JP2009099807A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上部側が開口する気密な処理容器2の開口部20を塞ぐように、誘電体材料により構成された天板5を設け、この天板5を介して前記処理容器2内部にマイクロ波を供給する。前記天板5の下面に、対向する側周面同士の間隔が上に向かって狭くなるような環状の凹部7を周方向に沿って形成し、この凹部7の外縁は、前記天板5の中心よりも外縁に近くなるように位置させる。このような天板5では、前記凹部7内にプラズマが閉じ込められるので、天板5直下では、中央よりも外縁に寄った位置の電子密度が高いプラズマが形成されるが、プラズマは外縁側から外方に拡散しながら降下していくので、ウエハWに到達するときにはプラズマの電子密度が面内において揃えられた状態になる。
【選択図】図1
Description
この処理容器内にガスを供給するためのガス供給部と、
この処理容器内の雰囲気を真空排気するための真空排気手段と、
前記処理容器の上部側開口を塞いで、前記載置台表面と対向して設けられ、マイクロ波を透過する材料により構成された天板と、
この天板の上部に設けられ、当該天板を介して前記処理容器内にマイクロ波を供給し、前記ガスをプラズマ化してプラズマを生成させるためのマイクロ波供給手段と、
前記天板の下面に、前記処理容器の周方向に沿って設けられ、その側周面が傾斜した凹部と、を備え、
この凹部の外縁の位置は、前記天板の中心よりも天板の外縁に近いことを特徴とする。
図1のプラズマ処理装置を用い、図9(a)〜図9(e)に示すように、その下面に形状の異なる環状の凹部が形成された5種類の天板5を用意し、処理容器2内にアルゴン(Ar)ガスを供給した場合の、ウエハW上のAr+フラックス量のウエハWの面内分布についてシミュレーションを行った。
(実施例II)
図1のプラズマ処理装置を用い、図11(a)〜図11(c)に示すように、その下面に形状の異なる環状の凹部が形成された3種類の天板5を用意し、処理容器2内にアルゴン(Ar)ガスを供給した場合の、ウエハW上のAr+フラックス量のウエハWの面内分布についてシミュレーションを行った。
本発明のプラズマ処理装置はエッチング処理のみならず、アッシングやCVD等、他の処理ガスを用いて基板に対して処理を行う処理に適用することができる。また本発明のマイクロ波供給手段は、必ずしも平面アンテナ部材を用いたものに限定されるものではなく、他の手段であってもよい。さらにまた基板としては半導体ウエハWには限られず、FPD基板等であってもよい。
25 真空排気手段
5 天板
6 アンテナ部
61 蓋体
62 平面アンテナ部材
63 遅波板
64 同軸導波管
66 マイクロ波発生装置
67 スリット
7 凹部
W 半導体ウエハ
Claims (5)
- 基板が載置される載置部が内部に設けられ、上部側が開口する気密な処理容器と、
この処理容器内にガスを供給するためのガス供給部と、
この処理容器内の雰囲気を真空排気するための真空排気手段と、
前記処理容器の上部側開口を塞いで、前記載置台表面と対向して設けられ、マイクロ波を透過する材料により構成された天板と、
この天板の上部に設けられ、当該天板を介して前記処理容器内にマイクロ波を供給し、前記ガスをプラズマ化してプラズマを生成させるためのマイクロ波供給手段と、
前記天板の下面に、前記処理容器の周方向に沿って設けられ、その側周面が傾斜した凹部と、を備え、
この凹部の外縁の位置は、前記天板の中心よりも天板の外縁に近いことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記マイクロ波供給手段は、前記天板の上部に設けられ、周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材と、
この平面アンテナ部材に接続され マイクロ波を前記処理容器内に導くための導波管と、を備えることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記凹部の内縁と外縁との間の中間位置は、前記天板の中心よりも外縁に近いことを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
- 前記凹部の側周面は上に向かうにつれて互いに対向する面同士の間隔が狭くなるように傾斜していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載のプラズマ処理装置。
- 前記凹部は、天板の下面に環状に形成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載のプラズマ処理装置。
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