CN101347051B - 等离子体处理装置和等离子体处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，该等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入单元；设置在所述顶板的中央部的上面，用于将规定的传播模式的微波向所述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；设置在所述顶板的周边部的上面，用于向所述处理容器内导入传播模式与通过所述平面天线部件导入的微波不同的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和将微波供给所述平面天线部件和所述开槽波导管的微波供给单元。

Description

等离子体处理装置和等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及使通过微波生成的等离子体作用于半导体晶片等实施处理时使用的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
背景技术
近年来，随着半导体制品的高密度化和高微细化，在半导体制品的制造工序中，为进行成膜、蚀刻、灰化等处理而使用等离子体处理装置。特别是，因为在0.1mTorr(13.3mPa)～数Torr(数百Pa)程度的压力较低的高真空状态下也能够稳定产生等离子体，所以倾向于使用利用微波产生高密度等离子体的微波等离子体装置。
这样的等离子体处理装置公开于日本特开平3-191073号公报、日本特开平5-343334号公报、日本特开平10-233295号公报、日本特开平11-40397号公报等。此处，参照图8概略地说明使用微波的一般的等离子体处理装置。图8是表示现有的一般的等离子体处理装置的概略结构图。图9是放大显示图8的一部分的局部放大图。
如图8所示，该等离子体处理装置202包括能够抽真空的处理容器204和设置在处理容器204内的载置半导体晶片W的载置台206。在与载置台206相对的顶部，通过O型环等密封部件209气密地设置有透过微波的圆板状的由氮化铝或石英等构成的顶板208。而且，在处理容器204的侧壁上设置有用于向处理容器204内导入规定的气体的气体喷嘴210。此外，在处理容器204的侧壁上设置有晶片W的搬入搬出用的开口部212。在该开口部212上设置有将其气密地开关的闸阀G。在处理容器204的底部设置有排气口214，该排气口214与未图示的真空排气系统连接。由此，能够对处理容器204内抽真空。
在顶板208的上表面或上方设置有厚度为数mm程度的例如由铜板构成的圆板状的平面天线部件216。为了缩短平面天线部件216的半径方向的微波的波长，在平面天线部件216的上表面或上方设置有例如由电介质构成的慢波件218。
平面天线部件216上形成有由多个例如长槽状的贯通孔构成的微波发射用槽孔220。该微波发射用槽孔220一般配置为同心圆状或配置为螺旋状。此外，同轴波导管222的中心导体224连接在平面天线部件216的中心部上，通过微波产生器226产生的例如2.45GHz的微波在由模式变换器228变换为规定的振动模式之后，被导入。于是，微波向天线部件216的半径方向辐射状地传播，并从设置于平面天线部件216的微波发射用槽220放出，透过顶板208，向处理容器204的内部导入。通过该微波，在处理容器204内的处理空间S中产生等离子体，对载置台206上的半导体晶片W实施蚀刻、成膜等规定的等离子体处理。
在实施如上所述的使用等离子体的成膜处理、蚀刻处理等的情况下，要求对晶片表面均匀地实施该处理。但是，透过顶板208的微波沿该顶板208的下面，成为表面波传播时，存在从邻接的槽220发射的微波彼此之间相互干涉的倾向。因此，在处理空间S的微波的电场分布中产生偏差，存在等离子体不均匀分布的情况。这样的等离子体的不均匀分布使对晶片表面的等离子体处理的面内均匀性劣化，所以不优选。
因此，在现有的等离子体处理装置中，对平面天线部件216的槽220的大小和排列等进行各种研讨，为获得微波的最佳的电场分布而进行了调整。但是，仍未发现足够的应对方法。
此外，也进行了通过对设置在容器顶部的顶板208的截面形状进行种种变更以控制微波的电场分布的尝试。但是，根据该尝试也没有发现足够的解决方法。此外，改变顶板208的截面形状的话，因为顶板208的加工比较困难，所以存在导致成本大幅增高的问题。
此外，一般来说，考虑到处理空间S的周边部的微波的电场密度变差，例如研究槽220的排列等，以使投入处理空间S的周边部的微波的电力变多的方式进行设定。但是，如图9所示，在处理空间S的周边部，在处理容器204的上端部与顶板208的周边部通过密封部件209接合的部分，产生微小的间隙230，因此，存在在该微小的间隙230的部分由于强力的微波电场而产生异常放电的问题。
发明内容
本发明着眼于上述问题点，为有效地解决上述问题而提出。本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，可控地向处理容器内导入微波，能够在处理空间产生均匀的等离子体。
本发明的等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在上述处理容器内的载置台；气密地安装于上述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向上述处理容器导入必要的气体的气体导入单元；设置在上述顶板的中央部的上面，用于将规定的传播模式的微波向上述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；设置在上述顶板的周边部的上面，用于向上述处理容器内导入传播模式与通过上述平面天线部件导入的微波不同的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和将微波供给上述平面天线部件和上述开槽波导管的微波供给单元。
根据该特征，通过设置在顶板的中央部的平面天线部件和设置在顶板的周边部的开槽波导管，以互不相同的传播模式向处理容器内导入微波，因此能够以相互独立的控制状态向处理容器内导入微波。而且，因为是不同的传播模式，能够防止相互的微波干涉。其结果，能够在被处理体的上方的处理空间使等离子体均匀分布。
此外，因为不需要特别提高处理空间的周边部的微波的投入电力，所以也能够防止在顶板的周边部与处理容器的上端部之间形成的微小的间隙中产生异常放电。
例如，上述开槽波导管同心状地设置有多个。
此外，例如，上述开槽波导管形成为环状，并且设置有微波吸收用槽，上述微波供给单元的向上述开槽波导管的供电端口(pot)位于距微波吸收用槽远的一侧。
此外，例如，上述平面天线部件的半径r设定为其中传播的微波的波长λ以上的大小。
此外，例如，上述微波供给单元至少具有一个微波产生器，构成为通过分配器将通过同一微波产生器产生的微波分支并传播至上述开槽波导管内的最内周的开槽波导管和上述平面天线部件。在该情况下，例如，上述分配器的微波的分配比可变。
或者也可以构成为，上述微波供给单元具有多个微波产生器，分别独立地向上述开槽波导管和上述平面天线部件传播通过不同微波产生器产生的微波。
此外，例如，从上述平面天线部件向上述处理容器内供给的微波的传播模式为TM模式，从上述开槽波导管向上述处理容器内供给的微波的传播模式为TE模式。在该情况下，由于TE模式的微波在横方向难以扩展，所以能够大致可靠地防止微波侵入上述间隙内。其结果，能够大致可靠地阻止在该间隙内产生异常放电。在该情况下，例如，上述开槽波导管相对上述顶板的安装面为电场面。
此外，本发明的等离子体处理方法，对于能够抽真空的处理容器内的被处理体，从设置在该处理容器的顶部的顶板向该处理容器内导入微波，对上述被处理体实施规定的等离子体处理，其特征在于，包括：向上述顶板的中央部供给某种传播模式的微波的中央微波供给工序；和向上述顶板的周边部供给与供给至上述顶板的中央部的微波的传播模式不同的传播模式的微波的周边微波供给工序。
根据该特征，通过设置在顶板的中央部的平面天线部件和设置在顶板的周边部的开槽波导管，以互不相同的传播模式向处理容器内导入微波，因此能够以相互独立的控制状态向处理容器内导入微波。而且，因为是不同的传播模式，能够防止相互的微波干涉。其结果，能够在被处理体的上方的处理空间使等离子体均匀分布。
此外，因为不需要特别提高处理空间的周边部的微波的投入电力，所以也能够防止在顶板的周边部与处理容器的上端部之间形成的微小的间隙中产生异常放电。
优选在上述中央微波供给工序中，在顶板的中央部使用平面天线部件，供给TM模式的微波，在上述周边微波供给工序中，在顶板的周边部使用开槽波导管，供给TE模式的微波。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的概略截面图。
图2是表示图1的等离子体处理装置的顶板的下面的平面图。
图3是图1中的A-A线向视截面图。
图4(A)是在供给顶板的中央部和周边部的微波的电力比为1∶2的情况下的表示顶板的微波的电场分布的照片和示意图。
图4(B)是在供给顶板的中央部和周边部的微波的电力比为2∶1的情况下的表示顶板的微波的电场分布的照片和示意图。
图5是说明等离子体处理装置的第一变形例的微波产生单元的图。
图6是表示等离子体处理装置的第二变形例的局部概略截面图。
图7是表示图6的等离子体处理装置的顶板的概略平面图。
图8是表示现有的一般的等离子体处理装置的概略截面图。
图9是放大显示图8中的一部分的局部放大图。
具体实施方式
以下基于附图详细叙述本发明的等离子体处理装置和等离子体处理方法的实施方式。
图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的概略截面图。图2是表示图1的等离子体处理装置的顶板的下面的平面图。图3是图1中的A-A线向视截面图。
如图1所示，本实施方式的等离子体处理装置32具有整体成形为筒体状的处理容器34。处理容器34的侧壁和底部由铝等导体构成，并接地。处理容器34的内部构成为密闭的例如圆筒形的处理空间S，在该处理空间S内形成等离子体。
在处理容器34内，容纳有在上面载置作为被处理体的例如半导体晶片W的载置台36。载置台36形成为例如由进行过防蚀(Alumite)处理的铝等构成的平坦圆板状。载置台36支承在从处理容器34的底部立起的例如由铝等构成的支柱38。
此外，在处理容器34的侧壁上设置有在相对处理容器34的内部将晶片进行搬入、搬出时所使用的被处理体搬入搬出用的开口部40。在该开口部40上设置有闸阀42。
此外，在处理容器34设置有用于向处理容器34的内部导入必要的处理气体的气体导入单元44。本实施方式的气体导入单元44具有贯通处理容器34的侧壁设置的气体喷嘴44A。根据需要，从该气体喷嘴44A能够在对必要的处理气体进行流量控制的同时进行供给。而且，该气体喷嘴44A也可以设置有多个，能够导入不同的气体种类。或者，也可以将气体导入单元44以喷淋头状设置在处理容器34的顶部。
此外，在处理容器34的底部设置有排气口46。排气口46上连接有依次插入连接有压力控制阀48和真空泵50的排气通路52。由此，根据需要，能够将处理容器34内抽真空至规定的压力。
此外，处理容器34的顶部开口(具有开口部)。此处，通过O形环等密封部件56气密地设置有相对微波具有透过性的顶板54。顶板54由例如石英、Al2O3等电介质构成。考虑到耐压性，顶板54的厚度设定为例如20mm左右。
此外，在载置台36的下方设置有多个，例如三个在晶片W的搬入搬出时使晶片W升降的升降销56(图1中仅记为两个)。该升降销56通过按照隔着能够伸缩的波纹管58贯通容器底部的方式设置的升降杆60进行升降。此外，在载置台36上形成有用于插通升降销56的销插通孔62。
载置台36的整体由耐热材料，例如氧化铝等陶瓷构成。在该耐热材料中设置有加热单元64。本实施方式的加热单元64具有在载置台36的大致整个区域埋入的薄板状的电阻加热器。该电阻加热器通过穿过支住38内的配线66与加热器电源68连接。
此外，在载置台36的上面侧设置有在内部具有例如配设为网眼状的导体线70的薄静电卡盘72。为了发挥静电吸附力，静电卡盘72的导体线70通过配线74与直流电源76连接。由此，载置于载置台36上，详细而言是载置在静电卡盘72上的晶片W能够通过静电吸附力被吸附。另一方面，为了在必要时向静电卡盘72的导体线70施加例如13.56MHz的偏压用的高频电力，配线74上也连接有偏压用高频电源78。当然，根据处理的方式，也可不设置偏压用高频电源78。
在顶板54的上面设置有作为本发明的特征的平面天线部件80和开槽波导管82。这些平面天线部件80和开槽波导管82上连接有用于供给微波的微波供给单元84。
具体地说，平面天线部件80不是设置在顶板54的上面整体，而是圆板状地设置在顶板54的大致中央部的上面。该平面天线部件80的半径r(参照图2)设定为在其中传播的微波的波长λ以上的大小，能够高效率地传播微波。此处，λ是在慢波件88(详细内容在后面叙述)中传播的微波的波长。
如图2和图3所示，在慢波件88为例如石英，微波为2.45GHz的情况下，平面天线部件80由半径r为60mm以上、厚度为1～数mm程度的导电性材料构成。更具体地说，能够由例如表面镀银的铜板或铝板构成。在平面天线部件80上形成有例如由长槽状的贯通孔构成的多个微波发射用槽86。
微波发射用槽86的配置方式并无特别限定。例如能够配置为同心圆状、螺旋状、辐射状等。或者能够以在平面天线部件整个面上均匀的方式分布。在图2所示的例子中，使两个微波发射用槽86稍微分离且配置为大致T字状的组，配置为同心圆状。该平面天线部件80是所谓的RLSA(Radial Line Slot Antenna：径向线缝隙天线)方式的天线结构，由此，能够得到高密度等离子体和低电子能量的特征。如后所述，从该平面天线部件80供给传播模式为TM模式主体的微波。
在平面天线部件80上设置有例如由氮化铝等构成的慢波件88。慢波件88为缩短微波的波长而具有高介电常数特性。慢波件88的上方和侧边的大致整个面通过由导电性的中空圆筒状容器构成的波导箱90覆盖。平面天线部件80构成为波导箱90的底板，与载置台36相对。在波导箱90的上部设置有流动用于将其冷却的冷媒的冷却套92。
波导箱90和平面天线部件80的周边部均接地。并且，形成微波供给单元84的一部分的同轴波导管94与平面天线部件80连接。
在本实施方式中，开槽波导管82由截面为矩形状的矩形波导管构成，以包围平面天线80的周围的方式形成为例如环状。在平面视图中，开槽波导管82以同心状配置在顶板54的周边部。在开槽波导管82的下面，即与顶板54相接的面上，沿圆周方向配置有与设置在平面天线部件80的槽86大致相同图案(大致T字状)的微波发射用槽96(参照图2)。具体而言，使两个微波发射用槽96稍微分离且配置为大致T字状的组，配置在圆周方向。
从这样的开槽波导管82供给作为与从平面天线部80供给的微波不同的振动模式的例如TE模式的微波。因此，开槽波导管82相对顶板54的安装面(下面)82A成为E面(电场面)。
此外，在开槽波导管82的一个位置形成有用于导入微波的供电端口98。在该供电端口98的圆周方向相反侧(180度相反侧)的安装面上，设置有用于吸收从两周方向传播来的微波的形成为X字状的微波吸收槽100(参照图2)。
此外，在开槽波导管82内也设置有用于缩短传播的微波的波长的由电介质构成的慢波件102(参照图1)。作为该慢波件102，优选使用与设置在平面天线部件80上的慢波件88相同的电介质。
另一方面，微波供电单元84在本实施方式中具有一个微波产生器104。微波产生器104能够产生例如2.45GHz的微波。从微波产生器104延伸有插入设置有用于实现阻抗匹配的匹配电路106的矩形波导管108，传播TE模式的微波。
在该矩形波导管108上连接有用于将微波分支或分配为多个(此处为两个)的分配器110。从该分配器110延伸有两个矩形波导管112A、112B。并且，其中一个矩形波导管112A与开槽波导管82的供电端口98连接，向该供电端口98供电TE模式的微波。此外，另一个矩形波导管112B通过将TE模式的微波变换为例如TEM模式的模式变换器114，与上述同轴波导管94连接。
同轴波导管94的前端连接于平面天线部件80侧。具体地说，同轴波导管94的截面圆形状的外侧导体94A与波导箱90的上部的中心连接，同轴波导管94的内侧的内部导体94B通过慢波件88的中心的贯通孔与平面天线部件80的中心部连接。而且，上述频率不限于2.45GHz，也可以使用其它频率，例如8.35GHz。
而且，这样形成的等离子体处理装置32的整体的动作通过例如由微型计算机等构成的控制单元118加以控制。进行该动作的计算机的程序存储于软盘、CD(Compact Disc)、闪存等存储介质120中。具体地说，通过来自该控制单元118的指令，进行各气体的供给和流量控制、微波与高频的供给和电力控制、处理温度和处理压力的控制等。
接着，对使用如上构成的等离子体处理装置32进行的等离子体处理方法进行说明。
首先，打开闸阀42，通过被处理体用的搬入搬出口40，将半导体晶片W通过搬送臂(未图示)容纳在处理容器34内。通过使升降销56上下运动，将晶片W载置在作为载置台36的上表面的载置面上。然后，通过静电卡盘72静电吸附该晶片W。在必要的情况下，通过加热单元64将该晶片W维持在规定的处理温度。从未图示的气体源供给的规定的气体在被流量控制的同时从气体导入单元44的气体喷嘴44A供给至处理容器34内。通过控制压力控制阀48将处理容器34内维持在规定的处理压力。
与此同时，驱动微波供给单元84的微波产生器104。通过微波产生器104产生的微波被矩形波导管108传播，并由分配器110分配为两个。一个被分配的微波通过矩形波导管112B、模式变换器114和同轴波导管94被供给至平面天线部件80，通过慢波件88使波长缩短，从槽86透过顶板54导入处理空间S。另一个被分配的微波通过矩形波导管112A被供给至开槽波导管82，通过慢波件102使波长缩短，从槽96透过顶板54导入处理空间S。这样，在处理空间S产生等离子体，进行使用等离子体的规定的处理。
