JP4677918B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
このようなプラズマ処理装置は、特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4等に開示されている。ここで、マイクロ波を用いた一般的なプラズマ処理装置を図8を参照して概略的に説明する。図8は従来の一般的なプラズマ処理装置を示す概略構成図、図9は図8中の一部を拡大して示す部分拡大図である。
また、容器天井部に設けた天板8の断面形状を種々変更してマイクロ波の電界分布を制御する試みも行われてはいるが、この場合にも十分な解決策が見い出されていないばかりか、天板8の断面形状を変えるのは、この加工が比較的困難であることから、大幅なコスト高を招来する、といった問題もあった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、マイクロ波をコントロール可能に処理容器内へ導入するようにして、処理空間においてプラズマを均一に立てることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
また処理空間の周辺部におけるマイクロ波の投入電力を特に上げる必要もないので、天板周辺部と処理容器上端部との間に形成される僅かな隙間にて異常放電が発生することも防止することができる。
更に、平面アンテナ部材の周辺部に位置するスロット付き導波管からTEモードのマイクロ波を供給することにより、このTEモードのマイクロ波は横方向へは広がり難いので、上記隙間内にマイクロ波が侵入することを略確実に防止でき、この結果、この隙間内に異常放電が発生することを略確実に阻止することができる。
また例えば請求項3に規定するように、前記スロット付き導波管はリング状に形成されると共に、給電ポットの周方向反対側にはマイクロ波吸収スロットが設けられる。
また例えば請求項4に規定するように、前記平面アンテナ部材の半径rは、前記平面アンテナ部材の上に設けられる遅波材中を伝搬するマイクロ波の波長λ以上の大きさに設定される。
また例えば請求項6に規定するように、前記分配器のマイクロ波の分配比は可変になされている。
また例えば請求項7に規定するように、前記マイクロ波供給手段は、前記平面アンテナ部材と前記スロット付き導波管へそれぞれ独立して個別にマイクロ波を供給するために複数のマイクロ波発生器を有している。
また例えば請求項9に規定するように、前記平面アンテナ部材から放射されるマイクロ波と前記スロット付き導波管から放射されるマイクロ波は、同一の天板を介して前記処理容器へ放射される。
処理容器の天板の中央部に平面アンテナ部材を設け、その周辺部にスロット付き導波管を設けて、TMモードとTEモードの互いに異なる搬送モードで処理容器内へマイクロ波を導入するようにしたので、互いに制御された状態で処理容器内へマイクロ波を導入でき、しかも異なる搬送モードなので互いにマイクロ波が干渉することを防止でき、この結果、被処理体の上方の処理空間に均一にプラズマを分布させることができる。
また処理空間の周辺部におけるマイクロ波の投入電力を特に上げる必要もないので、天板周辺部と処理容器上端部との間に形成される僅かな隙間にて異常放電が発生することも防止することができる。
図1は本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す構成図、図2は天板の下面側から上方を見た時の平面図、図3は図1中のA−A線矢視断面図である。
図示するように、プラズマ処理装置32は、例えば側壁や底部がアルミニウム等の導体により構成されて、全体が筒体状に成形された処理容器34を有しており、内部は密閉された例えば円形の処理空間Sとして構成されて、この処理空間Sにプラズマが形成される。この処理容器34自体は接地されている。
この処理容器34の側壁には、この内部に対してウエハを搬入・搬出する時に用いる被処理体搬出入用の開口部40が設けられ、この開口部40には密閉状態で開閉するゲートバルブ42が設けられている。
そして、処理容器34の天井部は開口されて、ここに例えば石英やAl2 O3 等の誘電体よりなるマイクロ波に対しては透過性を有する天板54がOリング等のシール部材56を介して気密に設けられる。この天板54の厚さは耐圧性を考慮して例えば20mm程度に設定される。
具体的には、上記平面アンテナ部材80は、天板54の上面全体に亘って設けられているのではなく、天板54の略中央部に円板状に設けられる。この平面アンテナ部材80の半径r(図2参照)は、これに伝搬されるマイクロ波の波長λ以上の大きさに設定されており、マイクロ波を効率的に伝搬し得るようになっている。ここでλは遅波材88中を伝搬されるマイクロ波の波長である。
まず、ゲートバルブ42を開いて被処理体用の搬出入口40を介して半導体ウエハWを搬送アーム(図示せず)により処理容器34内に収容し、昇降ピン56を上下動させることによりウエハWを載置台36の上面の載置面に載置し、そして、このウエハWを静電チャック72により静電吸着する。このウエハWは、必要な場合は加熱手段64により所定のプロセス温度に維持され、図示しないガス源より供給した所定のガスを流量制御しつつガス導入手段44のガスノズル44Aより処理容器34内へ供給し、圧力制御弁48を制御して処理容器34内を所定のプロセス圧力に維持する。
尚、上記実施例では分配器110ではマイクロ波の分配比が一定となるように設定したが、これに限定されず、分配比が可変になされた分配器110を設けるようにしてもよい。この分配比を可変にするには、例えばフエライト等の磁性体よりなる棒体の一端側を分配器110内に挿入しておき、分配器110の外に飛び出した棒体の他端側には電磁コイルを巻回し、この電磁コイルに電流を流して棒体に供給する磁界を制御することにより容易に分配比を制御することができる。
ここで上述した本発明のプラズマ処理装置についてシミュレーションによって評価を行ったので、その評価結果について説明する。ここでは天板54の中央部の平面アンテナ部材80に供給するマイクロ波電力とその周辺部のスロット付き導波管82に供給するマイクロ波電力との分配比を変更した時の処理空間Sにおけるマイクロ波の電界分布を評価した。図4はこの時のマイクロ波の電界分布を示す写真であり、理解を容易にするために模式図を併記している。図4(A)は天板の中央部と周辺部に供給するマイクロ波電力比が”1:2”の場合を示し、図4(B)は”2:1”の場合を示す。図4から明らかなように、天板54の中央部と周辺部に供給するマイクロ波電力比を変化させることにより、処理空間におけるマイクロ波の電界分布を大きく変えることができることを確認できた。従って、上記分配比を適切に選択すれば、所望するマイクロ波の電界分布が得られるのみならず、電界分布を均一化させることができることが判る。
また上記実施例では、天板54の中央部に設けた平面アンテナ部材80の周辺部に1つのスロット付き導波管82を設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、複数個のスロット付き導波管を同心状に設けるようにしてもよい。図6はこのようなプラズマ処理装置の第2変形例を示す部分概略断面図、図7は図6に示す第2変形例の天板部分を示す概略平面図である。
尚、この場合にも1つのマイクロ波発生器で発生したマイクロ波を3つに分配(分岐)してそれぞれ供給するようにしてもよい。
更に、本発明は、被処理体としては半導体ウエハに限定されず、ガラス基板、セラミック基板、更にはLCD基板等をプラズマ処理する際にも適用することができる。
34 処理容器
36 載置台
44 ガス導入手段
50 真空ポンプ
54 天板
80 平面アンテナ部材
82 スロット付き導波管
84 マイクロ波供給手段
86,96 スロット
94 同軸導波管
98 給電ポット
100 マイクロ波吸収スロット
104 マイクロ波発生器
110 分配器
114 モード変換器
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (10)
- 天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置するために前記処理容器内に設けた載置台と、
前記天井部の開口に気密に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板と、
前記処理容器内へ必要なガスを導入するガス導入手段と、
前記天板の中央部の上面に設けられて、所定の伝搬モードのマイクロ波を前記処理容器内へ導入するためにマイクロ波放射用のスロットが形成された平面アンテナ部材と、
前記天板の周辺部に同心状に設けられて、前記平面アンテナ部材で導入されるマイクロ波とは異なった伝搬モードのマイクロ波を前記処理容器内へ導入するためにマイクロ波放射用のスロットが形成されたスロット付き導波管と、
前記マイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、
を備えたプラズマ処理装置において、
前記平面アンテナ部材から供給されるマイクロ波の伝搬モードはTMモードであり、前記スロット付き導波管から供給されるマイクロ波の伝搬モードはTEモードであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記スロット付き導波管は、同心状に複数個設けられることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記スロット付き導波管はリング状に形成されると共に、給電ポットの周方向反対側にはマイクロ波吸収スロットが設けられることを特徴とする請求項1または2記載のプラズマ処理装置。
- 前記平面アンテナ部材の半径rは、前記平面アンテナ部材の上に設けられる遅波材中を伝搬するマイクロ波の波長λ以上の大きさに設定されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波供給手段は、少なくとも1つのマイクロ波発生器を有しており、前記スロット付き導波管の内の最内周のスロット付き導波管と前記平面アンテナ部材とへは、同一のマイクロ波発生器から発生したマイクロ波を分配器により分岐させて伝搬させるように構成したことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記分配器のマイクロ波の分配比は可変になされていることを特徴とする請求項5記載のプラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波供給手段は、前記平面アンテナ部材と前記スロット付き導波管へそれぞれ独立して個別にマイクロ波を供給するために複数のマイクロ波発生器を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記スロット付き導波管の前記天板に対する取付面は電界面であることを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理装置。
- 前記平面アンテナ部材から放射されるマイクロ波と前記スロット付き導波管から放射されるマイクロ波は、同一の天板を介して前記処理容器へ放射されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空引き可能になされた処理容器内に設けた被処理体に対して、前記処理容器の天井部に設けた天板からマイクロ波を導入して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、
前記天板の中央部からは平面アンテナ部材を用いて伝搬モードがTMモードのマイクロ波を供給し、前記天板の周辺部からはスロット付き導波管を用いて伝搬モードがTEモードのマイクロ波を供給するようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006033023A JP4677918B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TW096104878A TW200810613A (en) | 2006-02-09 | 2007-02-09 | Plasma treatment device, and plasma treatment method |
PCT/JP2007/052333 WO2007091672A1 (ja) | 2006-02-09 | 2007-02-09 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR1020087005903A KR101008746B1 (ko) | 2006-02-09 | 2007-02-09 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
CN2007800009451A CN101347051B (zh) | 2006-02-09 | 2007-02-09 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006033023A JP4677918B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007213994A JP2007213994A (ja) | 2007-08-23 |
JP4677918B2 true JP4677918B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=38345264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006033023A Expired - Fee Related JP4677918B2 (ja) | 2006-02-09 | 2006-02-09 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4677918B2 (ja) |
KR (1) | KR101008746B1 (ja) |
CN (1) | CN101347051B (ja) |
TW (1) | TW200810613A (ja) |
WO (1) | WO2007091672A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-02-09 JP JP2006033023A patent/JP4677918B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-09 CN CN2007800009451A patent/CN101347051B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-09 TW TW096104878A patent/TW200810613A/zh unknown
- 2007-02-09 WO PCT/JP2007/052333 patent/WO2007091672A1/ja active Application Filing
- 2007-02-09 KR KR1020087005903A patent/KR101008746B1/ko not_active IP Right Cessation
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JP2004165551A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
JP2005235755A (ja) * | 2004-02-07 | 2005-09-02 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロウェーブ供給装置、それを用いたプラズマ工程装置及びプラズマ工程方法 |
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JP2006216903A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080037077A (ko) | 2008-04-29 |
CN101347051B (zh) | 2011-06-08 |
CN101347051A (zh) | 2009-01-14 |
WO2007091672A1 (ja) | 2007-08-16 |
KR101008746B1 (ko) | 2011-01-14 |
TW200810613A (en) | 2008-02-16 |
JP2007213994A (ja) | 2007-08-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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