JP2015231050A - 上部誘電石英板及びスロットアンテナの基本概念 - Google Patents
上部誘電石英板及びスロットアンテナの基本概念 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015231050A JP2015231050A JP2015112213A JP2015112213A JP2015231050A JP 2015231050 A JP2015231050 A JP 2015231050A JP 2015112213 A JP2015112213 A JP 2015112213A JP 2015112213 A JP2015112213 A JP 2015112213A JP 2015231050 A JP2015231050 A JP 2015231050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- depth
- grooves
- trench
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32238—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/32119—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 本願で開示されている技術は、プラズマ処理チャンバ内で生成されるプラズマによって基板を処理する装置を含む。一の実施例では、プラズマシステムの誘電板は、均一なプラズマの生成を支援するように構成された構造部位を有して良い。前記構造部位は、前記プラズマに対向する表面上で表面形状を画定する。前記構造部位は、略非線形の断面を有する複数の同心円リングからなる組を含み、かつ、前記誘電板の表面に突出して良い。前記構造部位は、部位の深さ、幅、及び、前記同心円リングに沿って深さと幅を変化させ得る周期的パターンを有して良い。
【選択図】 図1
Description
102 プラズマチャンバ
104 気体供給システム
108 マイクロ波電源
109 真空システム
110 高周波(RF)電源
112 断面図
114 電源集合体
116 基板ホルダ
118 気体の通路
120 アンテナ板
122 マイクロ波導波管
124 誘電部材
126 環状溝
200 誘電部材の実施例の底面図
202 溝
204 上側表面
210 第1表面
212 第2表面
214 深さ線
300 誘電板の他の実施例の断面図
302 誘電板の他の実施例の斜視図
304 第2領域
306 第3領域
400 周期的環状パターンの底面図
406 周期的な溝
408 最小半径
410 最大半径
500 溝の可変深さの実施例の底面図
502 溝の可変深さの実施例の斜視図
504 溝
506 最小深さ部分
508 最大深さ部分
510 内側の溝
Claims (20)
- マイクロエレクトロニクス基板用プラズマ処理装置であって:
前記マイクロエレクトロニクス基板を受け取り可能な基板ホルダ;
前記基板ホルダの反対に設けられるアンテナ;及び、
前記基板ホルダと前記アンテナとの間に設けられる誘電部材、を有し、
前記誘電部材は:
第1表面;
前記第1表面に対向し、かつ、前記第1表面よりも前記アンテナから離れている第2表面;
30mm未満の厚さ;
前記誘電部材の中心点の周りに設けられる2つ以上の同心円状の溝、を有し、
前記溝は:
非線形の断面;
前記誘電部材の第2表面で10mm乃至60mmの幅;及び、
前記第2表面から5mm乃至25mmの深さ、を有する、
マイクロエレクトロニクス基板用プラズマ処理装置。 - 前記同心円状の溝の各々が、前記中心点の周りでリングを形成する、請求項1に記載の装置。
- 前記溝の少なくとも1つの深さが、前記溝に沿った位置で1%以上変化する、請求項1に記載の装置。
- 前記溝が、前記中心点の周りで前記溝の深さを変化させる周期的パターンを有する、請求項1に記載の装置。
- 2つ以上の溝の間での距離が、前記溝に沿った位置で変化する、請求項1に記載の装置。
- 前記溝の各々の深さが互いに異なる、請求項1に記載の装置。
- 前記溝が:
10mm未満の第1深さを有する第1溝;及び、
25mm未満の第2深さを有する第2溝、
を含む、請求項1に記載の装置。 - 前記溝がさらに、前記第2深さよりも深い第3深さ、及び、前記第1溝又は前記第2溝の周囲よりも長い周囲を有する、請求項7に記載の装置。
- 第1表面;
前記第1表面に対向して、環状に配置された2つ以上の溝を有する第2表面、を有する装置であって、
前記溝は:
曲率を有する断面形状;及び、
25mm未満であって、前記第2表面に沿った距離で変化する溝の深さ;
前記第1表面から前記第2表面へ電磁エネルギーを送ることを可能にする誘電部材;及び、
30mm未満の距離を有する前記第1表面と前記第2表面との間の距離、を有する、
装置。 - 前記溝の開口部が、前記溝の環状の位置に沿った前記誘電部材の中心点からの距離で相違する、請求項9に記載の装置。
- 前記溝が60mmの最大幅を有する、請求項9に記載の装置。
- 前記溝が10mmの最小幅を有する、請求項11に記載の装置。
- 前記溝の深さが5mm以上である、請求項9に記載の装置。
- 前記誘電部材の材料が石英を含む、請求項9に記載の装置。
- 前記少なくとも2つの溝が:
第1溝;及び、
前記溝の深さ、前記溝の幅、又は環状パターンのうちの少なくとも1つ以上によって前記第1溝とは異なる第2溝、を有する、
請求項9に記載の装置。 - 第1表面;
前記第1表面に対向して、環状に配置された2つ以上のトレンチを有する第2表面、を有する装置であって、
前記トレンチは:
非線形部分と線形部分を有する断面;
前記第2表面に沿った周期的パターン;
10mm乃至60mmの幅を有する、前記第2表面でのトレンチ開口部の幅;
前記第1表面から前記第2表面へ電磁エネルギーを送ることを可能にする誘電材料;
30mm未満の厚さ、を有する、
装置。 - 前記トレンチが、前記第2表面に沿った距離で変化するトレンチ深さを有し、
前記トレンチ深さは25mm未満である、
請求項16に記載の装置。 - 前記トレンチが:
10mm未満の第1深さを有する第1トレンチ;及び、
25mm未満の第2深さを有する第2トレンチ、を有する、
請求項16に記載の装置。 - 前記トレンチがさらに、前記第2深さよりも深い第3深さ、及び、前記第1トレンチ又は前記第2トレンチの周囲よりも長い周囲を有する第3溝を含む、請求項18に記載の装置。
- 前記2つ以上のトレンチの周期的パターンが位置合わせされている、請求項16に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462007250P | 2014-06-03 | 2014-06-03 | |
US62/007,250 | 2014-06-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015231050A true JP2015231050A (ja) | 2015-12-21 |
JP6062491B2 JP6062491B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=54702609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015112213A Expired - Fee Related JP6062491B2 (ja) | 2014-06-03 | 2015-06-02 | 上部誘電石英板及びスロットアンテナの基本概念 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9947516B2 (ja) |
JP (1) | JP6062491B2 (ja) |
KR (1) | KR101788918B1 (ja) |
TW (1) | TWI611456B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021061203A (ja) * | 2019-10-08 | 2021-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び天壁 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI680609B (zh) * | 2017-07-06 | 2019-12-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 天線結構 |
CN110856331A (zh) * | 2019-11-17 | 2020-02-28 | 北京东方计量测试研究所 | 一种用于空间等离子体环境模拟的均匀射频等离子体源 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005100931A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-04-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2006009213A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
