JPS6366909B2 - - Google Patents
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- JPS6366909B2 JPS6366909B2 JP60079251A JP7925185A JPS6366909B2 JP S6366909 B2 JPS6366909 B2 JP S6366909B2 JP 60079251 A JP60079251 A JP 60079251A JP 7925185 A JP7925185 A JP 7925185A JP S6366909 B2 JPS6366909 B2 JP S6366909B2
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- Japan
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- anode
- cathode
- flat plate
- etching
- substrate
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高周波電源に接続した電極にシリコン
ウエハ等の基板を取付け、これに均一にエツチン
グを施す方法に関する。
ウエハ等の基板を取付け、これに均一にエツチン
グを施す方法に関する。
(従来の技術)
従来、基板に高周波電源によりエツチングする
ことは行なわれており、基板に施されるエツチン
グが不均一になると陽極と陰極の電極間距離を変
えることも行なわれている。
ことは行なわれており、基板に施されるエツチン
グが不均一になると陽極と陰極の電極間距離を変
えることも行なわれている。
(発明が解決しようとする問題点)
電極間距離を変えてエツチングの不均一を修正
すると、調節したい個所以外のエツチング速度が
変えられてしまうことが多く、基板全体を均一に
エツチングするための調節が容易でない。本発明
はエツチングの速度を簡単に部分的に調節して基
板全体の均一なエツチングを行なう方法を提供す
ることを目的とするものである。
すると、調節したい個所以外のエツチング速度が
変えられてしまうことが多く、基板全体を均一に
エツチングするための調節が容易でない。本発明
はエツチングの速度を簡単に部分的に調節して基
板全体の均一なエツチングを行なう方法を提供す
ることを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明では、平板状の陽極と陰極を真空室内に
平行して設け、該陰極を高周波電源に接続し、該
陰極に設けた基板にエツチングを施すようにした
ものに於て、該陽極の前面に間隔を存してこれと
同電位で且つグロー放電が侵入する多数の孔部を
備えた多孔平板を設け、基板のエツチング速度の
低い個所の多孔平板と陽極との距離を大きくする
ように調節し、その速度の高い個所の該距離を小
さくするように調節するようにした。
平行して設け、該陰極を高周波電源に接続し、該
陰極に設けた基板にエツチングを施すようにした
ものに於て、該陽極の前面に間隔を存してこれと
同電位で且つグロー放電が侵入する多数の孔部を
備えた多孔平板を設け、基板のエツチング速度の
低い個所の多孔平板と陽極との距離を大きくする
ように調節し、その速度の高い個所の該距離を小
さくするように調節するようにした。
(作用)
高周波電源よりの通電により陽極と基板を取付
けた陰極との間にグロー放電が発生するが、該グ
ロー放電は陽極の前方に設けた該陽極と同電位の
多孔平板の孔内に入り込み、該孔内のグローは孔
の内壁間を往復する電子によつて強いグローにな
る。しかも多孔平板の背後の近くに陽極が存在す
ると該孔を通して大きくグローは拡がらないが、
その背後の近くに陽極がないと該孔を通して大き
くグローが拡がり、そのグローも強くなるので基
板のエツチングの速度が遅い個所に対向する多孔
平板を陽極から離し、陰極に接近させればその個
所のエツチング速度を速くすることが出来る。
けた陰極との間にグロー放電が発生するが、該グ
ロー放電は陽極の前方に設けた該陽極と同電位の
多孔平板の孔内に入り込み、該孔内のグローは孔
の内壁間を往復する電子によつて強いグローにな
る。しかも多孔平板の背後の近くに陽極が存在す
ると該孔を通して大きくグローは拡がらないが、
その背後の近くに陽極がないと該孔を通して大き
くグローが拡がり、そのグローも強くなるので基
板のエツチングの速度が遅い個所に対向する多孔
平板を陽極から離し、陰極に接近させればその個
所のエツチング速度を速くすることが出来る。
(実施例)
本発明の実施例を図面につき説明すると、第1
図に於て1は真空室、2,3は該真空室1内に互
に平行して設けた平板状の陽極と陰極で、該陰極
3は高周波電源4に接続され、陽極2はアースに
接続される。5は陰極3に取付けした基板を示
し、該真空室1内を真空化して高周波電源4より
電力を投入すると、陽極2と陰極3の間でグロー
放電が発生し、放電領域内で生じたイオンが陰極
3の基板5に突入してその表面をエツチングす
