JPS6077427A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS6077427A JPS6077427A JP18556883A JP18556883A JPS6077427A JP S6077427 A JPS6077427 A JP S6077427A JP 18556883 A JP18556883 A JP 18556883A JP 18556883 A JP18556883 A JP 18556883A JP S6077427 A JPS6077427 A JP S6077427A
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- Japan
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- electrode
- etching
- gas
- etched
- outer periphery
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ウェハー状エツチング被材のドライエツチン
グ装置に関する。
グ装置に関する。
従来、ウェハー状エツチング被材、例えば、半導体ウェ
ハーのドライエツチング装置の構造は、例えば第１図の
様に、基本電極となる保持テーブル１の上に、ウェハー
状エツチング被材２を保持し、真空バルブ６１ガスバル
ヴ７によって、一定ガス圧を調整し、対向電極５と基本
電極との間で高周波電圧を印加し、ガスをプラズマ化さ
せてなる、例えば、半導体シリコンウェハー上の多結晶
シリコン窒化硅素のドライエツチング装置の構造が知ら
れている。
ハーのドライエツチング装置の構造は、例えば第１図の
様に、基本電極となる保持テーブル１の上に、ウェハー
状エツチング被材２を保持し、真空バルブ６１ガスバル
ヴ７によって、一定ガス圧を調整し、対向電極５と基本
電極との間で高周波電圧を印加し、ガスをプラズマ化さ
せてなる、例えば、半導体シリコンウェハー上の多結晶
シリコン窒化硅素のドライエツチング装置の構造が知ら
れている。
しかし、上記装置の構造には、以下に述べる様な欠点が
ある。
ある。
ガスの補給、調整が真空バルジ６．ガスバルヴ７によっ
て行なわれるため、ガスの電極間へのまわり込みがあま
り良くない欠点がある。このため、エツチング被材の中
心部と外周部では、エツチング速度が違なるため、エツ
チング後の寸法や形状が、エツチング被材の中心部と、
外周部で大きく異なるという欠点がある。
て行なわれるため、ガスの電極間へのまわり込みがあま
り良くない欠点がある。このため、エツチング被材の中
心部と外周部では、エツチング速度が違なるため、エツ
チング後の寸法や形状が、エツチング被材の中心部と、
外周部で大きく異なるという欠点がある。
また、エツチング速度を速くしようと、電極間隔を狭く
すると、極端にガスのまわり込みが悪くなり、エツチン
グ速度が遅くなるという欠点があるため、電極間隔を狭
くすることには、限界がある。
すると、極端にガスのまわり込みが悪くなり、エツチン
グ速度が遅くなるという欠点があるため、電極間隔を狭
くすることには、限界がある。
本発明の目的は、ドライエツチング後のエツチング被材
の、中心部と外周部における均一性を改善し歩留の向上
をはかる事、電極間隔を狭くすることを可能にし、エツ
チングレートを大きくする事である。
の、中心部と外周部における均一性を改善し歩留の向上
をはかる事、電極間隔を狭くすることを可能にし、エツ
チングレートを大きくする事である。
以下、実施例に基づき詳細に説明する。
第２図のような、中心部の電極間隔が、外周部の電極間
隔より狭い対向電極１１を使用した場合について説明す
る。例えば、中心部の電極間隔を４ｃｍ、外周部の電極
間隔を６ｅｙｎとし、ＯＦ４ガスを用い、多結晶シリコ
ンを、エツチングするのに従来の平行板型の電極間隔５
ｍの場合中心部と、外周部での均一性は約１０％であっ
たに対し、約５％の均一性が得られた。エツチングレー
トも、従来の平行平板を用いたものに対し５％改善され
た。
隔より狭い対向電極１１を使用した場合について説明す
る。例えば、中心部の電極間隔を４ｃｍ、外周部の電極
間隔を６ｅｙｎとし、ＯＦ４ガスを用い、多結晶シリコ
ンを、エツチングするのに従来の平行板型の電極間隔５
ｍの場合中心部と、外周部での均一性は約１０％であっ
たに対し、約５％の均一性が得られた。エツチングレー
トも、従来の平行平板を用いたものに対し５％改善され
た。
中心部の電極間層を１ ｃｍ 、外周部の電極間隔を３
ｃｒｎとし同様にエツチングをすると、均一性は約４％
に、エッチレートは、１０％も改善された。
ｃｒｎとし同様にエツチングをすると、均一性は約４％
に、エッチレートは、１０％も改善された。
エッチジグ後の多結晶シリコンの形状は、中心部、外周
部ともに同一であり、従来中心部が外周部に比ベサイド
エッチが大きく、形状も異なったのに比べ歩留を大きく
向上させた。
部ともに同一であり、従来中心部が外周部に比ベサイド
エッチが大きく、形状も異なったのに比べ歩留を大きく
向上させた。
第６図のような、従来の平行平板型対向電極５にガス通
過孔を配した対向電極１２を使用した場合の実施例を説
明する。
過孔を配した対向電極１２を使用した場合の実施例を説
明する。
例えば、電極間隔を５’ｃｙ＋＋とＯＦ４ガスを用い多
結晶シリコンをエツチングした場合、つまり電極におけ
るガス通過孔の有無による違いだけで、他の条件を一定
としてエツチングした後の、均一性は１０％から７％へ
と改善され、エッチレートも１〜２％であるが改善され
た。
結晶シリコンをエツチングした場合、つまり電極におけ
るガス通過孔の有無による違いだけで、他の条件を一定
としてエツチングした後の、均一性は１０％から７％へ
と改善され、エッチレートも１〜２％であるが改善され
た。
同じく、電極間隔を３ｃｒｎとした場合では、均一性は
、１５％から７％へと改善され、エツチングレートは１
０％改善された。サイドエッチ量も、従来と比べ１０％
改善された。
、１５％から７％へと改善され、エツチングレートは１
０％改善された。サイドエッチ量も、従来と比べ１０％
改善された。
電極間隔を１ｔＭとした場合では、均一性は５００％か
ら１０％、エツチングレートは、電極間隔５創の平行平
板型対向電極を用いる場合に対し、５０％速くなった。
ら１０％、エツチングレートは、電極間隔５創の平行平
板型対向電極を用いる場合に対し、５０％速くなった。
サイドエッチ量もほぼ０に近く、基板に対し直角にエツ
チングされている。
チングされている。
なお、図２の対向電極１１に、図５−Ｂの様にガス通過
孔を配したものも実施したが、同様に効果がある事を確
認した。
孔を配したものも実施したが、同様に効果がある事を確
認した。
以上詳細に説明した様に、本発明の装置は、極めて均一
性の良いエツチングを可能にし、かつエツチング時間も
短かく、歩留および信頼性の向上を可能にするという特
徴を有する。
性の良いエツチングを可能にし、かつエツチング時間も
短かく、歩留および信頼性の向上を可能にするという特
徴を有する。
＠１図は、従来のドライエツチング装置の、対向！極が
、平行平板である場合を示すｆｆｌｌｌ面図。 第２図、第６図（Ａ）は、第１図の方法を改善した方法
による、本発明の実施例に使用された、対向電極を示す
説明図。 第３図ＣＢ）は、第３図（Ａ）の対向電極の下ナシ、瓜
目ナー官廿叩Ｍ− １・・・・・・保持テーブル ２・・・・・・ウニノ１−状エッチング被材６・・・・
・・チャンバ→ ４・・・・・・本体基部 ５・・・・・・対向電極 ６・・・・・・真空バルブ ７・・・・・・ガスバルブ １１・・・対向電極 １２・・・対向電極 以 上 出願人 株式会社趣訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 （Ａ） 第３図
、平行平板である場合を示すｆｆｌｌｌ面図。 第２図、第６図（Ａ）は、第１図の方法を改善した方法
による、本発明の実施例に使用された、対向電極を示す
説明図。 第３図ＣＢ）は、第３図（Ａ）の対向電極の下ナシ、瓜
目ナー官廿叩Ｍ− １・・・・・・保持テーブル ２・・・・・・ウニノ１−状エッチング被材６・・・・
・・チャンバ→ ４・・・・・・本体基部 ５・・・・・・対向電極 ６・・・・・・真空バルブ ７・・・・・・ガスバルブ １１・・・対向電極 １２・・・対向電極 以 上 出願人 株式会社趣訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図 （Ａ） 第３図
Claims (2)
- （１） 基本電極となるテーブル上に、ウェハー状エツ
チング被材を保持し、これに対向させた電極を設け、高
周波の印加により、ガスプラズマを発生させてなるエツ
チング装置に於いて、該エツチング被材と対向電極の間
開が部分的に異なっている事を特徴とするドライエツチ
ング装置。 - （２） 対向電極には、少なくとも１つ以上の、ガス通
過孔を備えた事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18556883A JPS6077427A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18556883A JPS6077427A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077427A true JPS6077427A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16173080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18556883A Pending JPS6077427A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077427A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237530A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPH02183526A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Ulvac Corp | プラズマアッシング装置 |
| US5275665A (en) * | 1988-06-06 | 1994-01-04 | Research Development Corporation Of Japan | Method and apparatus for causing plasma reaction under atmospheric pressure |
| US5324411A (en) * | 1991-09-20 | 1994-06-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrode plate for plasma etching |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5666041A (en) * | 1979-10-17 | 1981-06-04 | Texas Instruments Inc | Etching method and high frequency plasma reactor |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18556883A patent/JPS6077427A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5666041A (en) * | 1979-10-17 | 1981-06-04 | Texas Instruments Inc | Etching method and high frequency plasma reactor |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237530A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| US5275665A (en) * | 1988-06-06 | 1994-01-04 | Research Development Corporation Of Japan | Method and apparatus for causing plasma reaction under atmospheric pressure |
| JPH02183526A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Ulvac Corp | プラズマアッシング装置 |
| US5324411A (en) * | 1991-09-20 | 1994-06-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrode plate for plasma etching |
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