JP5823399B2 - マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5823399B2 JP5823399B2 JP2012532931A JP2012532931A JP5823399B2 JP 5823399 B2 JP5823399 B2 JP 5823399B2 JP 2012532931 A JP2012532931 A JP 2012532931A JP 2012532931 A JP2012532931 A JP 2012532931A JP 5823399 B2 JP5823399 B2 JP 5823399B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- heat
- unit
- drive
- slag
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/005—Cooling methods or arrangements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32247—Resonators
- H01J37/32256—Tuning means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators
Description
まず、ウエハWをチャンバ1内に搬入し、サセプタ11上に載置する。そして、プラズマ生成ガス供給源27から配管28およびプラズマ生成ガス導入部材26を介してチャンバ1内にプラズマ生成ガス、例えばArガスを導入しつつ、マイクロ波プラズマ源2からマイクロ波をチャンバ1内に導入してプラズマを生成する。
上記実施形態では、マイクロ波導入機構41に2つのマイクロ波電力導入ポート55から導入されたマイクロ波を空間合成してアンテナ部80へマイクロ波を伝播させた例を示したが、本実施形態では1箇所からマイクロ波を導入する例を示す。図12は本発明の他の実施形態に係るマイクロ波導入機構を有するマイクロ波プラズマ源を示す構成図、図13は本発明の他の実施形態に係るマイクロ波導入機構を示す縦断面図、図14は図13のAA′線による横断面図である。なお、本実施形態において、従前の実施形態と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
Claims (12)
- チャンバ内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源のマイクロ波出力部から出力されたマイクロ波を伝送するマイクロ波伝送路に設けられ、マイクロ波をチャンバ内に導入するマイクロ波導入機構であって、
前記マイクロ波伝送路を介してマイクロ波を前記チャンバ内に放射する平面アンテナを有するアンテナ部と、
前記マイクロ波伝送路に設けられ、前記マイクロ波伝送路のインピーダンスを調整するチューナと、
前記アンテナ部の熱を放熱するための放熱機構と
を具備し、
前記チューナは、
筒状をなす外側導体とその中に同軸的に設けられた筒状をなす内側導体とを有し、マイクロ波伝送路の一部となる本体と、
前記外側導体と前記内側導体の間に設けられ、内側導体の長手方向に沿って移動可能な、環状をなし、誘電体からなるスラグと、
前記スラグを移動させる駆動機構と
を有し、
前記駆動機構は、駆動力を与える駆動部と、駆動部からの駆動力を前記スラグに伝達する駆動伝達部と、前記スラグの移動をガイドする駆動ガイド部と、前記スラグを前記駆動伝達部に保持する保持部とを有し、
前記駆動伝達部と、前記駆動ガイド部と、前記保持部が前記内側導体の内部に収容され、
前記放熱機構は、
入熱端と放熱端とを有し、前記入熱端が前記アンテナ部に位置し、前記アンテナ部の熱を前記入熱端から前記放熱端へ輸送するヒートパイプと、
前記ヒートパイプの前記放熱端に設けられ、前記放熱端の熱を放熱する放熱部と
を有するマイクロ波導入機構。 - 前記ヒートパイプは、前記内側導体内に設けられている、請求項1に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記放熱部は、ヒートシンクまたは冷却部材からなる、請求項1または請求項2に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記駆動機構は、前記スラグの内部に嵌め込まれ、前記内側導体の内周に接触した状態で前記内側導体の内部を滑り移動し、ねじ穴を有する滑り部材と、前記内側導体の内部に長手方向に沿って設けられ、前記スラグの前記滑り部材のねじ穴に螺合される螺棒からなるスラグ移動軸とを有し、前記スラグ移動軸と前記滑り部材とによりねじ機構からなる駆動伝達部が構成され、前記滑り部材と前記内側導体の内周面とにより滑りガイド機構からなる駆動ガイド部が構成され、前記滑り部材が前記保持部を構成し、前記駆動部は前記スラグ移動軸を回転させるモータを有し、前記モータにより前記スラグ移動軸を回転させることにより、前記滑り部材に保持された前記スラグが、前記滑り部材が前記内側導体の内周に滑りガイドされた状態で駆動される、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記滑り部材は、滑り性を有する樹脂からなる、請求項4に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記滑り部材は、前記スラグに対し、固定用ねじにより固定されている、請求項4または請求項5に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記滑り部材のねじ穴は、前記固定用ねじにより固定されている部位に対応する部分にねじが形成されていない、請求項6に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記滑り部材は、その両端部の外周に圧入用突起を有し、圧入により前記スラグに固定され、前記滑り部材のねじ穴は、前記圧入用突起に対応する部分にねじが形成されていない、請求項4または請求項5に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記ヒートパイプは、前記内側導体の内部に前記滑り部材を挿通するように設けられている、請求項4から請求項8のいずれか1項に記載のマイクロ波導入機構。
- 前記アンテナ部は前記チューナと一体的に構成されている、請求項9に記載のマイクロ波導入機構。
- マイクロ波を出力するマイクロ波出力部、出力されたマイクロ波を伝送するマイクロ波伝送路、および前記マイクロ波伝送路に設けられ伝送されたマイクロ波をチャンバ内に導入するマイクロ波導入機構を有し、前記チャンバ内にマイクロ波を導入して前記チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するマイクロ波プラズマ源であって、
前記マイクロ波導入機構は、前記マイクロ波伝送路を介してマイクロ波を前記チャンバ内に放射する平面アンテナを有するアンテナ部と、
前記マイクロ波伝送路に設けられ、前記マイクロ波伝送路のインピーダンスを調整するチューナと、
前記アンテナ部の熱を放熱するための放熱機構と
を具備し、
前記チューナは、
筒状をなす外側導体とその中に同軸的に設けられた筒状をなす内側導体とを有し、マイクロ波伝送路の一部となる本体と、
前記外側導体と前記内側導体の間に設けられ、内側導体の長手方向に沿って移動可能な、環状をなし、誘電体からなるスラグと、
前記スラグを移動させる駆動機構と
を有し、
前記駆動機構は、駆動力を与える駆動部と、駆動部からの駆動力を前記スラグに伝達する駆動伝達部と、前記スラグの移動をガイドする駆動ガイド部と、前記スラグを前記駆動伝達部に保持する保持部とを有し、
前記駆動伝達部と、前記駆動ガイド部と、前記保持部が前記内側導体の内部に収容され、
前記放熱機構は、
入熱端と放熱端とを有し、前記入熱端が前記アンテナ部に位置し、前記アンテナ部の熱を前記入熱端から前記放熱端へ輸送するヒートパイプと、
前記ヒートパイプの前記放熱端に設けられ、前記放熱端の熱を放熱する放熱部とを有する、マイクロ波プラズマ源。 - 被処理基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給機構と、
マイクロ波を生成するマイクロ波生成機構、出力されたマイクロ波を伝送するマイクロ波伝送路、および前記マイクロ波伝送路に設けられ伝送されたマイクロ波をチャンバ内に導入するマイクロ波導入機構を有し、前記チャンバ内にマイクロ波を導入して前記チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するマイクロ波プラズマ源と
を具備し、
前記チャンバ内の被処理基板に対してプラズマにより処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波導入機構は、前記マイクロ波伝送路を介してマイクロ波を前記チャンバ内に放射する平面アンテナを有するアンテナ部と、
前記マイクロ波伝送路に設けられ、前記マイクロ波伝送路のインピーダンスを調整するチューナと、
前記アンテナ部の熱を放熱するための放熱機構と
を具備し、
前記チューナは、
筒状をなす外側導体とその中に同軸的に設けられた筒状をなす内側導体とを有し、マイクロ波伝送路の一部となる本体と、
前記外側導体と前記内側導体の間に設けられ、内側導体の長手方向に沿って移動可能な、環状をなし、誘電体からなるスラグと、
前記スラグを移動させる駆動機構と
を有し、
前記駆動機構は、駆動力を与える駆動部と、駆動部からの駆動力を前記スラグに伝達する駆動伝達部と、前記スラグの移動をガイドする駆動ガイド部と、前記スラグを前記駆動伝達部に保持する保持部とを有し、
前記駆動伝達部と、前記駆動ガイド部と、前記保持部が前記内側導体の内部に収容され、
前記放熱機構は、
入熱端と放熱端とを有し、前記入熱端が前記アンテナ部に位置し、前記アンテナ部の熱を前記入熱端から前記放熱端へ輸送するヒートパイプと、
前記ヒートパイプの前記放熱端に設けられ、前記放熱端の熱を放熱する放熱部とを有する、マイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012532931A JP5823399B2 (ja) | 2010-09-09 | 2011-08-25 | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010201970 | 2010-09-09 | ||
JP2010201970 | 2010-09-09 | ||
JP2011058407 | 2011-03-16 | ||
JP2011058407 | 2011-03-16 | ||
PCT/JP2011/069140 WO2012032942A1 (ja) | 2010-09-09 | 2011-08-25 | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
JP2012532931A JP5823399B2 (ja) | 2010-09-09 | 2011-08-25 | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012032942A1 JPWO2012032942A1 (ja) | 2014-01-20 |
JP5823399B2 true JP5823399B2 (ja) | 2015-11-25 |
Family
ID=45810545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012532931A Expired - Fee Related JP5823399B2 (ja) | 2010-09-09 | 2011-08-25 | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9281154B2 (ja) |
JP (1) | JP5823399B2 (ja) |
KR (1) | KR101504850B1 (ja) |
CN (1) | CN102918932B (ja) |
TW (1) | TWI555445B (ja) |
WO (1) | WO2012032942A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG175243A1 (en) * | 2009-04-08 | 2011-11-28 | Accelbeam Devices Llc | Microwave processing chamber |
JP5890204B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2016-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | スラグチューナ、それを用いたマイクロ波プラズマ源、およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
JP6338462B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2015074544A1 (zh) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 王宏兴 | 微波等离子体化学气相沉积装置 |
JP2016177997A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | チューナ、マイクロ波プラズマ源、およびインピーダンス整合方法 |
JP6482390B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 電力合成器およびマイクロ波導入機構 |
FR3042092B1 (fr) * | 2015-10-05 | 2019-07-26 | Sairem Societe Pour L'application Industrielle De La Recherche En Electronique Et Micro Ondes | Dispositif elementaire de production d’un plasma avec applicateur coaxial |
US10748745B2 (en) | 2016-08-16 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Modular microwave plasma source |
US10707058B2 (en) | 2017-04-11 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | Symmetric and irregular shaped plasmas using modular microwave sources |
US11037764B2 (en) | 2017-05-06 | 2021-06-15 | Applied Materials, Inc. | Modular microwave source with local Lorentz force |
JP6858075B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2021-04-14 | 住友重機械工業株式会社 | 高周波合成装置、及びサイクロトロンシステム |
JP7122212B2 (ja) * | 2018-02-15 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10504699B2 (en) | 2018-04-20 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Phased array modular high-frequency source |
US11081317B2 (en) | 2018-04-20 | 2021-08-03 | Applied Materials, Inc. | Modular high-frequency source |
US11393661B2 (en) | 2018-04-20 | 2022-07-19 | Applied Materials, Inc. | Remote modular high-frequency source |
JP7079718B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2022-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7253985B2 (ja) * | 2019-06-12 | 2023-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波供給機構、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN114050098B (zh) * | 2021-10-27 | 2023-07-21 | 西北核技术研究所 | 双模工作相对论返波管输出微波相位控制方法及结构 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4866346A (en) * | 1987-06-22 | 1989-09-12 | Applied Science & Technology, Inc. | Microwave plasma generator |
US5234565A (en) * | 1990-09-20 | 1993-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave plasma source |
US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
US7030335B2 (en) * | 2000-03-17 | 2006-04-18 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression |
JP4583618B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2010-11-17 | 日本高周波株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3969081B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6856211B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-02-15 | Nagano Japan Radio Co., Ltd. | Coaxial type impedance matching device |
JP2003347808A (ja) | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Nagano Japan Radio Co | 同軸型インピーダンス整合器 |
JP5089032B2 (ja) | 2005-10-12 | 2012-12-05 | 長野日本無線株式会社 | プラズマ処理装置用自動整合器の制御方法 |
CN101385129B (zh) * | 2006-07-28 | 2011-12-28 | 东京毅力科创株式会社 | 微波等离子体源和等离子体处理装置 |
JP5376816B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
JP5208547B2 (ja) | 2008-03-19 | 2013-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 電力合成器およびマイクロ波導入機構 |
JP4593652B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP5408605B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-02-05 | 国立大学法人 東京大学 | ナノ粒子製造装置及びナノ粒子製造方法 |
CN102365785B (zh) * | 2009-03-27 | 2014-02-26 | 东京毅力科创株式会社 | 调谐器和微波等离子体源 |
-
2011
- 2011-08-25 JP JP2012532931A patent/JP5823399B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-25 WO PCT/JP2011/069140 patent/WO2012032942A1/ja active Application Filing
- 2011-08-25 CN CN201180026983.0A patent/CN102918932B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-25 KR KR1020137007756A patent/KR101504850B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-08 TW TW100132416A patent/TWI555445B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-03-07 US US13/789,115 patent/US9281154B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101504850B1 (ko) | 2015-03-20 |
TWI555445B (zh) | 2016-10-21 |
US20130180661A1 (en) | 2013-07-18 |
WO2012032942A1 (ja) | 2012-03-15 |
US9281154B2 (en) | 2016-03-08 |
JPWO2012032942A1 (ja) | 2014-01-20 |
KR20130071477A (ko) | 2013-06-28 |
CN102918932A (zh) | 2013-02-06 |
TW201234931A (en) | 2012-08-16 |
CN102918932B (zh) | 2015-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5823399B2 (ja) | マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP5502070B2 (ja) | チューナおよびマイクロ波プラズマ源 | |
JP5710209B2 (ja) | 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構 | |
JP6010406B2 (ja) | マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置 | |
JP5836144B2 (ja) | マイクロ波放射機構および表面波プラズマ処理装置 | |
JP6144902B2 (ja) | マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP6356415B2 (ja) | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP6478748B2 (ja) | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP6509049B2 (ja) | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP2012089334A (ja) | マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP2012182076A (ja) | 表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置 | |
WO2011040328A1 (ja) | 表面波プラズマ発生用アンテナ、マイクロ波導入機構、および表面波プラズマ処理装置 | |
JP2016177997A (ja) | チューナ、マイクロ波プラズマ源、およびインピーダンス整合方法 | |
WO2013105358A1 (ja) | 表面波プラズマ処理装置 | |
JP5890204B2 (ja) | スラグチューナ、それを用いたマイクロ波プラズマ源、およびマイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP6283438B2 (ja) | マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP5916467B2 (ja) | マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置 | |
JP6444782B2 (ja) | チューナおよびマイクロ波プラズマ源 | |
JP2014220288A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ源 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150915 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151007 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5823399 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |