JP5710209B2 - 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構 - Google Patents

電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構 Download PDF

Info

Publication number
JP5710209B2
JP5710209B2 JP2010241142A JP2010241142A JP5710209B2 JP 5710209 B2 JP5710209 B2 JP 5710209B2 JP 2010241142 A JP2010241142 A JP 2010241142A JP 2010241142 A JP2010241142 A JP 2010241142A JP 5710209 B2 JP5710209 B2 JP 5710209B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
antenna
microwave
power
wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010241142A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011166740A (ja
Inventor
池田　太郎
太郎 池田
長田　勇輝
勇輝 長田
河西　繁
河西　　繁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2010241142A priority Critical patent/JP5710209B2/ja
Priority to CN201180002577.0A priority patent/CN102474974B/zh
Priority to PCT/JP2011/050562 priority patent/WO2011087094A1/ja
Priority to KR1020127020891A priority patent/KR101490572B1/ko
Priority to TW100101645A priority patent/TWI523584B/zh
Publication of JP2011166740A publication Critical patent/JP2011166740A/ja
Priority to US13/551,122 priority patent/US9072158B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5710209B2 publication Critical patent/JP5710209B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32293—Microwave generated discharge using particular waveforms, e.g. polarised waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32311—Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/4622—Microwave discharges using waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461—Microwave discharges
    • H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators

Description

本発明は、電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構に関する。
半導体デバイスや液晶表示装置の製造工程においては、半導体ウエハやガラス基板といった被処理基板にエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理を施すために、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等のプラズマ処理装置が用いられる。
近時、このようなプラズマ処理装置としては、高密度で低電子温度の表面波プラズマを均一に形成することができるＲＬＳＡ（Radial Line Slot Antenna）マイクロ波プラズマ処理装置が注目されている（例えば特許文献１）。
ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ処理装置は、チャンバの上部に所定のパターンでスロットが形成された平面アンテナ（Radial Line Slot Antenna）を設け、マイクロ波発生源から同軸構造の導波路を通って導かれたマイクロ波を、平面アンテナのスロットからチャンバ内に放射し、マイクロ波電界によりチャンバ内に導入されたガスをプラズマ化し、半導体ウエハ等の被処理体をプラズマ処理するものである。
また、マイクロ波を複数に分配し、ソリッドステートアンプで増幅し、同軸構造の導波路と上述のようなスロットが形成された平面アンテナとを有する複数のアンテナモジュールを介してマイクロ波をチャンバ内に導きチャンバ内でマイクロ波を空間合成するマイクロ波プラズマ源を有するマイクロ波プラズマ処理装置も提案されている（特許文献２）。
マイクロ波電力のような電磁波電力を同軸構造の導波路に給電するためには、上記特許文献２にも記載されているように、通常、同軸構造の導波路の軸の延長線上に給電ポートを設け、そこから給電している。
特開２００７−１０９４５７号公報 国際公開第２００８／０１３１１２号パンフレット
しかし、装置の設計上、同軸構造の導波路の軸の延長線上に対応する部分に駆動機構や他の部材を配したい場合もあり、そのような場合に有効な給電方式は存在しない。
本発明は、同軸構造の導波路の軸の延長線上から電磁波電力を給電できない場合でも、同軸構造の導波路に有効に電磁波電力を給電することができる電磁波給電機構およびそのような電磁波給電機構を用いたマイクロ波導入機構を提供しようとするものである。
本発明の第１の観点は、同軸構造の導波路へ電磁波電力を供給する電磁波給電機構であって、前記同軸構造の導波路の側部に設けられ、給電線が接続される電力導入ポートと、前記給電線に接続され、前記導波路の内部に電磁波電力を放射する給電アンテナとを具備し、前記給電アンテナは、前記給電線に接続された第１の極と、前記導波路の内側導体に接触する第２の極とを有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体の両側から前記内側導体の外側に沿って延び、リング状に形成された反射部とを有し、前記アンテナ本体に入射された電磁波と前記入射された電磁波が前記反射部で反射された電磁波とで前記給電アンテナの位置に定在波を形成し、その定在波により発生する誘導磁界および誘導電界の連鎖作用により電磁波電力が前記導波路を伝播することを特徴とする電磁波給電機構を提供する。
上記第１の観点において、前記電磁波電力が伝播する方向と反対側に設けられた反射板をさらに有し、前記給電アンテナから供給された電磁波電力を前記反射板で反射させて前記導波路を伝播させることができる。また、前記反射板と前記給電アンテナとの間に設けられた遅波材をさらに有するようにし、電磁波の実効波長を短くすることもできる。
本発明の第２の観点は、チャンバ内に表面波プラズマを形成するための表面波プラズマ源に用いるマイクロ波導入機構であって、同軸構造をなす導波路と、前記同軸構造の導波路の側部に設けられ、同軸線路が接続される電力導入ポートと、前記同軸線路の内側導体に接続され、前記導波路の内部に電磁波電力を放射する給電アンテナと、前記導波路に供給されたマイクロ波を前記チャンバ内に放射するマイクロ波放射アンテナを有するアンテナ部とを具備し、前記給電アンテナは、前記同軸線路の内側導体に接続された第１の極と、前記導波路の内側導体に接触する第２の極とを有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体の両側から前記導波路の前記内側導体の外側に沿って延び、リング状に形成された反射部とを有し、前記アンテナ本体に入射された電磁波と前記入射された電磁波が前記反射部で反射された電磁波とで前記給電アンテナの位置に定在波を形成し、その定在波により発生する誘導磁界および誘導電界の連鎖作用により電磁波電力が前記導波路を伝播することを特徴とするマイクロ波導入機構を提供する。
上記第２の観点において、前記導波路に設けられ、前記導波路を通るマイクロ波のうち、前記チャンバに向かう入射波と、反射により戻ってくる反射波のいずれかに基づく電流を取り出す方向性結合器と、前記方向性結合器が取り出した電流を検出する検出器とを有する入射波反射波モニターをさらに具備する構成とすることができる。この場合に、前記方向性結合器は、前記同軸構造の導波路の外側導体に形成されたスリットと、前記スリット内に設けられた板状導体と、前記板状導体に流れる電流を取り出す一対の導電ピンと、前記外側導体の外側に前記板状導体に対向するように、かつ前記板状導体との距離を調節可能に設けられた導電体からなる調整器とを有し、前記スリットは、前記調整器に対向する部分が前記調整器に対応するように広がった形状をなすことが好ましい。また、前記電力導入ポートと前記アンテナ部との間に設けられ、前記チャンバ内の負荷のインピーダンスを前記表面波プラズマ源に搭載されたマイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるチューナをさらに具備し、前記チューナは、前記外側導体と前記内側導体の間に設けられ、内側導体の長手方向に沿って移動可能な、環状をなし、誘電体からなるスラグを有し、前記方向性結合器は、前記電力導入ポートと前記スラグとの間、または／および前記スラグと前記アンテナ部の間に設けられている構成とすることができる。
本発明によれば、導波路の側面に設けられた電力導入ポートと、電力導入ポートに接続された給電線から導波路の内部に電磁波電力を放射する給電アンテナとを有する給電機構を設け、給電アンテナを、給電線に接続された第１の極と、導波路の内側導体に接触する第２の極とを有するアンテナ本体と、アンテナ本体の両側から延び、内側導体の外側に沿ってリング状に形成された反射部とを有する構造とし、アンテナ本体に入射された電磁波と入射された電磁波が反射部で反射された電磁波とで給電アンテナの位置に定在波を形成し、その定在波により発生する誘導磁界および誘導電界の連鎖作用により電磁波電力が前記導波路を伝播するようにしたので、同軸構造の導波路の軸の延長線上から電磁波電力を給電できない場合でも、導波路に電磁波電力を給電することができる。
この場合に、給電アンテナの第２の極が導波路の内側導体に接しており、また、反射部がリング状をなしているので、継ぎ目がなく、継ぎ目で強電界が発生することがない。このため、電磁波電力を効率良くかつ均一に供給することができる。
本発明の一実施形態に係る電磁波給電機構が適用されたマイクロ波導入機構を有する表面波プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 図１のマイクロ波導入機構を有するマイクロ波プラズマ源の構成を示す構成図である。 図１のマイクロ波導入機構を示す断面図である。 マイクロ波導入機構の給電機構を示す横断面図である。 チューナの本体におけるスラグと滑り部材を示す平面図である。 チューナの本体における内側導体を示す斜視図である。 マイクロ波導入機構に搭載された平面スロットアンテナを示す平面図である。 本発明の電磁波給電機構の一例として周波数が９１５ＭＨｚのマイクロ波を導入するための構成例を示す模式図である。 図８の電磁波給電機構を用いた場合の電磁界解析の結果を示す図である。 入射波反射波モニターを搭載したマイクロ波導入機構を示す断面図である。 入射波反射波モニターに用いられる方向性結合器の構造を示す模式図である。 従来の方向性結合器と図１１の方向性結合器を比較して示す図である。 図１１の方向性結合器を用いた入射波反射波モニターによるモニター電流と減衰率を示す図である。 従来の方向性結合器を用いた入射波反射波モニターによるモニター電流と減衰率を示す図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電磁波給電機構が適用されたマイクロ波導入機構を有する表面波プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図であり、図２はマイクロ波導入機構を有するマイクロ波プラズマ源の構成を示す構成図である。
表面波プラズマ処理装置１００は、ウエハに対してプラズマ処理として例えばエッチング処理を施すプラズマエッチング装置として構成されており、気密に構成されたアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属材料からなる略円筒状の接地されたチャンバ１と、チャンバ１内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源２とを有している。チャンバ１の上部には開口部１ａが形成されており、マイクロ波プラズマ源２はこの開口部１ａからチャンバ１の内部に臨むように設けられている。
チャンバ１内には被処理体であるウエハＷを水平に支持するためのサセプタ１１が、チャンバ１の底部中央に絶縁部材１２ａを介して立設された筒状の支持部材１２により支持された状態で設けられている。サセプタ１１および支持部材１２を構成する材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウム等が例示される。
また、図示はしていないが、サセプタ１１には、ウエハＷを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、ウエハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路、およびウエハＷを搬送するために昇降する昇降ピン等が設けられている。さらに、サセプタ１１には、整合器１３を介して高周波バイアス電源１４が電気的に接続されている。この高周波バイアス電源１４からサセプタ１１に高周波電力が供給されることにより、ウエハＷ側にプラズマ中のイオンが引き込まれる。
チャンバ１の底部には排気管１５が接続されており、この排気管１５には真空ポンプを含む排気装置１６が接続されている。そしてこの排気装置１６を作動させることによりチャンバ１内が排気され、チャンバ１内が所定の真空度まで高速に減圧することが可能となっている。また、チャンバ１の側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口１７と、この搬入出口１７を開閉するゲートバルブ１８とが設けられている。
チャンバ１内のサセプタ１１の上方位置には、プラズマエッチングのための処理ガスをウエハＷに向けて吐出するシャワープレート２０が水平に設けられている。このシャワープレート２０は、格子状に形成されたガス流路２１と、このガス流路２１に形成された多数のガス吐出孔２２とを有しており、格子状のガス流路２１の間は空間部２３となっている。このシャワープレート２０のガス流路２１にはチャンバ１の外側に延びる配管２４が接続されており、この配管２４には処理ガス供給源２５が接続されている。
一方、チャンバ１のシャワープレート２０の上方位置には、リング状のプラズマガス導入部材２６がチャンバ壁に沿って設けられており、このプラズマガス導入部材２６には内周に多数のガス吐出孔が設けられている。このプラズマガス導入部材２６には、プラズマガスを供給するプラズマガス供給源２７が配管２８を介して接続されている。プラズマ生成ガスとしてはＡｒガスなどが好適に用いられる。
プラズマガス導入部材２６からチャンバ１内に導入されたプラズマガスは、マイクロ波プラズマ源２からチャンバ１内に導入されたマイクロ波によりプラズマ化され、このプラズマがシャワープレート２０の空間部２３を通過しシャワープレート２０のガス吐出孔２２から吐出された処理ガスを励起し、処理ガスのプラズマを形成する。
マイクロ波プラズマ源２は、チャンバ１の上部に設けられた支持リング２９により支持されており、これらの間は気密にシールされている。図２に示すように、マイクロ波プラズマ源２は、複数経路に分配してマイクロ波を出力するマイクロ波出力部３０と、マイクロ波出力部３０から出力されたマイクロ波を伝送しチャンバ１内に放射するためのマイクロ波供給部４０とを有している。
マイクロ波出力部３０は、電源部３１と、マイクロ波発振器３２と、発振されたマイクロ波を増幅するアンプ３３と、増幅されたマイクロ波を複数に分配する分配器３４とを有している。
マイクロ波発振器３２は、所定周波数（例えば、９１５ＭＨｚ）のマイクロ波を例えばＰＬＬ発振させる。分配器３４では、マイクロ波の損失ができるだけ起こらないように、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながらアンプ３３で増幅されたマイクロ波を分配する。なお、マイクロ波の周波数としては、９１５ＭＨｚの他に、７００ＭＨｚから３ＧＨｚを用いることができる。
マイクロ波供給部４０は、分配器３４で分配されたマイクロ波を主に増幅する複数のアンプ部４２と、複数のアンプ部４２のそれぞれに接続されたマイクロ波導入機構４１とを有している。
アンプ部４２は、位相器４５と、可変ゲインアンプ４６と、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４７と、アイソレータ４８とを有している。
位相器４５は、マイクロ波の位相を変化させることができるように構成されており、これを調整することにより放射特性を変調させることができる。例えば、各アンテナモジュール毎に位相を調整することにより指向性を制御してプラズマ分布を変化させることや、後述するように隣り合うアンテナモジュールにおいて９０°ずつ位相をずらすようにして円偏波を得ることができる。また、位相器４５は、アンプ内の部品間の遅延特性を調整し、チューナ内での空間合成を目的として使用することができる。ただし、このような放射特性の変調やアンプ内の部品間の遅延特性の調整が不要な場合には位相器４５は設ける必要はない。
可変ゲインアンプ４６は、メインアンプ４７へ入力するマイクロ波の電力レベルを調整し、個々のアンテナモジュールのばらつきを調整またはプラズマ強度調整のためのアンプである。可変ゲインアンプ４６を各アンテナモジュール毎に変化させることによって、発生するプラズマに分布を生じさせることもできる。
ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４７は、例えば、入力整合回路と、半導体増幅素子と、出力整合回路と、高Ｑ共振回路とを有する構成とすることができる。
アイソレータ４８は、マイクロ波導入機構４１で反射してメインアンプ４７に向かう反射マイクロ波を分離するものであり、サーキュレータとダミーロード（同軸終端器）とを有している。サーキュレータは、後述するマイクロ波導入機構４１のアンテナ部４３で反射したマイクロ波をダミーロードへ導き、ダミーロードはサーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換する。
次に、マイクロ波導入機構４１について詳細に説明する。
図３はマイクロ波導入機構４１の縦断面図、図４はマイクロ波導入機構４１の給電機構を示す横断面図である。マイクロ波導入機構４１は、マイクロ波を伝送する同軸構造の導波路４４と、導波路４４を伝送されたマイクロ波をチャンバ１内に放射するアンテナ部４３とを有している。そして、マイクロ波導入機構４１からチャンバ１内に放射されたマイクロ波がチャンバ１内の空間で合成され、チャンバ１内で表面波プラズマが形成されるようになっている。
導波路４４は、筒状の外側導体５２およびその中心に設けられた棒状の内側導体５３が同軸状に配置されて構成されており、導波路４４の先端にアンテナ部４３が設けられている。導波路４４は、内側導体５３が給電側、外側導体５２が接地側となっている。外側導体５２および内側導体５３の上端は反射板５８となっている。
導波路４４の基端側にはマイクロ波（電磁波）を給電する給電機構５４が設けられている。給電機構５４は、導波路４４（外側導体５２）の側面に設けられたマイクロ波電力を導入するためのマイクロ波電力導入ポート５５を有している。マイクロ波電力導入ポート５５には、アンプ部４２から増幅されたマイクロ波を供給するための給電線として、内側導体５６ａおよび外側導体５６ｂからなる同軸線路５６が接続されている。そして、同軸線路５６の内側導体５６ａの先端には、外側導体５２の内部に向けて水平に伸びる給電アンテナ９０が接続されている。
給電アンテナ９０は、例えば、プリント基板であるＰＣＢ基板上にマイクロストリップラインとして形成される。反射板５８から給電アンテナ９０までの間には、反射波の実効波長を短くするためのテフロン（登録商標）等の誘電体からなる遅波材５９が設けられている。なお、２．４５Ｇ等の周波数の高いマイクロ波を用いた場合には、遅波材５９は設けなくてもよい。このとき、給電アンテナ９０から放射される電磁波を反射板５８で反射させることで、最大の電磁波を同軸構造の導波路４４内に電送させる。その場合、給電アンテナ９０から反射板５８までの距離を約λｇ／４＋ｎλｇ／２（ｎは０以上の整数）に設定する。ただし、周波数の低いマイクロ波では、径方向の制約のため、これに当てはまらない場合もある。この場合は、アンテナから反射板５８までの距離を約λｇ／４＋ｎλｇ／２（ｎは０以上の整数）に設定しても電磁波を伝送することができない。その場合には、給電アンテナ９０より発生させる電磁波の腹を給電アンテナ９０ではなく、給電アンテナ９０の下方に誘起させるように、給電アンテナの形状を最適化することが好ましい。
給電アンテナ９０は、図４に示すように、マイクロ波電力導入ポート５５において同軸線路５６の内側導体５６ａに接続され、電磁波が供給される第１の極９２および供給された電磁波を放射する第２の極９３を有するアンテナ本体９１と、アンテナ本体９１の両側から、内側導体５３の外側に沿って延び、リング状をなす反射部９４とを有し、アンテナ本体９１に入射された電磁波と反射部９４で反射された電磁波とで定在波を形成するように構成されている。アンテナ本体９１の第２の極９３は内側導体５３に接触している。
給電アンテナ９０がマイクロ波（電磁波）を放射することにより、外側導体５２と内側導体５３との間の空間にマイクロ波電力が給電される。そして、給電機構５４に供給されたマイクロ波電力がアンテナ部４３に向かって伝播する。
また、導波路４４にはチューナ６０が設けられている。チューナ６０は、チャンバ１内の負荷（プラズマ）のインピーダンスをマイクロ波出力部３０におけるマイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるものであり、外側導体５２と内側導体５３との間を上下に移動する２つのスラグ６１ａ，６１ｂと、反射板５８の外側（上側）に設けられたスラグ駆動部７０とを有している。
これらスラグのうち、スラグ６１ａはスラグ駆動部７０側に設けられ、スラグ６１ｂはアンテナ部４３側に設けられている。また、内側導体５３の内部空間には、その長手方向に沿って例えば台形ネジが形成された螺棒からなるスラグ移動用の２本のスラグ移動軸６４ａ，６４ｂが設けられている。
スラグ６１ａは、図５に示すように、誘電体からなる円環状をなし、その内側に滑り性を有する樹脂からなる滑り部材６３が嵌め込まれている。滑り部材６３にはスラグ移動軸６４ａが螺合するねじ穴６５ａとスラグ移動軸６４ｂが挿通される通し穴６５ｂが設けられている。一方、スラグ６１ｂは、スラグ６１ａと同様、ねじ穴６５ａと通し穴６５ｂとを有しているが、スラグ６１ａとは逆に、ねじ穴６５ａはスラグ移動軸６４ｂに螺合され、通し穴６５ｂにはスラグ移動軸６４ａが挿通されるようになっている。これによりスラグ移動軸６４ａを回転させることによりスラグ６１ａが昇降移動し、スラグ移動軸６４ｂを回転させることによりスラグ６１ｂが昇降移動する。すなわち、スラグ移動軸６４ａ，６４ｂと滑り部材６３とからなるねじ機構によりスラグ６１ａ，６１ｂが昇降移動される。
図６に示すように、内側導体５３には長手方向に沿って等間隔に３つのスリット５３ａが形成されている。一方、滑り部材６３は、これらスリット５３ａに対応するように３つの突出部６３ａが等間隔に設けられている。そして、これら突出部６３ａがスラグ６１ａ，６１ｂの内周に当接した状態で滑り部材６３がスラグ６１ａ，６１ｂの内部に嵌め込まれる。滑り部材６３の外周面は、内側導体５３の内周面と遊びなく接触するようになっており、スラグ移動軸６４ａ，６４ｂが回転されることにより、滑り部材６３が内側導体５３を滑って昇降するようになっている。すなわち内側導体５３の内周面がスラグ６１ａ，６１ｂの滑りガイドとして機能する。なお、スリット５３ａの幅は５ｍｍ以下とすることが好ましい。これにより、後述するように内側導体５３の内部へ漏洩するマイクロ波電力を実質的になくすことができ、マイクロ波電力の放射効率を高く維持することができる。
滑り部材６３を構成する樹脂材料としては、良好な滑り性を有し、加工が比較的容易な樹脂、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂を好適なものとして挙げることができる。
上記スラグ移動軸６４ａ，６４ｂは、反射板５８を貫通してスラグ駆動部７０に延びている。スラグ移動軸６４ａ，６４ｂと反射板５８との間にはベアリング（図示せず）が設けられている。また、内側導体５３の下端には、導体からなる軸受け部６７が設けられており、スラグ移動軸６４ａ，６４ｂの下端はこの軸受け部６７に軸支されている。
スラグ駆動部７０は筐体７１を有し、スラグ移動軸６４ａおよび６４ｂは筐体７１内に延びており、スラグ移動軸６４ａおよび６４ｂの上端には、それぞれ歯車７２ａおよび７２ｂが取り付けられている。また、スラグ駆動部７０には、スラグ移動軸６４ａを回転させるモータ７３ａと、スラグ移動軸６４ｂを回転させるモータ７３ｂが設けられている。モータ７３ａの軸には歯車７４ａが取り付けられ、モータ７３ｂの軸には歯車７４ｂが取り付けられており、歯車７４ａが歯車７２ａに噛合し、歯車７４ｂが歯車７２ｂに噛合するようになっている。したがって、モータ７３ａにより歯車７４ａおよび７２ａを介してスラグ移動軸６４ａが回転され、モータ７３ｂにより歯車７４ｂおよび７２ｂを介してスラグ移動軸６４ｂが回転される。なお、モータ７３ａ，７３ｂは例えばステッピングモータである。
なお、スラグ移動軸６４ｂはスラグ移動軸６４ａよりも長く、より上方に達しており、したがって、歯車７２ａおよび７２ｂの位置が上下にオフセットしており、モータ７３ａおよび７３ｂも上下にオフセットしている。これにより、モータおよび歯車等の動力伝達機構のスペースを小さくすることができ、これらを収容する筐体７１を外側導体５２と同じ径にすることが可能となる。
モータ７３ａおよび７３ｂの上には、これらの出力軸に直結するように、それぞれスラグ６１ａおよび６１ｂの位置を検出するためのインクリメント型のエンコーダ７５ａおよび７５ｂが設けられている。インクリメント型のエンコーダを用いて、以下の手順で絶対的な位置を把握する。まず、スラグ移動軸６４ａをゆっくり回転させてスラグ６１ａを一定速度でエンコーダ７５ａのカウンターを見ながら移動させる。スラグ６１ａがメカニカルストップ（図示せず）に到達すると、モータ７３ａは脱調し、停止する。停止したことは、エンコーダ７５ａのカウントが変化しないことで検知することができ、そのときのスラグ６１ａの位置、またはそこから所定パルス分オフセットした位置を原点とする。この原点位置を基準として原点からのパルス数をカウントすることによりスラグ６１ａの絶対的な位置を検知することができる。スラグ６１ｂも同様に原点を把握することにより絶対的な位置を検知することができる。
スラグ６１ａおよび６１ｂの位置は、スラグコントローラ６８により制御される。具体的には、図示しないインピーダンス検出器により検出された入力端のインピーダンス値と、エンコーダ７５ａおよび７５ｂにより検知されたスラグ６１ａおよび６１ｂの位置情報に基づいて、スラグコントローラ６８がモータ７３ａおよび７３ｂに制御信号を送り、スラグ６１ａおよび６１ｂの位置を制御することにより、インピーダンスを調整するようになっている。スラグコントローラ６８は、終端が例えば５０Ωになるようにインピーダンス整合を実行させる。２つのスラグのうち一方のみを動かすと、スミスチャートの原点を通る軌跡を描き、両方同時に動かすと位相のみが回転する。
アンテナ部４３は、マイクロ波放射アンテナとして機能する、平面状をなしスロット８１ａを有する平面スロットアンテナ８１を有している。アンテナ部４３は、平面スロットアンテナ８１の上面に設けられた遅波材８２を有している。遅波材８２の中心には導体からなる円柱部材８２ａが貫通して軸受け部６７と平面スロットアンテナ８１とを接続している。したがって、内側導体５３が軸受け部６７および円柱部材８２ａを介して平面スロットアンテナ８１に接続されている。なお、外側導体５２の下端は平面スロットアンテナ８１間で延びており、遅波材８２の周囲は外側導体５２で覆われている。また、平面スロットアンテナ８１および後述する天板８３の周囲は被覆導体８４で覆われている。
遅波材８２は、真空よりも大きい誘電率を有しており、例えば、石英、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂により構成されており、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短くしてアンテナを小さくする機能を有している。遅波材８２は、その厚さによりマイクロ波の位相を調整することができ、平面スロットアンテナ８１が定在波の「はら」になるようにその厚さを調整する。これにより、反射が最小で、平面スロットアンテナ８１の放射エネルギーが最大となるようにすることができる。
また、平面スロットアンテナ８１のさらに先端側には、真空シールのための誘電体部材、例えば石英やセラミックス等からなる天板８３が配置されている。そして、メインアンプ４７で増幅されたマイクロ波が内側導体５３と外側導体５２の周壁の間を通って平面スロットアンテナ８１のスロット８１ａから天板８３を透過してチャンバ１内の空間に放射される。スロット８１ａは、図７に示すように扇形のものが好ましく、図示している２個、または４個設けることが好ましい。これにより、マイクロ波をＴＥＭモードで効率的に伝達させることができる。
本実施形態において、メインアンプ４７と、チューナ６０と、平面スロットアンテナ８１とは近接配置している。そして、チューナ６０と平面スロットアンテナ８１とは１／２波長内に存在する集中定数回路を構成しており、かつ平面スロットアンテナ８１、遅波材８２、天板８３は合成抵抗が５０Ωに設定されているので、チューナ６０はプラズマ負荷に対して直接チューニングしていることになり、効率良くプラズマへエネルギーを伝達することができる。
表面波プラズマ処理装置１００における各構成部は、マイクロプロセッサを備えた制御部１１０により制御されるようになっている。制御部１１０は表面波プラズマ処理装置１００のプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従ってプラズマ処理装置を制御するようになっている。
次に、以上のように構成される表面波プラズマ処理装置１００における動作について説明する。
まず、ウエハＷをチャンバ１内に搬入し、サセプタ１１上に載置する。そして、プラズマガス供給源２７から配管２８およびプラズマガス導入部材２６を介してチャンバ１内にプラズマガス、例えばＡｒガスを導入しつつ、マイクロ波プラズマ源２からマイクロ波をチャンバ１内に導入して表面波プラズマを生成する。
このようにして表面波プラズマを生成した後、処理ガス、例えばＣｌ２ガス等のエッチングガスが処理ガス供給源２５から配管２４およびシャワープレート２０を介してチャンバ１内に吐出される。吐出された処理ガスは、シャワープレート２０の空間部２３を通過してきたプラズマにより励起されてプラズマ化し、この処理ガスのプラズマによりウエハＷにプラズマ処理、例えばエッチング処理が施される。
上記表面波プラズマを生成するに際し、マイクロ波プラズマ源２では、マイクロ波出力部３０のマイクロ波発振器３２から発振されたマイクロ波電力はアンプ３３で増幅された後、分配器３４により複数に分配され、分配されたマイクロ波電力はマイクロ波供給部４０へ導かれる。マイクロ波供給部４０においては、このように複数に分配されたマイクロ波電力は、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４７で個別に増幅され、マイクロ波導入機構４１の導波路４４に給電され、チューナ６０でインピーダンスが自動整合され、電力反射が実質的にない状態で、アンテナ部４３の平面スロットアンテナ８１および天板８３を介してチャンバ１内に放射されて空間合成される。
このとき、同軸構造の導波路４４の軸の延長線上に対応する部分には、スラグ駆動部７０が設けられているから、導波路４４へのマイクロ波電力の給電は、通常行われている導波路４４の軸の延長線上から行うことはできない。
そこで、本実施形態では、導波路４４の側面に設けられたマイクロ波電力導入ポート５５と、マイクロ波電力導入ポート５５に接続された給電用の同軸線路５６の内側導体５６ａから導波路４４の内部に電磁波を放射する給電アンテナ９０とを有する給電機構５４を設けた。
この場合に、同軸線路５６から伝播してきたマイクロ波（電磁波）が、マイクロ波電力導入ポート５５において給電アンテナ９０の第１の極９２に到達すると、アンテナ本体９１に沿ってマイクロ波（電磁波）が伝播して行き、アンテナ本体９１の先端の第２の極９３からマイクロ波（電磁波）を放射する。また、アンテナ本体９１を伝播するマイクロ波（電磁波）が反射部９４で反射し、それが入射波と合成されることにより定在波を発生させる。給電アンテナ９０の配置位置で定在波が発生すると、内側導体５３の外壁に沿って誘導磁界が生じ、それに誘導されて誘導電界が発生する。これらの連鎖作用により、マイクロ波（電磁波）が導波路４４内を伝播し、アンテナ部４３へ導かれる。
このようにして、同軸構造の導波路４４の軸の延長線上からマイクロ波（電磁波）電力を給電できない場合でも、導波路４４にマイクロ波（電磁波）電力を給電することができる。
このとき、給電アンテナ９０の第２の極９３が導波路４４の内側導体５３に接しており、また、反射部９４がリング状をなしているので、継ぎ目がなく、継ぎ目で強電界が発生することがない。このため、マイクロ波（電磁波）電力を効率良くかつ均一に供給することができる。
また、導波路４４において、給電アンテナ９０から放射されるマイクロ波（電磁波）を反射板５８で反射させることで最大のマイクロ波（電磁波）電力を同軸構造の導波路４４に伝送することができるが、その場合、反射波との合成を効果的に行うために給電アンテナ９０から反射板５８までの距離が約λｇ／４＋ｎλｇ／２（ｎは０以上の整数）になるようにすればよい。
ただし、周波数の低いマイクロ波では、径方向の制約のため、これに当てはまらない場合もあるがこのような場合には、例えば、給電アンテナ９０より発生させる電磁波の腹を給電アンテナ９０ではなく、給電アンテナ９０の下方に誘起させるように、給電アンテナの形状を最適化することで給電アンテナから反射板までの距離を縮めることができる。また、マイクロ波の周波数が低い場合には、給電アンテナ９０と反射板５８との間にテフロン（登録商標）等の誘電体からなる遅波材５９を設けることにより、実効波長を短くすることが有効である。
一例を示すと、図８に示すように、導波路４４の外側導体５２の直径が４５ｍｍで反射板５８から給電アンテナ９０までの距離を３２．３ｍｍとし、実効波長を短くするために、そこにテフロン（登録商標）製の遅波材５９を設けた。そして、同軸線路５６から給電アンテナ９０を介して周波数が９１５ＭＨｚのマイクロ波を導入した。このように低い周波数のマイクロ波により１箇所から十分な電力のマイクロ波を給電することができる。
電磁界解析の結果、図９に示すように、このように周波数が低い場合、給電アンテナ９０から反射板５８までの距離が約λｇ／４＋ｎλｇ／２（ｎは０以上の整数）になるようにしても効率良くマイクロ波を伝送することができないが、この例では、給電アンテナ９０から伝送する電磁波の腹が給電アンテナ９０より約λｇ／８上部に発生しており、遅波材５９中の実効波長は約λｇ／８となっており、電磁波の腹から反射板５８までの長さが約λｇ／４となっている。これにより反射板５８での反射が最大となり、最大の電力が導波路４４に伝送されることとなる。
本実施形態では、複数に分配されたマイクロ波を、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４７で個別に増幅し、平面スロットアンテナ８１を用いて個別に放射した後にチャンバ１内で合成するので、大型のアイソレータや合成器が不要となる。
また、マイクロ波導入機構４１は、アンテナ部４３とチューナ６０とが一体となっているので、極めてコンパクトである。このため、マイクロ波プラズマ源２自体をコンパクト化することができる。さらに、メインアンプ４７、チューナ６０および平面スロットアンテナ８１が近接して設けられ、特にチューナ６０と平面スロットアンテナ８１とは集中定数回路として構成することができ、かつ平面スロットアンテナ８１、遅波材８２、天板８３の合成抵抗を５０Ωに設計することにより、チューナ６０により高精度でプラズマ負荷をチューニングすることができる。また、チューナ６０は２つのスラグ６１ａ，６１ｂを移動するだけでインピーダンス整合を行うことができるスラグチューナを構成しているのでコンパクトで低損失である。
さらに、このようにチューナ６０と平面スロットアンテナ８１とが近接し、集中定数回路を構成してかつ共振器として機能することにより、平面スロットアンテナ８１に至るまでのインピーダンス不整合を高精度で解消することができ、実質的に不整合部分をプラズマ空間とすることができるので、チューナ６０により高精度のプラズマ制御が可能となる。
さらにまた、位相器４５により、各アンテナモジュールの位相を変化させることにより、マイクロ波の指向性制御を行うことができ、プラズマ等の分布の調整を容易に行うことができる。
さらにまた、駆動伝達部、駆動ガイド部、保持部に相当するものを内側導体５３の内部に設けたので、これらを外側導体５２の外部に設ける場合と比較して機械要素の重量およびモーメントを小さくすることができ、また外側導体５２に保持機構が移動するためのスリットを設ける必要がなく、電磁波漏洩を防止するためのシールド機構が不要となる。このため、スラグ６１ａ，６１ｂの駆動機構を従来よりも小型化することができ、マイクロ波導入機構４１を小型化することができる。
また、スラグ６１ａ，６１ｂ自体に滑り性を有する樹脂からなる滑り部材６３が取り付けられ、この滑り部材６３のねじ穴６５ａにスラグ移動軸６４ａあるいは６４ｂを螺合させてねじ機構を構成し、モータ７３ａ，７３ｂによりスラグ移動軸６４ａ，６４ｂを回転させることにより、滑り部材６３の外周が内側導体５３の内周を滑るようにガイドされてスラグ６１ａ，６１ｂが移動するので、滑り部材６３およびスラグ移動軸６４ａ，６４ｂが駆動伝達機構、駆動ガイド機構、保持機構の３つの機能を兼ね備えることとなり、駆動機構を著しくコンパクトにすることができ、チューナ６０を一層小型化することができる。
さらに、滑り部材６３に通し穴６５ｂを設け、ねじ穴６５ａに螺合されない方のスラグ移動軸をこの通し穴６５ｂに通すようにしたので、内側導体５３内にスラグ６１ａおよび６１ｂをそれぞれ駆動するための２つのスラグ移動軸６４ａおよび６４ｂを設けることができ、ねじ機構により２つのスラグ６１ａおよび６１ｂを独立して移動させることが可能となる。さらにまた、スラグ駆動部７０において、モータ７３ａおよび７３ｂ、ならびに動力伝達機構である歯車７２ａおよび７２ｂが上下にオフセットしているので、モータおよび歯車等の動力伝達機構のスペースを小さくすることができ、これらを収容する筐体７１を外側導体５２と同じ径にすることが可能となる。したがって、チューナ６０をより一層コンパクトにすることができる。
さらにまた、モータ７３ａ，７３ｂの出力軸に直結するようにインクリメント型のエンコーダ７５ａ，７５ｂを設けて、スラグ６１ａ，６１ｂの位置検出を行うので、従来用いていた位置検出のためのセンサが不要となり、高価なアブソリュート型エンコーダを用いる必要もないので安価である。
次に、入射波反射波モニターを設けた実施形態について説明する。
入射波反射波モニターは、マイクロ波供給部４０からチャンバ１に導かれる入射波と、プラズマ発生に寄与することなく反射によりマイクロ波供給部４０に戻ってくる反射波とをモニターするものであり、通常、マイクロ波を用いたプラズマ処理装置には設けられている。図１０に示すように、本実施形態においては、入射波反射波モニター１２０は、入射波と反射波のいずれか一方のマイクロ波による電流を取り出すことが可能な方向性結合器１２１と、方向性結合器１２１が取り出した電流を検出する検出器１２２とを有している。
このような入射波反射波モニターに用いられる方向性結合器は、従来、独立した部材として、装置完成時に連結されるのが一般的であったが、その場合には、部材の点数が多くなり小型化の要請に反するものとなる。一方、方向性結合器はマイクロ波の導波路に設けられるものであり、マイクロ波導入機構４１の導波路４４にも設けることができる。そこで、本実施形態では、方向性結合器１２１をマイクロ波導入機構４１に組み込んで一体化し、上記不都合を解消している。
方向性結合器１２１の具体的な構成を図１１を参照して説明する。図１１に示すように、方向性結合器１２１は、マイクロ波導入機構４１の外側導体５２に形成されたスリット１２４と、このスリット１２４内に設けられた、約λｇ／４の長さを有する矩形状の板状導体１２５と、板状導体１２５の長さ方向の両端部近傍にそれぞれ接続され、外側導体５２の外方に延びる２つの導電ピン１２６ａ，１２６ｂと、これら導電ピン１２６ａ，１２６ｂの間に板状導体１２５に対してねじにより位置調節可能に設けられた導電体からなる調整器１２７とを有している。そして、導波路４４を伝送される入射波および反射波によって誘導磁界が形成され、その誘導磁界により生じた電流が板状導体１２５に流れる。反射波を検出する場合には、板状導体１２５と調整器１２７に形成される周期的な電界によって生じる磁界で、入射波による電流をキャンセルするようにし、主に反射波による電流が流れるようにする。一方、入射波を検出する場合には、板状導体１２５と調整器１２７に形成される周期的な電界によって生じる磁界で、反射波による電流をキャンセルするようにし、主に入射波による電流が流れるようにする。
板状導体１２５に流れる電流は導電ピン１２６ａ，１２６ｂで取り出され、その電流が検出器１２２で検出される。検出器１２２で検出された電流値は、電圧信号に変換されて制御部１１０に送られる。反射波をモニターすることにより、プラズマからの反射電力を検出することができる。同様に、入射波をモニターすることにより、実際にプラズマへ入力されている入射電力を検出することができる。さらに、入射波と反射波の信号を演算することで、反射係数の値と位相とを算出することができ、これを制御部１１０へ送り、スラグコントローラ６８へフィードバックすることで、インピーダンスマッチングを行う。なお、検出器１２２で算出される反射係数が所定値・所定時間以上になった場合に、制御部１１０はマイクロ波発振器３２に出力停止信号を送り、マイクロ波の供給を停止することができる。
入射波をモニターする場合には、図１０に示すように、方向性結合器１２１を、外側導体５２のマイクロ波電力導入ポート５５とスラグ６１ａとの間の部分に設けることにより、外乱要因の少ない状況でインピーダンスマッチングを行うことができる。一方、反射波のモニターの場合には、方向性結合器１２１が図１０の位置であってもよいが、スラグ６１ｂとアンテナ部４３との間に設けることにより、プラズマからの反射を直接的にモニターすることができるので、高精度で反射波を検出することができる。図１０の位置に入射波モニター用の方向性結合器を設け、スラグ６１ｂとアンテナ部４３との間に反射波モニター用の方向性結合器を設けるようにしてもよい。
ところで、調整器１２７は、入射波反射波モニターの取り付け誤差や設計誤差を相殺するために、板状導体との距離Ｄを外部からねじにより調整可能となっているが、従来は調整幅が狭い、すなわち減衰率（attenuation rate）が小さいという不都合があった。その理由を検討した結果、図１２（ａ）に示すように、従来の方向性結合器１２１′は、外側導体に形成されるスリット１２４′が、板状導体１２５′とほぼ対応する長さおよび幅を有しており、誘導磁界と調整器１２７′との間の結合が十分とれないことに起因していることが判明した。
そこで、本実施形態では、図１２（ｂ）に示すように、スリット１２４を、調整器１２７に対向する部分が調整器１２７に対応するように広がった形状をなすようにした。これにより、誘導磁界と調整器１２７との結合部を増やすことができ、調整器１２７による距離Ｄの調整による誘導電流の変動幅を大きくして、調整器１２７による調整幅を広げることが可能となる。ただし、スリット１２４の幅を広げすぎると漏れ電流が多くなり好ましくないので、スリット１２４の調整器１２７に対応する部分は大きくなりすぎないことが必要である。
実際に、本実施形態の入射波反射波モニターと従来の入射波反射波モニターを導波路に取り付け、導波路に１０００Ｗのマイクロ波を入力した際の入射波および反射波によるモニター電流および減衰率を測定した。図１３は図１２（ｂ）の本実施形態に係る入射波反射波モニターを用いた結果であり、図１４は図１２（ａ）の従来の入射波反射波モニターを用いた結果を示すものである。これらの図において、Ａは入射波の電流値であり、Ｂは反射波の電流値である。また、Ａの電流値をＩＡ、Ｂの電流値をＩＢと表したとき、減衰率γは以下の式で示される。
γ＝−２０ｌｏｇ（ＩＡ／ＩＢ）
これらの図に示すように、本実施形態の場合には、従来よりも調整器１２７と板状導体１２５との距離Ｄを変更したときにおける減衰比の変動幅が大きくなり、調整器による調整幅が著しく広がることが確認された。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内において種々変形可能である。例えば、マイクロ波出力部３０の回路構成やマイクロ波供給部４０、メインアンプ４７の回路構成等は、上記実施形態に限定されるものではない。具体的には、平面スロットアンテナから放射されるマイクロ波の指向性制御を行ったり円偏波にしたりする必要がない場合には、位相器は不要である。また、マイクロ波供給部４０は、必ずしも複数のマイクロ波導入機構４１で構成する必要はなく、マイクロ波導入機構４１は１個であってもよい。さらに、平面スロットアンテナ８１のスロット８１ａとして扇形のもの２個または４個設けた場合について示したが、これに限らず、条件に応じて種々のスロットパターンを採用することが可能である。
さらに、上記実施形態においては、プラズマ処理装置としてエッチング処理装置を例示したが、これに限らず、成膜処理、酸窒化膜処理、アッシング処理等の他のプラズマ処理にも用いることができる。また、被処理基板は半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用基板に代表されるＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板や、セラミックス基板等の他の基板であってもよい。
１；チャンバ
２；マイクロ波プラズマ源
１１；サセプタ
１２；支持部材
１６；排気装置
２０；シャワープレート
３０；マイクロ波出力部
４０；マイクロ波供給部
４１；マイクロ波導入機構
４３；アンテナ部
４４；導波路
５２；外側導体
５３；内側導体
５４；給電機構
５５；マイクロ波電力導入ポート
５６；同軸線路
５８；反射板
５９；遅波材
６０；チューナ
８１；平面スロットアンテナ
９０；給電アンテナ
９１；アンテナ本体
９２；第１の極
９３；第２の極
９４；反射部
８３；天板
１００；表面波プラズマ処理装置
１１０；制御部
１２０；入射波反射波モニター
１２１；方向性結合器
１２２；検出器
１２４；スリット
１２５；板状導体
１２７；調整器
Ｗ；ウエハ

Claims (9)

  1. 同軸構造の導波路へ電磁波電力を供給する電磁波給電機構であって、
    前記同軸構造の導波路の側部に設けられ、給電線が接続される電力導入ポートと、
    前記給電線に接続され、前記導波路の内部に電磁波電力を放射する給電アンテナと
    を具備し、
    前記給電アンテナは、前記給電線に接続された第１の極と、前記導波路の内側導体に接触する第２の極とを有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体の両側から前記内側導体の外側に沿って延び、リング状に形成された反射部とを有し、
    前記アンテナ本体に入射された電磁波と前記入射された電磁波が前記反射部で反射された電磁波とで前記給電アンテナの位置に定在波を形成し、その定在波により発生する誘導磁界および誘導電界の連鎖作用により電磁波電力が前記導波路を伝播することを特徴とする電磁波給電機構。
  2. 前記導波路の前記電磁波電力が伝播する方向と反対側に設けられた反射板をさらに有し、前記給電アンテナから供給された電磁波電力を前記反射板で反射させて前記導波路を伝播させることを特徴とする請求項１に記載の電磁波給電機構。
  3. 前記反射板と前記給電アンテナとの間に設けられた遅波材をさらに有し、電磁波の実効波長を短くすることを特徴とする請求項２に記載の電磁波給電機構。
  4. チャンバ内に表面波プラズマを形成するための表面波プラズマ源に用いるマイクロ波導入機構であって、
    同軸構造をなす導波路と、
    前記同軸構造の導波路の側部に設けられ、同軸線路が接続される電力導入ポートと、
    前記同軸線路の内側導体に接続され、前記導波路の内部に電磁波電力を放射する給電アンテナと、
    前記導波路に供給されたマイクロ波を前記チャンバ内に放射するマイクロ波放射アンテナを有するアンテナ部と
    を具備し、
    前記給電アンテナは、前記同軸線路の内側導体に接続された第１の極と、前記導波路の内側導体に接触する第２の極とを有するアンテナ本体と、前記アンテナ本体の両側から前記導波路の前記内側導体の外側に沿って延び、リング状に形成された反射部とを有し、
    前記アンテナ本体に入射された電磁波と前記入射された電磁波が前記反射部で反射された電磁波とで前記給電アンテナの位置に定在波を形成し、その定在波により発生する誘導磁界および誘導電界の連鎖作用により電磁波電力が前記導波路を伝播することを特徴とするマイクロ波導入機構。
  5. 前記導波路の前記電磁波電力が伝播する方向と反対側に設けられた反射板をさらに有し、前記給電アンテナから供給された電磁波電力を前記反射板で反射させて前記導波路を伝播させることを特徴とする請求項４に記載のマイクロ波導入機構。
  6. 前記反射板と前記給電アンテナとの間に設けられた遅波材をさらに有し、電磁波の実効波長を短くすることを特徴とする請求項５に記載のマイクロ波導入機構。
  7. 前記導波路に設けられ、前記導波路を通るマイクロ波のうち、前記チャンバに向かう入射波と、反射により戻ってくる反射波のいずれかに基づく電流を取り出す方向性結合器と、前記方向性結合器が取り出した電流を検出する検出器とを有する入射波反射波モニターをさらに具備することを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載のマイクロ波導入機構。
  8. 前記方向性結合器は、前記同軸構造の導波路の外側導体に形成されたスリットと、前記スリット内に設けられた板状導体と、前記板状導体に流れる電流を取り出す一対の導電ピンと、前記外側導体の外側に前記板状導体に対向するように、かつ前記板状導体との距離を調節可能に設けられた導電体からなる調整器とを有し、前記スリットは、前記調整器に対向する部分が前記調整器に対応するように広がった形状をなすことを特徴とする請求項７に記載のマイクロ波導入機構。
  9. 前記電力導入ポートと前記アンテナ部との間に設けられ、前記チャンバ内の負荷のインピーダンスを前記表面波プラズマ源に搭載されたマイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるチューナをさらに具備し、前記チューナは、前記導波路の外側導体と内側導体の間に設けられ、内側導体の長手方向に沿って移動可能な、環状をなし、誘電体からなるスラグを有し、前記方向性結合器は、前記電力導入ポートと前記スラグとの間、または／および前記スラグと前記アンテナ部の間に設けられていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のマイクロ波導入機構。
JP2010241142A 2010-01-18 2010-10-27 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構 Active JP5710209B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010241142A JP5710209B2 (ja) 2010-01-18 2010-10-27 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構
CN201180002577.0A CN102474974B (zh) 2010-01-18 2011-01-14 电磁波供电机构以及微波导入机构
PCT/JP2011/050562 WO2011087094A1 (ja) 2010-01-18 2011-01-14 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構
KR1020127020891A KR101490572B1 (ko) 2010-01-18 2011-01-14 전자파 급전 기구 및 마이크로파 도입 기구
TW100101645A TWI523584B (zh) 2010-01-18 2011-01-17 Electromagnetic wave feeding mechanism and microwave introduction mechanism
US13/551,122 US9072158B2 (en) 2010-01-18 2012-07-17 Electromagnetic-radiation power-supply mechanism for exciting a coaxial waveguide by using first and second poles and a ring-shaped reflection portion

