JP2005149956A - 大面積高均一プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
従来のプロセス法の欠点を解決できる大面積高均一プラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】
RF又はマイクロ波などの1MHz以上の高周波電源を用いた大面積高均一プラズマ処理装置において、ノズル又はガス吹出孔を備え、プロセスガスをプラズマ分解してプラズマの生成される放電空間にプロセスガス種を集中的に導入できるように構成した1系統以上のガス供給系を有し、プラズマ生成部の下流域における、ガス流れの影響を受ける領域にガス供給系に対し垂直に基板を設置し、ガス供給系のノズル又はガス吹出孔から基板の表面までの領域においてガス流が分子流から粘性流に設定できるように構成したガス排気系を有することを特徴としている。また、RF又はマイクロ波などの1MHz以上の高周波電源を用いて大面積の基板をプラズマ処理する方法において、プロセスガスをプラズマ分解してプラズマの生成される放電空間にプロセスガスを集中的に導入して、衝撃波を発生させ、基板表面上で粗密波によるガスの移動が生じるようにすることを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
図1には、本発明の一実施の形態による磁気中性線放電プラズマ発生装置を用いたエッチング装置を示す。
2:真空チャンバーの側壁
3:排気口
4:真空チャンバー1の天板
5:プロセスガス導入用ノズル
6:基板支持台
7:基板バイアス用電極
8:エッチングすべき基板
9:マッチングボックス
10:高周波電源
11:円環状電磁コイル
12:高周波電力投入用のアンテナ
13:マッチングボックス
14:高周波電源
Claims (6)
- RF又はマイクロ波などの1MHz以上の高周波電源を用いたプラズマプロセス用装置であって、ノズル又はガス吹出孔を備え、プロセスガスをプラズマ分解してプラズマの生成される放電空間にプロセスガス種を集中的に導入できるように構成した1系統以上のガス供給系を有し、プラズマ生成部の下流域における、ガス流れの影響を受ける領域にガス供給系に対し垂直に基板を設置し、ガス供給系のノズル又はガス吹出孔から基板の表面までの領域においてガス流が分子流から粘性流に設定できるように構成したガス排気系を有することを特徴とする大面積高均一プラズマ処理装置。
- プラズマの生成される放電空間にプロセスガスを導入するガス供給系が、プラズマ生成室内に衝撃波を発生させて積極的なガス流れを形成できるように内径20mmφ以下のノズルを備えていることを特徴とする請求項1記載の大面積高均一プラズマ処理装置。
- プラズマの生成される放電空間にプロセスガスを導入するガス供給系が、プラズマ生成室内に衝撃波を発生させて積極的なガス流れを形成できるように断面積400mm2以下のガス吹出孔を備えていることを特徴とする請求項1記載の大面積高均一プラズマ処理装置。
- 装置内壁から基板までの距離に対するノズル又はガス吹出孔から基板までの距離の比が0.2以上3以下の幾何学的構造をもつことを特徴とする請求項1記載の大面積高均一プラズマ処理装置。
- 放電空間中央部にガスを導入し、導入されたガス流を含む領域に高周波電源により静電結合型又は誘導結合型、或いはマイクロ波などの放電プラズマを生成し、無磁場、ないしは電磁コイル又は永久磁石、或いはそれらの複合により該プラズマヘの磁気的な相互作用のための均一磁場、磁気ミラー又はカスプ、或いは磁気中性領域などの磁場配位を印加するように構成したことを特徴とする請求項1に記載の大面積高均一プラズマ処理装置。
- RF又はマイクロ波などの1MHz以上の高周波電源を用いて大面積の基板をプラズマ処理する方法において、プロセスガスをプラズマ分解してプラズマの生成される放電空間にプロセスガスを集中的に導入して、衝撃波を発生させ、基板表面上で粗密波によるガスの移動が生じるようにすることを特徴とする大面積高均一プラズマ処理方法。
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