JPH076961A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents

プラズマ気相成長装置

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JPH076961A
JPH076961A JP5144144A JP14414493A JPH076961A JP H076961 A JPH076961 A JP H076961A JP 5144144 A JP5144144 A JP 5144144A JP 14414493 A JP14414493 A JP 14414493A JP H076961 A JPH076961 A JP H076961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
wafer
straightening plate
plate
plasma vapor
Prior art date
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Pending
Application number
JP5144144A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Kinoshita
孝幸 木下
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NEC Yamaguchi Ltd
Original Assignee
NEC Yamaguchi Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】成長ガスを整流板と上部電極を通してウェハー
上で反応させ膜成長を行う場合にウェハー上へのガス供
給量が面内で不均一になるのを防ぐ。 【構成】整流板８上に、リング９や円板１０を乗せる。
これにより、反応室内においてガス導入部２より導入さ
れた成長ガスが整流板８のガス放出穴を通る際に、整流
板８面内においてガス供給量が不均一になるのを防ぎ、
ウェハー面内の膜厚均一性が悪化するのを防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ気相成長装置に
関し、特に整流板を通してウェハー上に垂直にガスを供
給するプラズマ気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ気相成長装置は、図３に
示すように真空ポンプ４と上部・下部電極７，５と電極
間に高周波電圧を印加する高周波発振器１と真空反応室
３と成長ガスを供給するガス導入部２とこの反応ガスを
整流する整流板８を有している。
【０００３】ウェハーの表面に膜を成長する場合、真空
ポンプ４により排気されている真空反応室３内にガス導
入部２によって成長ガスが供給され、電極７に高周波発
振器１より高周波電圧を印加する。電極５はアースに接
続されており、これにより電極間にプラズマが発生し、
ガス導入部より導入された成長ガスが整流板８を通り、
ウェハー６の表面に膜が成長させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のプラズマ気
相成長装置では、成長条件によりウェハー中央と周辺の
膜の成長速度がガスの流れにより変化し、これを制御す
る為には穴の分布の異なる整流板の作製し交換しなけれ
ばならないという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ２気相
成長装置は、ウェハーを下部電極上に乗せ、上部電極板
との間でプラズマを発生させ多数の穴を通しウェハーへ
反応ガスを供給する整流板のガス放出穴を部分的に塞ぐ
構造を備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例のプラズマ気相成
長装置の構成図である。
【０００８】真空ポンプ４と上部・下部電極７．５と電
極間に高周波電圧を印加する高周波発振器１と真空反応
室３と成長ガスを供給するガス導入部２とこのガスを整
流する整流板８とこの整流板上に、ウェハー周辺部への
ガス供給量を抑制する為に、本発明のリング９を有す
る。リング９は、アルミ導体で形成され、必要に応じて
電極板を交換することなしにリング９を取り付けるだけ
で、ガス供給量を抑制できる。ウェハー６の表面に膜を
成長する場合、真空ポンプ４により排気されている真空
反応室３内にガス導入部２によってガスが供給され電極
７に高周波発振器１より高周波電圧を印加する。電極５
はアースに接続されておりこれにより電極間にプラズマ
が発生しガス導入部２より導入された反応ガスが整流板
８上のリング９に塞がれてないガス放出穴のみを通りウ
ェハー６の表面に膜が成長される。
【０００９】図２は本発明の実施例２の構成図である。
整流板８上に円板１０を乗せ、ガス導入部２より導入さ
れた反応ガスを抑制し、ウェハー面内の中央部で膜厚が
高い場合に面内膜厚均一性が向上する。
【００１０】この実施例では、円板１０の大きさや整流
板８上に乗せる場所を変えることが出来るので、様々な
傾向の面内膜厚分布に対応できる利点がある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は成長条件に
対応して、ガス供給量を制御できる様に、リングや円板
を使用することにより整流板のガス放出穴を塞ぎ、図４
に示す様にウェハー面内膜厚均一性が向上し製品の歩留
りが向上するという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成図。
【図２】本発明の実施例２の構成図。
【図３】従来のプラズマ気相成長装置の構成図。
【図４】ウェハー面内膜厚均一性の変化を示す説明図。
【符号の説明】
１ 高周波発振器 ２ ガス導入部 ４ 真空ポンプ ５ 下部電極 ６ ウェハー ７ 上部電極 ８ 整流板 ９ リング １０ 円板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応室内上下電極間にプラズマを発生さ
    せ、上部より反応ガスを供給し電極間に置いたウェハー
    表面に酸化膜などを気相成長させるプラズマ気相成長装
    置において供給ガスのフローを電極板上部に設置したガ
    ス放出板（以下、整流板とする）により制御することを
    特徴とするプラズマ気相成長装置。
JP5144144A 1993-06-16 1993-06-16 プラズマ気相成長装置 Pending JPH076961A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0835067A (ja) * 1994-07-20 1996-02-06 G T C:Kk 成膜装置および成膜方法
JPH09115836A (ja) * 1995-09-29 1997-05-02 Hyundai Electron Ind Co Ltd 薄膜蒸着装置
JP2005149956A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Ulvac Japan Ltd 大面積高均一プラズマ処理方法及び装置
US8321883B2 (en) 2008-12-15 2012-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Disk drive with encoder holder indentation
CN102978589A (zh) * 2012-12-04 2013-03-20 中国科学院电工研究所 一种pecvd喷淋电极

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01156477A (ja) * 1987-12-14 1989-06-20 Furukawa Electric Co Ltd:The プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極
JPH02185978A (ja) * 1989-01-11 1990-07-20 Kokusai Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPH02260632A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH04654U (ja) * 1990-04-13 1992-01-07
JPH0437124A (ja) * 1990-06-01 1992-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01156477A (ja) * 1987-12-14 1989-06-20 Furukawa Electric Co Ltd:The プラズマｃｖｄ装置用シャワー電極
JPH02185978A (ja) * 1989-01-11 1990-07-20 Kokusai Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPH02260632A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH04654U (ja) * 1990-04-13 1992-01-07
JPH0437124A (ja) * 1990-06-01 1992-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0835067A (ja) * 1994-07-20 1996-02-06 G T C:Kk 成膜装置および成膜方法
JPH09115836A (ja) * 1995-09-29 1997-05-02 Hyundai Electron Ind Co Ltd 薄膜蒸着装置
US5948167A (en) * 1995-09-29 1999-09-07 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
JP2005149956A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Ulvac Japan Ltd 大面積高均一プラズマ処理方法及び装置
US8321883B2 (en) 2008-12-15 2012-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Disk drive with encoder holder indentation
CN102978589A (zh) * 2012-12-04 2013-03-20 中国科学院电工研究所 一种pecvd喷淋电极
CN102978589B (zh) * 2012-12-04 2014-10-15 中国科学院电工研究所 一种pecvd喷淋电极

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970325