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010008510 2010-01-18
JP2010008510 2010-01-18
JP2010241142A JP5710209B2 (ja) 2010-01-18 2010-10-27 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011166740A JP2011166740A (ja) 2011-08-25
JP5710209B2 true JP5710209B2 (ja) 2015-04-30

Family

ID=44304363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010241142A Active JP5710209B2 (ja) 2010-01-18 2010-10-27 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9072158B2 (ja)
JP (1) JP5710209B2 (ja)
KR (1) KR101490572B1 (ja)
CN (1) CN102474974B (ja)
TW (1) TWI523584B (ja)
WO (1) WO2011087094A1 (ja)

Families Citing this family (298)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
JP5953057B2 (ja) * 2012-02-06 2016-07-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9113347B2 (en) 2012-12-05 2015-08-18 At&T Intellectual Property I, Lp Backhaul link for distributed antenna system
US10009065B2 (en) 2012-12-05 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Backhaul link for distributed antenna system
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9525524B2 (en) 2013-05-31 2016-12-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US9999038B2 (en) 2013-05-31 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
JP2014241673A (ja) * 2013-06-11 2014-12-25 株式会社東芝 電磁波漏洩防止装置
US9941126B2 (en) * 2013-06-19 2018-04-10 Tokyo Electron Limited Microwave plasma device
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
JP2015079677A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波供給方法
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US8897697B1 (en) 2013-11-06 2014-11-25 At&T Intellectual Property I, Lp Millimeter-wave surface-wave communications
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9209902B2 (en) 2013-12-10 2015-12-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Quasi-optical coupler
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) * 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
JP2015228331A (ja) * 2014-06-02 2015-12-17 東京エレクトロン株式会社 インピーダンス整合用スラグ
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9692101B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave couplers for coupling electromagnetic waves between a waveguide surface and a surface of a wire
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9768833B2 (en) 2014-09-15 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for sensing a condition in a transmission medium of electromagnetic waves
US10063280B2 (en) 2014-09-17 2018-08-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Monitoring and mitigating conditions in a communication network
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9615269B2 (en) 2014-10-02 2017-04-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus that provides fault tolerance in a communication network
US9685992B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Circuit panel network and methods thereof
US9503189B2 (en) 2014-10-10 2016-11-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for arranging communication sessions in a communication system
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9762289B2 (en) 2014-10-14 2017-09-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting or receiving signals in a transportation system
US9973299B2 (en) 2014-10-14 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a mode of communication in a communication network
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9520945B2 (en) 2014-10-21 2016-12-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for providing communication services and methods thereof
US9627768B2 (en) 2014-10-21 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9780834B2 (en) 2014-10-21 2017-10-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves
US9653770B2 (en) 2014-10-21 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave coupler, coupling module and methods for use therewith
US9577306B2 (en) 2014-10-21 2017-02-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device and methods for use therewith
US9769020B2 (en) 2014-10-21 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for responding to events affecting communications in a communication network
US9312919B1 (en) 2014-10-21 2016-04-12 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission device with impairment compensation and methods for use therewith
WO2016067906A1 (ja) * 2014-10-30 2016-05-06 三菱電機株式会社 アレイアンテナ装置およびその製造方法
US9742462B2 (en) 2014-12-04 2017-08-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and communication interfaces and methods for use therewith
US10243784B2 (en) 2014-11-20 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. System for generating topology information and methods thereof
US9997819B2 (en) 2015-06-09 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and method for facilitating propagation of electromagnetic waves via a core
US9800327B2 (en) 2014-11-20 2017-10-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for controlling operations of a communication device and methods thereof
US10009067B2 (en) 2014-12-04 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for configuring a communication interface
US9954287B2 (en) 2014-11-20 2018-04-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for converting wireless signals and electromagnetic waves and methods thereof
US9461706B1 (en) 2015-07-31 2016-10-04 At&T Intellectual Property I, Lp Method and apparatus for exchanging communication signals
US9544006B2 (en) 2014-11-20 2017-01-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with mode division multiplexing and methods for use therewith
US9654173B2 (en) 2014-11-20 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for powering a communication device and methods thereof
US9680670B2 (en) 2014-11-20 2017-06-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with channel equalization and control and methods for use therewith
US10340573B2 (en) 2016-10-26 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with cylindrical coupling device and methods for use therewith
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US10144036B2 (en) 2015-01-30 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating interference affecting a propagation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9876570B2 (en) 2015-02-20 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
JP2016170940A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波自動整合器及びプラズマ処理装置
US9749013B2 (en) 2015-03-17 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for reducing attenuation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
JP2016177997A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 東京エレクトロン株式会社 チューナ、マイクロ波プラズマ源、およびインピーダンス整合方法
US10224981B2 (en) 2015-04-24 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, Lp Passive electrical coupling device and methods for use therewith
US9705561B2 (en) 2015-04-24 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Directional coupling device and methods for use therewith
US9793954B2 (en) 2015-04-28 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device and methods for use therewith
US9948354B2 (en) 2015-04-28 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device with reflective plate and methods for use therewith
US9871282B2 (en) 2015-05-14 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, L.P. At least one transmission medium having a dielectric surface that is covered at least in part by a second dielectric
US9748626B2 (en) 2015-05-14 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Plurality of cables having different cross-sectional shapes which are bundled together to form a transmission medium
US9490869B1 (en) 2015-05-14 2016-11-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having multiple cores and methods for use therewith
US10650940B2 (en) 2015-05-15 2020-05-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having a conductive material and methods for use therewith
US9917341B2 (en) 2015-05-27 2018-03-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and method for launching electromagnetic waves and for modifying radial dimensions of the propagating electromagnetic waves
US10812174B2 (en) 2015-06-03 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Client node device and methods for use therewith
US9866309B2 (en) 2015-06-03 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, Lp Host node device and methods for use therewith
US9912381B2 (en) 2015-06-03 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, Lp Network termination and methods for use therewith
US10103801B2 (en) 2015-06-03 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Host node device and methods for use therewith
JP6482390B2 (ja) 2015-06-05 2019-03-13 東京エレクトロン株式会社 電力合成器およびマイクロ波導入機構
US9913139B2 (en) 2015-06-09 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Signal fingerprinting for authentication of communicating devices
US10142086B2 (en) 2015-06-11 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US9608692B2 (en) 2015-06-11 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US9820146B2 (en) 2015-06-12 2017-11-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9667317B2 (en) 2015-06-15 2017-05-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing security using network traffic adjustments
US9640850B2 (en) 2015-06-25 2017-05-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a non-fundamental wave mode on a transmission medium
US9865911B2 (en) 2015-06-25 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system for slot radiating first electromagnetic waves that are combined into a non-fundamental wave mode second electromagnetic wave on a transmission medium
US9509415B1 (en) 2015-06-25 2016-11-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a fundamental wave mode on a transmission medium
US9882257B2 (en) 2015-07-14 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10033108B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave having a wave mode that mitigates interference
US9853342B2 (en) 2015-07-14 2017-12-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric transmission medium connector and methods for use therewith
US10148016B2 (en) 2015-07-14 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array
US9836957B2 (en) 2015-07-14 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating with premises equipment
US9722318B2 (en) 2015-07-14 2017-08-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US9847566B2 (en) 2015-07-14 2017-12-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a field of a signal to mitigate interference
US10341142B2 (en) 2015-07-14 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an uninsulated conductor
US10170840B2 (en) 2015-07-14 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sending or receiving electromagnetic signals
US10044409B2 (en) 2015-07-14 2018-08-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and methods for use therewith
US10205655B2 (en) 2015-07-14 2019-02-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array and multiple communication paths
US10320586B2 (en) 2015-07-14 2019-06-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an insulated transmission medium
US10033107B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US9628116B2 (en) 2015-07-14 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for transmitting wireless signals
US10090606B2 (en) 2015-07-15 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system with dielectric array and methods for use therewith
US9793951B2 (en) 2015-07-15 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US9608740B2 (en) 2015-07-15 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US9871283B2 (en) 2015-07-23 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission medium having a dielectric core comprised of plural members connected by a ball and socket configuration
US10784670B2 (en) 2015-07-23 2020-09-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna support for aligning an antenna
US9948333B2 (en) 2015-07-23 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for wireless communications to mitigate interference
US9749053B2 (en) 2015-07-23 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Node device, repeater and methods for use therewith
US9912027B2 (en) 2015-07-23 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for exchanging communication signals
US10020587B2 (en) 2015-07-31 2018-07-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Radial antenna and methods for use therewith
US9967173B2 (en) 2015-07-31 2018-05-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9735833B2 (en) 2015-07-31 2017-08-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communications management in a neighborhood network
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9904535B2 (en) 2015-09-14 2018-02-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing software
US10009063B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an out-of-band reference signal
US10009901B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method, apparatus, and computer-readable storage medium for managing utilization of wireless resources between base stations
US10079661B2 (en) 2015-09-16 2018-09-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a clock reference
US10136434B2 (en) 2015-09-16 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an ultra-wideband control channel
US9769128B2 (en) 2015-09-28 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for encryption of communications over a network
US9729197B2 (en) 2015-10-01 2017-08-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating network management traffic over a network
US9876264B2 (en) 2015-10-02 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Communication system, guided wave switch and methods for use therewith
US9882277B2 (en) 2015-10-02 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, Lp Communication device and antenna assembly with actuated gimbal mount
US10665942B2 (en) 2015-10-16 2020-05-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting wireless communications
US10355367B2 (en) 2015-10-16 2019-07-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna structure for exchanging wireless signals
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
JP6700127B2 (ja) * 2016-07-07 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
US9912419B1 (en) 2016-08-24 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing a fault in a distributed antenna system
US9860075B1 (en) 2016-08-26 2018-01-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and communication node for broadband distribution
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10291311B2 (en) 2016-09-09 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating a fault in a distributed antenna system
US11032819B2 (en) 2016-09-15 2021-06-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a control channel reference signal
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10135146B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via circuits
US10135147B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via an antenna
US10340600B2 (en) 2016-10-18 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via plural waveguide systems
US9876605B1 (en) 2016-10-21 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system to support desired guided wave mode
US9991580B2 (en) 2016-10-21 2018-06-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system for guided wave mode cancellation
US10374316B2 (en) 2016-10-21 2019-08-06 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with non-uniform dielectric
US10811767B2 (en) 2016-10-21 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with convex dielectric radome
US10312567B2 (en) 2016-10-26 2019-06-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with planar strip antenna and methods for use therewith
US10224634B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for adjusting an operational characteristic of an antenna
US10225025B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for detecting a fault in a communication system
US10291334B2 (en) 2016-11-03 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. System for detecting a fault in a communication system
US10498044B2 (en) 2016-11-03 2019-12-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for configuring a surface of an antenna
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10090594B2 (en) 2016-11-23 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having structural configurations for assembly
US10340603B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having shielded structural configurations for assembly
US10535928B2 (en) 2016-11-23 2020-01-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system and methods for use therewith
US10178445B2 (en) 2016-11-23 2019-01-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods, devices, and systems for load balancing between a plurality of waveguides
US10340601B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-antenna system and methods for use therewith
US10361489B2 (en) 2016-12-01 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric dish antenna system and methods for use therewith
US10305190B2 (en) 2016-12-01 2019-05-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Reflecting dielectric antenna system and methods for use therewith
US10135145B2 (en) 2016-12-06 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave along a transmission medium
US10326494B2 (en) 2016-12-06 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for measurement de-embedding and methods for use therewith
US10694379B2 (en) 2016-12-06 2020-06-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system with device-based authentication and methods for use therewith
US10020844B2 (en) 2016-12-06 2018-07-10 T&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for broadcast communication via guided waves
US10439675B2 (en) 2016-12-06 2019-10-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for repeating guided wave communication signals
US10637149B2 (en) 2016-12-06 2020-04-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Injection molded dielectric antenna and methods for use therewith
US10755542B2 (en) 2016-12-06 2020-08-25 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveillance via guided wave communication
US10382976B2 (en) 2016-12-06 2019-08-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing wireless communications based on communication paths and network device positions
US10819035B2 (en) 2016-12-06 2020-10-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with helical antenna and methods for use therewith
US10727599B2 (en) 2016-12-06 2020-07-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with slot antenna and methods for use therewith
US9927517B1 (en) 2016-12-06 2018-03-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sensing rainfall
US10446936B2 (en) 2016-12-07 2019-10-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10359749B2 (en) 2016-12-07 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for utilities management via guided wave communication
US10168695B2 (en) 2016-12-07 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for controlling an unmanned aircraft
US10139820B2 (en) 2016-12-07 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for deploying equipment of a communication system
US10027397B2 (en) 2016-12-07 2018-07-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Distributed antenna system and methods for use therewith
US10243270B2 (en) 2016-12-07 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Beam adaptive multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10389029B2 (en) 2016-12-07 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system with core selection and methods for use therewith
US9893795B1 (en) 2016-12-07 2018-02-13 At&T Intellectual Property I, Lp Method and repeater for broadband distribution
US10547348B2 (en) 2016-12-07 2020-01-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for switching transmission mediums in a communication system
US10777873B2 (en) 2016-12-08 2020-09-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10326689B2 (en) 2016-12-08 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and system for providing alternative communication paths
US10938108B2 (en) 2016-12-08 2021-03-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Frequency selective multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10530505B2 (en) 2016-12-08 2020-01-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves along a transmission medium
US9911020B1 (en) 2016-12-08 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for tracking via a radio frequency identification device
US10103422B2 (en) 2016-12-08 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10916969B2 (en) 2016-12-08 2021-02-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing power using an inductive coupling
US10601494B2 (en) 2016-12-08 2020-03-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Dual-band communication device and method for use therewith
US9998870B1 (en) 2016-12-08 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for proximity sensing
US10069535B2 (en) 2016-12-08 2018-09-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves having a certain electric field structure
US10411356B2 (en) 2016-12-08 2019-09-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selectively targeting communication devices with an antenna array
US10389037B2 (en) 2016-12-08 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selecting sections of an antenna array and use therewith
US10264586B2 (en) 2016-12-09 2019-04-16 At&T Mobility Ii Llc Cloud-based packet controller and methods for use therewith
US10340983B2 (en) 2016-12-09 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveying remote sites via guided wave communications
US9838896B1 (en) 2016-12-09 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for assessing network coverage
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) * 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US11923176B2 (en) 2017-02-09 2024-03-05 Lyten, Inc. Temperature-controlled chemical processing reactor
US9973940B1 (en) 2017-02-27 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for dynamic impedance matching of a guided wave launcher
US10298293B2 (en) 2017-03-13 2019-05-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus of communication utilizing wireless network devices
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
JP7026498B2 (ja) 2017-12-12 2022-02-28 東京エレクトロン株式会社 アンテナ及びプラズマ成膜装置
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
KR102207959B1 (ko) * 2018-03-30 2021-01-25 박영준 전자기파를 이용한 레벨 측정유닛, 이를 포함하는 아스팔트 콘크리트 제조장치 및 아스팔트 콘크리트 제조방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
CN108594182A (zh) * 2018-07-17 2018-09-28 南京俊禄科技有限公司 旋转灵活的新式雷达
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
WO2020091744A1 (en) * 2018-10-30 2020-05-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Feedback control of microwave energy emitters
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN112343780B (zh) * 2019-08-09 2021-08-13 哈尔滨工业大学 微波同轴谐振会切场推力器
AT523626B1 (de) * 2020-05-22 2021-10-15 Anton Paar Gmbh Hohlleiter-Einkoppeleinheit
WO2022046296A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 Lyten, Inc. Temperature-controlled chemical processing reactor
TW202233887A (zh) * 2021-02-03 2022-09-01 美商Ｍｋｓ儀器公司 利用微波輻射能量對原子層沉積製程進行微波輔助表面化學退火的微波系統

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310918A (ja) * 1993-04-23 1994-11-04 Toshiba Corp 真空気密型方向性結合器
JPH1025583A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Yuzo Mori 形状創成装置
JP2959508B2 (ja) * 1997-02-14 1999-10-06 日新電機株式会社 プラズマ発生装置
US6910440B2 (en) * 2000-03-30 2005-06-28 Tokyo Electron Ltd. Apparatus for plasma processing
JP4062928B2 (ja) 2002-02-06 2008-03-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20030178143A1 (en) * 2002-03-25 2003-09-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with plural independently driven concentric coaxial waveguides
US6856211B2 (en) * 2002-05-21 2005-02-15 Nagano Japan Radio Co., Ltd. Coaxial type impedance matching device
JP3899288B2 (ja) * 2002-05-30 2007-03-28 長野日本無線株式会社 同軸型インピーダンス整合器
US20060137613A1 (en) * 2004-01-27 2006-06-29 Shigeru Kasai Plasma generating apparatus, plasma generating method and remote plasma processing apparatus
KR20060009387A (ko) * 2003-06-13 2006-01-31 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 측정장치
US6791274B1 (en) * 2003-07-15 2004-09-14 Advanced Energy Industries, Inc. RF power control device for RF plasma applications
JP5089032B2 (ja) 2005-10-12 2012-12-05 長野日本無線株式会社 プラズマ処理装置用自動整合器の制御方法
JP4677918B2 (ja) * 2006-02-09 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN101385129B (zh) * 2006-07-28 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 微波等离子体源和等离子体处理装置
JP5376816B2 (ja) * 2008-03-14 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
JP5208547B2 (ja) * 2008-03-19 2013-06-12 東京エレクトロン株式会社 電力合成器およびマイクロ波導入機構
WO2010004836A1 (ja) * 2008-07-09 2010-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102474974A (zh) 2012-05-23
KR101490572B1 (ko) 2015-02-05
KR20120104429A (ko) 2012-09-20
TW201204186A (en) 2012-01-16
JP2011166740A (ja) 2011-08-25
WO2011087094A1 (ja) 2011-07-21
TWI523584B (zh) 2016-02-21
US20120299671A1 (en) 2012-11-29
CN102474974B (zh) 2015-05-13
US9072158B2 (en) 2015-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5710209B2 (ja) 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構
JP6010406B2 (ja) マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置
JP5836144B2 (ja) マイクロ波放射機構および表面波プラズマ処理装置
JP5502070B2 (ja) チューナおよびマイクロ波プラズマ源
JP5698563B2 (ja) 表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置
JP6144902B2 (ja) マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
WO2011040328A1 (ja) 表面波プラズマ発生用アンテナ、マイクロ波導入機構、および表面波プラズマ処理装置
WO2013047000A1 (ja) マイクロ波放射機構、表面波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置
US9704693B2 (en) Power combiner and microwave introduction mechanism
JP2016177997A (ja) チューナ、マイクロ波プラズマ源、およびインピーダンス整合方法
WO2013105358A1 (ja) 表面波プラズマ処理装置
KR102387618B1 (ko) 플라스마 밀도 모니터, 플라스마 처리 장치, 및 플라스마 처리 방법
WO2014010317A1 (ja) プラズマ処理装置
WO2020250506A1 (ja) マイクロ波供給機構、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5890204B2 (ja) スラグチューナ、それを用いたマイクロ波プラズマ源、およびマイクロ波プラズマ処理装置
JP5916467B2 (ja) マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
JP6444782B2 (ja) チューナおよびマイクロ波プラズマ源
KR102387621B1 (ko) 플라스마 전계 모니터, 플라스마 처리 장치, 및 플라스마 처리 방법
WO2012121289A1 (ja) 表面波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ源、およびそれに用いるマイクロ波導入機構
JP6283438B2 (ja) マイクロ波放射アンテナ、マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150210

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150304

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5710209

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250