る。
図に於て1は真空室、2,3は該真空室1内に互
に平行して設けた平板状の陽極と陰極で、該陰極
3は高周波電源4に接続され、陽極2はアースに
接続される。5は陰極3に取付けした基板を示
し、該真空室1内を真空化して高周波電源4より
電力を投入すると、陽極2と陰極3の間でグロー
放電が発生し、放電領域内で生じたイオンが陰極
3の基板5に突入してその表面をエツチングす
る。
こうしたエツチング方法は従来のエツチング装
置と同様であり、この構成では基板のある個所の
エツチング速度を速めるために陽極と陰極の間隔
を調節すると他の個所のエツチング速度が変わり
基板全体のエツチング速度の均一化は困難である
が、本発明に於ては該陽極2の前面に間隔を存し
てこれと同電位の多孔平板6を設け、該陽極2と
多孔平板6との距離をエツチング速度の低い個所
では大きく、またその速度の高い個所では小さく
調節することにより均一なエツチング速度が得ら
れるようにした。
置と同様であり、この構成では基板のある個所の
エツチング速度を速めるために陽極と陰極の間隔
を調節すると他の個所のエツチング速度が変わり
基板全体のエツチング速度の均一化は困難である
が、本発明に於ては該陽極2の前面に間隔を存し
てこれと同電位の多孔平板6を設け、該陽極2と
多孔平板6との距離をエツチング速度の低い個所
では大きく、またその速度の高い個所では小さく
調節することにより均一なエツチング速度が得ら
れるようにした。
該多孔平板6の詳細は第2図示の如くであり、
グロー放電7は例えば該多孔板6の孔部6aの口
径が陽極シースの厚味dの2倍以上であれば該孔
部6aに入り込む。該孔部6a内に於けるグロー
放電は、該孔部6aの内壁間を電子が往復するた
めに比較的強いグローになる。
グロー放電7は例えば該多孔板6の孔部6aの口
径が陽極シースの厚味dの2倍以上であれば該孔
部6aに入り込む。該孔部6a内に於けるグロー
放電は、該孔部6aの内壁間を電子が往復するた
めに比較的強いグローになる。
またこの孔内に入り込んだグローは、多孔平板
6の背後の空間に何もない場合、第2図Aに示す
ように孔部6aを通して背後へと拡がりその強度
も高くなるが、背後に第2図Bに示すように陽極
2が接近して位置するとグローは孔部6aを通し
て拡がることがなくその強度も弱くなる。
6の背後の空間に何もない場合、第2図Aに示す
ように孔部6aを通して背後へと拡がりその強度
も高くなるが、背後に第2図Bに示すように陽極
2が接近して位置するとグローは孔部6aを通し
て拡がることがなくその強度も弱くなる。
従つて、例えば第3図示のように陽極2と陰極
3間に配置した基板5の位置、、に於ける
エツチングの速度が第4図に見られるように位置
、で次第に遅くなる場合、第1図示のように
多孔平板6をエツチング速度が遅くなる側が陽極
2から大きく離れるように傾けて設置すれば、第
5図示のように基板5の各位置、、のエツ
チングを均一化出来る。
3間に配置した基板5の位置、、に於ける
エツチングの速度が第4図に見られるように位置
、で次第に遅くなる場合、第1図示のように
多孔平板6をエツチング速度が遅くなる側が陽極
2から大きく離れるように傾けて設置すれば、第
5図示のように基板5の各位置、、のエツ
チングを均一化出来る。
尚、第1図示のエツチング装置に於て陽極2と
陰極3の距離は15mmであり、真空室1内には
CHF3のガスを0.075Torrの圧力に導入し、高周
波電力密度が0.25W/cm2となるように電源4から
電力を与え、多孔平板6には直径3mmの孔部6a
を5mm間隔で千鳥状に配列した。
陰極3の距離は15mmであり、真空室1内には
CHF3のガスを0.075Torrの圧力に導入し、高周
波電力密度が0.25W/cm2となるように電源4から
電力を与え、多孔平板6には直径3mmの孔部6a
を5mm間隔で千鳥状に配列した。
陽極2と多孔平板6はそのいずれかを第6図又
は第7図示の如く湾曲させ、また陰極3を回転さ
せるように構成してもよい。
は第7図示の如く湾曲させ、また陰極3を回転さ
せるように構成してもよい。
(発明の効果)
このように本発明によるときは、陽極の前面に
多孔平板を設け、これと陽極との距離をエツチン
グ速度の低い個所で大きく、速い個所では小さく
調節するようにしたので、陽極から離れた該多孔
平板の孔部には強いグロー放電を発生させ得、多
孔平板であるのでこれを曲げて陽極との距離を調
節出来、簡単に基板全体を均一にエツチングする
ように調節出来る効果がある。
多孔平板を設け、これと陽極との距離をエツチン
グ速度の低い個所で大きく、速い個所では小さく
調節するようにしたので、陽極から離れた該多孔
平板の孔部には強いグロー放電を発生させ得、多
孔平板であるのでこれを曲げて陽極との距離を調
節出来、簡単に基板全体を均一にエツチングする
ように調節出来る効果がある。
第1図は本発明の実施例の説明線図、第2図は
グロー放電状態の説明図、第3図は一般的エツチ
ング装置の説明線図、第4図は第3図のエツチン
グ速度の線図、第5図は第1図示の場合のエツチ
ング速度の線図、第6図及び第7図は本発明の他
の実施例の説明線図である。 1……真空室、2……陽極、3……陰極、4…
…高周波電源、5……基板、6……多孔平板。
グロー放電状態の説明図、第3図は一般的エツチ
ング装置の説明線図、第4図は第3図のエツチン
グ速度の線図、第5図は第1図示の場合のエツチ
ング速度の線図、第6図及び第7図は本発明の他
の実施例の説明線図である。 1……真空室、2……陽極、3……陰極、4…
…高周波電源、5……基板、6……多孔平板。
Claims (1)
- 1 平板状の陽極と陰極を真空室内に平行して設
け、該陰極を高周波電源に接続し、該陰極に設け
た基板にエツチングを施すようにしたものにした
ものに於いて、該陽極の前面に間隔を存してこれ
と同電位で且つグロー放電が侵入する多数の孔部
を備えた多孔平板を設け、基板のエツチング速度
の低い個所の多孔平板と陽極との距離を大きくす
るように調節し、その速度の高い個所の該距離を
小さくするように調節することを特徴とする高周
波エツチングの均一化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7925185A JPS61238981A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 高周波エツチングの均一化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7925185A JPS61238981A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 高周波エツチングの均一化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61238981A JPS61238981A (ja) | 1986-10-24 |
JPS6366909B2 true JPS6366909B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=13684633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7925185A Granted JPS61238981A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 高周波エツチングの均一化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61238981A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63131613U (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-29 | ||
JPS6430006U (ja) * | 1988-07-29 | 1989-02-23 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
DE10340147B4 (de) | 2002-08-27 | 2014-04-10 | Kyocera Corp. | Trockenätzverfahren und Trockenätzvorrichtung |
US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
JPS58199870A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-21 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP7925185A patent/JPS61238981A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5684478A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-09 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for plasma treatment |
JPS58199870A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-21 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63131613U (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-29 | ||
JPS6430006U (ja) * | 1988-07-29 | 1989-02-23 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61238981A (ja) | 1986-10-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |