JPS62174391A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS62174391A JPS62174391A JP1407986A JP1407986A JPS62174391A JP S62174391 A JPS62174391 A JP S62174391A JP 1407986 A JP1407986 A JP 1407986A JP 1407986 A JP1407986 A JP 1407986A JP S62174391 A JPS62174391 A JP S62174391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- etched
- upper electrode
- plasma etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造に用−るプラズマエツチン
グ装置に関するものである。
グ装置に関するものである。
第３図は従来のプラズマエツチング装置ヲ示す断面図で
ある。このプラズマエツチング装置は下部電極（１）と
上部°成極（２）の２つの対向する一極金持ち、（３）
は下部電極（１） Ｋ置かれた基板で、（４）はこの基
板の表面の被エツチング材である。（５）は高周波電源
で、（６）は大気と隔絶される構造のチャンバ、（７）
はガス導入口である。
ある。このプラズマエツチング装置は下部電極（１）と
上部°成極（２）の２つの対向する一極金持ち、（３）
は下部電極（１） Ｋ置かれた基板で、（４）はこの基
板の表面の被エツチング材である。（５）は高周波電源
で、（６）は大気と隔絶される構造のチャンバ、（７）
はガス導入口である。
以上のようなプラズマエツチング装置において、チャン
バ（６）内にガス１＆：導入し、高周波電源（５）によ
り発生した高周波く圧を下部電極（１）、上部電極（２
）間に印加する。そうすると、両極間にプラズマが励起
され、下部電極（１）上Ｖｃ１かれた基板（３）の表面
の被エツチング材（４）に陽イオンが衝突し、それによ
ってエツチングが行われる。
バ（６）内にガス１＆：導入し、高周波電源（５）によ
り発生した高周波く圧を下部電極（１）、上部電極（２
）間に印加する。そうすると、両極間にプラズマが励起
され、下部電極（１）上Ｖｃ１かれた基板（３）の表面
の被エツチング材（４）に陽イオンが衝突し、それによ
ってエツチングが行われる。
上記のようなプラズマエツチング装置にあっては、基板
の表面の被エツチング材のエツチングが均一になるよう
に、上部電極の電極サイズが定められており、サイズの
異なる基板のエツチングを行う場合には、基板のサイズ
と上部電極の電極サイズが合致せず、被エツチング材に
衝突する陽イオンの均一性が崩れ、基板のエツチングの
一様性が悪化するという問題点があった。
の表面の被エツチング材のエツチングが均一になるよう
に、上部電極の電極サイズが定められており、サイズの
異なる基板のエツチングを行う場合には、基板のサイズ
と上部電極の電極サイズが合致せず、被エツチング材に
衝突する陽イオンの均一性が崩れ、基板のエツチングの
一様性が悪化するという問題点があった。
本発明は、上記のような従来のプラズマエツチング装置
の問題点を除去し、サイズの異なる基板のエツチングの
一様性を向上させるプラズマエツチング装＋１’を提供
することを目的としている。
の問題点を除去し、サイズの異なる基板のエツチングの
一様性を向上させるプラズマエツチング装＋１’を提供
することを目的としている。
本発明にかかるプラズマエツチング装置は、基板に対向
する側の電極を、基板のサイズに合わせて電極の表面積
を増大、縮小できるように構成したものである。
する側の電極を、基板のサイズに合わせて電極の表面積
を増大、縮小できるように構成したものである。
本発明においては、基板のサイズに応じて、対向する側
の電極面積を可変することによって、基板表面の被エツ
チング材に衝突する陽イオンを均一化し、エツチングの
一様性を向上させることが可能となる。
の電極面積を可変することによって、基板表面の被エツ
チング材に衝突する陽イオンを均一化し、エツチングの
一様性を向上させることが可能となる。
〔実施例〕
第１図は本発明の一実施例を示す。図において、（１）
は下部電極、（２）は面積を可変できる上部電極である
。また、（３）〜（６）は上記従来装置と同一部分を示
すっまた（７）はガス導入口であり、詳細には図示して
いないが、導入ガス源につながっており、その開口面積
は調整できるようにされている。第２図は上部電極（２
）の拡大斜視図を示す。第２図において、上部電極（２
）は４枚のブレードから構成さべ図中矢印方向へのスラ
イドが可能となっている０このスライド機構については
図示しないがチャンバの外側から自在に駆動できるよう
