JPH0344028A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0344028A JPH0344028A JP17962589A JP17962589A JPH0344028A JP H0344028 A JPH0344028 A JP H0344028A JP 17962589 A JP17962589 A JP 17962589A JP 17962589 A JP17962589 A JP 17962589A JP H0344028 A JPH0344028 A JP H0344028A
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- JP
- Japan
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- electrode
- plasma
- voltage drop
- plasma etching
- wafer
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- Pending
Links
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、平行平板型電極対を有するプラズマエツチン
グ装置に関するものである。
グ装置に関するものである。
従来の技術
平行平板のプラズマエツチング装置は、第２図の概要断
面図のような構造であり、陽極ｌ、陰極２、被処理半導
体基板３．マツチングボックス４およびＰＦ電源５をそ
なえている。同装置において、プラズマ処理中、陰極２
に発生する電圧降下に影響を及ぼすパラメータとしては
、ＲＦパワー雰囲気圧力があげられる。ここで反応性カ
スとしてＣＦ４とＨ２を用いて酸化膜のエツチングを行
なう場合、平行平板の一対電極１，２間に１）Ｆ電源５
、マツチングボックス４を通じて、所定の高周波電力を
印加すると、陰極２の面上に置かれた半導体基板３の表
面においては、ＣＦｘのカーボン層が発生する。そこに
ＣＦ３イオンが陰極電極部に発生した電圧降下によって
半導体基板の表面に衝突する。その結果、ＣＦｘのカー
ボンが半導体基板表面に入り込み、デバイス特性の劣化
を引きおこす。
面図のような構造であり、陽極ｌ、陰極２、被処理半導
体基板３．マツチングボックス４およびＰＦ電源５をそ
なえている。同装置において、プラズマ処理中、陰極２
に発生する電圧降下に影響を及ぼすパラメータとしては
、ＲＦパワー雰囲気圧力があげられる。ここで反応性カ
スとしてＣＦ４とＨ２を用いて酸化膜のエツチングを行
なう場合、平行平板の一対電極１，２間に１）Ｆ電源５
、マツチングボックス４を通じて、所定の高周波電力を
印加すると、陰極２の面上に置かれた半導体基板３の表
面においては、ＣＦｘのカーボン層が発生する。そこに
ＣＦ３イオンが陰極電極部に発生した電圧降下によって
半導体基板の表面に衝突する。その結果、ＣＦｘのカー
ボンが半導体基板表面に入り込み、デバイス特性の劣化
を引きおこす。
発明が解決しようとする課題
前記のような構造では、電極間に高周波電力を印加した
場合、発生したＣＦｘのカーボン層が電圧降下によって
半導体基板表面に衝突し、入り込む。その結果、形成コ
ンタクトの抵抗が高くなってしまうという問題点がある
。本発明は、ＣＦｘのカーボンによる半導体基板表面層
の入り込みを防止することができるプラズマエツチング
装置を提供するものである。
場合、発生したＣＦｘのカーボン層が電圧降下によって
半導体基板表面に衝突し、入り込む。その結果、形成コ
ンタクトの抵抗が高くなってしまうという問題点がある
。本発明は、ＣＦｘのカーボンによる半導体基板表面層
の入り込みを防止することができるプラズマエツチング
装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明は、一方の電極上
において、移動可能な絶縁性リングを設け、プラズマエ
ツチング時に絶縁性リングを移動させることにより電極
面積比を変えてプラズマによる電圧降下を調節しＣＦＸ
イオンの打ち込み量を低減できる。
において、移動可能な絶縁性リングを設け、プラズマエ
ツチング時に絶縁性リングを移動させることにより電極
面積比を変えてプラズマによる電圧降下を調節しＣＦＸ
イオンの打ち込み量を低減できる。
作用
本発明によれば、半導体装置の設置電極と印加電極の面
積比がエツチング中に変えられることによってプラズマ
による電圧降下を調節し、デバイス特性の劣化を防止で
きる。
積比がエツチング中に変えられることによってプラズマ
による電圧降下を調節し、デバイス特性の劣化を防止で
きる。
実施例
以上本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第１図は本発明の第１の実施例におけるプラズ
マエツチング装置の構造を示すものである。同図中、■
は陽極、２は陰極、３は絶縁性のクォーツリング、４は
半導体ウェハ、５はマツチングボックス、６はＲ１”電
源、７はクォーツリング移動用モータである。以上のよ
うな構造のプラズマエツチング装置について、以下、そ
の動作を説明する。まず、ここで反応性ガスとしてＣＦ
４とＨ２を用いて酸化膜のエツチングを行なう。電極１
，２間にＲＦ電源６、マツチングボックス５を通じて、
所定の高周波電力を印加してウェハ４をエツチングし、
ウェハ４がジャストエッチされた時に絶縁性クォーツリ
ング３がモータで上に移動する。以上のように本実施例
によれば、下部の陰極２に移動可能な絶縁性リング３を
設けることにより、設置電極と印加電極との面積比がエ
ツチング中に変えられ、プラズマによる電圧降下を調節
することが可能となる。
明する。第１図は本発明の第１の実施例におけるプラズ
マエツチング装置の構造を示すものである。同図中、■
は陽極、２は陰極、３は絶縁性のクォーツリング、４は
半導体ウェハ、５はマツチングボックス、６はＲ１”電
源、７はクォーツリング移動用モータである。以上のよ
うな構造のプラズマエツチング装置について、以下、そ
の動作を説明する。まず、ここで反応性ガスとしてＣＦ
４とＨ２を用いて酸化膜のエツチングを行なう。電極１
，２間にＲＦ電源６、マツチングボックス５を通じて、
所定の高周波電力を印加してウェハ４をエツチングし、
ウェハ４がジャストエッチされた時に絶縁性クォーツリ
ング３がモータで上に移動する。以上のように本実施例
によれば、下部の陰極２に移動可能な絶縁性リング３を
設けることにより、設置電極と印加電極との面積比がエ
ツチング中に変えられ、プラズマによる電圧降下を調節
することが可能となる。
発明の効果
以上のように、本発明によるプラズマエツチング装置に
よれば、平行平板の一方の電極上に移動可能な絶縁性リ
ングを設けることにより、設置電極と印加電極との面積
比がエツチング中に変えられ、プラズマによる電圧降下
を調節することができ、低ダメージのプラズマエツチン
グが可能となり、その工業的価値を高めることができる
。
よれば、平行平板の一方の電極上に移動可能な絶縁性リ
ングを設けることにより、設置電極と印加電極との面積
比がエツチング中に変えられ、プラズマによる電圧降下
を調節することができ、低ダメージのプラズマエツチン
グが可能となり、その工業的価値を高めることができる
。
第１図は本発明の第１の実施例におけるプラズマエツチ
ング装置の概要断面図、第２図は従来のプラズマエツチ
ング装置の概要断面図である。 ■・・・・・・陽極、２・・・・・・陰極、３・・・・
・・クォーツリング、４・・・・・・ウェハ、５・・・
・・・マツチングボックス、６・・・・・・ＲＦ電源。
ング装置の概要断面図、第２図は従来のプラズマエツチ
ング装置の概要断面図である。 ■・・・・・・陽極、２・・・・・・陰極、３・・・・
・・クォーツリング、４・・・・・・ウェハ、５・・・
・・・マツチングボックス、６・・・・・・ＲＦ電源。
Claims (2)
- （１）ＰＦ電源を印加する平行平板のプラズマエッチン
グ装置において、一方の電極上に移動可能な絶縁性リン
グを設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - （２）絶縁性リングが、クォーツであることを特徴とす
る請求項（１）記載のプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17962589A JPH0344028A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17962589A JPH0344028A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344028A true JPH0344028A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16069039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17962589A Pending JPH0344028A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344028A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007184A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Ltd | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| US6946053B2 (en) | 1993-04-16 | 2005-09-20 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor |
| US7682483B2 (en) * | 2005-08-05 | 2010-03-23 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | Vacuum processing chamber and method of processing a semiconductor work piece |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP17962589A patent/JPH0344028A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6946053B2 (en) | 1993-04-16 | 2005-09-20 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor |
| WO2002007184A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Ltd | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| US6916401B2 (en) | 2000-07-13 | 2005-07-12 | Tokyo Electron Limited | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| US7682483B2 (en) * | 2005-08-05 | 2010-03-23 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | Vacuum processing chamber and method of processing a semiconductor work piece |
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