此处，更为详细说明微波的传播。通过微波产生器104产生的微波在矩形波导管108内例如以TE模式传播，通过分配器110根据预先决定的规定的分配比(电力比)分配或分支为两个。
被分配的微波内的一个微波通过矩形波导管112B传播至模式变换器114，通过该模式变换器114将传播模式变换为例如TEM模式。该微波进一步在同轴波导管94内传播，到达平面天线部件80。
然后，到达平面天线部件80的微波从圆板状的平面天线部件80的中心部向其圆周方向以辐射状传播，并且从设置在下面的各槽86向下方发射。此时发射的微波是TM模式主体的微波。该微波如上所述透过顶板54的中央部向处理空间S内的中央部导入。由此产生等离子体。此处，TM模式主体是指发射的微波中TE模式为10％以下，TM模式为90％以上。而且，当顶板54的厚度设定为规定的值(切断(cutoff)厚度：石英为18mm，铝为14mm)以下时，也能够只发射TM模式的微波。或者，也可以使用圆形波导管代替同轴波导管94。在该情况下，由于在波导管内仅传播TM模式的微波，所以从平面天线部件80只发射TM模式的微波。
另一方面，通过分配器110分配的另一个微波在矩形波导管112A内保持TE模式传播，从供电端口98向环状的开槽波导管82内导入。进一步，该TE模式的微波从供电端口98在开槽波导管82内沿其圆周方向传播，并从设置在下面(E面)的各槽96朝向下方发射。该被发射的TE模式的微波如上所述透过顶板54的周边部向处理空间S内的周边部导入。由此产生等离子体。
如上所述，以预先决定的分配比分配的微波能够分别单独导入处理空间S的中央部和周边部。由此，能够使处理空间S的微波的电场密度为规定的分布状态。由此，例如能够使微波的电场密度为均匀的分布状态，使等离子体密度在处理空间S的大致整个区域均匀化。因此，能够使对晶片W的等离子体处理的面内均匀性提高。
在本实施方式中，从顶板54的中央部的平面天线部件80导入的微波的传播模式，和从其周边部的开槽波导管82导入的微波的传播模式被设定为不同。由此，能够抑制传播模式不同的两微波间的干涉，能够以控制性良好的状态向处理空间S内导入微波。其结果，能够进一步提高处理空间S的微波的电场密度和等离子体密度的均匀性。
而且，从位于顶板54的中央部的平面天线部件80导入的TM模式的微波具有向横方向扩展一定程度的特性。与此相对，从位于顶板54的周边部的开槽波导管82导入的TE模式的微波几乎不具有向横方向扩展的特性。因此，即使将TE模式的微波的电场强度设定得较大，在顶板54的周边部与处理容器34的上端部的接合部产生的微小的间隙123的电场强度也不会大。因此，能够防止在该间隙123中产生图9所示的在现有装置的间隙230中产生的异常放电。
而且，在本实施方式的分配器110中，虽设定微波的分配比为一定，但并不限定于此，也可以设置分配比可变的分配器110。例如在分配器110内插入由铁氧体等磁性体构成的棒体的一端侧，在伸出分配器110之外的棒体的另一端侧卷绕电磁线圈，在该电磁线圈中流动电流以控制供给棒体的磁场，从而能够容易地可变控制分配比。
<本发明的评价>
关于本发明的等离子体处理装置，已通过仿真进行评价。对其评价结果进行说明。此处，对供给至顶板54的中央部的平面天线部件80的微波电力与供给至其周边部的开槽波导管82的微波电力的分配比进行变更，评价各个分配比下的处理空间S的微波的电场分布。
图4(A)和图4(B)是表示微波的电场分布的照片，但为了容易理解照片，同时分别记载有示意图。图4(A)表示供给至顶板的中央部和周边部的微波的电力比为1∶2的情况。图4(B)表示该电力比为2∶1的情况。
从图4(A)和图4(B)可知，通过改变供给至顶板54的中央部和周边部的微波的电力比，能够大大改变处理空间的微波的电场分布。因此，如适当地选择该分配比，能够得到期望的微波的电场分布，还能够使电场分布均匀化。
而且，在上述实施方式中，微波供给单元84具有一个微波产生器104，将此处产生的微波分配为两个，供给至平面天线部件80和开槽波导管82，但是并不限定于此。也可以如例如图5所示的第一变形例，微波产生单元84具有两个微波产生器104A、104B，从各微波产生器104A、104B分别通过插入设置有匹配电路106A、106B的矩形波导管112A、112B，向开槽的矩形波导管82和平面天线部件80供给微波。
在该情况下，因为能够使各微波产生器104A、104B的容量较小，所以能够使用价廉的微波产生器104A、104B。
此外，在上述实施方式中，以在设置于顶板54的中央部的平面天线部件80的周边部设置有一个开槽波导管82的情况为例进行了说明，但并不限定于此。也可以将多个开槽波导管设置为同心状。图6是表示这种等离子体处理装置的第二变形例的局部概略截面图，图7是表示图6的第二变形例的顶板部分的概略平面图。
在第二变形例中，如图6和图7所示，在顶板54的中央部的波导箱90的周边部同心状地设置有与先前的开槽波导管82相同结构的两个开槽波导管122A、122B。当然，也可以同心状地设置三个以上的开槽波导管。在第二变形例中，从同一微波产生器104B产生的微波，与使用图1说明的同样，通过矩形波导管112A、112B分别供给至位于最内周的开槽波导管122A和平面天线部件80。并且，由另一微波产生器104A产生的微波通过矩形波导管112C以TE模式供给至最外周的开槽波导管122B。而且，在第二变形例的情况下，也可以构成为将通过一个微波产生器产生的微波分配(分支)为三个进行供给的结构。
而且，本发明能够应用于使用等离子体的成膜处理、等离子体蚀刻处理、等离子体灰化处理等全部的等离子体处理中。此外，等离子体处理的被处理体不限定于半导体晶片，也可以为玻璃基板、陶瓷基板、LCD基板等。

Claims (9)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；
用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；
气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；
向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入单元；
设置在所述顶板的中央部的上面，用于将传播模式为TM模式的微波向所述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；
设置在所述顶板的周边部的上面，用于向所述处理容器内导入传播模式为TE模式的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和
将微波供给所述平面天线部件和所述开槽波导管的微波供给单元。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述开槽波导管同心状地设置有多个。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述开槽波导管形成为环状，并且设置有微波吸收用槽，
所述微波供给单元的向所述开槽波导管的供电端口位于距所述微波吸收用槽远的一侧。
4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述平面天线部件的半径r设定为在设置于所述平面天线部件上的慢波件中传播的微波的波长λ以上的大小。
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述微波供给单元至少具有一个微波产生器，
构成为通过分配器将通过同一微波产生器产生的微波分支并传播至所述开槽波导管内的最内周的开槽波导管和所述平面天线部件。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述分配器的微波的分配比可变。
7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述微波供给单元具有多个微波产生器，
构成为分别独立地向所述开槽波导管和所述平面天线部件传播通过不同微波产生器产生的微波。
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述开槽波导管相对所述顶板的安装面为电场面。
9.一种等离子体处理方法，其对于能够抽真空的处理容器内的被处理体，从设置在该处理容器的顶部的顶板向该处理容器内导入微波，对所述被处理体实施规定的等离子体处理，其特征在于，包括：
使用平面天线部件，从所述顶板的中央部向所述处理容器供给传播模式为TM模式的微波的中央微波供给工序；和
使用开槽波导管，从所述顶板的周边部向所述处理容器供给传播模式为TE模式的微波的周边微波供给工序。
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