JP6338462B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6338462B2
JP6338462B2 JP2014118531A JP2014118531A JP6338462B2 JP 6338462 B2 JP6338462 B2 JP 6338462B2 JP 2014118531 A JP2014118531 A JP 2014118531A JP 2014118531 A JP2014118531 A JP 2014118531A JP 6338462 B2 JP6338462 B2 JP 6338462B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
plasma
shower plate
drooping member
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014118531A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015079735A (ja
Inventor
池田　太郎
太郎 池田
河西　繁
河西　　繁
恵美子 原
恵美子 原
藤野　豊
豊 藤野
長田　勇輝
勇輝 長田
淳 中込
淳 中込
智仁 小松
智仁 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2014118531A priority Critical patent/JP6338462B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to KR1020177028538A priority patent/KR101831576B1/ko
Priority to US14/917,414 priority patent/US10557200B2/en
Priority to CN201480050227.5A priority patent/CN105531800B/zh
Priority to PCT/JP2014/073311 priority patent/WO2015037508A1/ja
Priority to KR1020167006190A priority patent/KR101831537B1/ko
Priority to TW103131343A priority patent/TWI643236B/zh
Publication of JP2015079735A publication Critical patent/JP2015079735A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6338462B2 publication Critical patent/JP6338462B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/005—Nozzles or other outlets specially adapted for discharging one or more gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、処理容器内に所定のガスを供給するシャワープレートを備えたプラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理は、半導体デバイスの製造に不可欠な技術である。近年、ＬＳＩの高集積化及び高速化の要請から、ＬＳＩを構成する半導体素子の更なる微細加工が求められている。
ところが、容量結合型プラズマ処理装置や誘導結合型プラズマ処理装置では、生成されるプラズマの電子温度が高く、かつプラズマ密度の高い領域が限定される。このため、半導体素子の更なる微細加工の要請に応じたプラズマ処理を実現することは難しかった。
したがって、このような微細加工を実現するためには、低電子温度かつ高プラズマ密度のプラズマを生成することが必要となる。これに応じるために、マイクロ波により処理容器内で表面波プラズマを生成し、これにより半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）をプラズマ処理する装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
特許文献１では、マイクロ波を同軸管に伝送させて処理容器内に放射し、マイクロ波の表面波が持つ電界エネルギーによってプラズマ発生用のガスを励起させることにより、低電子温度で高プラズマ密度の表面波プラズマを発生させるプラズマ処理装置が提案されている。
しかしながら、特許文献１のプラズマ処理装置では、マイクロ波を同軸管から処理容器内に放射するために、その天井部は、表面波プラズマとアンテナとの間を石英等の誘電体板で挟んだ構造となっており、処理ガスは処理容器の側壁から処理容器内に供給される構造となっていた。このように、ガスを天井部以外から供給していたため、ガスの流れを制御することができず、良好なプラズマ制御が難しかった。
そこで、引用文献２では、アンテナの下に多数のガス放出孔を有する誘電体からなるシャワープレートを設け、このシャワープレートを介して処理ガスを鉛直下方に処理容器内に導入する技術が提案されている。これにより、処理容器内に鉛直方向のガス流を形成して処理ガスを均一に供給し、均一なプラズマが形成される。
特開２００３−１８８１０３号公報 特開２００５−１９６９９４号公報
ところで、本発明者らによれば、例えば引用文献２のようなアンテナ及びシャワープレートを有するプラズマ処理装置により、例えばウェハに成膜処理を行うと、シャワープレートの孔の内部にも成膜してしまうことが確認された。そうすると、孔の内部への成膜によりシャワープレートの孔を塞ぐおそれがある。
これは、表面波プラズマにより、シャワープレート近傍の領域におけるプラズマの電子温度が、シャワープレートの表面から離れた位置の電子温度より高くなることが原因であると推察される。そのため、成膜処理において、例えばモノシランガス（ＳｉＨ４）などの原料ガスがシャワープレート近傍で過剰に分解される。その結果、シャワープレートの孔部分に成膜堆積したり、気相反応したりしてごみの原因となる。
この点について本発明者らが調査したところ、シャワープレートに形成されたマイクロ波の放射孔（スロット）の近傍において特に電子温度が高くなっていることが確認された。そのため、原料ガスの過剰な分解は、その大多数がシャワープレートに形成されたスロットの近傍において発生しているものと推察される。
原料ガスの過剰な分解を防ぐためには、アンテナへ供給するマイクロ波の出力を低下させればよい。しかしながら、マイクロ波の出力を低下させるとプラズマ発生用のガスの励起が不十分となり、安定したプラズマが形成できないという問題がある。また、生産性の観点からも、プラズマ発生用のガスを効率的に励起して、例えば成膜処理における成膜レートを向上させることが望まれる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、処理容器内にガスを導入するシャワープレートを有し、マイクロ波により表面波プラズマを発生させるプラズマ処理装置において、シャワープレートのガス孔に成膜することを抑制し且つ効率的にプラズマを発生させることを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明は、処理容器内に第１のガスと第２のガスを供給するシャワープレートを備えたプラズマ発生用アンテナを有し、マイクロ波の供給によって前記シャワープレート表面に形成された表面波によりプラズマを形成して基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記シャワープレートの下端面から下方に突出する、導電体により構成された垂下部材を有し、前記垂下部材の外側面は、上端部から下端部に向かって外側に広がり、前記シャワープレートは、前記処理容器内に第１のガスを供給する複数の第１のガス供給口と第２のガスを供給する複数の第２のガス供給口とを備え、前記第１のガス供給口は、前記垂下部材の外側面よりも内側に配置され、前記第２のガス供給口は、前記垂下部材の外側面よりも外側に配置されていることを特徴としている。
本発明によれば、垂下部材の外側面よりも内側に第１のガス供給口が設けられているので、第１のガスが、シャワープレート外周部の電子温度が高い領域を通過することがない。したがって、例えば第２のガスとして原料ガスを用いても、当該原料ガスが表面波プラズマにより過剰に分解されることを避けることができる。その結果、シャワープレートのガス孔への反応生成と気相反応による堆積物を抑制することができる。また、垂下部材の外側面が上端部から下端部に向かって外側に広がっているので、当該垂下部材の外側面でマイクロ波が横方向や斜め上方向に反射される。その結果、垂下部材の外側面近傍における電界強度が高くなり、第２のガス供給口から供給される第２のガスを効率的に励起してプラズマを発生させることができる。
前記垂下部材の内部には、当該垂下部材の上端面から下端面に連通する貫通孔が形成され、前記第１のガス供給口は、前記貫通孔に接続されていてもよい。
前記垂下部材の下面は円形であり、前記第１のガス供給口は、Ｂｅｓｓｅｌ方程式の解として得られる前記垂下部材の下端面における電界強度分布の極小値に相当する位置に設けられていてもよい。
前記垂下部材は環状に形成され、前記第１のガス供給口は、前記垂下部材の内側面よりも内側に配置されていてもよい。
前記各第１のガス供給口には、前記シャワープレートの下面から鉛直下方に突出する複数の供給ノズルがそれぞれ接続されていてもよい。
前記垂下部材の外側面は、下に向かって次第に外側に広がる放物線形状であってもよい。
前記第１のガスは、前記第２のガスよりも、プラズマにより分解されやすいガスであってもよい。
前記第１のガスは原料ガスであり、前記第２のガスはプラズマ発生用のガスであってもよい。
前記シャワープレートには、前記処理容器内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射孔が設けられ、マイクロ波放射孔は、平面視において、前記垂下部材の外周端部よりも内側に位置するように配置されていてもよい。
本発明によれば、処理容器内にガスを導入するシャワープレートを有し、マイクロ波により表面波プラズマを発生させるプラズマ処理装置において、シャワープレートのガス孔への反応生成と気相反応による堆積物を抑制すると共に、効率的にプラズマを発生させることができる。
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 マイクロ波の出力側の機構を示した図である。 マイクロ波伝送機構の構成を模式的に示す平面図である。 マイクロ波導入機構近傍の構成の概略を示す拡大縦断面図である。 垂下部材近傍の構成の概略を示す斜視図である。 従来のシャワープレート近傍における電子温度の分布を示す説明図である。 従来のシャワープレートの近傍における電界強度の分布を示す説明図である。 垂下部材を備えたシャワープレートの近傍における電界強度の分布を示す説明図である。 垂下部材を備えたシャワープレートの近傍における電子温度の分布を示す説明図である。 垂下部材を備えたシャワープレートの近傍における電子密度の分布を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる垂下部材の構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる垂下部材の構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかる垂下部材の構成の概略を示す縦断面図である。 垂下部材の下面における電界強度分布の実測値である。 垂下部材の下面における表面波の伝播モデルである。 垂下部材の下面における表面波を示すＢｅｓｓｅｌ方程式である。 Ｂｅｓｓｅｌ方程式の解として得られるＢｅｓｓｅｌ関数である。 垂下部材の下面における電界強度分布の理論値及び実測値である。 他の実施の形態にかかる垂下部材の構成の概略を示す説明図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
まず、本実施の形態に係るプラズマ処理装置の全体構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、プラズマ処理装置１を概略的に示した縦断面図である。
本実施形態では、半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと称呼する。）にプラズマ処理として成膜処理を施すＣＶＤ装置を例に挙げてプラズマ処理装置１を説明する。プラズマ処理装置１は、気密に保持された内部にてウェハＷをプラズマ処理する処理容器１０を有している。処理容器１０は、上面が開口した略円筒状で、たとえばアルミニウム等の金属から形成されている。この処理容器１０は、接地されている。
処理容器１０の底部には、ウェハＷを載置するサセプタ１１が設けられている。サセプタ１１は、絶縁体１２ａを介して支持部材１２により支持され、処理容器１０の底部に設置されている。これにより、サセプタ１１は、電気的に処理容器１０とは絶縁された状態になっている。サセプタ１１及び支持部材１２の材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウム等が挙げられる。
サセプタ１１には、整合器１３を介してバイアス用の高周波電源１４が接続されている。高周波電源１４は、サセプタ１１にバイアス用の高周波電力を印加する、これにより、ウェハＷ側にプラズマ中のイオンが引き込まれる。なお、図示していないが、サセプタ１１には、ウェハＷを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、ウェハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するためのガス流路、ウェハＷを搬送する際に昇降する昇降ピン等が設けられてもよい。
処理容器１０の底部には排気口１５が設けられ、排気口１５には真空ポンプを含む排気装置１６が接続されている。排気装置１６を作動させると、処理容器１０の内部が排気され、処理容器１０内が所望の真空度まで減圧される。また、処理容器１０の側壁には、搬入出口１７が形成され、搬入出口１７を開閉可能なゲートバルブ１８の開閉により、ウェハＷが搬入出される。
サセプタ１１の上方には、処理容器１０内にガスを供給しつつ、マイクロ波の供給が可能なプラズマ発生用アンテナ２０（以下、「アンテナ２０」という。）が装着されている。アンテナ２０は、処理容器１０上部の開口を塞ぐように設けられている。これにより、サセプタ１１とアンテナ２０との間にプラズマ空間Ｕが形成される。アンテナ２０の上部には、マイクロ波を伝送するマイクロ波伝送機構３０が連結され、マイクロ波出力部４０から出力されたマイクロ波をアンテナ２０に伝えるようになっている。
プラズマ処理装置１には、図１に示すように制御部５００が設けられている。制御部５００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部５００にインストールされたものであってもよい。
次に、図２を参照しながら、マイクロ波出力部４０及びマイクロ波伝送機構３０の構成について説明する。
マイクロ波出力部４０は、マイクロ波用電源４１、マイクロ波発振器４２、アンプ４３及び増幅されたマイクロ波を複数に分配する分配器４４を有している。マイクロ波用電源４１は、マイクロ波発振器４２に対して電力を供給する。マイクロ波発振器４２は、例えば、８６０ＭＨｚの所定周波数のマイクロ波をＰＬＬ発振させる。アンプ４３は、発振されたマイクロ波を増幅する。分配器４４は、マイクロ波の損失ができるだけ起こらないように、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながら、アンプ４３で増幅されたマイクロ波を分配する。
マイクロ波伝送機構３０は、分配器４４で分配されたマイクロ波を処理容器内へ導く複数のアンテナモジュール５０とマイクロ波導入機構５１とを有している。なお、図２では、マイクロ波伝送機構３０が２つのアンテナモジュール５０と２つのマイクロ波導入機構５１を備えている状態を模式的に描図しているが、本実施の形態では、例えば図３に示すように、マイクロ波伝送機構３０はアンテナモジュール５０を例えば７個有しており、６個のアンテナモジュール５０が同一円周状に、その中心に１個のアンテナモジュール５０がアンテナ２０の上部に配置されている。
アンテナモジュール５０は、位相器５２、可変ゲインアンプ５３、メインアンプ５４及びアイソレータ５５を有していて、マイクロ波出力部４０から出力されたマイクロ波をマイクロ波導入機構５１に伝送する。
位相器５２は、マイクロ波の位相を変化させるように構成され、これを調整することによりマイクロ波の放射特性を変調させることができる。これによれば、指向性を制御してプラズマ分布を変化させることができる。なお、このような放射特性の変調が不要な場合には位相器５２は設ける必要はない。
可変ゲインアンプ５３は、メインアンプ５４へ入力するマイクロ波の電力レベルを調整し、プラズマ強度の調整を行う。メインアンプ５４は、ソリッドステートアンプを構成する。ソリッドステートアンプは、図示していない入力整合回路、半導体増幅素子、出力整合回路及び高Ｑ共振回路を有する構成とすることができる。
