JPS61285719A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61285719A JPS61285719A JP12734285A JP12734285A JPS61285719A JP S61285719 A JPS61285719 A JP S61285719A JP 12734285 A JP12734285 A JP 12734285A JP 12734285 A JP12734285 A JP 12734285A JP S61285719 A JPS61285719 A JP S61285719A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- etching
- variability
- wafer
- electrode plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチング装置に関し、特に平行平板型
ドライエツチング装置の電極板形状に関する。
ドライエツチング装置の電極板形状に関する。
従来微細加工技術として平行平板型の反応性イオンエツ
チング（ＲＩＥ）装置がしばしば用いられる。このよう
な従来の平行平板型ドライエツチング装置のエツチング
深さバラツキの調整方法について説明する。
チング（ＲＩＥ）装置がしばしば用いられる。このよう
な従来の平行平板型ドライエツチング装置のエツチング
深さバラツキの調整方法について説明する。
第２図に示す様に、平行平板型ドライエツチング装置の
カソードカップル方式の構造はエツチングウェハー２１
を乗せるウェハーホルダー（カソード板）２２と対向す
る電極板（アノード板）２６を有し、所定の真空ポンプ
などで、チャンバー内を所定の真空度まで排気する。次
に反応ガスを導入パイプ２４よシ導入し、カソード側に
ある高周波電極２５よシ高周波を印加してプラズマを発
生させドライエツチングを行う。
カソードカップル方式の構造はエツチングウェハー２１
を乗せるウェハーホルダー（カソード板）２２と対向す
る電極板（アノード板）２６を有し、所定の真空ポンプ
などで、チャンバー内を所定の真空度まで排気する。次
に反応ガスを導入パイプ２４よシ導入し、カソード側に
ある高周波電極２５よシ高周波を印加してプラズマを発
生させドライエツチングを行う。
この場合、エツチング深さにはバラツキが発生するため
アノード板２６の距離（ｄ）を調整してエツチング深さ
のバラツキを調整してイタ。
アノード板２６の距離（ｄ）を調整してエツチング深さ
のバラツキを調整してイタ。
しかし乍ら上述した従来のエツチング深さのバラツキ調
整方法は、アノード板２６の電極間距離（ｄ）を調整す
るととＫよシ、エツチング深さバラツキを調整するため
、電極間距離を任意に選ぶことができないという欠点が
ある。
整方法は、アノード板２６の電極間距離（ｄ）を調整す
るととＫよシ、エツチング深さバラツキを調整するため
、電極間距離を任意に選ぶことができないという欠点が
ある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し電極間距離は任意に
設定したままでエツチング深さバラツキを調整すること
ができる平行平板型ドライエツチング装置を提供するこ
とである。
設定したままでエツチング深さバラツキを調整すること
ができる平行平板型ドライエツチング装置を提供するこ
とである。
本発明によれはウェハーホルダ（カソード板）Ｋ対抗す
る電極板（７ノード板）として２枚の電極板を有し、ウ
ェハーホルダ側に隣接した電極板は、パンチング板であ
シ他方の電極板は一枚の板であることを含むことを特徴
とする。
る電極板（７ノード板）として２枚の電極板を有し、ウ
ェハーホルダ側に隣接した電極板は、パンチング板であ
シ他方の電極板は一枚の板であることを含むことを特徴
とする。
次に本発明について図面を参照にして説明する。
第１図は本発明の一実施例の平行平板型ドライエッチ装
置の断面図である。従来例と同様に１エツチングウエハ
ー１１を乗せるウェハーホルダ（カソード板）１２と対
向する電極板（７ノード板）として、パンチング板１６
とあなの開いていない１枚板１フを有し、チャンバー内
を所定の真空度まで排気した後、反応ガスを導入パイプ
１４よシ導入してカソード側にある高周波電源１５よシ
高周波を印加してプラズマを発生させドライエツチング
を行う。
置の断面図である。従来例と同様に１エツチングウエハ
ー１１を乗せるウェハーホルダ（カソード板）１２と対
向する電極板（７ノード板）として、パンチング板１６
とあなの開いていない１枚板１フを有し、チャンバー内
を所定の真空度まで排気した後、反応ガスを導入パイプ
１４よシ導入してカソード側にある高周波電源１５よシ
高周波を印加してプラズマを発生させドライエツチング
を行う。
エツチング深さバラツキを調整する場合、パンチング板
１６はエツチング特性上もりともいい場所に固定して、
１枚板１７を調整することによシバラツキを調整する。
１６はエツチング特性上もりともいい場所に固定して、
１枚板１７を調整することによシバラツキを調整する。
以上説明したように本発明は、ウェハーに対向する電極
板を２枚ＫＬ、ウェハーに隣接する側の電極板をパンチ
ング板にし、他方の電極板を一枚板圧するととＫよシミ
極間距離（ｄ）は、エツチング特性上量もいい距離にし
たｔまで他方の一枚板を上下に調整するととＫよりエツ
チングに必要なエッチャントの量を変化させ、エツチン
グ深さバラツキを調整できる効果がある。
板を２枚ＫＬ、ウェハーに隣接する側の電極板をパンチ
ング板にし、他方の電極板を一枚板圧するととＫよシミ
極間距離（ｄ）は、エツチング特性上量もいい距離にし
たｔまで他方の一枚板を上下に調整するととＫよりエツ
チングに必要なエッチャントの量を変化させ、エツチン
グ深さバラツキを調整できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す平行平板型ドライエツ
チング装置の断面図、第２図は従来の平行平板型ドライ
エツチング装置の断面図である。 １１．２１・・・・・・ウェハー、１２，２２−−−−
−−ウェハ−ホルダ（カソード板）、１３．２３・・・
・・・絶縁板、１４゜２４・・・・・・ガス導入パイプ
、１５．２５・・・・・・高周波電源、１６．２６・・
・・・・パンチング板（アノード板）、１７・・・・・
・エツチング補正板。
チング装置の断面図、第２図は従来の平行平板型ドライ
エツチング装置の断面図である。 １１．２１・・・・・・ウェハー、１２，２２−−−−
−−ウェハ−ホルダ（カソード板）、１３．２３・・・
・・・絶縁板、１４゜２４・・・・・・ガス導入パイプ
、１５．２５・・・・・・高周波電源、１６．２６・・
・・・・パンチング板（アノード板）、１７・・・・・
・エツチング補正板。
Claims (1)
- ウェハーホルダーに対向する電極として二枚の電極板を
有し、その内の一方の半導体ウェハーに隣接した電極板
はパンチング板であり、他方の電極板は一枚の板である
ことを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12734285A JPS61285719A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12734285A JPS61285719A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61285719A true JPS61285719A (ja) | 1986-12-16 |
Family
ID=14957547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12734285A Pending JPS61285719A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61285719A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5450440A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
| JPS557646B2 (ja) * | 1974-07-12 | 1980-02-27 | ||
| JPS5538043A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-17 | Fujitsu Ltd | Dry etching device |
| JPS56158428A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-07 | Fujitsu Ltd | Plasma etching device |
| JPS57117240A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Citizen Watch Co Ltd | High-frequency sputtering etching device |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12734285A patent/JPS61285719A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS557646B2 (ja) * | 1974-07-12 | 1980-02-27 | ||
| JPS5450440A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-20 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
| JPS5538043A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-17 | Fujitsu Ltd | Dry etching device |
| JPS56158428A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-07 | Fujitsu Ltd | Plasma etching device |
| JPS57117240A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Citizen Watch Co Ltd | High-frequency sputtering etching device |
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