JPH11339997A

JPH11339997A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH11339997A
Application number: JP10165874A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Ishii; 信雄石井
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-05-30
Filing date: 1998-05-30
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】アンテナ部材を効率的に冷却してアンテナ部
材の変形等を防止するようにしたプラズマ処理装置を提
供する。【解決手段】マイクロ波発生器８６にて発生したマイ
クロ波を、導波管８８を介して平面アンテナ部材６２に
導き、これよりマイクロ波透過窓６０を介して被処理体
Ｗをプラズマ処理する処理容器２２内にマイクロ波を導
入するプラズマ処理装置において、前記平面アンテナ部
材の近傍に冷却空間７０，７８を形成し、この冷却空間
内に前記平面アンテナ部材を冷却する冷媒を流す。これ
により、アンテナ部材を冷却してこの熱変形を防止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波により
アンテナ表面からプラズマ発生用のエネルギを投入し
て、これによりプラズマを発生させるプラズマ処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製品の高密度化及び高微細
化に伴い半導体製品の製造工程において、成膜、エッチ
ング、アッシング等の処理のためにプラズマ処理装置が
使用される場合があり、特に、０．１〜数１０ｍＴｏｒ
ｒ程度の比較的圧力が低い高真空状態でも安定してプラ
ズマを立てることができることからマイクロ波とリング
状のコイルからの磁場とを組み合わせて高密度プラズマ
を発生させるマイクロ波プラズマ装置が使用される傾向
にある。

【０００３】従来、この種のマイクロ波プラズマ装置と
しては、特開平３−１７２７３号公報に示すような装置
が知られている。この装置にあっては、磁場形成手段を
有するプラズマ発生室にマイクロ波を導入する導波管を
接続し、この導波管より導入したマイクロ波により電子
サイクロトロン共鳴を生ぜしめて高密度のプラズマを生
成するようになっている。図５はこの種の従来のプラズ
マ処理装置の一例を示す概略構成図であり、処理容器２
の天井部にマイクロ波透過窓４を設け、マイクロ波発生
器６にて発生した例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を
例えば矩形導波管８及び矩形・同軸変換器９を介して多
数のスリットを有する円板状のアンテナ部材１０へ導
き、各スリットより下方へマイクロ波を放射させること
により、このマイクロ波をマイクロ波透過窓４を介して
処理容器２内へ導入するようになっている。このアンテ
ナ部材１０の上面には、マイクロ波の波長を短くしてエ
ネルギ投入効率を向上させるために例えばセラミック等
の誘電体材料よりなる遅波材１２が接着剤等により接合
させて配置されている。そして、処理容器２内へ導入さ
れたマイクロ波は、処理容器２の上部外側に設けた磁石
１４により発生される水平方向の磁界とＥＣＲ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）を生じ、高密度のプラズマを発生することになる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、導波管８内
の同軸線１６を伝播してきたマイクロ波は、円板状のア
ンテナ部材１０の中心部から周辺部に広がりながらその
下方へエネルギとして放射されるが、この時、アンテナ
部材１０を構成する導体、例えば銅による抵抗損失（銅
損）が発生することは避けられず、ジュール熱に伴う温
度上昇が生ずる。また、遅波材１２においてもマイクロ
波による誘電損失が発生するので、これ自体の温度上昇
が生ずることは避けられない。通常、この温度は、マイ
クロ波の電力にもよるが、例えば１００℃近傍まで上昇
する。この場合、アンテナ部材１０を構成する金属材料
と遅波材１２を構成する誘電体材料の熱線膨張率は大き
く異なって金属材料の方がはるかに大きいため、繰り返
し使用した時に膨張量の差に起因して、アンテナ部材１
０と遅波材１２との接合面が少しずつ剥離するという現
象が発生していた。

【０００５】このように部分的に剥離が生ずると、その
部分におけるマイクロ波の伝播状況が変化してしまっ
て、処理容器２内に投入されるマイクロ波が分布を持っ
てしまい、プラズマ分布が不均一となり、更にこれに伴
ってウエハ処理の面内均一性が劣化するばかりか、処理
の再現性も劣化するといった問題点が発生していた。ま
た、遅波材１２の表面に金属材料を例えばスパッタ形成
してアンテナ部材１０を設けるようにした構造の装置も
あるが、この場合には、両者が強固に結合していること
から、線膨張差に耐えられずに遅波材が破損する場合も
あった。

【０００６】更には、遅波材１２を設けていない構造の
装置もあるが、この場合にはアンテナ部材１０の厚みが
０．２〜０．５ｍｍ程度と非常に薄いために、繰り返し
熱伸縮により、平面状のアンテナ部材１０自体に凹凸状
のゆがみが生じてしまうという問題もあった。また、マ
イクロ波によって発生した熱を、低マイクロ波損失液
体、例えばフロリナート（商品名）によって冷却するプ
ラズマ装置も、例えば特開昭６４−７１０９７号公報等
に開示されているが、これはプラズマ放電管を冷却する
技術であり、平面アンテナ部材を有するプラズマ装置と
はその構造が異なり、上記技術を直接適用することはで
きない。

【０００７】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、アンテナ部材、或いはアンテナ部材に加えて
遅波材を設けている場合には、アンテナ部材と遅波材と
を効率的に冷却してアンテナ部材の変形や両者間の剥離
を防止するようにしたプラズマ処理装置を提供すること
にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、マイクロ波発生器にて発生したマイク
ロ波を、導波管を介して平面アンテナ部材に導き、これ
よりマイクロ波透過窓を介して被処理体をプラズマ処理
する処理容器内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装
置において、前記平面アンテナ部材の近傍に冷却空間を
形成し、この冷却空間内に前記平面アンテナ部材を冷却
する冷媒を流すように構成したものである。

【０００９】このように、冷却空間に冷媒を流すことに
より、これに接する平面アンテナ部材は、例えば常温程
度まで冷却されるので、マイクロ波を流しても平面アン
テナ部材は加熱状態にならず、平面アンテナ部材が熱に
より変形等することを防止することができる。このよう
な冷却空間は、例えば前記冷却空間は、前記マイクロ波
透過窓と前記平面アンテナ部材との間に形成される。

【００１０】また、平面アンテナ部材の上面に、誘電体
部材より成る遅波材を接合して設けている場合には、前
記冷却空間は、前記接合された遅波材と前記平面アンテ
ナ部材の上方と下方に設けられ、前記冷媒は前記上下の
冷却空間間に循環されるように構成する。

【００１１】これにより、平面アンテナ部材と遅波材を
共に冷却することができるので、両者が部分的、或いは
全面的に剥離することを防止することができる。また、
前記冷媒としては、誘電損失が小さい低誘電率媒体を用
いるのがよい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプラズマ処
理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１
は本発明に係るプラズマ処理装置を示す構成図、図２は
図１に示す装置中の平面アンテナ部材を示す平面図、図
３は図１に示す装置中の遅波材を示す斜視図である。

【００１３】本実施例においてはプラズマ処理装置をプ
ラズマエッチング装置に適用した場合について説明す
る。図示するようにプラズマ処理装置としてのこのプラ
ズマエッチング装置２０は、例えば側壁や底部がアルミ
ニウム等の導体により構成されて、全体が筒体状に成形
されると共に上部が段部状に縮径された処理容器２２を
有しており、内部は密閉された処理空間Ｓとして構成さ
れている。また、この処理空間Ｓの上方が、プラズマ生
成空間Ｓ１として形成される。

【００１４】この処理容器２２内には、上面に被処理体
としての例えば半導体ウエハＷを載置する載置台２４が
収容される。この載置台２４は、例えばアルマイト処理
したアルミニウム等により中央部が凸状に平坦になされ
た略円柱状に形成されており、この下部は同じくアルミ
ニウム等により円柱状になされた支持台２６により支持
されると共にこの支持台２６は処理容器２２内の底部に
絶縁材２８を介して設置されている。

【００１５】上記載置台２４の上面には、ここにウエハ
を吸着保持するための静電チャックやクランプ機構（図
示せず）が設けられ、この載置台２４は給電線３０を介
してマッチングボックス３２及び例えば１３．５６ＭＨ
ｚのバイアス用高周波電源３４に接続されている。載置
台２４を支持する支持台２６には、プラズマ処理時のウ
エハを冷却するための冷却水等を流す冷却ジャケット３
６が設けられる。上記処理容器２２の側壁であって、処
理空間Ｓを区画する部分には、容器内に例えばエッチン
グガスを導入するための例えば石英パイプ製の処理ガス
供給ノズル３８が設けられ、このノズル３８はガス供給
路４０によりマスフローコントローラ４２及び開閉弁４
４を介して処理ガス源４６に接続されている。処理ガス
としてのエッチングガスは、ＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ｃ₄ Ｆ
₈ ガス等を単ガスとして或いはこれらと水素ガスとの混
合ガスを用いることができる。また、プラズマ生成空間
Ｓ１の部分に臨ませて、プラズマガスとしてアルゴン等
の不活性ガスを供給するための同じく石英製のガスノズ
ル４８が設けられており、流量制御されたＡｒガスをこ
こに供給できるようになっている。

【００１６】そして、処理容器２２の段部の外側には、
ＥＣＲ用のリング状の磁石５０が設けられており、プラ
ズマ生成空間Ｓ１にＥＣＲ発生用の磁界を印加するよう
になっている。また、容器側壁の外周には、この内部に
対してウエハを搬入・搬出する時に開閉するゲートバル
ブ５２が設けられる。また、容器底部には、図示されな
い真空ポンプに接続された排気口５４が設けられてお
り、必要に応じて処理容器２２内を所定の圧力まで真空
引きできるようになっている。

【００１７】一方、処理容器２２の天井部には、この容
器内にマイクロ波を導入するために、被処理体Ｗの直径
と略同じ大きさの、或いはこれより大きい開口５６が形
成されており、この開口５６に、Ｏリング等のシール部
材５８を介して例えば石英製のマイクロ波透過窓６０が
気密に設けられている。そして、このマイクロ波透過窓
６０の上面側に、円板状の平面アンテナ部材６２が設置
される。具体的には、このアンテナ部材６２は、例えば
アルミニウム等の金属製のリング状の冷却区画壁６４を
介してマイクロ波透過窓６０の上方に設置されており、
この冷却区画壁６４とマイクロ波透過窓６０及び平面ア
ンテナ部材６２の接合部には、シール性を保つシール部
材６６、６８がそれぞれ介在されている。これにより、
このマイクロ波透過窓６０、平面アンテナ部材６２及び
冷却区画壁６４により仕切られた空間を形成し、これを
第１の冷却空間７０として構成している。

【００１８】また、平面アンテナ部材６２の上面には、
図３にも示すように薄い略円板状に成形された誘電体材
料、例えばセラミックよりなる遅波材７２が接着剤等に
より接合されて配置されている。この遅波材７２の中央
部には、後述する同軸線を通したり、冷媒を流すための
貫通孔７３が形成されている。この遅波材７２は、これ
に作用するマイクロ波の伝播速度を低下させることによ
り波長を短くして平面アンテナ部材６２より下方へ放射
されるマイクロ波の放射効率を向上させるものである。
そして、この遅波材７２の表面から所定の間隙を隔てて
これを覆うようにして覆い部材７４が設置されている。
この覆い部材７４は、例えばアルミニウム等の金属等よ
りなり、これと上記平面アンテナ部材６２との接合部に
は、シール部材７６が介設されている。これにより、覆
い部材７４の内面と遅波材７２の外面とで仕切られた空
間を形成し、これを第２の冷却空間７８として構成して
いる。