アイソレータ５５は、アンテナ２０で反射してメインアンプ５４に戻るマイクロ波の反射波を分離するものであり、サーキュレータとダミーロード（同軸終端器）とを有している。サーキュレータは、アンテナ２０で反射したマイクロ波をダミーロードへ導き、ダミーロードは、サーキュレータによって導かれたマイクロ波の反射波を熱に変換する。
次に、マイクロ波導入機構５１及びプラズマ発生用アンテナ２０の構成について図４を参照しながら説明する。図４は、本実施の形態に係るマイクロ波導入機構５１及びアンテナ２０の例えば左半分の構成の概略を拡大して示した縦断面図である。
マイクロ波導入機構５１は、同軸管６０及び遅波板７０を有している。同軸管６０は、筒状の外部導体６０ａ及びその中心に設けられた棒状の内部導体６０ｂからなる同軸状の導波管を有している。同軸管６０の下端には、遅波板７０を介してアンテナ２０が設けられている。同軸管６０は、内部導体６０ｂが給電側、外部導体６０ａが接地側になっている。同軸管６０には、チューナ８０が設けられている。チューナ８０は、例えば２つのスラグ８０ａを有し、スラグチューナを構成している。スラグ８０ａは誘電部材の板状体として構成されており、同軸管６０の内部導体６０ｂと外部導体６０ａとの間に円環状に設けられている。チューナ８０は、後述する制御部５００からの指令に基づき、図示しない駆動機構によりスラグ８０ａを上下動させることにより、同軸管６０のインピーダンスを調整するようになっている。
遅波板７０は、同軸管６０の下面に隣接して設けられている。遅波板７０は、円板状の誘電体部材から形成されている。遅波板７０は、同軸管６０を伝送されたマイクロ波を透過し、アンテナ２０へと導く。
アンテナ２０は、シャワープレート１００を有している。シャワープレート１００は、遅波板７０の下面に隣接して設けられている。シャワープレート１００は、遅波板７０より径が大きな略円盤形状であり、アルミニウムや銅等の電気伝導率が高い導電体により形成されている。シャワープレート１００は、処理容器１０のプラズマ空間Ｕ側に露出し、露出した下面に表面波を伝播させる。ここでは、シャワープレート１００の金属面がプラズマ空間Ｕ側に露出している。このように露出した下面に伝播する表面波を以下、金属表面波という。
シャワープレート１００の下面であって、同軸管６０の下方に対応する位置には、下方、即ちプラズマ空間Ｕ側に突出する垂下部材１０１が設けられている。垂下部材１０１は、円形の底面形状を有する略円錐台形状であり、シャワープレート１００と同様に、アルミニウムや銅等の電気伝導率が高い導電体により形成されている。垂下部材１０１の外側面は、例えばその上端面から下端面に向けて次第に外側に広がる、例えばシャワープレート１００と垂下部材１０１の外側面との接点を原点とする放物線形状を有している。
シャワープレート１００は、略円盤形状の上部プレート１１０と、同じく略円盤形状の下部プレート１２０を上下に重ねた構成となっている。上部プレート１１０には、その上面を貫通し、当該上部プレート１１０の径方向にガスを流通させるガス流路１３０が形成されている。ガス流路１３０には、第１のガスを供給する第１のガス供給源１３１が供給管１３２を介して接続されている。なお、第１のガスは、複数の種類のガスであってもよく、また、それらの混合ガスであってもよい。第１のガスとしては、原料ガスとしての例えばモノシランガス（ＳｉＨ４）などが用いられる。上部プレート１１０の下面であって垂下部材１０１の外側面よりも内側の位置には、ガス流路１３０に連通する複数の第１のガス供給口１３３が鉛直上方に延伸して設けられている。また、上部プレート１１０の第１のガス供給口１３３とは異なる位置には、マイクロ波を通すマイクロ波放射孔としてのスロット２２０が複数形成されている。なお、当該スロット２２０の中心から鉛直下方に向けて引いた仮想線が、垂下部材１０１の外側面と交わるように、垂下部材１０１の形状とスロット２２０の配置が設定されていることが好ましい。換言すれば、平面視において、スロット２２０の中心が、垂下部材１０１下面の外周端部よりも内側に位置するように、スロット２２０が配置されていることが好ましい。
下部プレート１２０における、上部プレート１１０の各第１のガス供給口１３３に対応する位置には、当該下部プレート１２０を上下方向に貫通する貫通孔１５０がそれぞれ形成されている。これにより、第１のガス供給口１３３から供給される第１のガスは貫通孔１５０を通って下部プレート１２０の下端面に到達できる。また、下部プレート１２０における、上部プレート１１０のスロット２２０に対応する位置には、上部プレート１１０と同様に、スロット２２０が形成されている。
垂下部材１０１の内部であって各貫通孔１５０の下端に対応する位置には、当該垂下部材１０１の上端面から下端面に連通する貫通孔１６０がそれぞれ形成されている。また、垂下部材１０１は、下部プレート１２０の下端から鉛直下方に所定の長さＬだけ突出して設けられている。したがって、第１のガス供給源１３１からガス流路１３０に供給された第１のガスは、この複数の貫通孔１６０を通って、下部プレート１２０よりも所定の長さＬだけ低い位置から処理容器１０のプラズマ空間Ｕに導入される。
また、下部プレート１２０には、その側面を貫通し、当該下部プレート１２０の径方向にガスを流通させるガス流路１４０が形成されている。ガス流路１４０には、第２のガスを供給する第２のガス供給源１４１が供給管１４２を介して接続されている。第２のガスとしては、プラズマ発生用の例えば窒素ガス、アルゴンガス、水素ガス、又はこれらのガスを混合したガスなどが用いられる。なお、ガス流路１４０を流通するガスとガス流路１３０を流通するガスがシャワープレート１００内で混合することがないように、ガス流路１４０はガス流路１３０とは完全に独立して設けられている。
下部プレート１２０の下面であって垂下部材１０１の外側面よりも外側の位置で且つスロット２２０とは異なる位置には、ガス流路１４０に連通する複数の第２のガス供給口１５１が鉛直上方に延伸して設けられている。第２のガス供給源１４１からガス流路１４０に供給された第２のガスは各第２のガス供給口１５１を通って、下部プレート１２０の下面から処理容器１０のプラズマ空間Ｕに導入される。
上述した複数のスロット２２０は、ガスの供給経路であるガス流路１３０、１４０、複数の第１のガス供給口１３３、第２のガス供給口１５１及び貫通孔１５０、１６０とは異なる位置に設けられ、シャワープレート１００の径方向に対して垂直な方向に貫通している。スロット２２０の一端は、遅波板７０に隣接し、他端は、処理容器１０のプラズマ空間Ｕ側に開口している。マイクロ波は、同軸管６０を伝播し、遅波板７０を透過した後、複数のスロット２２０に通されて処理容器１０内に放射される。なお、スロット２２０の内部を石英などの誘電体で満たす構造としてもよい。
貫通孔１６０及び第２のガス供給口１５１の直径は、処理容器１０内に放射されたマイクロ波が当該貫通孔１６０及び第２のガス供給口１５１の内部に入り込まないような大きさとなっている。本実施の形態では、例えば０．６ｍｍである。また、スロット２２０と第１のガス供給口１３３、第２のガス供給口１５１及び貫通孔１５０、１６０とはシャワープレート１００内にて完全に分離されている。これにより、第１のガス供給口１３３、第２のガス供給口１５１や貫通孔１５０、１６０での異常放電を防止することができる。
なお、遅波板７０、上部プレート１１０及び下部プレート１２０の接触面は、それぞれ図示しないＯリングによりシールされている。これにより、処理容器１０やスロット２２０の内部を真空状態にすると共に、シャワープレート１００内で第１のガスと第２のガスが混合することを避けることができる。
なお、シャワープレート１００のプラズマ側に露出した面、即ち、下部プレート１２０の下面及び垂下部材１０１の表面は、溶射により例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やイットリア（Ｙ２Ｏ３）の被膜（図示せず）で覆われていてもよい。それにより、導体面がプラズマ空間側に露出しないようにしてもよい。
図５は、垂下部材１０１、下部プレート１２０と、第２のガス供給口１５１及び垂下部材１０１に形成された貫通孔１６０との概略の位置関係の一例を示すものであり、垂下部材１０１近傍を斜め下方から見た状態を示した斜視図である。なお、図５では、スロット２２０については、その記載を省略している。例えば図５に示すように、垂下部材１０１に設けられた貫通孔１６０は、当該垂下部材１０１の中央部近傍に同心円状に複数配置されている。また、上述のとおり、第１のガス供給口１３３及び貫通孔１５０は、貫通孔１６０に対応する位置に設けられている。そのため、本実施の形態においては、第１のガス供給口１３３及び貫通孔１５０も、例えば図５に示すように垂下部材１０１と同心円状の配置となっている。第２のガス供給口１５１は、垂下部材１０１の上端部と例えば同心円状に複数配置されている。なお、図５では、第２のガス供給口１５１は、垂下部材１０１を下方から見た場合、垂下部材１０１に覆われて視認できない位置に配置されているが、必ずしも垂下部材１０１により視認できない位置に配置する必要はない。
次に、シャワープレート１００及び垂下部材１０１近傍の構成について、本発明の原理と併せて説明する。マイクロ波を用いたプラズマ処理において、ウェハＷに成膜する際に原料ガスとして用いられる、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）をＳｉＨ３に分解するためには、約８．７５ｅＶ以上のエネルギーが必要となる。その一方、プラズマ発生用のガスとして用いられる、例えば窒素ガスは、その結合エネルギーが約９．９１ｅＶである。即ち、窒素ガスを励起して窒素プラズマや窒素ラジカルを生成するには、約９．９１ｅＶ以上のエネルギーを与える必要がある。したがって、かかる場合のマイクロ波プラズマ処理においてアンテナ２０へ供給するマイクロ波の出力は、より高いエネルギー、即ちプラズマ発生用ガスを励起するためのエネルギーを基準として決定される。ここで、金属表面波を用いたマイクロ波プラズマ処理（特にエバネッセント波を応用した表面波によるプラズマ処理）においては、通常、アンテナ２０の下端面近傍、例えばアンテナ下面から概ね５ｍｍ以内の領域は、アンテナ下面から概ね５ｍｍ以上離れた領域と比較して電子温度が高くなる。
また、本発明者らが調査したところ、電子温度は、シャワープレート１００に形成されたスロット２２０の近傍で特に高くなることが確認された。図６にスロット２２０が外周部に形成されたシャワープレート１００近傍における電子温度の分布を示す。図６の縦軸は、処理容器１０内における高さ、横軸は同軸管６０の中心軸からの水平方向の距離である。なお、図６では、スロット２２０の中心が同軸管６０の中心軸から概ね３５ｍｍである場合の電子温度分布について描図している。また、図６に示す破線は、電子温度が１ｅＶとなる境界線である。図６では、当該破線よりもスロット２２０寄りの領域Ｘ（スロット２２０を中心として、概ね半径３５ｍｍ程度の領域）では電子温度が１ｅＶより高くなっており、スロット２２０の近傍が高電子温度の領域になっていることを表している。即ち、当該領域Ｘにおいてはプラズマ発生用ガス及び原料ガスが活発に電離する。そのため、従来のように、シャワープレートからプラズマ発生用のガスとして窒素ガスと、原料ガスとしてモノシランガスの双方を供給すると、窒素ガスは電子温度が高い領域Ｘにおいては分解されて窒素イオン、窒素原子ラジカル、窒素原子となるが、電子温度が低い領域ではエネルギーが十分でないため、反応性の高い原子状窒素はほとんど生成されない。その一方、モノシランガスは、領域Ｘの外側においてもＳｉＨ３に分解されるが、電子温度が高くなる領域ＸにおいてＳｉＨ２、ＳｉＨが多く生成されるため、この領域ＸでＳｉＨ２、ＳｉＨが過剰に生成されてシリコンが成膜され、シャワープレートのガス供給口に堆積してしまっていた。
反応生成と気相反応による堆積物を抑制するためにはアンテナ２０に供給するマイクロ波の出力を下げ、それにより領域Ｘにおける電子温度を低下させればよい。しかしながら、ＳｉＨ２、ＳｉＨの過剰生成を防止することを目的としてマイクロ波の出力を下げると、プラズマ発生用ガスを分解するための所定の電子温度が得られなくなる。そのため、マイクロ波の出力を下げるにも限界がある。
そこで、本発明者らは、ガス供給口へ堆積する不要な反応生成と気相反応による堆積物を抑制するために、シャワープレート１００から供給される原料ガスを、電子温度が高い領域Ｘを通過させることなく処理容器１０内に導入する方法について鋭意検討した。ただし、従来のように処理容器１０の側壁から処理容器１０内に原料ガスを供給すると、処理容器１０内のガスの流れを制御することが困難となり、均一なプラズマが得られない。
そこで本発明者らは、シャワープレート１００の内部でプラズマ発生用のガスと原料ガスとが混合しないようにそれぞれ個別にガス流路１３０、１４０を設け、さらにプラズマ発生用のガスを領域Ｘまたは領域Ｘの近傍に供給し、その一方で原料ガスを領域Ｘから離れた場所にそれぞれ供給すれば、原料ガスの過剰な分解が避けられ且つプラズマ発生用のガスを効率的に励起できる点に着想した。そしてこの着想に基づき、例えば図４に示したような垂下部材１０１を、シャワープレート１００の下端に設けることに想到した。
垂下部材１０１を、シャワープレート１００の下端に設けるにあたって、本発明者らは先ず、シャワープレート１００近傍の電界強度について調査した。図７及び図８に、スロット２２０が外周部に形成されたシャワープレート１００近傍の電界強度の分布及びその方向について示す。図７はシャワープレート１００のみの場合、図８はシャワープレート１００の下端に垂下部材１０１を設けた場合の電界強度分布を示している。図７、図８の三角形の大きさは電界強度の強さ、三角形の向きは電界の向きをそれぞれ表している。図７に示すように垂下部材１０１を設けていないシャワープレート１００においては、電界は主に下方に向いているが、垂下部材１０１を設けることで、図８に示すように、垂下部材１０１の外側面近傍で横方向の電界強度が高くなることが確認された。このことから、垂下部材１０１の外側面近傍で高電子温度が得られるものと推察される。これは、垂下部材１０１の外側面が上端部から下端部に向かって外側に広がっているので、当該垂下部材１０１の外側面でマイクロ波が横方向や斜め上方向に反射され、垂下部材１０１の外側面近傍において高エネルギーの状態が形成されていることが原因と考えられる。
次に、シャワープレート１００に垂下部材１０１を設けた場合の、シャワープレート１００近傍の電子温度の分布を図９示す。なお、図９においても同軸管６０の中心軸とスロット２２０の中心までの距離は、図６の場合と同様に概ね３５ｍｍであり、垂下部材１０１の下面の半径は概ね４５ｍｍである。垂下部材１０１を設けることで、電子温度が１ｅＶ以上となる領域Ｘは、スロット２２０の近傍で且つ垂下部材１０１の外側面に分布し、垂下部材１０１の下面では、電子温度は概ね１ｅＶ以下となることが図９から確認できる。これは、上述のように、垂下部材１０１の外側面が上端部から下端部に向かって外側に広がっているので、当該垂下部材１０１の外側面でマイクロ波が横方向や斜め上方向に反射され、それにより垂下部材の外側面近傍における電界強度が高くなることが原因と推察される。
したがって、図４に示すように、第２のガス供給口１５１を垂下部材１０１の外側面の外側に配置し、第１のガス供給口１３３及び貫通孔１５０、１６０を垂下部材１０１の外側面よりも内側に配置することで、一方では、領域Ｘにプラズマ発生用ガスを集中的に供給し、他方では、分解しやすい原料ガスを、領域Ｘを通過させることなく処理容器１０内に導入できる。かかる場合、原料ガスが領域Ｘで過剰に分解されることを抑制できるので、原料ガスによるプリカーサの生成を抑え、貫通孔１６０や第２のガス供給口１５１が閉塞することを防止できる。
なお、垂下部材１０１を設けた場合のシャワープレート１００近傍の電子密度についても確認したところ、図１０に示すように、スロット２２０の近傍で且つ垂下部材１０１の外側面近傍に高密度の領域が形成されていることが確認された。このことからも、領域Ｘは高エネルギーの状態となっており、当該領域Ｘにおいてプラズマ発生用のガスが効率的に励起されることが確認できる。
ここで、例えば図９から確認できるように、電子温度が高い領域Ｘは、垂下部材１０１の外側面から外側方向に分布しており、例えば垂下部材を下方から見た場合に、垂下部材１０１底面の外側の位置にも領域Ｘが分布している。そのため、上述したように、第２のガス供給口１５１は、必ずしも、垂下部材１０１を下方から見た場合に垂下部材１０１に覆われて視認できない位置に設ける必要はなく、領域Ｘに面した位置に設けられていればよい。なお、本発明者らによれば、例えば本実施の形態のように、垂下部材１０１の外側面が、シャワープレート１００の下部プレート１２０と垂下部材１０１の接点を原点とする放物線形状を有する場合、当該放物線の焦点近傍で高エネルギー状態となることが確認されている。かかる場合、第２のガス供給口１５１は焦点近傍に面した位置に設けることが好ましい。
なお、下部プレート１２０に突起物である垂下部材１０１を設けることにより、当該垂下部材１０１にも表面波が伝播することで、プラズマ空間Ｕにおける均一なプラズマの生成が阻害される可能性がある。そのため、垂下部材１０１の長さＬは、最大でも処理容器１０内に導入するマイクロ波の波長以下とすることが好ましく、波長の１／２以下とすることが更に好ましい。本発明者らによれば、このように垂下部材１０１の長さＬを設定することで、垂下部材１０１での表面波の伝播を抑制し、処理容器１０内に安定的にプラズマを生成することができことが確認されている。本実施の形態では、波長が３４８．６ｍｍである８６０ＭＨｚのマイクロ波を用いるので、垂下部材１０１の長さＬは概ね１０ｍｍ〜６０ｍｍの範囲で設定することが好ましく、２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲で設定することがより好ましい。
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１は以上のような知見に基づくものである。次に、プラズマ処理装置１を用いて行われる処理について、ウェハＷに窒化シリコン膜を形成する場合を例に説明する。
まず、ウェハＷを処理容器１０内に搬入し、サセプタ１１上に載置する。そして、第２のガス供給源１４１から、プラズマ発生用のガスとして窒素ガス、アルゴンガス及び水素ガスを混合したガスをシャワープレート１００の下部プレート１２０を介して処理容器１０内に導入する。次いで、マイクロ波がマイクロ波出力部４０から出力され、マイクロ波伝送機構３０及び遅波板７０、スロット２２０を通って処理容器１０内にマイクロ波が導入される。これにより、アンテナ２０及び垂下部材１０１の表面に形成された金属表面波により表面波プラズマが生成される。この際、スロット２２０が設けられた垂下部材１０１の外側面近傍の領域Ｘは高エネルギーの状態となっているので、垂下部材１０１の外側面近傍に設けられた第２のガス供給口１５１から供給されるプラズマ発生用のガスは、この領域Ｘで高エネルギーにより励起され、効率的に窒素ラジカルが生成される。それと共に、第１のガス供給源１３１から、原料ガスとしてのモノシランガスが第１のガス供給口１３３、貫通孔１５０、１６０を介して処理容器１０内に導入される。
処理容器１０内に導入されたモノシランガスは、プラズマにより励起されてＳｉＨ３に分解される。この際、モノシランガスは垂下部材１０１の底面から処理容器１０のプラズマ空間Ｕに導入されるので、モノシランガスは電子温度が高い領域Ｘを通過することがない。その結果、過剰なＳｉＨ３による反応生成と気相反応が抑えられる。
そして、窒素ラジカル及びＳｉＨ３は、シャワープレート１００からウェハＷに向かう鉛直下方のガス流れに随伴してウェハＷの表面に到達し、ウェハＷ上面に窒化シリコンとして堆積する。これにより、ウェハＷの上面に窒化シリコン膜が形成される。
以上の実施の形態によれば、垂下部材１０１の外側面よりも内側に第１のガス供給口１３３が設けられているので、第１のガスが、シャワープレート１００に形成されたスロット２２０近傍の電子温度が高い領域Ｘを通過することがない。したがって、モノシランガスが表面波プラズマにより過剰に分解されることを避けることができる。その結果、シャワープレート１００を用いてウェハＷにプラズマ処理を施すにあたり、シャワープレート１００の貫通孔１６０や第２のガス供給口１５１といったガス孔に反応生成と気相反応による堆積物、本実施の形態ではシリコン膜が成膜することを抑制できる。
また、垂下部材１０１の外側面が放物線形状を有し且つスロット２２０の中心から鉛直下方に向けて引いた仮想線とこの放物線が交わるように垂下部材１０１の形状とスロット２２０の配置が設定されているので、当該垂下部材１０１の外側面でマイクロ波が横方向や斜め上方向に反射される。そのため、垂下部材１０１の外側面近傍における電界強度が高くなり、垂下部材１０１の外側面に高エネルギー状態の領域Ｘが形成される。その結果、第２のガス供給口から供給される第２のガスは、領域Ｘにおいて効率的に励起されるので、効率的にプラズマを発生させることができる。なお、スロット２２０と垂下部材１０１との位置関係は、必ずしも本実施の形態の内容に限定されるものではなく、スロット２２０が垂下部材１０１外側面の放物線形状の外側に位置していても、スロット２２０から導入されるマイクロ波は垂下部材１０１の外側面により反射されるので、垂下部材１０１の外側面近傍に電界強度の高い領域を形成することができる。
また、本実施の形態によれば、シャワープレート１００の下面に垂下部材１０１を設けることで、例えば図８に示すように、垂下部材１０１の外側面近傍で横方向の電界強度が高くなる。ここで、垂下部材１０１を設けない従来のシャワープレートにおいては、例えば図７に示すように、当該シャワープレートから横方向への電界の広がりが大きくなく、同軸管６０の下方に対応する領域の電界強度は、それ以外の領域の電界強度よりも相対的に高くなる傾向があった。その結果、処理容器内の電界強度が不均一となり、プラズマ処理の均一性には限界があった。この点、本実施の形態のように垂下部材１０１を設けることで、横方向の電界強度を高めて、従来よりも電界強度分布を均一化できる。したがって、本実施の形態にかかるプラズマ処理装置１によれば、従来よりも均一性の高いプラズマ処理を行うことができる。
なお、下部プレート１２０の下面近傍は表面波プラズマにより高温になるため、ガス流路１４０内を流通するガスもこのプラズマの熱により温度上昇する。その結果、ガス流路１４０内のガスの内部エネルギーが増加し、表面波プラズマにより分解しやすい状態となる。したがって、分解しにくいガス、即ちこの場合にはプラズマ発生用のガスをガス流路１４０内に流通させれば、表面波プラズマによる分解を促進できる。したがって、プラズマ発生用のガスを供給する第２のガス供給源１４１は下部プレート１２０のガス流路１４０に接続することが好ましい。
なお、以上の実施の形態では、第１のガス供給口１３３は、垂下部材１０１に対応する位置にのみ設けられていたが、第１のガス供給口１３３は、垂下部材１０１に対応する位置以外に設けられていてもよく、例えば図１１に示すように、シャワープレート１００の下面に、第２のガス供給口１５１と第１のガス供給口１３３が概ね等間隔となるように配置してもよい。なお、下部プレート１２０の第１のガス供給口１３３に対応する位置には、貫通孔１５０が形成される。かかる場合、下部プレート１２０下面の電子温度が高い領域を原料ガスである第１のガスが通過することにより、反応生成と気相反応による堆積物が第２のガス供給口１５１や貫通孔１５０といったガス孔を塞ぐことを防止するため、貫通孔１５０の下端には所定の長さの供給ノズル２００を設けてもよい。なお、図１１では、供給ノズル２００の長さは垂下部材１０１の長さＬと等しい状態を描図しているが、供給ノズル２００の長さは本実施の形態の内容に限定されるものではなく、例えば上述のようにシャワープレート１００の下面から概ね５ｍｍ以内の、電子温度が比較的高い領域を通過する長さであれば任意に設定できる。また、突起物である供給ノズル２００を設けることにより、当該供給ノズル２００にも表面波が伝播して共振を起こし、プラズマ空間Ｕにおける均一なプラズマの生成が阻害される可能性がある。そのため、供給ノズル２００の長さは、処理容器１０内に導入するマイクロ波の波長の１／１６〜３／１６程度、より好ましくは１／８程度とすることが好ましい。
また、以上の実施の形態では、垂下部材１０１の外側面は放物線形状を有していたが、垂下部材１０１の形状は、本実施の形態の内容に限定されるものではなく、外側面が、上端部から下端部に向かって外側に広がる形状であれば、任意に設定が可能である。例えば、図１２に示すように、外側面が直線状に形成された、略円錐台形状の垂下部材３００を用いてもよく、例えば、図１３に示すように、外側面の接線方向が徐々に斜め方向から鉛直方向に変化する略２次曲線形状である垂下部材３１０を用いてもよい。本発明者らによれば、垂下部材１０１の外側面が、上端部から下端部に向かって外側に広がる形状を有していれば、垂下部材１０１の外側面でマイクロ波が横方向や斜め上方向に反射されるので、垂下部材１０１の外側面近傍において高エネルギーの状態を形成できる。
以上の実施の形態では、垂下部材１０１の内部に上下方向に貫通する貫通孔１６０を形成していたが、貫通孔１６０は例えば斜め方向に延伸していてもよく、例えばモノシランガスといった原料ガスが過剰に分解されることが無いように、領域Ｘと面しない位置に形成されていれば、その形状は任意に設定できる。また、例えば図１４に示すように、垂下部材１０１の内部に、下部プレート１２０の貫通孔１５０と連通するガス室１０１ａを形成し、当該ガス室１０１ａの下方に貫通孔１６０を形成するようにしてもよい。
なお、以上の実施の形態では、垂下部材１０１の中央部近傍に複数の貫通孔１６０が形成されており、第１のガス供給口１３３も当該貫通孔１６０に対応する位置に形成されていたが、第１のガス供給口１３３及び貫通孔１６０は本実施の形態の内容に限定されない。原料ガスとしてのモノシランガスの過剰な分解を抑制するという観点からは、垂下部材１０１下面の面内において、電界強度が弱い、または電子温度が低くなる領域が存在すれば、当該低電界強度、低電子温度となる領域のみに貫通孔１６０を設けるようにしてもよい。
この点について本発明者らが鋭意調査したところ、例えば垂下部材１０１下面の所定の位置に、同心円状に電界強度が弱くなる領域が存在することが確認された。本発明者らによれば、この電界強度が弱くなる領域は、後述するように、垂下部材１０１の下面における電界強度分布を表すＢｅｓｓｅｌ方程式の解として得られるＢｅｓｓｅｌ関数の極小値に対応する位置に存在する。以下、この電界強度が弱くなる領域について説明する。
本発明者らは、先ず、垂下部材１０１下面の電界強度分布を、ラングミュアプローブ及びスペクトルアナライザにより測定した。具体的には、処理容器１０の外部からスペクトルアナライザ（図示せず）に接続したラングミュアプローブ（図示せず）を挿入し、垂下部材１０１の下端面から概ね１０ｍｍ下方の位置を、垂下部材１０１下面の直径方向に沿って走査させた。この際、マイクロ波発振器４２からは８６０ＭＨｚのマイクロ波を供給した。なお、垂下部材１０１の半径は、概ね４５ｍｍである。その結果を図１５に示す。図１５の横軸は垂下部材１０１の半径方向の位置と、縦軸は電界強度をそれぞれ表している。
図１５に示す電界強度分布によれば、垂下部材１０１下面の中心から概ね２０ｍｍの位置に電界強度が極小となる点が存在することが確認できる。また、スペクトルアナライザにおける測定結果では、８６０ＭＨｚにおいてピークが観測された。このことから、処理容器１０内にマイクロ波を導入した場合、垂下部材１０１下面には、当該垂下部材１０１の中心から半径２０ｍｍの円の円周上の位置において、他の領域と比較して電界強度が低い領域が形成されることがわかる。
そして本発明者らは、垂下部材１０１の下面にこのような電界強度分布が生じる理由についてさらに検討し、当該電界強度分布が、垂下部材１０１の下面における電界強度分布を表すＢｅｓｓｅｌ方程式の解として得られるＢｅｓｓｅｌ関数に対応していることを知見した。以下に、電界強度分布を表すＢｅｓｓｅｌ方程式の解として求める方法について説明する。
本発明者らは、垂下部材１０１の下面を伝播する表面波は、図１６に示すような円柱座標系のモデルが成り立つと考えた。具体的には、金属である垂下部材１０１の底面（下面）２５０を基準として、鉛直下方に所定の厚みｄの円盤状の誘電体２５１が設けられ、当該誘電体２５１の下面にプラズマ２５２が形成される状態である。ここで、円柱座標系の半径はａである。また、誘電体２５１は垂下部材１０１の下方に形成されるプラズマシースであり、その比誘電率は１となる。そして、表面波が図１６に示すような円柱座標系で表される場合、表面波を表すマクスウェル方程式は、例えば図１７に示すような、Ｂｅｓｓｅｌ方程式により表すことができる。なお、図１７に示す式において、Ｅｚは鉛直方向の電界強度、ｒは半径方向の座標、ｋ及びβはマイクロ波の波数である。
そして、図１６に示すモデルにおいては、垂下部材１０１の外周端部は開放されているので、プラズマシースの端部、即ち誘電体２５１の端部を開放端として図１７の式を解くと、Ｂｅｓｓｅｌ方程式の解として、図１８に示すようなＢｅｓｓｅｌ関数が得られる。
そして、このＢｅｓｓｅｌ関数により半径４５ｍｍの垂下部材１０１下面の電界強度分布の理論値を求めると、例えば図１９に破線で示すような分布を得る。図１５の横軸は垂下部材１０１の半径方向の位置と、縦軸は電界強度をそれぞれ表している。なお、図１９の実線は、図１５に示した実測の電界強度分布である。
図１９に示すように、図１８の関数で示される電界強度分布は、概ね半径２０ｍｍ近傍の位置に極小点を有しており、図１５に示される、電界強度分布の実測データと概ね整合したものとなっていることが確認できる。この結果から、本実施の形態にかかる垂下部材１０１の下面における電界強度分布は、Ｂｅｓｓｅｌ方程式の解として得られるＢｅｓｓｅｌ関数により求められることがわかる。
そして、垂下部材１０１の下面における電界強度分布は、所定の半径、本実施の形態では概ね半径２０ｍｍの円の円周上において極小の値となる。したがって、上述のように、垂下部材１０１下面の貫通孔１６０、及び当該貫通孔１６０に対応する第１のガス供給口１３３は、Ｂｅｓｓｅｌ関数の極小値に対応する位置に設けることがより好ましい。こうすることで、領域Ｘを避けると共に、垂下部材１０１下面のより電界強度の低い領域を通過して原料ガスを処理容器１０内に導入させることができる。その結果、例えば原料ガスとしてのモノシランガスの過剰な分解をより効率的に抑制することができる。また、このように極小値を考慮した位置に貫通孔１６０を設けることで、極小値を考慮しない場合に比べ垂下部材１０１の突出長さＬを相対的に短くすることが可能となる。このため、処理容器１０の容積を小さくすることが可能となり、スペースの節約といった効果を得ることができる。また、処理容器１０内の真空排気に要する時間なども短縮できることから、処理のスループット向上といった面でも効果を得ることが可能となる。
また、原料ガスを、領域Ｘを通過させることなく処理容器１０内に導入するという観点からは、垂下部材１０１は必ずしもその内部を原料ガスとしての第１のガスが通過するような構造とする必要はなく、例えば内部を中空にした環状の垂下部材を用い、当該垂下部材の内側面よりも内側に第１のガスを供給するようにしてもよい。具体的には、例えば図２０に示すように、下方向に向かって次第に直径が大きくなる、上端と下端が開口した略円環状の垂下部材３２０を下部プレート１２０の下面に設ける。かかる場合、下部プレート１２０の各貫通孔１５０の下端には、鉛直下方に所定の長さ延伸する供給ノズル３２１をそれぞれ設けることが好ましい。供給ノズル３２１を介することで、シャワープレート１００の下面から概ね５ｍｍ以内の、電子温度が比較的高い領域を通過させることなく原料ガスを処理容器１０内に導入できる。なお、図１５では、供給ノズル３２１の長さは垂下部材３２０の長さＬと等しい状態を描図しているが、供給ノズル３２１の長さは、上述の供給ノズル２００と同様の手法で決定できる。
以上の実施の形態では、上部プレート１１０のガス流路１３０及び下部プレート１２０のガス流路１４０にそれぞれ一つの供給管１３２、１４２を介して第１のガス供給源１３１、第２のガス供給源１４１を接続したが、例えばガス流路１３０、ガス流路１４０をそれぞれ独立した環状で同心円状の流路とし、それぞれのガス流路に複数の供給管１３２及び供給管１４２を複数設け、各流路に供給するガスの流量を制御するようにしてもよい。そうすることで、下部プレート１２０の各領域ごとにガスの供給量を制御することが可能となり、例えば電界強度分布に対応して原料ガスやプラズマ発生用ガスの供給量を制御して、ウェハＷに対してより均一なプラズマ処理を行うことができる。
特に、従来のように垂下部材１０１を有さないシャワープレート１００を用いて、原料ガスとしてモノシランガスを処理容器１０内に供給する場合、シャワープレート１００下面で原料ガスが過剰に分解されるために、ＳｉＨ３の生成量を制御することが困難であったが、本発明では垂下部材１０１を介してモノシランガスを供給することで、過剰なＳｉＨ３の生成を抑えることができる。したがって、モノシランガスの供給量を制御することで容易にＳｉＨ３の生成量を調整でき、これにより、ウェハＷ上の成膜量を制御することが可能となる。かかる場合、さらに供給管１３２及び供給管１４２を複数設けて下部プレート１２０の所定の領域ごとにガスの供給量を制御することで、各領域ごとにさらに厳密に窒素ラジカルとＳｉＨ３の生成量を調整できるので、ウェハＷに対してより均一なプラズマ処理を施すことが可能となる
また、以上の実施の形態では、シャワープレート１００は、上部プレート１１０と下部プレート１２０とにより構成されていたが、第１のガスのガス流路１３０および第２のガスのガス流路１４０とが独立して形成され、シャワープレート１００の内部でガスが混ざらない構成となっていれば、シャワープレート１００をどのように構成するかについては本実施の形態に限定されるものではなく、任意に設定が可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
１ プラズマ処理装置
１０ 処理容器
１１ サセプタ
１２ 支持部材
１３ 整合器
１４ 高周波電源
３０ マイクロ波伝送機構
４０ マイクロ波出力部
５０ アンテナモジュール
１００ シャワープレート
１０１ スイカ部材
１１０ 上部プレート
１２０ 下部プレート
１３０ ガス流路
１３３ 第１のガス供給口
１４０ ガス流路
１５１ 第２のガス供給口
２２０ スロット
５００ 制御装置
Ｕ プラズマ空間
Ｗ ウェハ
Ｘ 領域

Claims (9)

  1. 処理容器内に第１のガスと第２のガスを供給するシャワープレートを備えたプラズマ発生用アンテナを有し、マイクロ波の供給によって前記シャワープレート表面に形成された表面波によりプラズマを形成して基板を処理するプラズマ処理装置であって、
    前記シャワープレートの下端面から下方に突出する、導電体により構成された垂下部材を有し、
    前記垂下部材の外側面は、上端部から下端部に向かって外側に広がり、
    前記シャワープレートは、前記処理容器内に第１のガスを供給する複数の第１のガス供給口と第２のガスを供給する複数の第２のガス供給口とを備え、
    前記第１のガス供給口は、前記垂下部材の外側面よりも内側に配置され、
    前記第２のガス供給口は、前記垂下部材の外側面よりも外側に配置されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
  2. 前記垂下部材の内部には、当該垂下部材の上端面から下端面に連通する貫通孔が形成され、
    前記第１のガス供給口は、前記貫通孔に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記垂下部材の下面は円形であり、
    前記第１のガス供給口は、Ｂｅｓｓｅｌ方程式の解として得られる前記垂下部材の下端面における電界強度分布の極小値に相当する位置に設けられていることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記垂下部材は環状に形成され、
    前記第１のガス供給口は、前記垂下部材の内側面よりも内側に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記各第１のガス供給口には、前記シャワープレートの下面から鉛直下方に突出する複数の供給ノズルがそれぞれ接続されていることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記垂下部材の外側面は、下に向かって次第に外側に広がる放物線形状であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記第１のガスは、前記第２のガスよりも、プラズマにより分解されやすいガスであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記第１のガスは原料ガスであり、前記第２のガスはプラズマ発生用のガスであることを特徴とする、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記シャワープレートには、前記処理容器内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射孔が設けられ、
    マイクロ波放射孔は、平面視において、前記垂下部材の外周端部よりも内側に位置するように配置されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
JP2014118531A 2013-09-11 2014-06-09 プラズマ処理装置 Active JP6338462B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014118531A JP6338462B2 (ja) 2013-09-11 2014-06-09 プラズマ処理装置
US14/917,414 US10557200B2 (en) 2013-09-11 2014-09-04 Plasma processing device with shower plate having protrusion for suppressing film formation in gas holes of shower plate
CN201480050227.5A CN105531800B (zh) 2013-09-11 2014-09-04 等离子体处理装置
PCT/JP2014/073311 WO2015037508A1 (ja) 2013-09-11 2014-09-04 プラズマ処理装置
KR1020177028538A KR101831576B1 (ko) 2013-09-11 2014-09-04 플라즈마 처리 장치
KR1020167006190A KR101831537B1 (ko) 2013-09-11 2014-09-04 플라즈마 처리 장치
TW103131343A TWI643236B (zh) 2013-09-11 2014-09-11 Plasma processing device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013188665 2013-09-11
JP2013188665 2013-09-11
JP2014118531A JP6338462B2 (ja) 2013-09-11 2014-06-09 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015079735A JP2015079735A (ja) 2015-04-23
JP6338462B2 true JP6338462B2 (ja) 2018-06-06

Family

ID=52665614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014118531A Active JP6338462B2 (ja) 2013-09-11 2014-06-09 プラズマ処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10557200B2 (ja)
JP (1) JP6338462B2 (ja)
KR (2) KR101831537B1 (ja)
CN (1) CN105531800B (ja)
TW (1) TWI643236B (ja)
WO (1) WO2015037508A1 (ja)

Families Citing this family (268)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6338462B2 (ja) * 2013-09-11 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20150118416A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6404111B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10790118B2 (en) * 2017-03-16 2020-09-29 Mks Instruments, Inc. Microwave applicator with solid-state generator power source
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10811232B2 (en) * 2017-08-08 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Multi-plate faceplate for a processing chamber
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP6960813B2 (ja) * 2017-09-20 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 グラフェン構造体の形成方法および形成装置
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) * 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
CN113000233B (zh) * 2019-12-18 2022-09-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体反应器及其气体喷嘴
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202233887A (zh) * 2021-02-03 2022-09-01 美商Ｍｋｓ儀器公司 利用微波輻射能量對原子層沉積製程進行微波輔助表面化學退火的微波系統
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
WO2023004270A1 (en) * 2021-07-19 2023-01-26 Epirus, Inc. Systems and methods for decomposition of molecules
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN117457467B (zh) * 2023-12-19 2024-04-19 哈尔滨工业大学 等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5807792A (en) * 1996-12-18 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Uniform distribution of reactants in a device layer
US6576062B2 (en) * 2000-01-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
US7220937B2 (en) * 2000-03-17 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination
JP2002299331A (ja) * 2001-03-28 2002-10-11 Tadahiro Omi プラズマ処理装置
JP3969081B2 (ja) 2001-12-14 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100497748B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
JP2005167227A (ja) * 2003-11-11 2005-06-23 Ibiden Co Ltd ガス噴出ヘッド、その製法、半導体製造装置及び耐食性材料
JP4532897B2 (ja) 2003-12-26 2010-08-25 財団法人国際科学振興財団 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
JP4503356B2 (ja) * 2004-06-02 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および半導体装置の製造方法
US7718030B2 (en) * 2005-09-23 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling radical distribution
JP5068458B2 (ja) * 2006-01-18 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2008066413A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Tokyo Electron Ltd シャワーヘッド構造及びこれを用いた処理装置
KR100849929B1 (ko) 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
US8715455B2 (en) * 2007-02-06 2014-05-06 Tokyo Electron Limited Multi-zone gas distribution system for a treatment system
CN101451237B (zh) * 2007-11-30 2012-02-08 中微半导体设备(上海)有限公司 具有多个等离子体反应区域的包括多个处理平台的等离子体反应室
JP5202050B2 (ja) 2008-03-14 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド及び基板処理装置
JP5253932B2 (ja) * 2008-09-04 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2010153531A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP5328685B2 (ja) * 2010-01-28 2013-10-30 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5823399B2 (ja) * 2010-09-09 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
JP2012216525A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ発生用アンテナ
US20130071581A1 (en) * 2011-09-20 2013-03-21 Jonghoon Baek Plasma monitoring and minimizing stray capacitance
KR101854738B1 (ko) 2012-01-09 2018-06-20 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치, 플라즈마 발생 장치, 및 박막 증착 방법
GB201214370D0 (en) * 2012-08-13 2012-09-26 Element Six Ltd Thick polycrystalline synthetic diamond wafers for heat spreading applications and microwave plasma chemical vapour deposition synthesis techniques
JP6096547B2 (ja) 2013-03-21 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワープレート
JP6338462B2 (ja) * 2013-09-11 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9275840B2 (en) * 2014-01-25 2016-03-01 Yuri Glukhoy Method for providing uniform distribution of plasma density in a plasma treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170123692A (ko) 2017-11-08
KR101831576B1 (ko) 2018-02-22
CN105531800A (zh) 2016-04-27
US20160222516A1 (en) 2016-08-04
TW201528320A (zh) 2015-07-16
WO2015037508A1 (ja) 2015-03-19
TWI643236B (zh) 2018-12-01
US10557200B2 (en) 2020-02-11
KR101831537B1 (ko) 2018-02-22
JP2015079735A (ja) 2015-04-23
KR20160055146A (ko) 2016-05-17
CN105531800B (zh) 2017-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6338462B2 (ja) プラズマ処理装置
JP6404111B2 (ja) プラズマ処理装置
JP6096547B2 (ja) プラズマ処理装置及びシャワープレート
JP5438205B2 (ja) プラズマ処理装置用の天板及びプラズマ処理装置
US9991097B2 (en) Plasma processing apparatus
JP4677918B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2007149559A (ja) プラズマ処理装置
JP2000268996A (ja) 平面アンテナ部材、これを用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2006009213A1 (ja) プラズマ処理装置
JP4910396B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2017228708A (ja) プラズマ成膜装置および基板載置台
JP2018006718A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2002231637A (ja) プラズマ処理装置
JP2017226894A (ja) プラズマ成膜方法およびプラズマ成膜装置
JP2018006256A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2023027600A (ja) プラズマ処理装置及び蓋部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170417

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180417

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180508

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6338462

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250