［￥’４成されている。
は下部電極、（２）は面積を可変できる上部電極である
。また、（３）〜（６）は上記従来装置と同一部分を示
すっまた（７）はガス導入口であり、詳細には図示して
いないが、導入ガス源につながっており、その開口面積
は調整できるようにされている。第２図は上部電極（２
）の拡大斜視図を示す。第２図において、上部電極（２
）は４枚のブレードから構成さべ図中矢印方向へのスラ
イドが可能となっている０このスライド機構については
図示しないがチャンバの外側から自在に駆動できるよう
［￥’４成されている。
上記のようＶＣ！！４成されたプラズマエツチング装置
１Ｖｃおいては、基板（３）表面の被エツチング材（４
）をエツチングする場合に、上部１１！極（２）の面積
を基板（３）のサイズに応じて変化させる。そして、高
周波電圧を両極に印加すると、両電極間に、基板（３）
のサイズに応じたプラズマが励起される。したがって被
エツチング材（４３Ｋ衝突する陽イオンの密度分布は均
一になり、エツチングの一様性が向上することになる。
１Ｖｃおいては、基板（３）表面の被エツチング材（４
）をエツチングする場合に、上部１１！極（２）の面積
を基板（３）のサイズに応じて変化させる。そして、高
周波電圧を両極に印加すると、両電極間に、基板（３）
のサイズに応じたプラズマが励起される。したがって被
エツチング材（４３Ｋ衝突する陽イオンの密度分布は均
一になり、エツチングの一様性が向上することになる。
また、本発明においては、上部電極（２）の構成につい
ては、上記実施例に限定されず、実質的に上部１極（２
）の表ｃｆｆｉｌｊｔを変化させる構成であれば、同様
に適用されるものである。
ては、上記実施例に限定されず、実質的に上部１極（２
）の表ｃｆｆｉｌｊｔを変化させる構成であれば、同様
に適用されるものである。
以上のように本発明においては、上部電極の面積金基板
のサイズに応じて変化させることによって、陽イオンの
密度分布を均一にし、エツチングの一様性を向上させる
という効果がある。
のサイズに応じて変化させることによって、陽イオンの
密度分布を均一にし、エツチングの一様性を向上させる
という効果がある。
第１図は本発明に係るプラズマエツチング装置の一実施
例を示す断面図、′ｆ１２図は同実施例における上部電
極の拡大斜視図、第３図は従来のプラズマエツチング装
置を示す断面図である。 図において、（１）は下部電極、（２）は上！Ａ電極、
（３）は基板、（４）は被エツチング材である。 尚、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
例を示す断面図、′ｆ１２図は同実施例における上部電
極の拡大斜視図、第３図は従来のプラズマエツチング装
置を示す断面図である。 図において、（１）は下部電極、（２）は上！Ａ電極、
（３）は基板、（４）は被エツチング材である。 尚、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）被エッチング材に対向する側の電極を、その対向
面の表面積が縮少拡大自在に成るよう構成したことを特
徴とするプラズマエッチング装置。 - （２）被エッチング材に対向する側の電極が少なくとも
２枚以上のブレードで構成され、このブレードを上記電
極の表面と平行にスライド自在に設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のプラズマエッチング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1407986A JPS62174391A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1407986A JPS62174391A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174391A true JPS62174391A (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=11851099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1407986A Pending JPS62174391A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62174391A (ja) |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP1407986A patent/JPS62174391A/ja active Pending
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