JPS58199870A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS58199870A JPS58199870A JP8258582A JP8258582A JPS58199870A JP S58199870 A JPS58199870 A JP S58199870A JP 8258582 A JP8258582 A JP 8258582A JP 8258582 A JP8258582 A JP 8258582A JP S58199870 A JPS58199870 A JP S58199870A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- distance
- electrodes
- etching
- electrode
- Prior art date
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- Granted
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ドライエツチング装置、特に半導体基板（以
下ウェハーという）上に形成された膜あるいは基板をド
ライエツチングする場合におけるウェハー内の膜のエツ
チング速度を均一にするようにしたドライエツチング装
置に関するものである。
下ウェハーという）上に形成された膜あるいは基板をド
ライエツチングする場合におけるウェハー内の膜のエツ
チング速度を均一にするようにしたドライエツチング装
置に関するものである。
半導体装置におけるパターン形成にドライエツチングを
利用するのは有効である。特に平行平板電極枚葉型ドラ
イエツチング装置を使用することによって、従来のバッ
チ型ドライエツチング装置に比べ、再現性、均一性にす
ぐれたエツチングを行うことができるが、前記膜あるい
は基板の、ウェハー内での均一なエツチング方法か見い
出されていないのが現状である。プラズマの放電密度の
不均一性や、エツチングガスの流れ方によってウェハー
内の中央部と外周部でエツチング速度が異なってくる。
利用するのは有効である。特に平行平板電極枚葉型ドラ
イエツチング装置を使用することによって、従来のバッ
チ型ドライエツチング装置に比べ、再現性、均一性にす
ぐれたエツチングを行うことができるが、前記膜あるい
は基板の、ウェハー内での均一なエツチング方法か見い
出されていないのが現状である。プラズマの放電密度の
不均一性や、エツチングガスの流れ方によってウェハー
内の中央部と外周部でエツチング速度が異なってくる。
ウェハー内でのエツチング速度はプラズマ放電密度のバ
ラツキからウェハーの外周部の方が中央部より大きくな
る。また、エツチングガスの注入場所に近い方がエッチ
ャントが多いため、エツチング速度が大きい。
ラツキからウェハーの外周部の方が中央部より大きくな
る。また、エツチングガスの注入場所に近い方がエッチ
ャントが多いため、エツチング速度が大きい。
そこで、本発明はウエノ・−の中央部と外周部とに対応
する電極間の距離を異ならせて、エツチング速度のバラ
ツキをなくすようにしたことを特徴とするものである。
する電極間の距離を異ならせて、エツチング速度のバラ
ツキをなくすようにしたことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面によって説明する。
第１図は従来の平行平板電極型枚葉型ドライエツチング
装置の構成図であって、従来はエツチングガスか流通す
るエツチング室１内Ｇこ対向させて電極２ａ、２ｂを平
行に設置し、一方の電極２ａ上にウェハー３を載置して
ウエノ・−６上Ｇこ形成された膜（５ｉｎ２．Ｐｏ１ｙ
−８ｉ 、 Ｓｉ、 Ａｕ等）或いは基板をト。
装置の構成図であって、従来はエツチングガスか流通す
るエツチング室１内Ｇこ対向させて電極２ａ、２ｂを平
行に設置し、一方の電極２ａ上にウェハー３を載置して
ウエノ・−６上Ｇこ形成された膜（５ｉｎ２．Ｐｏ１ｙ
−８ｉ 、 Ｓｉ、 Ａｕ等）或いは基板をト。
ライエツチングしていた。４はマッチングポ゛ンクス、
５はＲＦｉ源である。また、工・ンチンク゛室１の排気
側にはメカニカルブースターポンプ６、ロータリーポン
プ７が設置されている。
５はＲＦｉ源である。また、工・ンチンク゛室１の排気
側にはメカニカルブースターポンプ６、ロータリーポン
プ７が設置されている。
このように対をなす電極２ａ、２ｂが平行であると、ウ
ェハーの外周部と中央部とでは工゛ンチング速度にバラ
ツキが生ずるのであり、特番こ平′行平板電極の場合、
対をなす電極間距離は、ドライエツチングにおけるエツ
チング速度、工゛７チンク′ノ均−性を制御するために
必要なノぐラメータとなり、電極間距離を短くすると、
プラズマ電位力（／ＪＸさくなりエツチング速度が小さ
くなる、とし＼う現象力（生ずる。
ェハーの外周部と中央部とでは工゛ンチング速度にバラ
ツキが生ずるのであり、特番こ平′行平板電極の場合、
対をなす電極間距離は、ドライエツチングにおけるエツ
チング速度、工゛７チンク′ノ均−性を制御するために
必要なノぐラメータとなり、電極間距離を短くすると、
プラズマ電位力（／ＪＸさくなりエツチング速度が小さ
くなる、とし＼う現象力（生ずる。
第２図は本発明の一実施例を示すもので、ウェハー設置
用電極２ａと対向する電極２ｂの中央部分に窪みを設は
端部に向けて傾斜面８，８を形成し、ウェハー３の中央
部分に対応する両電極２ａ。
用電極２ａと対向する電極２ｂの中央部分に窪みを設は
端部に向けて傾斜面８，８を形成し、ウェハー３の中央
部分に対応する両電極２ａ。
２ｂ間の距離より、ウェハー３の外周部に対応する両電
極２ａ、２ｂ間の距離を短くしたものである。ウェハー
内でのエツチング速度はプラズマ放ｔｅ度のバラツキか
らウェハー３の外周部の方が中央部より大きくなるが、
本実施例ではエツチング速度が大きくなるウェハー６の
外周部に対応した電極２ａ、２ｂ間距離が短くなるので
、ウェハー乙の外周部でのエツチング速度が小さくなり
、ウェハー内のエツチング速度を補正テキる。
極２ａ、２ｂ間の距離を短くしたものである。ウェハー
内でのエツチング速度はプラズマ放ｔｅ度のバラツキか
らウェハー３の外周部の方が中央部より大きくなるが、
本実施例ではエツチング速度が大きくなるウェハー６の
外周部に対応した電極２ａ、２ｂ間距離が短くなるので
、ウェハー乙の外周部でのエツチング速度が小さくなり
、ウェハー内のエツチング速度を補正テキる。
また、第３図はウェハー３の外周部に対応する電極２ａ
、２ｂ間の両側の距離ａ、ｂを、エツチングガスの流れ
てくる方向Ａに対してガス流入側Ａの距離ａをガス流出
側Ｂの距離すより短くした例、また、第４図は第３図に
おける上部の電極２ｂの中央部分に窪みを設けてその端
部に向けて傾斜面８／、 ８／を形成した例である。い
ずれの構成でもウェハー中央部に対応する電極間の距離
と、ウェハー外周部に対応する電極間の距離とが異なる
とともに、電極両側間の距離も異なり、エツチングガス
の流入側Ａの距離ａが流出側Ｂの距離すより短くなるの
で、ガス流入側のエッチャントが少なくナリ、エツチン
グ速度を補正できる。
、２ｂ間の両側の距離ａ、ｂを、エツチングガスの流れ
てくる方向Ａに対してガス流入側Ａの距離ａをガス流出
側Ｂの距離すより短くした例、また、第４図は第３図に
おける上部の電極２ｂの中央部分に窪みを設けてその端
部に向けて傾斜面８／、 ８／を形成した例である。い
ずれの構成でもウェハー中央部に対応する電極間の距離
と、ウェハー外周部に対応する電極間の距離とが異なる
とともに、電極両側間の距離も異なり、エツチングガス
の流入側Ａの距離ａが流出側Ｂの距離すより短くなるの
で、ガス流入側のエッチャントが少なくナリ、エツチン
グ速度を補正できる。
上述した実施例によるドライエツチング装置を実験した
結果、第２図、のものでは従来に比へ４０％以上、第６
図のものでは従来に比べ１０％以上、第４図のものでは
従来に比べ５０％以上工・ノチング速度のバラツキを補
正することができた。また、第２図の実施例の装置はエ
ツチング時の圧カカ１１００ｍＴｏｒｒ以下の場合は、
カソードカ゛ンプ１ノンク。
結果、第２図、のものでは従来に比へ４０％以上、第６
図のものでは従来に比べ１０％以上、第４図のものでは
従来に比べ５０％以上工・ノチング速度のバラツキを補
正することができた。また、第２図の実施例の装置はエ
ツチング時の圧カカ１１００ｍＴｏｒｒ以下の場合は、
カソードカ゛ンプ１ノンク。
方式に、２００ｍＴｏｒｒ以上の場合は、力゛ノート°
カップリング、アンードカップリング方式の両方に適用
できる。
カップリング、アンードカップリング方式の両方に適用
できる。
以上のように本発明は、ウエノ・−中央部と外周部とに
対応する電極間の距離を異ならせたので、ウェハー内の
エツチング速度を補正してノマラツキをなくすことがで
きる効果を有するものである。
対応する電極間の距離を異ならせたので、ウェハー内の
エツチング速度を補正してノマラツキをなくすことがで
きる効果を有するものである。
第１図は、従来の平行平板電極型枚葉式ト°ライエツチ
ング装置の基本構成図、第２図、第３図、第４図は、本
発明を適用した対向電極を有する装置の構成図である。 １・・・ウェハー ２ａ、２ｂ・・電極特許出
願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 菅 野 中 ′−４−４，〕 第４図
ング装置の基本構成図、第２図、第３図、第４図は、本
発明を適用した対向電極を有する装置の構成図である。 １・・・ウェハー ２ａ、２ｂ・・電極特許出
願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 菅 野 中 ′−４−４，〕 第４図
Claims (1)
- （１１半導体基板設置用電極と該電極に対向した電極と
を有する枚葉型ドライエツチング装置において、半導体
基板の中央部分に対応する電極間の距離と、半導体基板
の外周部に対応する電極間の距離とを異ならせたことを
特徴とするドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258582A JPS58199870A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258582A JPS58199870A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199870A true JPS58199870A (ja) | 1983-11-21 |
| JPS6230267B2 JPS6230267B2 (ja) | 1987-07-01 |
Family
ID=13778551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8258582A Granted JPS58199870A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238981A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Ulvac Corp | 高周波エツチングの均一化方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512733A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Dry process etching device |
| JPS5658975A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-22 | Eaton Corp | Plasma etching apparatus |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP8258582A patent/JPS58199870A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512733A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Dry process etching device |
| JPS5658975A (en) * | 1979-09-27 | 1981-05-22 | Eaton Corp | Plasma etching apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238981A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Ulvac Corp | 高周波エツチングの均一化方法 |
| JPS6366909B2 (ja) * | 1985-04-16 | 1988-12-22 | Ulvac Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230267B2 (ja) | 1987-07-01 |
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