【００１９】上記平面アンテナ部材６２は、例えば銅や
アルミニウム等の導伝性材料よりなり、図２にも示すよ
うにこのアンテナ部材６２には、この周方向に延びる多
数のスリット８０が形成されている（図２では同心円状
に配列されている場合を示す）。ここで各スリット８０
の長さ及び半径方向へのピッチは、マイクロ波の管内波
長（遅波材７２によって短くなった波長）に依存して設
定する。例えばスリット８０のピッチは、管内波長の１
／２波長か、１波長程度の距離に設定される。そして、
この平面アンテナ部材６２の中心点の周囲には、例えば
４つの冷媒上昇口８２が形成されると共に、平面アンテ
ナ部材６２の周縁部であってスリット８０の形成エリア
の外側には、例えば４つの冷媒下降口８４が形成されて
おり、後述するように冷媒を流通できるようになってい
る。これらの冷媒上昇口８２及び冷媒下降口８４の数や
大きさは、スリット８０に悪影響を与えない範囲で変更
でき、上記したものに限定されない。また、この平面ア
ンテナ部材６２の厚みは、例えば０．３ｍｍ前後であ
り、非常に薄く設定され、この直径は、例えば１２イン
チ（３０ｃｍ）ウエハを処理する場合には４０〜５０ｃ
ｍ程度になされている。

【００２０】一方、上記平面アンテナ部材６２に対して
マイクロ波を供給するマイクロ波発生器８６は例えば
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するものであり、こ
れからは、矩形導波管８８及び矩形・同軸変換器８９を
介してマイクロ波を伝送し、内部の同軸線９０を覆い部
材７４の中心に設けた開口９２及び遅波材７２の貫通孔
７３に挿通させて、その先端を上記平面アンテナ部材６
２の中心部に接続している。このマイクロ波の周波数は
２．４５ＧＨｚに限定されず、１ＧＨｚ〜１０数ＧＨｚ
の範囲内のものを用いることができる。また、矩形導波
管８８の途中には、インピーダンスのマッチングを行な
うマッチング回路９３が介設されると共に、その先端
は、上記覆い部材７４の開口９２にシール部材９４を介
して気密に接合されている。また、上記開口９２の近傍
の矩形導波管８８内には、矩形導波管８８内の奥へ冷媒
が漏れ出ることを防止するためにシール部材９６が設け
られている。

【００２１】そして、上記第１の冷却空間７０の一部を
仕切る冷却区画壁６４には、冷媒を内部へ導入するため
の冷媒導入ノズル９８が貫通させて設けられており、こ
のノズル９８の先端は拡径されて上記平面アンテナ部材
６２の中心部の下面に、直接接合されており、ここに設
けた冷媒上昇孔８２内へ直接冷媒を供給するようになっ
ている。また、この冷却区画壁６４には、第１の冷却空
間７０内の冷媒を外へ排出する冷媒排出ノズル１００が
形成されている。尚、図１に示す装置例にあっては、第
１及び第２の冷却空間７０、７８の厚みを大きく記載し
て説明を判り易くしているが、実際にはもっと小さく設
定されているのは勿論である。

【００２２】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、ゲートバルブ５２を介し
て半導体ウエハＷを搬送アームにより処理容器２２内に
収容し、リフタピン（図示せず）を上下動させることに
よりウエハＷを載置台２４の上面の載置面に載置する。
そして、処理ガス供給ノズル３８から例えばＣＦ₄ 等の
エッチングガスを流量制御しつつ供給し、また、ガスノ
ズル４８からプラズマガスとしてＡｒガスを供給し、処
理容器２２内を所定のプロセス圧力、例えば０．１〜数
１０ｍＴｏｒｒの範囲内に維持する。尚、このＡｒガス
を供給しない場合もある。同時にマイクロ波発生器８６
からのマイクロ波を、矩形導波管８８及び矩形・同軸変
換器８９を介して平面アンテナ部材６２と覆い部材７４
で形成される空間に供給してプラズマ生成空間Ｓ１及び
処理空間Ｓに電界を形成し、プラズマ放電によりガスを
解離させてプラズマを発生させ、エッチング処理を行
う。

