JP2010518602A - 処理システム用の多領域気体供給システム - Google Patents
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Abstract
Description
Qinner=0.5p0v0η2、かつ
Qouter=0.5p0v0(1-η2)
ここでηは比r2/r1を表す。全流速Qtotal=0.5p0v0によってQinner及びQouterの各量を規格化した後、内側流と外側流の分流は、Qinner=η2(×100%)及びQouter=(1-η2)(×100%)と書き直すことができる。ラジカル密度の半径方向プロファイルn(r)を説明するため、第1近似として、本発明者は、内側及び外側プレナムへの流入口での平均ラジカル濃度を推定する。たとえばninner及びnouterはそれぞれ、内側プレナムの流入口及び外側プレナムの流入口の平均ラジカル濃度を表す。内側流及び外側流の表式はこれらの量を含むように修正される。
Claims (25)
- プロセス空間を含むプロセスチャンバ;
該プロセスチャンバと結合するラジカル生成システムであって、プロセスガスを受けて該プロセスガスからラジカルを生成するように備えられているラジカル生成システム;
前記ラジカルを受けて前記プロセス空間内部に前記ラジカルの流れを分配させるように備えられているガス分配システムであって、
前記ラジカル生成システムの出口と結合する流入口、
前記プロセスチャンバと結合する流出口、及び、
前記ガス分配システムと結合する分流部材であって、前記流入口を介して前記プロセスガス流の一の部分を前記基板の上である第1領域へ供給し、かつ前記プロセスガス流の残りの部分を前記基板の上である第2領域へそれぞれ分離して供給するように備えられている分流部材、
を有するガス分配システム;
前記プロセスチャンバと結合する台であって、前記プロセスチャンバのプロセス空間内で基板を支持し、かつ該基板の温度を調節するように備えられている台;並びに、
前記プロセスチャンバと結合する真空排気システムであって前記プロセスチャンバを排気するように備えられている真空排気システム;
を有する処理システム。 - 前記第1領域が前記基板の上の実質的に中心領域を有し、かつ
前記第2領域が前記基板の上の実質的に周辺領域を有する、
請求項1に記載の処理システム。 - 前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に内側部分を、前記の基板の上の第1領域へ流し、かつ
前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に外側部分を、前記の基板の上の第2領域へ流す、
請求項2に記載の処理システム。 - 前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に内側部分を、前記の基板の上の第2領域へ流し、かつ
前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に外側部分を、前記の基板の上の第1領域へ流す、
請求項2に記載の処理システム。 - 前記ガス分配システムが主部を有し、かつ
前記分流部材が、前記主部を、内側プレナムと外側プレナムとに分割する、
請求項1に記載の処理システム。 - 前記ガス分配システムが、前記内側プレナムの流出口及び前記外側プレナムの流出口で前記主部と結合するガス分配プレートをさらに有し、かつ
前記ガス分配プレートは該プレートを貫通する1つ以上の開口部を有する、
請求項5に記載の処理システム。 - 前記ガス分配プレートが該ガス分配プレート上で実質的に均等に分配されている複数の開口部を有する、請求項6に記載の処理システム。
- 前記ガス分配プレートが該ガス分配プレート上で実質的に不均等に分配されている複数の開口部を有する、請求項6に記載の処理システム。
- 前記ガス分配プレートが、前記内側プレナムの流出口で前記ガス分配システムと結合する内側プレート部材を有し、かつ
前記ガス分配プレートが、前記外側プレナムの流出口で前記ガス分配システムと結合する外側プレート部材を有する、
請求項6に記載の処理システム。 - 前記主部、前記分流部材、若しくは前記ガス分配プレート、又は上記2以上を結合したものが、二酸化シリコン又は炭素から作製される、請求項6に記載の処理システム。
- 前記台が、前記基板温度を制御するように備えられている、1つ以上の加熱素子、1つ以上の冷却素子、又は上記の組合せを有する、請求項1に記載の処理システム。
- 前記分流部材が、実質的に均一のガス流を前記第1及び第2領域へ供するため、前記流入口内に設けられている、請求項1に記載の処理システム。
- 前記プロセスチャンバ、前記ラジカル生成システム、前記ガス分配システム、若しくは前記台、又は上記2以上の組合せが、表面上に生成されるコーティングを有する、請求項1に記載の処理システム。
- 前記分流部材が、実質的に均一のガス流を前記第1及び第2領域へ供するため、前記流入口内に設けられている、請求項1に記載の処理システム。
- 前記コーティングが少なくとも1つのIII族元素を有する、請求項13に記載の処理システム。
- 前記コーティングが、Al2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、Y2O3、及びDyO3からなる群から選ばれた少なくとも1種類の材料を有する、請求項13に記載の処理システム。
- 前記ラジカル生成システムと結合して、前記ラジカル生成システムへ前記プロセスガスを供給するように備えられているプロセスガス供給システムをさらに有する、請求項1に記載の処理システム。
- 前記プロセスガス供給システムが、H2、O2、CO、CO2、NO、NO2、N2O、N2、NF3、NH3、炭化水素、ハイドロフルオロカーボン、若しくはフルオロカーボン、又はこれら2種類以上の混合物を供給するように備えられている、請求項17に記載の処理システム。
- 基板処理システムと結合するように備えられているガス分配システムであって、
当該ガス分配システムは主部を有し、
該主部は、プロセスガス流を受けるように備えられている流入口、前記プロセスシステム内に前記プロセスガスを分配するように備えられている流出口、及び前記ガス分配システムと結合する分流部材を有し、
前記分流部材は、前記流入口を介して前記プロセスガス流の一の部分を前記基板の上である第1領域へ供給し、かつ前記プロセスガス流の残りの部分を前記基板の上である第2領域へそれぞれ分離して供給するように備えられている、
ガス分配システム。 - 前記第1領域が前記基板の上の実質的に中心領域を有し、かつ
前記第2領域が前記基板の上の実質的に周辺領域を有する、
請求項19に記載のガス分配システム。 - 前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に内側部分を、前記の基板の上の第1領域へ流し、かつ
前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に外側部分を、前記の基板の上の第2領域へ流す、
請求項20に記載のガス分配システム。 - 前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に内側部分を、前記の基板の上の第2領域へ流し、かつ
前記分流部材が、前記プロセスガス流の実質的に外側部分を、前記の基板の上の第1領域へ流す、
請求項20に記載のガス分配システム。 - 前記ガス分配システムが主部を有し、かつ
前記分流部材が、前記主部を、内側プレナムと外側プレナムとに分割する、
請求項19に記載のガス分配システム。 - 前記ガス分配システムが、前記内側プレナムの流出口及び前記外側プレナムの流出口で前記主部と結合するガス分配プレートをさらに有し、かつ
前記ガス分配プレートは該プレートを貫通する1つ以上の開口部を有する、
請求項23に記載のガス分配システム。 - プロセス空間を含むプロセスチャンバ;
前記プロセス空間から離れた場所で前記プロセスガスからラジカルを生成する手段;
前記プロセス空間内に供された基板表面全体にわたって実質的に均一に分布するように、前記ラジカルを前記プロセス空間へ供給する手段;
前記プロセスチャンバと結合する台であって、前記プロセスチャンバのプロセス空間内で基板を支持し、かつ該基板の温度を調節するように備えられている台;並びに、
前記プロセスチャンバと結合する真空排気システムであって前記プロセスチャンバを排気するように備えられている真空排気システム;
を有する処理システム。
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