JPH0330326A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0330326A JPH0330326A JP16471989A JP16471989A JPH0330326A JP H0330326 A JPH0330326 A JP H0330326A JP 16471989 A JP16471989 A JP 16471989A JP 16471989 A JP16471989 A JP 16471989A JP H0330326 A JPH0330326 A JP H0330326A
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- JP
- Japan
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- wafer
- wafer stage
- stage
- semiconductor manufacturing
- etched
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分母〕
この発明は枚葉式のプラズマＣＶＤ装置、プラズマエツ
チング装置に関するものである。
チング装置に関するものである。
〔従来の技術」
第２図は従来の枚葉式プラズマエツチング装置で、図に
おいて、（１）はプロセスチャンバ、（２）は上部電極
、（３月よ下部電極（ウェハステージ兼用）、（４）は
反応ガス入口、（５）は排気口、（６）はウェハ、（７
）は高周波１１Ｎ、（８）は０リングである。
おいて、（１）はプロセスチャンバ、（２）は上部電極
、（３月よ下部電極（ウェハステージ兼用）、（４）は
反応ガス入口、（５）は排気口、（６）はウェハ、（７
）は高周波１１Ｎ、（８）は０リングである。
次に動作について説明する。反応ガスを反応ガス入口（
４ンからプロセスチャンバ（１）内に流しながら、上部
？に極（２）と下部電極（３（との間に、高周波ｆｆｉ
！！ ＃ （７）で高周波電圧をかけてプラズマ数丁１
を発生させ、そのエネルギーでウェハ（６）上の膜をエ
ツチングする。反応後のガスは排気口（５ンより排気さ
れる。この時、ウェハ（６タの裏面は下部ＩＩ極（３］
に密着しており、ウェハ四の裏面の膜をエツチングする
ことはできない。
４ンからプロセスチャンバ（１）内に流しながら、上部
？に極（２）と下部電極（３（との間に、高周波ｆｆｉ
！！ ＃ （７）で高周波電圧をかけてプラズマ数丁１
を発生させ、そのエネルギーでウェハ（６）上の膜をエ
ツチングする。反応後のガスは排気口（５ンより排気さ
れる。この時、ウェハ（６タの裏面は下部ＩＩ極（３］
に密着しており、ウェハ四の裏面の膜をエツチングする
ことはできない。
〔発明が解決しようとする課題」
従来の枚葉式プラズマエツチング装置δは以上の様に構
成されていたので、ウェハ裏面のＭ ’ｒ 工’／チン
グする事ができず、その為、ウェハ表面をエツチングす
る場合、ウェハ表面のエツチングを防ぐ為に保護膜をつ
けた後、再びエツチングを行わなければならないので、
工程が長くなるという問題点があった。
成されていたので、ウェハ裏面のＭ ’ｒ 工’／チン
グする事ができず、その為、ウェハ表面をエツチングす
る場合、ウェハ表面のエツチングを防ぐ為に保護膜をつ
けた後、再びエツチングを行わなければならないので、
工程が長くなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、ウェハの表面、並びに裏面を同時（こエツチン
グすることができる半導体製造装置を１＠ることを目的
とする。
もので、ウェハの表面、並びに裏面を同時（こエツチン
グすることができる半導体製造装置を１＠ることを目的
とする。
この発明に係る半導体製造装置は枚葉式プラズマエツチ
ング装置のウェアステージをくり抜き型にし、ウェハス
テージの上部、及び下部に″［極を設けるようにしたも
のである。
ング装置のウェアステージをくり抜き型にし、ウェハス
テージの上部、及び下部に″［極を設けるようにしたも
のである。
この発明における枚葉式プラズマエツチング装置は、下
部ｉＪＬ極（ウェハステージ）がくり抜き型で且つこの
下部電極（ウェハステージンの上部、下部に電極が設け
られているので、ウェハの上部、下部でプラズマを発生
させ、ウェハの表面、並びに裏面を同時にエツチングす
ることができる。
部ｉＪＬ極（ウェハステージ）がくり抜き型で且つこの
下部電極（ウェハステージンの上部、下部に電極が設け
られているので、ウェハの上部、下部でプラズマを発生
させ、ウェハの表面、並びに裏面を同時にエツチングす
ることができる。
°以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）はプロセスチャンバ、（２ンは
上部電極、（３Ｉは下部電極（ウェハステージ）、（４
）は反応ガス入口、（６）は排気口、（６）はウェハ、
（７）は高周波電源、（８）はＯリング、（９）は増設
電極である０次に動作について説明する。
上部電極、（３Ｉは下部電極（ウェハステージ）、（４
）は反応ガス入口、（６）は排気口、（６）はウェハ、
（７）は高周波電源、（８）はＯリング、（９）は増設
電極である０次に動作について説明する。
従来の装置では第２図に示すよう１ζ、ウェハ表面しか
エツチングを行う事かでさなかったが、本実施例では第
１図（こ示すよう１ζ上部電極（ウェハステージ）（３
λをくり抜き型−こし、下部電極（３）の下に増設［極
（９）を設ける事により、ウェハ（６）の表面、並び−
こ裏面を同時にエツチングする事ができる。
エツチングを行う事かでさなかったが、本実施例では第
１図（こ示すよう１ζ上部電極（ウェハステージ）（３
λをくり抜き型−こし、下部電極（３）の下に増設［極
（９）を設ける事により、ウェハ（６）の表面、並び−
こ裏面を同時にエツチングする事ができる。
なお、上記実施例ではウェハ表面、並びに裏面を同時に
エツチングする場合を示したが、４周波電圧の印加の仕
方、あるいは反応ガスの流量の調節等により、ウェハ表
面のみ、あるいはウェハ表面のみのエツチング、または
ウェハ表面と裏面でエツチングレートを変える事も可能
で、勿論デポジションすることも可能である。
エツチングする場合を示したが、４周波電圧の印加の仕
方、あるいは反応ガスの流量の調節等により、ウェハ表
面のみ、あるいはウェハ表面のみのエツチング、または
ウェハ表面と裏面でエツチングレートを変える事も可能
で、勿論デポジションすることも可能である。
〔発明の効果」
以上の様−ζこの発明によれば、ウェハの表面、並びｌ
ζ裏面を同時−こ、あるいは遭択的にエツチング、デポ
ジション処理が同時にできる（・〕で、例えハハウエバ
面のみをエツチングする場合でもウェハ表面に保護膜を
つける必要がなく、余分な手間がかからないという効果
がある。
ζ裏面を同時−こ、あるいは遭択的にエツチング、デポ
ジション処理が同時にできる（・〕で、例えハハウエバ
面のみをエツチングする場合でもウェハ表面に保護膜を
つける必要がなく、余分な手間がかからないという効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例Ｉζよる枚葉式プラズマエ
ツチグ装置の断面図、第２図は従来の枚葉式プラズマエ
ツチング装置の断面図である。図において、（１）はプ
ロセスチャンバ、（２目よ上部）ＩＥ ＩＬｉｊ、（３
目よ下部？ＩＣ極（ウェハステージ兼用） 、 （４）
は反応ガス入口、（Ｓ）は排気口、（１１）はウェハ、
（７）は高周波＆Ｍ圧、（８目よ０リング、（９）ｉよ
増設電極を示す５なお、図中、同一符号は同一、又は相
当部分を示す。
ツチグ装置の断面図、第２図は従来の枚葉式プラズマエ
ツチング装置の断面図である。図において、（１）はプ
ロセスチャンバ、（２目よ上部）ＩＥ ＩＬｉｊ、（３
目よ下部？ＩＣ極（ウェハステージ兼用） 、 （４）
は反応ガス入口、（Ｓ）は排気口、（１１）はウェハ、
（７）は高周波＆Ｍ圧、（８目よ０リング、（９）ｉよ
増設電極を示す５なお、図中、同一符号は同一、又は相
当部分を示す。
Claims (1)
- ２つの平行平板電極を有し、この平板電極間にウェハ
周辺を保持する電極を兼ねたウェハステージを設ける事
により、２つのプラズマ反応室を持ち且つこの２つの反
応室内の反応条件をそれぞれ独立に制御する事を特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16471989A JPH0330326A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16471989A JPH0330326A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330326A true JPH0330326A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15798593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16471989A Pending JPH0330326A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330326A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0729176A2 (de) * | 1995-02-21 | 1996-08-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Damage-Ätzen der Rückseite einer Halbleiterscheibe bei geschützter Scheibenvorderseite |
| EP0701276A3 (de) * | 1994-09-09 | 1996-09-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Rückseitenätzung einer mit Siliziumdioxid beschichteten Halbleiterscheibe mit Fluorwasserstoffgas |
| JP2002093722A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマｃｖｄ装置、薄膜形成方法および太陽電池の製造方法 |
| JP2010521051A (ja) * | 2007-03-12 | 2010-06-17 | アイクストロン、アーゲー | 改善された処理能力のための新規なプラズマシステム |
| JP2011035257A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Showa Denko Kk | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| CN102560636A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
| CN104630743A (zh) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 一种薄膜沉积设备及方法 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16471989A patent/JPH0330326A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701276A3 (de) * | 1994-09-09 | 1996-09-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Rückseitenätzung einer mit Siliziumdioxid beschichteten Halbleiterscheibe mit Fluorwasserstoffgas |
| EP0729176A2 (de) * | 1995-02-21 | 1996-08-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Damage-Ätzen der Rückseite einer Halbleiterscheibe bei geschützter Scheibenvorderseite |
| EP0729176A3 (de) * | 1995-02-21 | 1997-11-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Damage-Ätzen der Rückseite einer Halbleiterscheibe bei geschützter Scheibenvorderseite |
| JP2002093722A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマｃｖｄ装置、薄膜形成方法および太陽電池の製造方法 |
| JP4496401B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-07-07 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ装置および太陽電池の製造方法 |
| JP2010521051A (ja) * | 2007-03-12 | 2010-06-17 | アイクストロン、アーゲー | 改善された処理能力のための新規なプラズマシステム |
| JP2011035257A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Showa Denko Kk | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| CN102560636A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
| CN104630743A (zh) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 一种薄膜沉积设备及方法 |
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