JP2002057146A - プラズマ処理室及びバッフル板アセンブリ - Google Patents

プラズマ処理室及びバッフル板アセンブリ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】プラズマ処理装置において、処理基板の表面を
横切る活性したガスの層流を形成するためのプラズマ処
理室及びバッフル板アセンブリを提供すること。 【解決手段】プラズマ処理室10は、頂部壁17を有する壁
38により形成するウエハ処理用の内部室20と、活性した
ガスを分散するために内部室20に隣接して配置され、ほ
ぼ平坦な下部バッフル板16、およびこの板の上方に固定
して配置されるほぼ平坦な上部バッフル板14を含むバッ
フル板アセンブリ12とを含む。頂部壁17と下部バッフル
板16の間にプレナムを形成し、このプレナムは、プラズ
マ処理室10の作動中、内部室20よりも高い圧力下で作動
し、下部バッフル板16は、ガスがプレナムを通過して内
部室内に供給可能となるように形成した開口30のパター
ンを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にフォトレ
ジストアッシャーのような半導体プラズマ処理システム
の分野に関するものであり、特に基板表面を横切る層流
のガス流を与えるためのガス分散プレートに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造において、基板上に集積
回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術
が使用される。典型的には、基板はフォトレジストで被
覆され、その一部分がフォトレジスト上に所望の回路パ
ターンを描くようにマスクを介して紫外線（ＵＶ）照射
に曝される。紫外線照射に曝されずに残された部分は、
処理液で取り去られ、基板上に照射された部分のみが残
される。これら残された部分は、フォトレジストが引き
続く工程に耐えるように、光安定化処理中に焼き付けら
れる。
【０００３】このような処理の後に、集積回路の各要素
が形成されるが、一般的に、焼きつけられたフォトレジ
ストをウエハから取り除くことが必要である。加えて、
エッチングのような工程を介して基板表面に持ち込まれ
た残留物は、取り除かれねばならない。一般的に、フォ
トレジストは、“アッシング（灰化）”されるか“焼き
付け”られ、また、残留物とともにアッシングあるいは
焼きつけられたフォトレジストは、基板の表面から“剥
がされ”、あるいは “清浄化”される。
【０００４】フォトレジストや残留物を取り去る一つの
方法は、真空室内で赤外線照射により所定温度までフォ
トレジストが被覆された基板を急速加熱することであ
り、また、マイクロ波でエネルギーが与えられた反応性
ガス（例 プラズマ）を加熱された基板表面に照射する
ことである。次の工程で、反応性プラズマはフォトレジ
ストと反応し、ウエハからのその後の除去のためにフォ
トレジストをアッシングする。アッシング処理は、ウエ
ハの表面を横切って、実質的に同時に同じ割合で起るこ
とが重要である。フォトレジストのそのような一様なア
ッシングを保障するために、処理条件が正確に制御され
なければならない。そのように制御されるべき処理条件
は、制御室の温度と、ウエハの温度である。
【０００５】励起されたプラズマをウエハに向けるため
の公知のガス分散プレート、即ちバッフル板は、一般的
に高温度の処理に耐えられる能力を有する石英で作られ
る。しかし、石英の使用する場合、ウエハを受け入れ可
能にすること、および処理温度を均一にすることが難し
くなる。熱伝導特性が低い石英で作られたガス分散プレ
ートの表面をガスが横切るときに発生する大きな温度勾
配によって温度の不均一が生じる。さらに、石英は、望
ましくない赤外線（ＩＲ）波長吸収特性ととともに低い
温度伝導性を示す傾向にある。その結果、処理の均一性
とシステムの処理能力に影響を及ぼす。
【０００６】さらに温度制御を正確にして、フォトレジ
ストに反応する励起されたプラズマをウエハ間に均等に
分散させるとともに、一定のガスの流量率が維持されな
ければならない。
【０００７】チャング(Chang)他に付与された米国特許
第５４４９４１０号に示されているような公知のバッフ
ル板は、周辺部に開口を有するが、中心近くには開口が
ない構成（チャングの上記特許の図２を参照）を含む形
状によって、励起したガスを処理室内に分散させる。し
かし、図示された公知のバッフル板は、特に、ガスの高
流量に対応する高い処理速度を達成する場合に、ウエハ
の表面を横切るガスを層流の流れで均等に分散させるこ
とができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、プラズマ処理装置において、処理基板の表面を
横切る活性したガスの層流を形成するためのプラズマ処
理室及びバッフル板アセンブリを提供することである。
【０００９】ガスが高い流量率で均等な反応速度が得ら
れるような方法で、ウエハの表面に反応性種を供給する
ガスの流れを形成する。これは、単位面積当たり均一な
容積の流量率がウエハの表面に与えられるように、ジェ
ットの拡大部分に対するジェット中心部の層流の速度比
を与えることにより達成される。
【００１０】さらに、ウエハの表面に対する反応性種の
供給が、反応が起こるときウエハの表面から現れる反応
廃棄物の発生を可能にする。それゆえ、このようなシス
テムにおいて、本発明の更なる目的は、ウエハ対ウエハ
の処理における均一化を改善することである。
【００１１】また、更なる本発明の目的は、このような
システムにおいて、ガス分散プレート、即ち、バッフル
板の表面を横切る比較的平坦な温度プロフィルを与える
ための機構を提供することであり、これにより、高温度
及び低温度の両方のウエハ内における処理の均一性を向
上させることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明
は、処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室にガス
を分散させるために、バッフル板アセンブリが設けられ
ている。このバッフル板アセンブリは、所定の開口のパ
ターンを有するほぼ平坦な下部バッフル板と、この下部
バッフル板の上方に固定して配置されるほぼ平坦な上部
バッフル板とを有する。また、下部バッフル板及び処理
室の蓋または頂部壁の間にはプレナムが形成され、ガス
が下部バッフル板の開口を通過しかつウエハの処理室内
に導かれるようにしたことを特徴とする。下部バッフル
板は、処理室に対して密閉され、処理室の頂部壁が下部
バッフル板に取り付けられる。このプレナム内のより高
い圧力の領域（処理室の圧力と比較して）を作り出す。
【００１３】上部バッフル板と下部バッフル板は、互い
にかつ内部室で処理されるウエハに対してほぼ平行であ
る。また、上部バッフル板は、下部バッフル板よりも小
さい。好ましくは、下部バッフル板は、低合金アルマイ
ト処理されたアルミニウムからなり、上部バッフル板
は、サファイア被膜の石英からなる。
【００１４】３００ｍｍのウエハを受け入れるプラズマ
処理室の実施形態では、下部バッフル板の開口は、各開
口が他の隣接する開口から等距離にあるパターンで配置
されている。上部バッフル板は、中央に開口のない部
分、即ち、中心に配置した衝突板を備えている。また、
上部バッフル板の開口は、同心状の多数の円形パターン
で形成されている。さらに、２００ｍｍのウエハを受け
入れるプラズマ処理室の実施形態では、下部バッフル板
の開口は、同心状の多数の円形パターンで形成され、上
部バッフル板は開口がない。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。まず、図１は、アッシャー処理室１０を
示し、この処理室内には、第１実施形態のガス分散アセ
ンブリ、即ちバッフル板アセンブリを含んでいる。アッ
シャー処理室１０は、その中に設けたバッフル板アセン
ブリ１２を有して、３００ミリメーター（ｍｍ）のウエ
ハ処理装置に用いるのが適切である。本発明では、フォ
トレジストアッシャー内で実現されるように示されてい
るが、残留物の除去、ストリップ処理、及び等方性エッ
チング装置等の他の半導体製造設備に使用することもで
きる。
【００１６】バッフル板アセンブリ１２は、比較的大き
な開口を有する上部バッフル板１４と開口を有する下部
バッフル板１６を含み、これらのバッフル板は、互いに
平行にかつ互いから離れて配置されている。バッフル板
アセンブリ１２は、処理室１０の下側部分１８に取り付
けられ、処理室内に処理すべきウエハが配置される内部
室２０を有する。バッフル板１４，１６は、さらに互い
に平行に向けられ処理されるウエハに対しても平行に配
置されている。処理室の頂部壁１７と下部バッフル板１
６の間にはプレナムが形成され、このプレナムは、プラ
ズマ処理室１０の作動中、ウエハ処理用の内部室２０よ
りも高い圧力下で作動し、少なくとも下部バッフル板１
６は、ガスがプレナムを通過して内部室２０内に供給可
能となるように形成された開口３０のパターンを有す
る。
【００１７】バッフル板アセンブリ１２と処理室の下側
部分１８との間の境界にシール２３が設けられ、このシ
ールは、下部バッフル板１６の溝２５内に配置される
（図２参照）。ウエハは、ロードロック機構（図示略）
により入口／出口通路２４を介して処理室に導入されか
つ排出される。処理室の下側部分１８の下方に配置され
た加熱機構（図示略）が、処理中、ウエハの下側を所望
の温度に加熱する。
【００１８】図１のアッシャー処理室１０は、一般的
に、加熱アセンブリ（下側）と、穴２６の位置に配置し
たプラズマ管アセンブリ（上側、図示略）との間のアッ
シャー内に設けられている。プラズマ管は、一般的にア
ルミナ（Al2O3)またはサファイアで作られ、アルミナま
たはサファイアで作られ、エッチングまたは他のデグラ
デーション（degradation）なしでフッ素化学反応に対
して適応する。作業において、所望のガスの混合は、ガ
スボックスからプラズマ管内に導かれる。
【００１９】所望のガス混合物の一例は、形成ガス（一
般的に数パーセントの水素ガスを含む主として窒素ガ
ス）、および酸素ガスを含んでいる。４フッ化炭素等の
フッ素含有ガスが、このガス混合物に付加されて所定の
処理に対するアッシング速度を速めることができる。
【００２０】所望のガス混合物は、マイクロ波プラズマ
発生器によって励起されて、反応性プラズマを形成す
る。このプラズマは、処理室の内部室２０内にあるウエ
ハ上のフォトレジストをアッシングする。励起したプラ
ズマは、一般的にプラズマ管にから、周囲圧力が１．６
トルで温度が約１５０℃の処理室内に供給される。一般
的に、プラズマ管から下流の処理室１０に向けプラズマ
を流すプラズマ管の長さに沿って圧力差がある。
【００２１】プラズマ管から排出する励起されたプラズ
マ（ガス）は、バッフル板アセンブリ１２内に入る。こ
のプラズマは、上部バッフル板１４の開口２８と下部バ
ッフル板１６の開口３０を介して処理室の内部室２０内
に分散される。下部バッフル板１６は、入口３４を介し
て内部冷却通路３２を通り出口３６に流れる冷却媒体に
より急速に冷却される（図２も参照）。処理室の下側部
分１８の壁３８もまた、入口４２を介して内部冷却通路
４０を通り出口４４に流れる冷却媒体により急速に冷却
される。
【００２２】図２において、一部断面で示す斜視図によ
って示された下部バッフル板１６は、外側フランジ４８
と、開口３０を有するほぼ平坦な部分５０とを含む。取
付穴５２は、下部バッフル板１６に設けられ、スタンド
オフ５４（図４及び図６参照）によって上部バッフル板
１４に取り付けられている。上部バッフル板１４と下部
バッフル板１６との間の距離は、バッフル板アセンブリ
１２を流れるガス流のパターンを決定する。
【００２３】図３は、図１に示す３００ｍｍバッフル板
アセンブリの平面図であり、図４は、この実施形態のバ
ッフル板アセンブリの断面図である。これらの図に示す
ように、バッフル板アセンブリ１２は、下部バッフル板
１６のフランジ４８の取付穴５６を介して処理室の下側
部分１８に取り付けられる。下部バッフル板１６のほぼ
平坦な部分５０は、半径方向内側部分５８と半径方向外
側部分６０を含む。
【００２４】下部バッフル板１６の半径方向内側部分５
８に開口３０が設けられ、この開口は、半径方向外側部
分６０には設けられていない。開口３０は、半径方向内
側部分５８を部分的に覆うように示されているが、実際
は、この内側部分全体を覆う（図２参照）。半径方向内
側部分５８の表面領域は、その下にあるウエハ２２を覆
うのに十分である（図１を参照）。開口は、すべての方
向において互いに等距離に配置される。即ち、互いに相
互隣接する三つの開口は、いずれも等辺三角形を形成す
る。
【００２５】上部バッフル板１４の開口２８は、ラジア
ル形（即ち、同心状の多数の円形）パターンに配置され
ている。上部バッフル板１４は、サファイア被膜された
溶融シリカまたは石英（SiO2）から作られる。上部バッ
フル板１４の開口２８は、下部バッフル板１６の開口３
０よりもわずかに大きい開口である。上部バッフル板の
中心には、サファイアの衝突板６２が配置されている。
この衝突板は、ねじ６４を用いて上部バッフル板１４に
取り付けられている。このサファイア製の衝突板６２
は、プラズマ管の半径方向外側から排出する活性したガ
スを上部バッフル板１４の開口領域に偏向させて、ウエ
ハ２２の半径方向内側部分が過熱処理されないようにす
る。
【００２６】図５と図６は、バッフル板アセンブリ１２
の第２実施形態を示し、このアセンブリは、２００ｍｍ
ウエハ処理に適用するための図１のフォトレジストアッ
シャー処理室内に設置可能である。この第２実施形態で
は、下部バッフル板１６は、開口３０を有し、この開口
は、ラジアル形（即ち、同心状の多数の円形）パターン
に形成されている。半径方向内側部分５８の表面領域
は、その下側の処理室内にあるウエハ２２を覆うのに十
分である。
【００２７】図５及び図６の本発明に係る２００ｍｍの
実施形態では、上部バッフル板１４に開口がない。この
実施形態では、サファイアの衝突板６２は中央に配置さ
れたまま残る。この場合の上部バッフル板は、３００ｍ
ｍの実施形態の場合と同様に、サファイア被膜された溶
融シリカ（石英）からなる。
【００２８】２００mmまたは３００mmのいずれの実施形
態でも下部バッフル板１６は、好ましくは低合金アルマ
イト処理したアルミニウム（アルコア[Alcoa]タイプＣ
−２７６）の単一片から形成され、これは、公知の石英
製バッフル板以上にバッフル板の熱変換特性および耐腐
食性に優れている。また、このアルミニウムの使用によ
り、穴あけまたは直接機械加工された冷却通路を形成す
ることができる。これは、反射型加熱システムとウエハ
からの寄生加熱における不一致により、バッフル板の感
度を弱めさせるが、ほぼ均一な温度でウエハの表面に起
こる処理を可能する。また、アルミニウムの使用によ
り、プラズマ管から放出される紫外線（UV)エネルギー
の大部分を阻止でき、さもなければ、温度制御を難しく
し、かつウエハ素子の損傷を与えることになる。
【００２９】２００mmおよび３００mmの実施形態では、
本発明のバッフル板アセンブリ１２は、処理されるウエ
ハの表面を横切るプラズマ管から受け取られた反応性プ
ラズマが均等に分散され、所望の処理効果が達成され
る。本発明のバッフル板アセンブリは、処理中にウエハ
表面を横切って通過するプラズマイオンの均一性と半径
方向密度を高め、ウエハの高処理能力を維持しながら改
良された均一な処理を与える。個々のバッフル板とバッ
フル板アセンブリの構造は、適用されるガスのダイナミ
ックス、材料工学、及び処理データによって決定され、
正しい圧力、ガス流量、および処理室内の温度勾配を確
実にする。このバッフル板アセンブリは、処理室１０内
に１インチ以下の垂直空間を必要とするだけなので、小
型である。
【００３０】上部バッフル板１４から下部バッフル板１
６への徐々に増加する圧力差とともに、バッフル板アセ
ンブリの構造は、ガスの層流を作り出し、このガスは、
処理されるウエハ２２の上側表面を横切って分散され
る。バッフル板アセンブリ１２は、バッフル板の表面に
直交する方向に下部バッフル板１６の表面を横切って単
位面積あたり流れるガスの流量率の変化を最小にする。
これは、上部バッフル板１４と処理室の頂部壁１７（図
１参照）の間の半径方向の圧力差、及び上部バッフル板
１４と下部バッフル板１６によって形成される平面を横
切る圧力差の両方の作用を組み合わせることにより達成
される。この作用は、ウエハの表面に反応性種を均一に
分散させ、さらに、反応が生じるときウエハの表面から
現れる反応廃棄物の生成を可能にすることである。バッ
フル板アセンブリ１２において、サファイア被膜された
石英製の上部バッフル板１４とアルミニウム製の下部バ
ッフル板１６との組み合わせは、CF4等の腐食性物質を
生じさせるガスが用いられるときでさえ、フォトレジス
トを除去するために用いられる処理室内に見られる腐食
状態で使用するのが適切であることがわかってきた。
【００３１】作業において、バッフル板アセンブリ１２
の機能は、次の通りである。活性したガスは、プラズマ
管（概略１．６トル）の終端から排出され、分単位当た
り約５〜７リッター(lpm)の流量で流れる。上部バッフ
ル板１４上の衝突板６２は、半径方向外側に反応性ガス
を分散させ、半径方向の圧力差を生じさせる機能を有す
る。この半径方向のガスの圧力差は、上部及び下部バッ
フル板間の間隔、これらのバッフル板の開口の大きさと
パターン及びこれらのバッフル板の大きさと形状に関係
する。上部バッフル板１４は、プラズマによって下部バ
ッフル板１６を損傷から保護する。
【００３２】衝突板６２とバッフル板１６の表面での圧
力は、ほぼ１．５トルである。上部及び下部バッフル板
間の領域６６の圧力は、ほぼ１．２〜１．３トルであ
る。処理室の内部室２０内の、下部バッフル板１６より
下側の圧力は、１．０トルのオーダーにある。プラズマ
管の出口から処理室の内部室２０までの徐々に増加する
圧力差により、下流へのガスの流れを確実にし、かつバ
ッフル板アセンブリ構造により、この下流に流れるガス
の層流特性が与えられる。
【００３３】徐々に増加する垂直の圧力差は、上部及び
下部バッフル板に設けた開口の数と大きさ、開口の位
置、及びアセンブリの寸法に関係する。下部バッフル板
１６を横切ることにより生じる圧力差は、最大５％であ
ることが知られており、本発明のバッフル板アセンブリ
１２によってアッシング処理されるウエハの表面を横切
って非均一なアッシング速度が達成される。
【００３４】以上、プラズマ処理装置において、基板表
面を横切って流れる層流のガスの流れを与えるガス分散
プレートアセンブリの好ましい実施形態をこれまで説明
してきた。しかし、上述の記載において、この説明は、
単に例示のためになされたものであり、本発明は、ここ
に記載した実施形態に限定されるものではなく、種々の
再構成、修正、および置換を含み、添付された特許請求
の範囲またはその技術的思想から逸脱しない上述の記載
を含むものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従って構成されたバッフル板アセンブ
リの第１実施形態を包含するフォトレジストアッシャー
の一部断面で示す斜視図である。
【図２】図１のバッフル板アセンブリの下部バッフル板
で、水冷却された形態を示す部分的に切断した斜視図で
ある。
【図３】水冷却された形態の図１に示すバッフル板アセ
ンブリの平面図である。
【図４】図３のバッフル板アセンブリの線４−４に沿っ
て見た断面図である。
【図５】図１のフォトレジストアッシャー内に設置され
た、本発明に従って構成されたバッフル板アセンブリの
第２実施形態を示す平面図である。
【図６】図５の線６−６に沿って見たバッフル板アセン
ブリの断面図である。
【符号の説明】
１０ アッシャー処理室 １２ バッフル板アセンブリ １４ 上部バッフル板 １６ 下部バッフル板 １７ 頂部壁 １８ 下側部分 ２０ 内部室 ２２ ウエハ ２８，３０ 開口 ３２、４０ 冷却通路 ３８ 壁 ５２、５６ 取付穴 ５３ 側壁 ６２ 衝突板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ａ Ｆターム(参考） 2H096 LA07 4G075 AA30 BA06 BC10 BD14 CA03 CA26 CA47 DA02 EA06 EC09 FA02 FB02 FB06 FB20 5F004 AA09 AA16 BA03 BB14 BB26 BB28 BC08 BD01 CA02 CA09 DA01 DA25 DA26 5F046 MA12

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】(a) ウエハを処理するために挿入可能で、
    頂部壁（17）を有する壁（38）によって部分的に形成さ
    れるウエハ処理用の内部室（20）と、(b) 内部に活性し
    たガスを分散するために前記内部室（20）に隣接して配
    置され、ほぼ平坦な下部バッフル板（16）、およびこの
    板の上方に固定して配置されるほぼ平坦な上部バッフル
    板（14）を含むバッフル板アセンブリ（12）と、を有し
    ており、 前記頂部壁（17）と前記下部バッフル板（16）の間にプ
    レナムを形成し、このプレナムは、プラズマ処理室（1
    0）の作動中、前記内部室（20）よりも高い圧力下で作
    動し、少なくとも前記下部バッフル板（16）は、ガスが
    前記プレナムを通過して前記内部室内に供給可能となる
    ように形成された開口（30）のパターンを有することを
    特徴とする、半導体ウエハを処理するためのプラズマ処
    理室。
  2. 【請求項２】前記上部バッフル板（1 4）と前記下部バ
    ッフル板（16）は、互いにかつ内部室（20）で処理され
    るウエハに対してほぼ平行であることを特徴とする請求
    項１記載のプラズマ処理室。
  3. 【請求項３】前記下部バッフル板（16）は、低合金アル
    マイト処理されたアルミニウムからなることを特徴とす
    る請求項２記載のプラズマ処理室。
  4. 【請求項４】前記上部バッフル板（14）は、石英からな
    ることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理室。
  5. 【請求項５】石英製の前記上部バッフル板（14）は、サ
    ファイアで被膜されていることを特徴とする請求項４記
    載のプラズマ処理室。
  6. 【請求項６】プラズマ処理室（10）は、ほぼ３００ｍｍ
    の直径を有するウエハを受け入れるように構成されてい
    ることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理室。
  7. 【請求項７】前記下部バッフル板（16）の前記開口（3
    0）は、これらの各開口が隣接する開口から等距離にあ
    るパターンとして配置されていることを特徴とする請求
    項６記載のプラズマ処理室。
  8. 【請求項８】前記上部バッフル板（14）は、ガスが通過
    できる開口（28）を備え、該開口は、前記下部バッフル
    板（16）の開口（30）よりも大きな開口であることを特
    徴とする請求項６記載のプラズマ処理室。
  9. 【請求項９】前記上部バッフル板の開口（28）は、同心
    状の多数の円形パターンで形成されていることを特徴と
    する請求項８記載のプラズマ処理室。
  10. 【請求項１０】前記上部バッフル板（14）は、中央に開
    口のない部分（62）を有することを特徴とする請求項８
    記載のプラズマ処理室。
  11. 【請求項１１】プラズマ処理室（10）は、ほぼ２００ｍ
    ｍの直径を有するウエハを受け入れるように構成されて
    いることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理室。
  12. 【請求項１２】前記下部バッフル板（16）の前記開口
    （30）は、同心状の多数の円形パターンで形成されてい
    ることを特徴とする請求項１１記載のプラズマ処理室。
  13. 【請求項１３】前記上部バッフル板（14）は、開口がな
    いことを特徴とする請求項１１記載のプラズマ処理室。
  14. 【請求項１４】処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処
    理室にガスを分散させるためのバッフル板アセンブリ
    （12）であって、 所定の開口（30）のパターンを有するほぼ平坦な下部バ
    ッフル板（16）と、この下部バッフル板の上方に固定し
    て配置されるほぼ平坦な上部バッフル板（14）とを有
    し、前記上部及び下部のバッフル板（14,16）は、その
    間に領域（66）を形成し、ガスが前記開口（30）を通過
    しかつ前記ウエハの処理室内に導かれるようにしたこと
    を特徴とするバッフル板アセンブリ。
  15. 【請求項１５】前記上部バッフル板（14）と前記下部バ
    ッフル板（16）は、互いにほぼ平行に配置されているこ
    とを特徴とする請求項１４記載のバッフル板アセンブ
    リ。
  16. 【請求項１６】前記下部バッフル板（16）は、低合金ア
    ルマイト処理されたアルミニウムからなることを特徴と
    する請求項１５記載のバッフル板アセンブリ。
  17. 【請求項１７】前記上部バッフル板（14）は、石英から
    なることを特徴とする請求項１６記載のバッフル板アセ
    ンブリ。
  18. 【請求項１８】前記前記石英製の上部バッフル板（14）
    は、サファイアで被膜されていることを特徴とする請求
    項１７記載のバッフル板アセンブリ。
  19. 【請求項１９】前記下部バッフル板（16）の前記開口
    （30）は、これらの開口がそれぞれ隣接する開口から等
    距離にあるパターンに配置されていることを特徴とする
    請求項１５記載のバッフル板アセンブリ。
  20. 【請求項２０】前記上部バッフル板（14）は、ガスが通
    過できる開口（28）を備え、該開口は、前記下部バッフ
    ル板（16）の開口（30）よりも大きな開口であることを
    特徴とする請求項１５記載のバッフル板アセンブリ。
  21. 【請求項２１】前記上部バッフル板（14）の開口（28）
    は、同心状の多数の円形パターンで形成されていること
    を特徴とする請求項２０記載のバッフル板アセンブリ。
  22. 【請求項２２】前記上部バッフル板（14）は、中央に開
    口のない部分（62）を有することを特徴とする請求項２
    ０記載のバッフル板アセンブリ。
  23. 【請求項２３】下部バッフル板（16）の開口（30）は、
    同心状の多数の円形パターンで形成されていることを特
    徴とする請求項１５記載のバッフル板アセンブリ。
  24. 【請求項２４】前記上部バッフル板（14）は、開口がな
    いことを特徴とする請求項１５記載のバッフル板アセン
    ブリ。
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