JP3077582B2 - プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法Info
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- JP3077582B2 JP3077582B2 JP08033877A JP3387796A JP3077582B2 JP 3077582 B2 JP3077582 B2 JP 3077582B2 JP 08033877 A JP08033877 A JP 08033877A JP 3387796 A JP3387796 A JP 3387796A JP 3077582 B2 JP3077582 B2 JP 3077582B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おけるプラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法
に関し、特にチャンバークリーニング時、クリーニング
ガスの温度制御を行うプラズマＣＶＤ装置に関する。
おけるプラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法
に関し、特にチャンバークリーニング時、クリーニング
ガスの温度制御を行うプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の一つであるプラズマＣ
ＶＤ装置として、特に平行平板型プラズマＣＶＤ装置の
チャンバー構成を、図３の模式的断面図に示す。この平
行平板型プラズマＣＶＤ装置は、サセプタ（下部電極）
２とシャワーヘッド（上部電極）１とを有し、これら両
電極間でプラズマを発生させる。サセプタ２は、サセプ
タ下部のブロック４にヒータを有し、温度コントロール
をしているものの、シャワーヘッド１は、従来ほとんど
温度コントロールさせておらず、その温度はサセプタ２
の放射熱による温度であった。
ＶＤ装置として、特に平行平板型プラズマＣＶＤ装置の
チャンバー構成を、図３の模式的断面図に示す。この平
行平板型プラズマＣＶＤ装置は、サセプタ（下部電極）
２とシャワーヘッド（上部電極）１とを有し、これら両
電極間でプラズマを発生させる。サセプタ２は、サセプ
タ下部のブロック４にヒータを有し、温度コントロール
をしているものの、シャワーヘッド１は、従来ほとんど
温度コントロールさせておらず、その温度はサセプタ２
の放射熱による温度であった。
【０００３】しかし、図４の温度の時間変化に示すよう
に、ヒータ温度を４００℃に設定した場合、通常シャワ
ーヘッド１の表面温度は３３０℃から３４０℃であるの
に対し、チャンバークリーニング時にはプラズマエネル
ギによって、シャワーヘッド１の表面温度はクリーニン
グ時間とともに上昇していた。
に、ヒータ温度を４００℃に設定した場合、通常シャワ
ーヘッド１の表面温度は３３０℃から３４０℃であるの
に対し、チャンバークリーニング時にはプラズマエネル
ギによって、シャワーヘッド１の表面温度はクリーニン
グ時間とともに上昇していた。
【０００４】また、特公平６−１２７７１号公報に示さ
れるように、成膜時のガスは加熱するなどの温度制御が
行われており、シャワーヘッドを備えたカバーに脱イオ
ン水のような液体又は流体を導入しているものがあっ
た。
れるように、成膜時のガスは加熱するなどの温度制御が
行われており、シャワーヘッドを備えたカバーに脱イオ
ン水のような液体又は流体を導入しているものがあっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したよう
な液体による温度コントロールは、成膜時のガスを温度
コントロールするものであると同時に、カバーに液体を
導入している間接的な温度コントロールでは、シャワー
ヘッド１の温度制御としては即応性がなく、温度制御範
囲も狭く、シャワーヘッド表面と液体を導入しているカ
バーとの温度差（ΔＴ）が大きかった。また、構造上シ
ャワーヘッド１にＲＦパワーを導入するため、カバーと
シャワーヘッドの間にセラミックなどの絶縁物を挟まな
くてはならず、熱伝導の面でも温度差を大きくし、即応
性を悪くするものであるため、実際には図４に示すよう
に、シャワーヘッドの表面温度はクリーニング時のプラ
ズマ発生時間とともに上昇していた。
な液体による温度コントロールは、成膜時のガスを温度
コントロールするものであると同時に、カバーに液体を
導入している間接的な温度コントロールでは、シャワー
ヘッド１の温度制御としては即応性がなく、温度制御範
囲も狭く、シャワーヘッド表面と液体を導入しているカ
バーとの温度差（ΔＴ）が大きかった。また、構造上シ
ャワーヘッド１にＲＦパワーを導入するため、カバーと
シャワーヘッドの間にセラミックなどの絶縁物を挟まな
くてはならず、熱伝導の面でも温度差を大きくし、即応
性を悪くするものであるため、実際には図４に示すよう
に、シャワーヘッドの表面温度はクリーニング時のプラ
ズマ発生時間とともに上昇していた。
【０００６】このようなクリーニング時のシャワーヘッ
ドの表面温度上昇は、シャワーヘッドのダメージを招
き、シャワーヘッドの寿命を短くするのみならず、クリ
ーニングガス（ＣＦ4 やＣ2 Ｆ6 など）によりフッ化物
の付着を招き、、成膜速度の変動や膜厚均一性の悪化を
招くことになる。
ドの表面温度上昇は、シャワーヘッドのダメージを招
き、シャワーヘッドの寿命を短くするのみならず、クリ
ーニングガス（ＣＦ4 やＣ2 Ｆ6 など）によりフッ化物
の付着を招き、、成膜速度の変動や膜厚均一性の悪化を
招くことになる。
【０００７】本発明の目的は、これらの問題点を解決
し、シャワーヘッドの表面温度上昇を抑え、そのダメー
ジや成膜の均一性を良好にしたプラズマＣＶＤ装置およ
びそのクリーニング方法を提供することにある。
し、シャワーヘッドの表面温度上昇を抑え、そのダメー
ジや成膜の均一性を良好にしたプラズマＣＶＤ装置およ
びそのクリーニング方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、処理室
内に、成膜試料をのせる下部電極と、この下部電極に対
向して成膜ガスおよびクリーニングガスを供給するシャ
ワーヘッドをもつと共に高周波電力を導入する上部電極
と、前記処理室のクリーニング時に前記クリーニングガ
スを冷却して前記シャワーヘッドに直接導入する温度制
御手段とを備えるプラズマＣＶＤ装置のクリーニング装
置において、前記クリーニングガスとして、それぞれマ
スフローコントローラにより流量制御されたＣＦ４ と
Ｏ２ とのガスが用いられたことを特徴とする。
内に、成膜試料をのせる下部電極と、この下部電極に対
向して成膜ガスおよびクリーニングガスを供給するシャ
ワーヘッドをもつと共に高周波電力を導入する上部電極
と、前記処理室のクリーニング時に前記クリーニングガ
スを冷却して前記シャワーヘッドに直接導入する温度制
御手段とを備えるプラズマＣＶＤ装置のクリーニング装
置において、前記クリーニングガスとして、それぞれマ
スフローコントローラにより流量制御されたＣＦ４ と
Ｏ２ とのガスが用いられたことを特徴とする。
【０００９】また、本発明のプラズマＣＶＤ装置のクリ
ーニング方法において、前記処理室に前記クリーニング
ガスを冷却して前記シャワーヘッドに直接導入すると共
に、前記クリーニングガスの温度が、成膜ガスの温度よ
りも低く設定されることにより、前記シャワーヘッドの
温度上昇を抑制しながら、前記処理室内をクリーニング
することを特徴する。
ーニング方法において、前記処理室に前記クリーニング
ガスを冷却して前記シャワーヘッドに直接導入すると共
に、前記クリーニングガスの温度が、成膜ガスの温度よ
りも低く設定されることにより、前記シャワーヘッドの
温度上昇を抑制しながら、前記処理室内をクリーニング
することを特徴する。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態を、図
１の模式的断面図により説明する。この実施形態の平行
平板型プラズマＣＶＤ装置は、サセプタ（下部電極）２
とシャワーヘッド（上部電極）１とを有し、シャワーヘ
ッド１にＲＦパワー（１３．５６ＭＨｚ）を導入し、サ
セプタ２に試料をのせ、これら両電極間でプラズマを発
生させ成膜を行うものであるサセプタ２は、サセプタ下
部のブロック４にヒータを内蔵し、４００℃で温度コン
トロールをしている。
１の模式的断面図により説明する。この実施形態の平行
平板型プラズマＣＶＤ装置は、サセプタ（下部電極）２
とシャワーヘッド（上部電極）１とを有し、シャワーヘ
ッド１にＲＦパワー（１３．５６ＭＨｚ）を導入し、サ
セプタ２に試料をのせ、これら両電極間でプラズマを発
生させ成膜を行うものであるサセプタ２は、サセプタ下
部のブロック４にヒータを内蔵し、４００℃で温度コン
トロールをしている。
【００１１】この装置により、成膜とチャンバークリー
ニングを１枚ごとに交互に行い、その成膜時間は４０
秒、クリーニング時間は９０秒間プラズマを発生させ
る。また、成膜ガスはＴＥＯＳとＯ2 ガスを使用し、そ
のガス温度はＴＥＯＳを気化させるため６５℃で保たれ
シャワーヘッド１を通してチャンバ内に導入して酸化膜
を成膜する。
ニングを１枚ごとに交互に行い、その成膜時間は４０
秒、クリーニング時間は９０秒間プラズマを発生させ
る。また、成膜ガスはＴＥＯＳとＯ2 ガスを使用し、そ
のガス温度はＴＥＯＳを気化させるため６５℃で保たれ
シャワーヘッド１を通してチャンバ内に導入して酸化膜
を成膜する。
【００１２】また、チャンバークリーニング時のクリー
ニングガスとしては、ＣＦ4 とＯ2ガスを使用し、これ
らＣＦ4 とＯ2 ガスのそれぞれをＭＦＣ（マスフローコ
ントローラ）により流量コントロールした後、ガスの温
度コントロール可能な装置６に通し、クリーニングガス
温度をコントロールした後チャンバ内のシャワーヘッド
１に導入される。
ニングガスとしては、ＣＦ4 とＯ2ガスを使用し、これ
らＣＦ4 とＯ2 ガスのそれぞれをＭＦＣ（マスフローコ
ントローラ）により流量コントロールした後、ガスの温
度コントロール可能な装置６に通し、クリーニングガス
温度をコントロールした後チャンバ内のシャワーヘッド
１に導入される。
【００１３】このガスの温度は成膜ガス温度と異なり、
クリーニング時のＲＦパワー導入とともに、室温から−
２０℃まで下げられるような温度コントロールを行い、
チャンバ内に導入してシャワーヘッド１の温度コントロ
ールを行う。
クリーニング時のＲＦパワー導入とともに、室温から−
２０℃まで下げられるような温度コントロールを行い、
チャンバ内に導入してシャワーヘッド１の温度コントロ
ールを行う。
【００１４】このように、成膜ガスのガス温度とクリー
ニングガスの温度を変え、温度コントロールしたガスを
導入する事により、図２の温度特性図に示すように、ク
リーニング時のプラズマによるシャワーヘッド表面の温
度の上昇は、大幅に抑えることが可能となり、シャワー
ヘッド１のダメージが抑えられた。従って、クリーニン
グ時に発生するフッ化物の付着を減少させ、成膜速度の
変動や膜厚均一性の悪化を抑えることが可能となる。
ニングガスの温度を変え、温度コントロールしたガスを
導入する事により、図２の温度特性図に示すように、ク
リーニング時のプラズマによるシャワーヘッド表面の温
度の上昇は、大幅に抑えることが可能となり、シャワー
ヘッド１のダメージが抑えられた。従って、クリーニン
グ時に発生するフッ化物の付着を減少させ、成膜速度の
変動や膜厚均一性の悪化を抑えることが可能となる。
【００１５】また、ＳｉＨ4 及びＮ2 ０及びＮＨ3 及び
Ｎ2 ガスにより成膜されたＳｉＯＮ膜や、ＳｉＨ4 及び
ＮＨ3 及びＮ2 ガスにより成膜されたＳｉＮ膜は、酸化
膜のチャンバークリーニングよりフッ化物の付着が多い
ため、本発明による効果が大きく、クリーニング時間が
３０秒程度と短い場合、そのクリーニングガス温度は、
クリーニングのプラズマの立ち始め５０℃程度に加熱
し、その後冷却しても良い。
Ｎ2 ガスにより成膜されたＳｉＯＮ膜や、ＳｉＨ4 及び
ＮＨ3 及びＮ2 ガスにより成膜されたＳｉＮ膜は、酸化
膜のチャンバークリーニングよりフッ化物の付着が多い
ため、本発明による効果が大きく、クリーニング時間が
３０秒程度と短い場合、そのクリーニングガス温度は、
クリーニングのプラズマの立ち始め５０℃程度に加熱
し、その後冷却しても良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるプラ
ズマＣＶＤのシャワーヘッドの冷却により、温度コント
ロールを行ったプロセスガスを直接的にチャンバ内のシ
ャワーヘッドに導入しているので、プラズマ発生時に上
昇するシャワーヘッド表面の温度上昇を防ぎ、シャワー
ヘッドのダメージや成膜時の成膜速度や膜厚均一性の悪
化を防ぐことができる。
ズマＣＶＤのシャワーヘッドの冷却により、温度コント
ロールを行ったプロセスガスを直接的にチャンバ内のシ
ャワーヘッドに導入しているので、プラズマ発生時に上
昇するシャワーヘッド表面の温度上昇を防ぎ、シャワー
ヘッドのダメージや成膜時の成膜速度や膜厚均一性の悪
化を防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施形態の構成を示す模式的断面図
である。
である。
【図２】図１のシャワーヘッドの表面温度変化を示す特
性図である。
性図である。
【図３】従来例のプラズマＣＶＤ装置の模式的断面図で
ある。
ある。
【図４】図３のシャワーヘッドの表面温度変化を示す特
性図である。
性図である。
１ シャワーヘッド（上部電極） ２ サセプター（下部電極） ３ ガス分散板 ４ ヒーター内蔵ブロック ５ カバー ６ ガス温度コントロール装置 ７ 高周波電源 ８ バルブ
Claims (2)
- 【請求項１】 処理室内に、成膜試料をのせる下部電極
と、この下部電極に対向して成膜ガスおよびクリーニン
グガスを供給するシャワーヘッドをもつと共に高周波電
力を導入する上部電極と、前記処理室のクリーニング時
に前記クリーニングガスを冷却して前記シャワーヘッド
に直接導入する温度制御手段とを備えるプラズマＣＶＤ
装置において、前記クリーニングガスとして、それぞれ
マスフローコントローラにより流量制御されたＣＦ４
とＯ２ とのガスが用いられたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 処理室内に、成膜試料をのせる下部電極
と、この下部電極に対向して成膜ガスおよびクリーニン
グガスを供給するシャワーヘッドをもつと共に高周波電
力を導入する上部電極とを有するプラズマＣＶＤ装置の
クリーニング方法において、前記処理室に前記クリーニ
ングガスを冷却して前記シャワーヘッドに直接導入する
と共に、前記クリーニングガスの温度が、成膜ガスの温
度よりも低く設定されることにより、前記シャワーヘッ
ドの温度上昇を抑制しながら前記処理室内をクリーニン
グすることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置のクリーニ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08033877A JP3077582B2 (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08033877A JP3077582B2 (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232298A JPH09232298A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3077582B2 true JP3077582B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=12398755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08033877A Expired - Fee Related JP3077582B2 (ja) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077582B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328820B1 (ko) * | 1999-02-25 | 2002-03-14 | 박종섭 | 화학기상증착 장비의 가스분사장치 |
| JP4515550B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2010-08-04 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 薄膜形成方法 |
| JP2000345348A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| JP4778655B2 (ja) * | 2000-02-04 | 2011-09-21 | アイクストロン、アーゲー | １つまたは多くの被膜を基板に沈積する方法および装置 |
| US6537419B1 (en) * | 2000-04-26 | 2003-03-25 | David W. Kinnard | Gas distribution plate assembly for providing laminar gas flow across the surface of a substrate |
| JP4569042B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US6811651B2 (en) | 2001-06-22 | 2004-11-02 | Tokyo Electron Limited | Gas temperature control for a plasma process |
| KR20030069703A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 주식회사 아토 | 반도체소자 제조용 가스공급장치 |
| KR100491396B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-05-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 피이-테오스(ｐｅ－ｔｅｏｓ)막 형성 방법 |
| JP2008115473A (ja) * | 2008-02-05 | 2008-05-22 | Canon Anelva Corp | シリコン含有膜の製造装置及び製造法 |
| CN101880867B (zh) * | 2010-07-02 | 2012-12-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体增强化学气相沉积装置 |
| JP5553066B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2014-07-16 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
| CN113804046B (zh) * | 2020-06-15 | 2023-10-13 | 拓荆科技股份有限公司 | 一种低成本的主动控温喷淋头 |
| JP7114763B1 (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-08 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム、および基板処理方法 |
-
1996
- 1996-02-21 JP JP08033877A patent/JP3077582B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09232298A (ja) | 1997-09-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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