【００２３】ここで、マイクロ波発生器８６にて発生し
た例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、矩形導波管８
８内に伝播されて平面アンテナ部材６２と覆い部材７４
で形成される空間に供給され、その中で半径方向へ伝播
しながら、多数のスリット８０から下方へ向けて放射さ
れ、この放射マイクロ波はマイクロ波透過窓６０を透過
してプラズマ生成空間Ｓ１側へ導入されることになり、
磁石５０により印加される磁界により電子サイクロトロ
ン共鳴を生ずる。このように、マイクロ波が平面アンテ
ナ部材６２と覆い部材７４で形成される区間を流れる
と、平面アンテナ部材６２はその抵抗によりジュール熱
を発生し、また、遅波材７２は誘電損失を発生して、共
に温度が上昇する傾向となるが、本実施例の場合には、
冷媒によりアンテナ部材６２と遅波材７２が冷却される
ので、温度上昇による問題が発生することはない。

【００２４】すなわち、冷媒導入ノズル９８から導入さ
れた冷媒は、平面アンテナ部材６２の中心の冷媒上昇孔
８２へ直接供給され、この冷媒上昇孔８２を通過して遅
波材７２の貫通孔７３を上昇し、そして、遅波材７２と
接触しつつ、第２の冷却空間７８を矢印Ａに示すように
その中心部から放射状に周辺部に向かって流れて行き、
この時、遅波材７２にて発生した誘電損失による熱を奪
ってこれを冷却する。この冷媒は、第２の冷却空間７８
の周縁部を流下し、平面アンテナ部材６２の周縁部に設
けてある冷媒下降孔８４を通過して第１の冷却空間７０
内に流れ込む。この流れ込んだ冷媒は平面アンテナ部材
６２の下面と接触しつつ、この第１の冷却空間７０内を
流れて行き、この時、アンテナ部材６２にて発生したジ
ュール熱を奪ってこれを冷却することになる。そして、
この冷媒は冷媒排出ノズル１００から系外へ排出され
る。系外へ排出された冷媒は、これを冷却して再度、冷
媒導入ノズル９８へ供給することにより循環使用すれば
よい。

【００２５】このように、冷媒を、冷媒導入ノズル９８
から導入して、これを第２の冷却空間７８及び第１の冷
却空間７０の順に流すことにより、遅波材７２や平面ア
ンテナ部材６２にて発生した熱を奪うことによって、こ
れらを冷却して、例えば常温程度に維持できるので、装
置を繰り返し使用しても従来の装置にて熱伸縮に伴って
発生していた遅波材７２とアンテナ部材６２との接合面
における剥離やアンテナ部材の熱変形が発生することを
未然に防止することができる。このため、部分的にマイ
クロ波が強くなるなどしてマイクロ波に強弱の分布がそ
れほど生ずることもなく、マイクロ波分布を均一に保つ
ことが可能となる。また、冷媒としては、マイクロ波を
吸収し難いもの、例えば冷却ガスを用いることができる
が、特に、熱容量が大きくて誘電損失の小さい低誘電体
冷媒、例えばフロリナート（商品名）やガルデン（商品
名）を用いれば、マイクロ波のエネルギを損失すること
なく、効率的にアンテナ部材６２や遅波材７２を冷却す
ることが可能となる。

【００２６】図示例では、冷媒を第２の冷却空間７８内
へ導入してから冷媒を第１の冷却空間７０内へ流入させ
るようにしたが、この冷媒の流れ方向は特に限定され
ず、どのような方向に流してもよい。また、上記実施例
では、平面アンテナ部材６２の上面に遅波材７２を接合
させて設けるようにしたが、図４に示すように遅波材を
設けていない構造の装置にも適用できる。この場合に
は、平面アンテナ部材６２には、図２に示される多数の
スリット８０は設けるが、遅波材を冷却するために設け
られた冷媒上昇孔や冷媒下降孔は図４に示す装置では設
ける必要がない。また、冷媒導入ノズル９８の構造は、
図１に示す構造と比較して簡単なものでよく、第１の冷
却空間７０内に直接冷媒を導入するようになっている。

【００２７】この変形実施例の場合には、冷媒は主とし
て平面アンテナ部材６２の下面と接しつつ第１の冷却空
間７０内を流れ、冷媒排出ノズル１００から排出される
ことになり、この時、平面アンテナ部材６２は冷却され
ることになる。従って、平面アンテナ部材６２が過加熱
されることはなく、熱変形することを未然に防止するこ
とができる。また、多数のスリット８０を介して平面ア
ンテナ部材６２の上方の第２の冷却空間７８にも冷媒が
浸入するが、矩形導波管８８内の下端側にはシール部材
９４を介在させてあるので、冷媒が矩形導波管８８内の
奥まで浸入することもない。

【００２８】尚、以上の各実施例では、プラズマ処理装
置としてＥＣＲプラズマ処理装置を例にとって説明した
が、この方式のプラズマ処理装置に限定されず、マイク
ロ波を平面アンテナ部材により処理容器内へ放射させる
ようにした構造ならば、本発明は全てのプラズマ処理装
置に適用することができる。また、ここではプラズマエ
ッチング処理を例にとって説明したが、プラズマ成膜処
理、プラズマスパッタ処理、プラズマアッシング処理等
にも適用できるのは勿論である。更には、被処理体とし
て半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板
等にも適用し得る。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮す
ることができる。平面アンテナ部材の近傍に冷却空間を
設けて、これに冷媒を流すことにより平面アンテナ部材
を冷却するようにしたので、熱応力により平面アンテナ
部材が変形することを防止でき、従って、均一性のある
プラズマを安定的に生成することができる。また、平面
アンテナ部材の上面に遅波材を接合させて設けた場合に
は、これらの両者を冷却することによって熱伸縮が発生
することがなくなり、従って、熱膨張差に起因して発生
していた両者の接合面における部分的、或いは全面的な
剥離の発生をなくすことができる。従って、再現性よく
マイクロ波を処理容器内へ投入できるので、均一性のあ
るプラズマを安定的に生成することができる。更に、遅
波材を設けた場合には、この上下に冷却空間を設けて、
これに冷媒を循環させることにより、冷却効率を高めて
一層プラズマの安定的な生成に寄与することができる。
また、冷媒として、誘電損失が小さい低誘電率媒体を用
いることにより、媒体によるマイクロ波の吸収を最小限
にすることができるので、プラズマの生成効率を劣化さ
せることもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を示す構成図で
ある。

【図２】図１に示す装置中の平面アンテナ部材を示す平
面図である。

【図３】図１に示す装置中の遅波材を示す斜視図であ
る。

【図４】本発明の変形例を示す構成図である。

【図５】従来のプラズマ処理装置を示す概略構成図であ
る。

【符号の説明】

２０プラズマエッチング装置（プラズマ処理装置）２２処理容器２４載置台６０マイクロ波透過窓６２平面アンテナ部材６４冷却区画壁７０第１の冷却空間７２遅波材７４覆い部材７８第２の冷却空間８０スリット８２冷媒上昇孔８４冷媒下降孔８６マイクロ波発生器８８矩形導波管９０同軸線９８冷媒導入ノズル１００冷媒排出ノズルＷ半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ２３Ｃ 16/50 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マイクロ波発生器にて発生したマイクロ
波を、導波管を介して平面アンテナ部材に導き、これよ
りマイクロ波透過窓を介して被処理体をプラズマ処理す
る処理容器内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置
において、前記平面アンテナ部材の近傍に冷却空間を形
成し、この冷却空間内に前記平面アンテナ部材を冷却す
る冷媒を流すように構成したことを特徴とするプラズマ
処理装置。
【請求項２】前記冷却空間は、前記マイクロ波透過窓
と前記平面アンテナ部材との間に形成されていることを
特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記平面アンテナ部材の上面には、誘電
体部材よりなる遅波材が接合させて設けられることを特
徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】前記冷却空間は、前記接合された遅波材
と前記平面アンテナ部材の上方と下方に設けられ、前記
冷媒は前記上下の冷却空間間に循環されていることを特
徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記冷媒は、誘電損失が小さい低誘電率
媒体よりなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載のプラズマ処理装置。