여 단결정 및 다결정실리콘에 미세한 에칭패턴을 그린 예가 있다. 상세한 것은 Appl. Phys. Lett., 38(12), 1018(1981)에 기술되어 있다.
상기 논문에 의하면 Ar+레이저에서 방사되는 빛의 파장은 염소가스의 흡수파장의 중심(330㎚)에서 떨어져 있기 때문에 효율 좋은 에칭을 하는데는 높은 파워(∼7W)의 레이저조사를 필요로 하고 있다. 흡수대가 Ar+레이저광의 파장에서 완전히 떨어져 있는 염화수소에 대해서는 Ar+레이저를 4W 이상의 파워로 조사했을 때에 비로서 현저한 에칭효과가 확인되어 있다. 이와 같은 높은 파워의 레이저광을 조사하여, 기판을 용융상태 가까이까지 가열함으로써 에칭이 촉진되는 것으로 기술되어 있다. 이처럼 종래기술에 있어서, Ar+레이저를 대신 상기 엑시머레이저를 사용하는 것도 생각할 수 있지만, 엑시머레이저는 상술한 바와 같은 문제점이 있어서 실용상 곤란하다.
따라서 본원발명의 제 1 의 목적은 상술한 결점을 극복하고, 하전입자에 의한 기판의 손상이나 플라즈마로부터의 열복사에 의한 레지스트의 열화를 억제한 에칭장치를 제공하는데 있다.
본원발명의 제 2 의 목적은 상기 문제점을 해결하고, 레지스트를 사용하지 않고 소망의 패턴을 형성하는 드라이에칭장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본원발명에 있어서는 질소나 회가스분자 등의 준안정여기종(準安定勵起種)을 발생하는 수단과, 상기 준안정여기종을 피에칭기판을 설치한 반응실에 이동시키는 수단과, 에칭에 사용하는 반응가스를 상기 피에칭기판을 설치한 반응실에 도입하는 수단을 구비하여 이루어지고, 상기 준안정여기종과 상기 반응가스와의 충돌에 의해 상기 반응가스를 활성화하여 상기 활성화한 반응가스와 상기 피에칭기판과의 반응으로 상기 피에칭기판을 에칭하도록 에칭장치를 구성한 것을 특징으로 하고 있다.
상기 제 2 의 목적을 달성하기 위해 본원발명에서는 반응실내에 설치된 피에칭기판에 빛을 조사하는 광원, 상기 반응실에 반응가스를 도입하는 수단, 준안정여기분자를 발생시키는 수단, 이 준안정여기분자를 상기 반응실로 도입하는 수단을 가지며, 상기 준안정여기분자와 반응실에 도입된 반응가스와의 반응에 의해 이 반응가스를 활성화하고, 활성화한 반응가스와 피에칭기판의 표면과의 반응에 의해 상기 빛을 조사하는 부분의 기판의 표면을 에칭하는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 본원발명의 특징적인 구성에 의해 하전입자나 플라즈마발생부에서 떨어진 위치에서 피에칭기판을 에칭할 수 있게끔 되기 때문에 하전입자에 의한 기판의 손상이나 플라즈마로부터의 열복사에 의한 레지스트의 열화를 억제한 저온의 드라이에칭이 가능하게 되었다.
또한 본원발명의 드라이에칭장치에 의하면, 준안정여기분자를 이용하여 반응가스를 활성화시킴으로써 피에칭기판을 광여기시키기 위한 광원으로서 염가, 안정되고 또한 수명이 긴 광원을 사용할 수 있고, 레지스트에칭 또는 마스크레스에칭을 실용화할 수 있게 된다.
다음에 본원발명을 도면에 의거하여 상술한다. 먼저 본원발명의 원리에 대해 기술한다.
본원발명은 질소나 희가스의 준안정여기종이며 비교적 장수명을 갖는 것을 반응가스의 활성화에 사용하고 있다. 예를들어 준안정여기질소분자
Figure kpo00001
는 6.17eV의 여기에너지를 가지며, 장시간 여기상태(서명은 2.1초)에 머무르고 있다. 그결과, 방전 등에 의해
Figure kpo00002
를 행성했을 경우, 플라즈마상태에 있는 방전발생부에서 떨어진 위치에 질소분자를 이동시켜도
Figure kpo00003
의 상태에 머무르고 있다. 이
Figure kpo00004
는 다른 화학종과 충돌함으로써 상대에 에너지를 전달하여 충돌화학종을 여기시키거나 분해하거나 한다. 이 현상을 이용하여 Si3N4막을 형성하는 기술은 공지되어 있으며, 일본국 특공소 58-27656호에 기재 되어 있다. 이 장치에 있어서는 플라즈마발생부에서 격리된 위치에서 반응이 진행되기 때문에 하전입자에 의한 영향을 대부분 배제하여 얇은 막형성이 가능하다.
그래서, 본원발명에서는 이와 같은 장수명을 갖는 준안정여기종을 에칭가스의 활성화수단에 이용코자하는 것이다. 즉, 질소나 희가스분자 등이 준안정여기종을 발생시켜 이것을 반응실로 이동하며, 동시에 에칭에 사용하는 반응가스도 반응실로 인도한다. 그렇게 하면 준안정여기종과 반응가스가 충돌하여 반응가스를 활성화시킨다. 이 활성화한 반응가스는 반응실에 설치된 피에칭기판과 반응하여 기판을 에칭하는 것이다.
또한 피에칭반도체기판을 광여기하기 위한 광원과 함께 반응가스를 분해아여 활성화시키기 위한 수단으로서 준안정여기분자를 이용하여 기판을 에칭하고 있다.
다음에 본원발명을 구체적인 실시예에 의거하여 설명한다.
제 1 도는 본원발명의 제 1 의 실시예를 나타낸다. (1)은 질소나 희가스의 공급원, 예를들어 가스공급원(1)에서 나온 질소가스는 밸브(2) 및 튜우브(3)를 지나 준안정여기종발생부(4)에서 준안정여기분자
Figure kpo00005
로 변환된다. 변환방법으로서는 마이크로파 방전이아 2전극 간방전법이 유효하다. 발생부(4)에서 생성한 준안정여기분자는 튜우브(5)를 지나 피에칭기판(6)을 갖는 반응실(7)로 도입된다. 한편, 할로겐을 포함하는 반응가스의 공급원(8)에서 나옹 반응가스는 밸브(9) 및 튜우브(10)를 거쳐 반응실(7)로 도입된다. 발생부(4)에서 생성한 준안정여기분자
Figure kpo00006
는 2.1초의 수명을 갖고 있는 일로 해서, 반응실(7)로 도입된 시점에 있어서도 여기상태에 머무르고 있다. 그 결과, 튜우브(10)를 거쳐 반응실(7)에 도입된 반응가스는 준안정여기분자
Figure kpo00007
와 충돌하여 활성인 화학종으로 변환되어 기판(6)을 에칭한다. 에칭에 의해 생성한 가스는 튜우브(11)를 거쳐 배기장치(12)에 의해 배기된다.
제 2a 도, 제 2b 도는 본원발명의 제 2 의 실시예이며, 기판(6)을 1매씩(매엽식에서) 에칭하는 방식에 있어서 기판(6)면을 균일하게 에칭하는데 적합한 에칭장치중 시료실(7)내의 부분적 장치구성도를 나타낸다. 제 2a 도는 그 정면도, 제 2b 도는 그 상면도를 나타낸다. 제 1 도에 나타낸 준안정여기종발생부(4)에서 발생한 준안정여기분자는 튜우브(5)를 거쳐 제 2a 도, 제 2b 도의 튜우브(13), 분기관(14) 및 (14')를 거친 다음 환상 튜우브(15)에 설치된 4개소의 구멍(16),(17),(18),(19)에서 반응실(도시 생략)내에 도입된다. 한편, 제 1 도의 튜우브(10)를 경유해서 오는 반응가스는 제 2a 도, 제 2b 도의 튜우브(20), 분기관(21) 및 (21')를 거친 다음 환상튜우브(22)에 설치된 4개소의 구멍(23),(24),(25),(26)에서 반응실로 도입된다. 준안정여기분자를 반응실내로 도입하는 구멍(16) 및 (19)는 분기관(14)과 환상튜우브(15)와의 접속부(27), 또 구멍(17) 및 (18)은 분기관(14')과 환상튜우브(15)와의 접속부(28)에서 각기 등거리에 있으며, 또한 각각의 구멍(16)∼(19)은 환상튜우브(15)를 4등분하는 대칭위치에 놓여 있다. 또 반응가스를 반응실로 도입하는 4개소의 구멍(23)∼(26)도 분기관(21) 및 (21')와 환상튜우브(22)와의 접속부(29) 및 (30)에서 등거리에 있으며 또한 각각의 구멍(23)∼(26)은 환상튜우브(22)를 4등분하는 대칭위치에 놓여 있다. 그리고 제 2a 도에는 나타나 있지 않지만 에칭에 의해 생성한 가스를 배기하는 튜우브(11)는 제 1 도와 마찬가지로 기판(6)의 아래쪽에 설치되어 있다. 이상의 구성으로부터 반응실내에 도입된 준안정여기분자와 반응가스는 기판(6)의 표면 근방에서 균일하게 반응하며, 활성인 화학종을 생성하여 기판(6)표면을 균일하게 에칭한다.
제 3a 도, 제 3b 도는 본원발명의 제3의 실시예이며, 복수의 기판(39)∼(44)를 병렬로 에칭하는데 적합한 에칭장치의 부분구성을 나타내고 있다. 제 3a 도는 정면도, 제 3b 도는 상면도를 나타낸다. 제 1 도에서 나타낸 바와 같은 준안정여기종발생부에서 발생한 준안정여기분자는 튜우브(31)를 경유한 다음 방사형상으로 뻗은 분기관(32), (33), (34)에서 반응실내로 도입된다. 한편, 반응가스는 튜우브(35)를 경유한 다음 방사형상으로 뻗은 분기관(36), (37), (38)에서 반응실내로 도입된다. 기판(39), (40), (41), (42), (43), (44)는 기판대(45)상에 설치되며 도면에는 표시하지 않았지만 에칭에 의해 생긴 생성가스는 기판대(45) 밑에 설치된 배기구에서 배기된다.
그리고, 제 1 도, 제 2a 도, 제 2b 도, 제 3a 도, 제 3b 도의 실시예에서는 기판은 고정된 상태가 표시되어 있지만, 기판의 표면을 균일하게 에칭하기 위해 기판대에 회전기구를 설치할 수도 있다. 특히 제 3 도에 나타낸 바와 같은 복수의 기판의 병렬처리를 하는 장치에 있어서는 기판대(45)의 회전에 더해서 개개의 기판을 기판대(45)위에서 회전하기 위한 기구를 병용할 수도 있다. 제 2a 도, 제 2b 도의 실시예에서는 준안정여기분자가 상부의 환상튜우브(15)를 경유하여, 반응가스는 하부의 환상튜우브(22)를 경유하여 반응실로 도입되어 있지만, 환상튜우브(15)와 (22)의 상하관계를 역전시켜도 똑같은 효과가 얻어진다. 또 제 2a 도, 제 2b 도의 실시예에서는 하부의 환상튜우브(22)의 직경은 상부의 환상튜우브(15)의 직경보다도 커져 있지만, 양자의 직경을 대충 같은 정도로 변경해도 된다. 또한 제 2a 도, 제 2b 도의 실시예에서는 환상튜우브(15) 및 (22)에는 구멍이 각기 4개소 설치되어 있지만, 소망의 수로 증감하는 것은 가능하다. 단 그 경우, 분기관의 수를 증감하여 각 구멍에서 반응실로 도입되는 가스유량을 같은 레벨로 하는 것이 바람직하다. 또 제 3a 도, 제 3b 도의 실시예에 있어서 준안정여기분자도입용의 분기관(32), (33), (34)과 반응가스도입용의 분기관(36), (37), (38)과의 선단부분을, 제 2a 도, 제 2b 도의 실시예에서 나타낸 바와 같은 복수의 구멍을 갖는 환상튜우브구조로 함으로써 기판(39), (40), (41), (42), (43), (44)에 있어서의 에칭의 균일화를 도모할 수 있다.
제 4 도는 본원발명의 제 4 의 실시예인 드라이에칭장치를 나타낸 개략구성도이다.
광원(51)에서 나온 빛은 광투과창(52)을 통과한 다음 반응실(53)내에 배치되며, 소망의 패턴이 그려진 마스크(54)를 거쳐 피에칭반도체기판(55), 예를들어 P형 또는 무첨가의 실리콘기판면상을 조사한다. 반응가스저장소(56)에서 유출한 반응가스, 예를들어 염소를 함유하는 가스는 밸브(57) 및 튜우브(58)를 거쳐 반응실(53)내에 도입된다. 한편, 준안정여기분자발생을 위해 사용하는 가스, 예를들어 질소 또는 희가스의 준안정여기분자발생용 가스저장소(59)에서 나온 가스는 밸브(60)를 거친 다음 준안정여기분자발생부(61)에서 준안정여기분자로 변환된다. 준안정여기분자발생부(61)에 있어서의 준안정여기분자에의 변환수단으로서는 마이크로파방전이나 2전극방전 등의 방전방식이 적합하다. 예를들어 준안정여기분자발생용의 가스로서 질소가스를 사용했을 경우는 준안정여기분자발생부(61)에서
Figure kpo00008
의 준안정여기분자로 변환된다. 이 준안정 여기분자는 6.17eV의 여기에너지를 가지며, 또한 장시간 여기상태(수명은 2.1초)에 머무르고 있기 때문에 튜우브(62)를 거쳐 반응실(53)내에 들어간 단계에서도 여기상태에 있다. 반응실(53)로 도입된 준안정여기분자는 반응가스와 충돌하여 반응가스를 활성화시킨다. 활성화한 반응가스는 반응실(53)내에 설치된 피에칭반도체기판(55)의 표면중, 마스크(54)를 통해 광원(51)에서 조사된 부분을 에칭한다. 그리고 (63)은 렌즈, (64)는 가스의 배기관이다.
제 5 도는 본원발명의 제 5 의 실시예를 나타낸 도면이다. 본 실시예는 준안정여기분자발생부(61)에서 생기는 빛이 반응실(53)내에 입사하지 않도록 고안한 것이다. 예를들어 준안정여기분자발생용 가스저장소(59)에서 나온 질소 또는 희가스를 방전에 의해 준안정여기분자발생부(61)에서 준안정여기분자로 변환하면, 준안정여기분자발생부(61)내에서는 플라즈마에 의한 강한 발광을 볼 수 있다. 이때 생긴 빛이 반응실(53)내의 피에칭반도체기판(55)에 도달하면 빛이 도달한 기판표면에서도 에칭이 진행하기 때문에, 마스크(54)에 그려진 소망의 패턴대로의 에칭을 할 수 없게 된다. 제 5 도에 나타낸 실시예에서는 준안정여기분자발생부(61)에서 반응실(53)에 이르는 튜우브(62)에 곡절부(曲折部)(65) 및 (66)이 설치되며, 준안정여기분자발생부(61)에서 발하는 빛이 반응실(53)내에 입사하지 않게끔 되어 있다. 또 마스크(54)와 피에칭반도체기판(55)과의 틈으로부터의 광입사를 억제하기 위해, 마스크(54)와 피에칭반도체기판(55)을 둘러 싸듯이 차폐판(67)이 설치되어 있다. 그리고 도면에는 표시되어 있지 않지만, 준안정여기분자발생부(61)에서 반응실(53)에 이른다. 예를들어 석영(石英)제의 투명한 튜우브는 이 튜우브의 내면반사를 억제하기 위해, 이 튜우브의 외벽은 흑색물질이 도포되어 있다.
제 6a 도, 제 6b 도는 본원발명의 제 6 의 실시예를 나타낸 도면이다. 본 실시예는 마스크(54)와 피에칭반도체기판(55)과의 틈에 에칭가스와 준안정여기분자가 균일하게 분포하도록 도입하기 위해 고안한 것이다. 제 6a 도는 정면도, 제 6b 도는 그 평면도이다. 반응가스저장소(도시생략 제 4 도 참조)에서 나온 반응가스는 튜우브(68), 분기관(69) 및 (69')(제 6a 도에 있어서는 도시를 생략), 또한 환상튜우브(70)에 설치된 불출구 (71), (72), (73), (74)에서 반응실로 도입된다. 한편, 준안정여기분자발생용 가스저장소(도시 생략)에서 나와, 준안정여기분자발생부에서 준안정여기분자로 변환된 가스는 튜우브(75), 분기관(76) 및 (76')(제 6a 도에 있어서는 도시 생략), 또한 환상튜우브(77)에 설치된 분출구(78), (79), (80), (81)에서 반응실로 도입된다. 제 6a 도, 제 6b 도의 실시예에 있어서는 반응가스를 인도하는 환상튜우브(70)에서 아래쪽으로 뻗은 분출구(71), (72), (73), (74)는 환상튜우브(70)의 아래쪽에 설치된 준안정여기분자를 인도하는 환상튜우브(77)와 동일평면에 설치되어 있다. 즉, 반응가스의 분출구(71), (72), (73), (74) 및 준안정여기분자의 분출구(78), (79), (80), (81)는 동일 평면에서 서로 등간격의 위치에 설치되어 있다. 예를들어 반응가스의 분출구(71)와 준안정여기분자의 분출구(78) 및 (79)가 이루는 각도는 45°(마스크 54의 중심에서 보아)로 되어 있다.
본 실시예에서는 마스크(54) 및 마스크(54)에 대향해서 설치된 피에칭반도체기판(55)은 환상튜우브(77)의 아래쪽에 표시되어 있지만, 에칭을 실시할 경우는 기판대(82)를 도시 생략의 장치에 의해 윗쪽으로 이동시키고, 반응가스의 분출구(71), (72), (73), (74) 및 준안정여기분자의 분출구(78), (79), (80), (81)가 위치하는 동일평면상으로 오도록 조절한다. 그리고, 마스크(54)를 통과해서 피에칭반도체기판(55)을 조사하기 위한 빛은 제 6a 도의 화살표 A방향에서 입사하도록 되어 있다.
그리고, 제 6A 도에 있어서의 반응실(53)에 구비되어야 할 광투과창이나 가스의 배기관의 도시하는 생략되어 있다.
제 7 도는 본원발명의 제 7 의 실시예를 나타낸 도면이다. 본 실시예에서는 복수의 기판을 동시에 에칭하기 위해 고안한 것이다. 도면에는 4개의 기판을 동시처리하는 방식이 표시되어 있다. 본 실시예는 제 6a 도, 제 6b 도의 실시예에 나타낸 장치를 4개 병렬로 조합한 구성으로 되어 있다. 질소 또는 희가스 등의 준안정여기분자는 튜우브(83)에서 방사형상으로 뻗은 분기관(84), (85), (86), (87)을 거친 다은, 제 6a 도, 제 6b 도의 실시예에서 기술한 경로에서 반응실내에 분출한다. 한편 반응가스는 도면에는 표시되어 있지 않지만, 반응가스저장소, 다시 유량 조절기구를 경유하고 나서 4개의 분기관으로 갈라져, 제 7 도의 튜우브(88), (89), (90), (91)로 흘러온다. 유입해 온 가스는 제 6a 도, 제 6b 도의 실시예에서 기술한 경로에 의해 반응실내에 분출한다. 제 7 도에 있어서 (92), (93), (94), (95)는 각 분출구 가까이에 설치된 마스크를 나타내고 있다.
제 8 도는 본원발명의 제 8 의 실시예를 나타낸 도면이다. 제 4 에서 제 7 의 실시예에서는 마스크를 통해 등배투영(等倍投影)의 노광방식으로 피에칭기판에 마스크의 상을 투영하고 있지만, 본 실시예에서는 피에칭반도체기판면상에 소망의 에칭패턴을 그리는데 축소투영노광방식을 채용하고 있다. 제 8 도는 축소투영노광을 하는 장치는 나타낸다. (96)은 노광용관원, (97)은 마스크, (98)은 축소렌즈, (99)는 피에칭반도체기판이다. 그리고 도면에서는 반응실의 외벽, 반응가스 및 준안정여기분자의 도입구, 배기관 등은 생략하고 있다. 마스크(97)상에는 피에칭반도체기판(99)상에 그리는 소망의 치수의 패턴의 확대도가 그려져 있다. 광원(96)에서 나온 빛은 마스크를 통과한 다음 축소렌즈(98)에 들어가, 최종적으로는 피에칭반도체기판(99)의 면상에 소망치수의 패턴을 그린다. 도면에는 표시되어 있지 않지만 축소투영노광방식에 있어서는 피에칭반도체 기판상의 정해진 위치에 1노광영역씩 미세한 패턴을 형성할 필요가 있기 때문에, 기판의 반송, 위치결정 등의 정확한 제어기술이 필요하다.
제 9 도, 제 10 도, 제 11a 도, 제 11b 도는 각기 본원발명의 제 9∼제 11 의 실시예를 나타낸 도면이다. 제 9∼제 11 의 실시예는 광원으로서 레이저를 사용하며, 가늘게 조린 레이저광으로 피에칭반도체기판면상을 주사함으로써, 마스크를 사용하지 않고 소망의 패턴으로 에칭하는 것이다. 제 9 의 실시예는 제 4 의 실시예에, 제 10 의 실시예는 제 5 의 실시예에, 제 11 의 실시예는 제 6 의 실시예에 각기 대응한다. 도면에 있어서, (100)은 레이저광원, (101)은 레이저비임이며, 그 밖의 부호는 제 3 도∼제 6a 도, 제 6b 도에서 나타낸 것과 동일한 것을 나타낸다.
제 9∼제 11 의 실시예에 있어서, 준안정여기분자발생부(61)에서 발생한 준안정여기분자는 반응실(53)로 도입되며, 반응가스저장소(56)에서 도입된 반응가스와 충돌하여 이 반응가스를 활성화시킨다. 활성화한 반응가스는 반응실(53)내에 설치된 피에칭반도체기판(55)면상의 레이저비임(101)으로 조사되어 광여기된 부분을 에칭한다. 상기 제 9∼제 11 의 실시예에 있어서의 레이저비임(101)의 주사방법은 예를들어 레이저비임(101)의 방사공간을 고정하여, 피에칭반도체기판(55)을 탑재한 시료대를 이동시킨다.
그리고, 제 11a 도에 있어서는 제 6a 도와 마찬가지로 반응실(53)에 구비되어야 할 광투과창이나 가스의 배기관의 도시는 생략되어 있다.
제 12 도는 본원발명의 제 12 의 실시예를 나타낸 도면이며, 본 실시예는 광화이버 및 포토커플러를 사용하여 레이저비임을 주사하여, 피에칭반도체기판상에 소망의 에칭패턴을 그리는 것이다. 그리고 제 12 도에는 반응실의 외벽, 반응가스 및 준안정여기분자의 도입구, 가스의 배기관, 기판대 등은 생략되어 있다. 본 실시예에 있어서는 레이저비임(101)은 광화이버케이블(102)에 의해 보내지며, 마이크로렌즈 등을 조입한 포토커플러(103)를 통해 피에칭반도체기판(55)을 조사한다. 고정구(104)로 고정된 포토커플러(103)는 콘트롤유니트(105)의 작용에 의해 소망의 패턴을 그리도록 이동해서 피에칭반도체기판(55)을 조사한다.
제 13a 도, 제 13b 도는 본원발명의 제 13 의 실시예를 나타낸 도면이며, 본 실시예는 2개의 레이저비임을 간섭시켜, 그때 생기는 간섭줄무늬를 이용하여, 피에칭반도체기판상에 미세한 줄무늬모양의 에칭패턴을 그리는데 이용하는 것이다. 제 13a, 제 13b 도에 있어서도 제 12 도와 마찬가지로 다른 장치구성은 생략되어 있다. 레이저광원(100)에서 나온 레이저비임(101)은 하아프미러(106)에 의해 레이저비임(107) 및 (108)로 분할된다. 그 후 레이저비임(107)은 미러(109), (110), (111)에서 반사되어 레이저비임(112)으로 되며, 한편 레이저비임(108)은 미러(113), (114)에서 반사되어 레이저비임(115)으로 된다. 2개의 레이저비임(112) 및 (115)는 서로 간섭하여, 피에칭반도체기판(116)상에 간섭줄무늬(117)를 형성한다. 간섭줄무늬(117)의 밝은 부분에 있어서, 준안정여기분자와 반응가스와의 충돌결과 생긴 활성가스와 피에칭반도체기판(116)과의 반응이 진행하여 에칭된다.
이상 기술한 바와 같이 실시예 4∼13에 있어서는 반응실 밖에서 생성한 준안정여기분자를 반응실로 인도하여, 반응가스와 충돌시킴으로써 반응가스를 활성화하고 있다. 한편, 피에칭반도체기판의 광여기에는 안정되고 수명이 긴 레이저광원, 예를들어 Ar+레이저, He-Ne 레이저, 각종 방전관 등을 사용할 수 있기 때문에 엑시머레이저를 광원으로 사용할 경우에 생기는 고가격성, 점등시의 휘도의 저하, 빈번한 방전가스의 교환 등의 문제점을 해소하여 레지스트레스에칭 또는 마스크레스에칭이 가능해진다. 또 Ar+레이저광을 광원으로 할 경우에도 종래처럼 높은 파워의 레이저비임을 조사하는 일 없이 에칭이 가능해진다.
이들 실시예에 있어서는 광원에서 방사되는 빛 또는 가늘게 조린 레이저광은 피에칭반도체기판표면 또는 그 특정 미세영역을 광여기하기 위해 사용하는 것이다. 따라서, 빛 또는 레이저비임에는 반응가스를 광분해 또는 열분해시키는 기능은 없어도 좋지만, 광분해나 열분해시키는 기능을 구비하고 있어도 좋다. 예를들어 염소가스를 반응가스로서 사용할 경우, 염소가스의 흡수밴드에 합치하는 300㎚ 전후의 파장의 및, 예를들어 XeCl의 엑시머레이저, 고압수은 등으로부터의 방전광을 조사해도 된다. 또 상기 흡수밴드의 기슭에 위치하는 Ar+레이저를 4W 정도의 높은 파워로 조사하여 기판을 융점가열에까지 가열해도 된다. 이 경우는 예를들어 제 4 도에 있어서의 준안정여기분자발생부(61)에서 생성한 준안정여기분자가 반응실(53)내에서 반응가스를 활성화시키는데 더해서 광조사효과에 의해서도 반응가스가 활성화한다고 하는 상승효과가 얻어진다.
또, 제 5 도, 제 10 도에 나타낸 제 5, 제 10 의 실시예에 있어서, 준안정여기분자발생부(61)에서 생기는 발광속이 반응실(53)에 입사하는 것을 방지하기 위해 2개소의 곡절부(65) 및 (66)이 설치되어 있지만, 더욱 증설해도 좋은 것은 물론이다. 또 제 5 도 및 제 10 도에서는 곡절부(65), (66)는 직각으로 굽혀 있지만, 튜우브를 나선형상으로 우회시켜도 똑같은 효과가 있으며, 반응실(53)에의 광속의 입사를 저감할 수 있다.
제 6a 도, 제 6b 도 및 제 11a 도, 제 11b 도에 나타낸 제 6, 제 11 의 실시예에서는 환상튜우브(70)는 반응가스를 인도하며, 환상튜우브(77)는 준안정여기분자를 인도하지만, 환상튜우브(70)와 (77)의 상하관계를 역전하여, 환상튜우브(70)를 통해서 준안정여기분자를, 또 환상튜우브(77)를 통해서 반응가스를 반응실에 도입해도 좋은 것은 물론이다. 또 제 6, 제 11 의 실시예에서는 환상튜우브(70) 및 (77)에는 분출구가 각기 4개소 설치되어 있지만, 소망의 수로 증감해도 좋다. 단 그 경우, 피에칭반도체기판(55)상에 있어서, 준안정여기분자 및 반응가스의 양이 균일해질 것이 필요하며, 분출구의 수의 증감에 수반해서 분기관(69), (69'), (76), (76')의 수도 증감하여, 각 분출구에서 반응실로 도입되는 2개의 가스의 유량을 같은 정도로 하는 것이 바람직하다.
또, 제 11 의 실시예에 있어서 환상튜우브(70) 및 (77)의 전체의 크기(직경)를 작게하면, 환상튜우브에서 튀어 나온 형상의 분출구를 형성하는 일 없이, 환상튜우브(70), (77)에 직접 복수의 열린 곳을 설치해도 좋다. 그 경우, 윗쪽의 환상튜우브(70)의 직경을 아래쪽 환상튜우브(77)의 직경보다 작게 하고, 또한 환상튜우브(70)에 설치하는 열린 곳을 튜우브 중심보다 아래쪽에 위치시켜서 설치하는 것이 바람직하며, 이와 같은 구성에 의해 피에칭반도체 기판상에 효율좋게 활성화한 반응가스를 인도할 수 있다.
제 8 도에 나타낸 제 8 의 실시예에서는 마스크(97)는 피에칭반도체기판(99)에 대향해서 평행하게 설치되어 있지만, 미러 등을 통해 반사시키는 기구를 갖게 하면 소망의 위치에 설치할 수 있다. 이와 같은 경우에 있어서도 마스크(97)와 피에칭반도체기판(99)은 서로 대향한 상태로 설치되어 있다고 하는 본원발명의 취지에 부응하는 것이다.
또, 제 8 도에 나타낸 배치에서는 기판(99)과 마스크(97)의 간격을 넓게 할 수 있으므로, 준안정여기분자를 기판(99)상에 균일하게 분포할 수 있는 이점이 있다. 따라서 마스크(97)를 상(傷)을 축소하지 않을 경우에도 사용해도 좋다. 또한 준안정여기분자의 분포에 균일성을 증가시키기 위해 기체의 균일한 흐름, 또는 난류(亂流)를 기판(99)상에 생기게 하는 것도 유효하다.
그리고 상기 실시예에 있어서 염소를 포함하는 반응가스로서는 염소가스외에 분자식 안에 염소원자를 함유하는 가스도 포함된다.
또, 준안정여기분자발생용 가스로서는 희가스와 같은 단원자분자, 질소나 산소 등의 2원자분자 외에 2산화질소나 아산화질소 등의 3원자분자 이상의 다원자분자를 이용할 수 있다. 그러나 본원발명을 효과적으로 실시하기 위해서는 상기 가스분자 및 상기 가스분자의 분해결과 생기는 준안정여기분자의 수명이 10ms 이상 있을 것이 바람직하다. 또한 기판상에서의 반응의 균일성을 얻기 위해서는 더욱 긴 수명을 필요로 하며, 100ms 이상일 것이 바람직하다.
이상 기술한 것처럼 본원발명에 의해 하전입자나 플라즈마발생부에서 떨어진 위치에서 피에칭기판을 에칭할 수 있게 되어, 하전입자에 의한 기판의 손상이나 플라즈마로부터의 열복사에 의한 레지스트의 열화를 억제한 저온의 드라이에칭이 가능해졌다.
또한, 본원발명의 드라이에칭장치에 의하면, 준안정여기분자를 이용하여 반응가스를 활성화시킴으로써, 피에칭반도체기판을 광여기시키기 위한 광원으로서 염가이며 안정되고 또한 수명이 긴 광원을 사용할 수 있고, 레지스트레스에칭 또는 마스크레스에칭을 실용화할 수 있게 된다.
그리고 제 1 도∼제 3a 도, 제 3b 도의 실시예는 기판면 전역을 에칭하는 방법으로서, 한편 제 4 도∼제 13a 도, 제 13b 도의 실시예는 기판면중 광조사된 부분을 에칭하는 방법으로서 적합하지만, 양자의 현상의 상이한 점에 대해서는 충분히 해명되어 있지는 않지만, 기판의 성질(예를들어 n+실리콘 , P+실리콘, 무첨가의 실리콘 등), 반응가스의 종류(예를들어 염소가스, 불소가스) 등에 의해 에칭하는 방법이 다른 것이다.

Claims (22)

  1. 준안정여기종을 발생하는 수단과, 상기 준안정여기종을 피에칭기판을 설치한 반응실에 이동시키는 수단과, 에칭에 사용하는 반응가스를 상기 피에칭기판을 설치한 반응실에 도입하는 수단을 구비하여 이루어지며, 상기 준안정여기종과 상기 반응가스의 충돌에 의해 상기 반응가스를 활성화하고, 상기 활성화한 반응가스와 상기 피에칭기판과의 반응으로 상기 피에칭기판을 에칭하도록 한 것을 특징으로 하는 드라이에칭장치.
  2. 상기 준안정여기종이 질소 또는 희가스의 준안정여기종인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 1기재의 드라이에칭장치.
  3. 반응실내에 설치된 피에칭기판에 빛을 조사하는 광원과, 상기 반응실에 반응가스를 도입하는 수단과, 준안정여기분자를 발생시키는 수단과, 이 준안정여기분자를 상기 반응실에 도입하는 수단을 가지며, 상기 준안정여기분자와 상기 반응실에 도입된 상기 반응가스와의 반응에 의해, 이 반응가스를 활성화하고, 상기 활성화한 반응가스와 상기 피에칭기판의 표면과의 반응에 의해, 상기 빛을 조사한 부분의 상기 기판의 표면을 에칭하는 것을 특징으로 하는 드라이에칭장치.
  4. 상기 피에칭기판과 상기 광원과의 사이에 소망의 패턴을 그린 마스크를 설치하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  5. 상기 반응가스가 염소를 함유하는 가스임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  6. 상기 피에칭기판이 P형 또는 무첨가의 실리콘기판임을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  7. 상기 준안정여기분자를 발생하는 수단과 반응실을 잇는 튜우브에 곡절부를 설치한 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  8. 상기 준안정여기분자를 발생하는 수단과 반응실이 투명한 튜우브로 이어져 있으며, 이 벽에 빛의 반사효율을 저감시키는 도포(塗布)가 되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  9. 상기 준안정여기분자를 발생하는 수단에서 발하는 빛을 차폐하는 광차폐판을, 상기 반응실내의 피에칭기판을 둘러싸도록 설치한 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  10. 반응가스를 광분해하는 파장역의 빛을 방사하는 광원을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  11. 반응가스의 광분해에 관여하지 않는 파장역의 빛을 방사하는 광원을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  12. 축소투영노광방식을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  13. 상기 반응실내에 있어서, 대략 동일평면내에 상기 반응가스 및 상기 준안정여기분자의 분출구를 복수개 환상으로 설치하고, 이 환상의 분출구의 내측에 상기 피에칭기판을 설치하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  14. 상기 환상으로 배치된 반응가스 및 준안정여기분자의 최소한 한쪽의 분출구가 환상튜우브의 내측에 돌출하는 열린 곳의 끝부분 또는 이 환상튜우브에 직접 설치한 복수의 열린 곳으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 13기재의 드라이에칭장치.
  15. 상기 평면에 대해 수직방향으로 상기 피에칭기판을 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 13기재의 드라이에칭장치.
  16. 대충 동일평면내에 반응가스 및 준안정여기분자의 분출구를 환상으로 구비하고, 이 환상의 분출구의 내측에 피에칭기판을 설치하여 이 피에칭기판을 에칭하는 장치를 복수조 가지며, 반응가스 및 준안정여기분자를 각기 독립된, 그리고 복수로 분기한 튜우브를 거쳐 상기 각 분출구에서 상기 반응실로 도입하고, 복수의 피에칭기판을 동시에 에칭하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 13기재의 드라이에칭장치.
  17. 상기 광원으로서 레이저광원을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 3기재의 드라이에칭장치.
  18. 상기 레이저광원에서 조사되는 레이저비임의 방사공간을 고정하고, 상기 피에칭기판을 탑재한 기판대를 이동함으로써 소망의 에칭패턴을 그리는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 17기재의 드라이에칭장치.
  19. 상기 레이저광원에서 조사되는 레이저비임을 광화이버를 통해 포토커플러에 전달하며, 이 포토커플러에서 방사하는 레이저비임을 피에칭기판에 조사하여, 이 포토커플러를 이동함으로써 소망의 에칭패턴을 그리는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 17기재의 드라이에칭장치.
  20. 상기 레이저광원에서 방사되는 레이저비임을 2분할하고, 이 분할한 레이저비임의 간섭효과로 피에칭기판면상에 간섭줄무늬를 형성하여 미세한 에칭패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 17기재의 드라이에칭장치.
  21. 반응가스의 광분해 또는 열분해에 관여하는 파장역의 빛을 방사하는 레이저광원을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 17기재의 드라이에칭장치.
  22. 반응가스의 광분해 또는 열분해에 관여하지 않는 파장역의 빛을 방사하는 레이저광원을 사용하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 17기재의 드라이에칭장치.
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DE (1) DE3580067D1 (ko)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4689112A (en) * 1985-05-17 1987-08-25 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
US5221423A (en) * 1986-05-20 1993-06-22 Fujitsu Limited Process for cleaning surface of semiconductor substrate
DE3714144C2 (de) * 1986-05-31 1994-08-25 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zum chemischen Trockenätzen
US4863561A (en) * 1986-12-09 1989-09-05 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning integrated circuit wafers
US4776923A (en) * 1987-01-20 1988-10-11 Machine Technology, Inc. Plasma product treatment apparatus and methods and gas transport systems for use therein
EP0300224B2 (en) * 1987-06-26 1998-09-30 Yuzo Mori Strainless precision after-treatment process by radical reaction
US4828649A (en) * 1987-07-16 1989-05-09 Texas Instruments Incorporated Method for etching an aluminum film doped with silicon
US4820377A (en) * 1987-07-16 1989-04-11 Texas Instruments Incorporated Method for cleanup processing chamber and vacuum process module
US4857140A (en) * 1987-07-16 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Method for etching silicon nitride
US4886570A (en) * 1987-07-16 1989-12-12 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
EP0376252B1 (en) * 1988-12-27 1997-10-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of removing an oxide film on a substrate
US5084126A (en) * 1988-12-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for uniform flow distribution in plasma reactors
JPH0758708B2 (ja) * 1989-05-18 1995-06-21 松下電器産業株式会社 ドライエッチング装置
US5002632A (en) * 1989-11-22 1991-03-26 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for etching semiconductor materials
US5326406A (en) * 1991-07-31 1994-07-05 Kawasaki Steel Corporation Method of cleaning semiconductor substrate and apparatus for carrying out the same
US5389196A (en) * 1992-01-30 1995-02-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods for fabricating three-dimensional micro structures
GB2269785A (en) * 1992-08-14 1994-02-23 Sharp Kk Etching a surface of a semiconductor
US5851725A (en) * 1993-01-26 1998-12-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Exposure of lithographic resists by metastable rare gas atoms
JP2804700B2 (ja) * 1993-03-31 1998-09-30 富士通株式会社 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US6007637A (en) * 1993-06-11 1999-12-28 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process and apparatus for the dry treatment of metal surfaces
JPH07335612A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
USRE39895E1 (en) 1994-06-13 2007-10-23 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit arrangement fabrication method
US6033721A (en) * 1994-10-26 2000-03-07 Revise, Inc. Image-based three-axis positioner for laser direct write microchemical reaction
US5637146A (en) * 1995-03-30 1997-06-10 Saturn Cosmos Co., Ltd. Method for the growth of nitride based semiconductors and its apparatus
US6165688A (en) * 1996-05-15 2000-12-26 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Method of fabricating of structures by metastable atom impact desorption of a passivating layer
US5862223A (en) 1996-07-24 1999-01-19 Walker Asset Management Limited Partnership Method and apparatus for a cryptographically-assisted commercial network system designed to facilitate and support expert-based commerce
US6706334B1 (en) 1997-06-04 2004-03-16 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
US6465374B1 (en) 1997-10-21 2002-10-15 Fsi International, Inc. Method of surface preparation
JP4057198B2 (ja) * 1999-08-13 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US6905547B1 (en) * 2000-12-21 2005-06-14 Genus, Inc. Method and apparatus for flexible atomic layer deposition
DE60210770T2 (de) * 2001-03-22 2006-08-31 Xsil Technology Ltd. Ein laserbearbeitungssystem und -verfahren
US6641745B2 (en) * 2001-11-16 2003-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a manifold in a substrate and printhead substructure having the same
US6818566B2 (en) * 2002-10-18 2004-11-16 The Boc Group, Inc. Thermal activation of fluorine for use in a semiconductor chamber
KR100488348B1 (ko) * 2002-11-14 2005-05-10 최대규 플라즈마 프로세스 챔버 및 시스템
US20070227659A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
KR20220148735A (ko) * 2021-04-29 2022-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템 및 반응기 시스템을 세정하기 위한 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2841477A (en) * 1957-03-04 1958-07-01 Pacific Semiconductors Inc Photochemically activated gaseous etching method
US3095341A (en) * 1961-06-30 1963-06-25 Bell Telephone Labor Inc Photosensitive gas phase etching of semiconductors by selective radiation
US3866398A (en) * 1973-12-20 1975-02-18 Texas Instruments Inc In-situ gas-phase reaction for removal of laser-scribe debris
US4183780A (en) * 1978-08-21 1980-01-15 International Business Machines Corporation Photon enhanced reactive ion etching
US4226666A (en) * 1978-08-21 1980-10-07 International Business Machines Corporation Etching method employing radiation and noble gas halide
US4260649A (en) * 1979-05-07 1981-04-07 The Perkin-Elmer Corporation Laser induced dissociative chemical gas phase processing of workpieces
JPS57202732A (en) * 1981-06-05 1982-12-11 Mitsubishi Electric Corp Fine pattern formation
US4331504A (en) * 1981-06-25 1982-05-25 International Business Machines Corporation Etching process with vibrationally excited SF6
JPS5827656A (ja) * 1981-08-10 1983-02-18 Akira Ito 浮遊物回収装置
US4478677A (en) * 1983-12-22 1984-10-23 International Business Machines Corporation Laser induced dry etching of vias in glass with non-contact masking
US4508749A (en) * 1983-12-27 1985-04-02 International Business Machines Corporation Patterning of polyimide films with ultraviolet light
US4490211A (en) * 1984-01-24 1984-12-25 International Business Machines Corporation Laser induced chemical etching of metals with excimer lasers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0168768A1 (en) 1986-01-22
KR860001480A (ko) 1986-02-26
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US4615756A (en) 1986-10-07
DE3580067D1 (de) 1990-11-15

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