JP2008182102A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 天板部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
JP2009099807A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2009101927A1 (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Limited | マイクロ波プラズマ処理装置の天板、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3594667A (en) * | 1968-11-15 | 1971-07-20 | Varian Associates | Microwave window having dielectric variations for tuning of resonances |
JP2770753B2 (ja) | 1994-09-16 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
EP0831680A4 (en) * | 1996-03-28 | 2000-02-02 | Sumitomo Metal Ind | DEVICE AND METHOD FOR TREATING PLASMA |
JP3723783B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2005-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4756540B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置と方法 |
JP5096047B2 (ja) | 2007-06-14 | 2012-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波透過板 |
US8323521B2 (en) * | 2009-08-12 | 2012-12-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma generation controlled by gravity-induced gas-diffusion separation (GIGDS) techniques |
US8415884B2 (en) * | 2009-09-08 | 2013-04-09 | Tokyo Electron Limited | Stable surface wave plasma source |
-
2015
- 2015-06-01 US US14/727,660 patent/US9947516B2/en active Active
- 2015-06-02 JP JP2015112213A patent/JP6062491B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-03 TW TW104117899A patent/TWI611456B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-06-03 KR KR1020150078798A patent/KR101788918B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005100931A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-04-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2006009213A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
JP2006040638A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2008182102A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 天板部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
JP2009099807A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2009101927A1 (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-20 | Tokyo Electron Limited | マイクロ波プラズマ処理装置の天板、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021061203A (ja) * | 2019-10-08 | 2021-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び天壁 |
WO2021070636A1 (ja) * | 2019-10-08 | 2021-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び天壁 |
JP7300957B2 (ja) | 2019-10-08 | 2023-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び天壁 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101788918B1 (ko) | 2017-11-15 |
TW201611081A (zh) | 2016-03-16 |
KR20150139467A (ko) | 2015-12-11 |
TWI611456B (zh) | 2018-01-11 |
US20150348761A1 (en) | 2015-12-03 |
US9947516B2 (en) | 2018-04-17 |
JP6062491B2 (ja) | 2017-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11476093B2 (en) | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection | |
KR102529263B1 (ko) | 중공 음극 방전 (hcd) 을 억제하는 용량적으로 결합된 플라즈마 전극 및 가스 분배 대면플레이트 | |
US7988814B2 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component | |
TWI502619B (zh) | 用於電漿處理設備之電極、電漿處理設備、以及使用電漿處理設備產生電漿的方法 | |
JP4833469B2 (ja) | 面積の大きな基板の処理のためのプラズマ反応装置 | |
KR101839414B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법 | |
US20170069466A1 (en) | Process chamber for cyclic and selective material removal and etching | |
US10796916B2 (en) | Microwave plasma device | |
US10388528B2 (en) | Non-ambipolar electric pressure plasma uniformity control | |
JP2016522539A (ja) | 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置 | |
JP6062491B2 (ja) | 上部誘電石英板及びスロットアンテナの基本概念 | |
US9431218B2 (en) | Scalable and uniformity controllable diffusion plasma source | |
TW201421793A (zh) | 天線及電漿處理裝置 | |
US9793095B2 (en) | Microwave surface-wave plasma device | |
CN112534552B (zh) | 等离子处理装置 | |
KR102340365B1 (ko) | 유도 결합형 플라즈마 소스용 안테나 구조 | |
JP2005149956A (ja) | 大面積高均一プラズマ処理方法及び装置 | |
KR20060026321A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6062491 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |