JPH01238121A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01238121A JPH01238121A JP6614188A JP6614188A JPH01238121A JP H01238121 A JPH01238121 A JP H01238121A JP 6614188 A JP6614188 A JP 6614188A JP 6614188 A JP6614188 A JP 6614188A JP H01238121 A JPH01238121 A JP H01238121A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、シリコン酸化
膜のドライエツチングに適用して有効な技術に関するも
のである。
膜のドライエツチングに適用して有効な技術に関するも
のである。
半導体装置の製造プロセスに用いられるドライエツチン
グ技術および装置の現状と動向については、例えば、株
式会社工業調査会、昭和６０年１１月ｌＯ日発行「電子
材料・１９８５年１１月号別冊Ｊ Ｐ １１．９〜Ｐ１
２４に記載がある。
グ技術および装置の現状と動向については、例えば、株
式会社工業調査会、昭和６０年１１月ｌＯ日発行「電子
材料・１９８５年１１月号別冊Ｊ Ｐ １１．９〜Ｐ１
２４に記載がある。
半導体装・積回路の配線形成工程において、シリコン単
結晶基板上の８１０２膜やポリシリコン膜などのシリコ
ン酸化膜を孔開けして微細なコンタクトホールを形成す
る場合には、主としてプレーナプラズマエツチング（Ｐ
ＰＥ）やりアクティブイオンエツチング（ＲＩＥ）など
のドライエツチング技術が用いられている。
結晶基板上の８１０２膜やポリシリコン膜などのシリコ
ン酸化膜を孔開けして微細なコンタクトホールを形成す
る場合には、主としてプレーナプラズマエツチング（Ｐ
ＰＥ）やりアクティブイオンエツチング（ＲＩＥ）など
のドライエツチング技術が用いられている。
上記プレーナプラズマエツチングやりアクティブイオン
エツチングを行うには、従来より半導体ウェハ（以下、
ウェハという）の対向電極に高周波を印加する平行平板
形ドライエツチング装置が用いられている。さらに、こ
れを改良したものとして、平行平板電極にもう一つの電
極を加えたトライオード方式、カソード上に磁場を設け
たマグネトロン放電方式、あるいは磁場とマイクロ波と
の相互作用を利用したＥＣＲ方式のドライエツチング装
置なども用いられている。
エツチングを行うには、従来より半導体ウェハ（以下、
ウェハという）の対向電極に高周波を印加する平行平板
形ドライエツチング装置が用いられている。さらに、こ
れを改良したものとして、平行平板電極にもう一つの電
極を加えたトライオード方式、カソード上に磁場を設け
たマグネトロン放電方式、あるいは磁場とマイクロ波と
の相互作用を利用したＥＣＲ方式のドライエツチング装
置なども用いられている。
また、上記ドライエツチング装置を用いてシリコン酸化
膜をエツチングする際の反応ガスとしては、従来より、
ＣＨＦｚ（＋ ０２）、 ＣＨＦｓ ＋ Ｃ２Ｆ６など
が一般に知られており、高圧系枚葉処理装置ではＣＦ４
＋ＣＨＦ、系ガスにアルゴン（Ａｒ）またはヘリウム
（Ｈｅ）を添加したＡ ｒ 十ＣＦ ４＋ ＣＨＦ ３
系ガスやＨｅ＋ＣＦｓ ＋ＣＨＦ３ 系ガスが用いら
れている。
膜をエツチングする際の反応ガスとしては、従来より、
ＣＨＦｚ（＋ ０２）、 ＣＨＦｓ ＋ Ｃ２Ｆ６など
が一般に知られており、高圧系枚葉処理装置ではＣＦ４
＋ＣＨＦ、系ガスにアルゴン（Ａｒ）またはヘリウム
（Ｈｅ）を添加したＡ ｒ 十ＣＦ ４＋ ＣＨＦ ３
系ガスやＨｅ＋ＣＦｓ ＋ＣＨＦ３ 系ガスが用いら
れている。
半導体集積回路の高密度化、高集積化に伴い、高精度で
、かつ、微細な加工を行うことのできるエツチング技術
が要求されており、形状制御性、均一性、選択性など、
各種エツチング特性の一層の向上が求められている。
、かつ、微細な加工を行うことのできるエツチング技術
が要求されており、形状制御性、均一性、選択性など、
各種エツチング特性の一層の向上が求められている。
上記のような点を考慮した場合、本発明者は、シリコン
酸化膜のエツチングにおいて、高圧（数Ｔｏｒｒ ）系
枚葉処理装置でΔｒ＋ｃＦ４＋ＣＨＦｚ系反応ガスやＨ
ｅ 十ＣＦ４ ＋ ＣＨＦ３ 系反応ガスを用いた場合
には、下記のような問題があることを見い出した。
酸化膜のエツチングにおいて、高圧（数Ｔｏｒｒ ）系
枚葉処理装置でΔｒ＋ｃＦ４＋ＣＨＦｚ系反応ガスやＨ
ｅ 十ＣＦ４ ＋ ＣＨＦ３ 系反応ガスを用いた場合
には、下記のような問題があることを見い出した。
すなわち、Ａｒ＋ＣＦ＊ ＋ＣＨＦ）系反応ガスは、エ
ツチングレートが高いという利点がある反面、コンタク
トホールの側壁保護効果が小さいために形状制御性が乏
しく、これにより、コンタクトホールの断面形状が樽形
や逆テーバ形になってしまう結果、コンタクトホールに
配線用のＡｒ膜を被着した場合のステップカバレージが
低下してしまうという欠点がある。
ツチングレートが高いという利点がある反面、コンタク
トホールの側壁保護効果が小さいために形状制御性が乏
しく、これにより、コンタクトホールの断面形状が樽形
や逆テーバ形になってしまう結果、コンタクトホールに
配線用のＡｒ膜を被着した場合のステップカバレージが
低下してしまうという欠点がある。
一方、Ｈｅ＋ＣＦｔ ＋ＣＨＦｊ 系反応ガスを使用
した場合は、カーボン系ポリマーによる側壁保護効果が
認められることから、上記Ａ ｒ ＋ ＣＦ ４＋ＣＨ
Ｆ３系反応ガスに比べてコンタクトホールの形状制御性
が良いという利点があるが、その反面、エツチングレー
トが低い、シリコンに対する選択比が低い、エツチング
の均一性が乏しい、などの欠点を有している。
した場合は、カーボン系ポリマーによる側壁保護効果が
認められることから、上記Ａ ｒ ＋ ＣＦ ４＋ＣＨ
Ｆ３系反応ガスに比べてコンタクトホールの形状制御性
が良いという利点があるが、その反面、エツチングレー
トが低い、シリコンに対する選択比が低い、エツチング
の均一性が乏しい、などの欠点を有している。
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、シリコン酸化膜のエツチング特性を向
上させることのできる技術を提供することにある。
り、その目的は、シリコン酸化膜のエツチング特性を向
上させることのできる技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴とは、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、シリコン酸化膜の所定箇所をドライエツチン
グで加工する際、ＣＦ、 ＋ＣＨＦ、 ＋Ａｒ＋Ｈｅ
からなる反応ガスを用いる方法である。
グで加工する際、ＣＦ、 ＋ＣＨＦ、 ＋Ａｒ＋Ｈｅ
からなる反応ガスを用いる方法である。
上記した手段によれば、形状制御性、均一性、選択性な
ど、シリコン酸化膜を加工する際の各種エツチング特性
を向上させることができる。
ど、シリコン酸化膜を加工する際の各種エツチング特性
を向上させることができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例である半導体
装置の製造方法を示す半導体ウェハの要部断面図、第２
図は本実施例で用いるドライエツチング装置の要部断面
図、第３図は本実施例で用いる反応ガスにおけるＨｅｉ
加盪とコンタクトホールのテーバ角度との関係を示すグ
ラフ図である。
装置の製造方法を示す半導体ウェハの要部断面図、第２
図は本実施例で用いるドライエツチング装置の要部断面
図、第３図は本実施例で用いる反応ガスにおけるＨｅｉ
加盪とコンタクトホールのテーバ角度との関係を示すグ
ラフ図である。
本実施例で用いるドライエツチング装置は、アノードカ
ップリング方式による平行平板形ドライエツチング装置
ｌであり、その要部は、第２図に示すように゛、内部が
所定の真空度に維持される処理室２と、この処理室２に
反応ガスを供給するガス供給源３ａ〜３Ｃとから構成さ
れている。
ップリング方式による平行平板形ドライエツチング装置
ｌであり、その要部は、第２図に示すように゛、内部が
所定の真空度に維持される処理室２と、この処理室２に
反応ガスを供給するガス供給源３ａ〜３Ｃとから構成さ
れている。
表面にフッ素樹脂をコーティングしたステンレス鋼板な
どからなる処理室２の内部中央には、ウェハステージを
兼ねた円板状のカソード電極４と、同じく円板状のアノ
ード電極５とが所定間隔を置いて平行に配設されている
。
どからなる処理室２の内部中央には、ウェハステージを
兼ねた円板状のカソード電極４と、同じく円板状のアノ
ード電極５とが所定間隔を置いて平行に配設されている
。
カソード電極４は、外部の温調器６によって所定の温度
に保たれるようになっており、他方、アノード電極５に
は、外部の高周波′＠源７が接続され、上記カソード電
極４との間に高周波電圧が印加されるようになっている
。
に保たれるようになっており、他方、アノード電極５に
は、外部の高周波′＠源７が接続され、上記カソード電
極４との間に高周波電圧が印加されるようになっている
。
処理室２の側壁外方には、ロードロツタ室８が設置され
、ローダ９に収容された半導体ウェハ１０がロボットハ
ンド（図示せず）などを介して、処理室２のカソード電
極４上に載置されるようになっている。
、ローダ９に収容された半導体ウェハ１０がロボットハ
ンド（図示せず）などを介して、処理室２のカソード電
極４上に載置されるようになっている。
また、処理室２の底部には、排気管１１が接続され、処
理室２内のガスが排出されるようになっている。
理室２内のガスが排出されるようになっている。
アノード電極５の中央には、外部のガス供給源３ａ〜３
Ｃに連結されたガス供給管１２が接続され、ＣＦ４ 、
ＣＨＦ＊ 、ＡｒおよびＨｅの四種のガスが混合された
反応ガスが処理室２のアノード電極５とカソード電極４
とに挟まれた処理空間に供給されるようになっている。
Ｃに連結されたガス供給管１２が接続され、ＣＦ４ 、
ＣＨＦ＊ 、ＡｒおよびＨｅの四種のガスが混合された
反応ガスが処理室２のアノード電極５とカソード電極４
とに挟まれた処理空間に供給されるようになっている。
ガス供給源３ａ〜３Ｃは、ＣＦ、／ＣＨＦ、混合ガス、
Ａｒガス、およびＨｅガスをそれぞれ個別の容器に充填
したもので、各バルブ１３ａ〜１３Ｃの開閉操作によっ
て、その混合比および供給量が所望する値に設定される
ようになっている。
Ａｒガス、およびＨｅガスをそれぞれ個別の容器に充填
したもので、各バルブ１３ａ〜１３Ｃの開閉操作によっ
て、その混合比および供給量が所望する値に設定される
ようになっている。
次に、上記平行平板形ドライエツチング装置１を用いた
半導体ウェハ１０のドライエツチング工程を説明する。
半導体ウェハ１０のドライエツチング工程を説明する。
第１図（ａ）に示すように、ドライエツチング工程に先
立ち、まず、所定の抵抗率を有するシリコン単結晶から
なる半導体ウェハ１０を、例えば、約１０００℃でスチ
ーム酸化してその表面に８１０２膜（シリコン酸化膜）
１４を形成した後、ウェハプロセスの１常法に従い、活
性領域に所定の集積回路素子（図示せず）を形成し、次
いで、ホトレジスト／エツチングによって、５ｉ（ｈ膜
１４の表面にレジストマスク１５を形成する。
立ち、まず、所定の抵抗率を有するシリコン単結晶から
なる半導体ウェハ１０を、例えば、約１０００℃でスチ
ーム酸化してその表面に８１０２膜（シリコン酸化膜）
１４を形成した後、ウェハプロセスの１常法に従い、活
性領域に所定の集積回路素子（図示せず）を形成し、次
いで、ホトレジスト／エツチングによって、５ｉ（ｈ膜
１４の表面にレジストマスク１５を形成する。
その後、上記半導体ウェハｌＯは、前記平行平板形ドラ
イエツチング装置ｌのローダ９に搬送され、ロードロツ
タ室８を経て処理室２のカソード電極４上に載置される
。
イエツチング装置ｌのローダ９に搬送され、ロードロツ
タ室８を経て処理室２のカソード電極４上に載置される
。
次に、処理室２の内部を、例えば、数Ｔｏｒｒ程度にな
るまで減圧した後、ガス供給源３ａ〜３Ｃより処理室２
に所定量のＣＦ４ ＋ＣＨＦ３ ＋Ａ ｒ十Ｈｅからな
る反応ガスを供給する。
るまで減圧した後、ガス供給源３ａ〜３Ｃより処理室２
に所定量のＣＦ４ ＋ＣＨＦ３ ＋Ａ ｒ十Ｈｅからな
る反応ガスを供給する。
次いで、アノード電極５とカソード電極４との間に高周
波電圧を印加すると、プラズマ化された反応ガスによる
ドライエツチングが開始され、５１０２膜１４の所定箇
所に基板との導通を取るためのコンタクトホール１６が
形成される（第１図〜）） 。
波電圧を印加すると、プラズマ化された反応ガスによる
ドライエツチングが開始され、５１０２膜１４の所定箇
所に基板との導通を取るためのコンタクトホール１６が
形成される（第１図〜）） 。
このとき、ＣＦ ａ ＋ ＣＨＦ ｓ ＋ Ａ ｒ
＋ Ｈｅからなる反応ガスを用いることにより、コン
タクトホール１６の断面形状を順テーバ形すなわち下向
きテーパ形にすることができる。
＋ Ｈｅからなる反応ガスを用いることにより、コン
タクトホール１６の断面形状を順テーバ形すなわち下向
きテーパ形にすることができる。
すなわち、第３図に示すように、ＣＦ、＋ＣＨＦ３十Ａ
ｒ系反応ガスにＩ（ｅを添加していくと、Ｈｅの添加量
が増加するに従って、コンタクトホール１６のテーパ角
度θが小さくなり、その断面形状は、逆テーパ形すなわ
ち上向きテーパ形から順テーパ形すなわち下向きテーパ
形に変化する。
ｒ系反応ガスにＩ（ｅを添加していくと、Ｈｅの添加量
が増加するに従って、コンタクトホール１６のテーパ角
度θが小さくなり、その断面形状は、逆テーパ形すなわ
ち上向きテーパ形から順テーパ形すなわち下向きテーパ
形に変化する。
また、このときのテーバ角度θの大小は、処理室２の圧
力にも依存し、低圧になる程、テーバ角度θが小さくな
る傾向にある。
力にも依存し、低圧になる程、テーバ角度θが小さくな
る傾向にある。
その際、本実施例で用いる反応ガス中にはＡｒが添加さ
れているので、Ｈｅの添加量を増加した場合でも、従来
のＣＦ４ ＋ＣＨＦ３ ＋Ｈｅ系反応ガスの欠点であっ
たエツチングレートの低下、シリコンに対する選択比の
低下、エツチングの不均一性などは、はとんど生じない
。
れているので、Ｈｅの添加量を増加した場合でも、従来
のＣＦ４ ＋ＣＨＦ３ ＋Ｈｅ系反応ガスの欠点であっ
たエツチングレートの低下、シリコンに対する選択比の
低下、エツチングの不均一性などは、はとんど生じない
。
このようにして、順テーパ形のコンタクトホール１６が
形成されると、次に、例えば、マグネトロンスパッタ法
を用いて半導体ウェハ１０の表面にＡｌまたはＡ４２合
金からなる導電膜を被着し、この導電膜をパターニング
することにより、上記コンタクトホール１６を介して基
板と導通された第−層配線１７を形成する（第１図（Ｃ
））。
形成されると、次に、例えば、マグネトロンスパッタ法
を用いて半導体ウェハ１０の表面にＡｌまたはＡ４２合
金からなる導電膜を被着し、この導電膜をパターニング
することにより、上記コンタクトホール１６を介して基
板と導通された第−層配線１７を形成する（第１図（Ｃ
））。
次に、上記第−層配線１７の上に、ＣＶＤ法を用いて５
１０２からなる層間絶縁膜１８を形成した後、前記平行
平板形ドライエツチング装置１の処理室２内でドライエ
ツチングを行い、上記第−層配線１７に達する層間接続
孔１９を形成する。
１０２からなる層間絶縁膜１８を形成した後、前記平行
平板形ドライエツチング装置１の処理室２内でドライエ
ツチングを行い、上記第−層配線１７に達する層間接続
孔１９を形成する。
この場合も、ＣＦ４ ＋ＣＨＦ、 ＋Ａｒ＋Ｈｅからな
る反応ガスを用いることにより、層間接続孔１９の断面
形状を順テーパ形にすることができる。
る反応ガスを用いることにより、層間接続孔１９の断面
形状を順テーパ形にすることができる。
次に、第−層配線１７を形成した場合と同様の方法で、
層間絶縁膜１３の表面に導電膜を被着してこれをバター
ニングすることにより、層間接続孔１９を介して第−層
配線１７と導通された第二層配線２０を形成する。
層間絶縁膜１３の表面に導電膜を被着してこれをバター
ニングすることにより、層間接続孔１９を介して第−層
配線１７と導通された第二層配線２０を形成する。
最後に、上記第二層配線２０の表面に、例えば、減圧Ｃ
ＶＤ法を用いてシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）
などからなるパッシベーション膜２１を被着し、その所
定箇所を孔開けして電極パッド２２を形成する（第１図
（ｄ））。
ＶＤ法を用いてシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）
などからなるパッシベーション膜２１を被着し、その所
定箇所を孔開けして電極パッド２２を形成する（第１図
（ｄ））。
このように、本実施例によれば、次の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、平行平板形ドライエツチング装置１でコンタク
トホール１６および層間絶縁孔２０を形成する際、ＣＦ
４ ＋ ＣＨＦ ３ ＋Ａ ｒ ＋ Ｈｅからなる反
応ガスを用いたドライエツチングを行うことにより、エ
ツチングレート、シリコンに対する選択比、およびエツ
チングの均一性などを低下させることなく、コンタクト
ホール１６および層間絶縁孔２０の断面形状を順テーバ
形にすることができる。
トホール１６および層間絶縁孔２０を形成する際、ＣＦ
４ ＋ ＣＨＦ ３ ＋Ａ ｒ ＋ Ｈｅからなる反
応ガスを用いたドライエツチングを行うことにより、エ
ツチングレート、シリコンに対する選択比、およびエツ
チングの均一性などを低下させることなく、コンタクト
ホール１６および層間絶縁孔２０の断面形状を順テーバ
形にすることができる。
（２）、上記（１）により、コンタクトホール１６およ
び層間絶縁孔２０に被着される導電膜のステップカバレ
ージが向上するので、第−層配線１７および第二層配線
２０の信頼性が向上する。
び層間絶縁孔２０に被着される導電膜のステップカバレ
ージが向上するので、第−層配線１７および第二層配線
２０の信頼性が向上する。
（３）、上記（１）により、第−層配線１７および第二
層配線２０の微細化が促進される。
層配線２０の微細化が促進される。
（４）、上記（１）により、ドライエツチング工程の歩
留りが向上する。
留りが向上する。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
例えば、実施例では、コンタクトホールや層間絶縁孔の
形成工程に適用した場合について説明したが、シリコン
酸化膜をドライエツチングで加工するすべての工程に適
用することができる。
形成工程に適用した場合について説明したが、シリコン
酸化膜をドライエツチングで加工するすべての工程に適
用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、ウェハの表面に形成されたシリコン酸化膜を
ドライエツチングで加工するに際し、ＣＦ４ と、ＣＨ
Ｆｆｆ と、Ａｒと、Ｈｅとからなる反応ガスを用い
ることにより、形状制御性、均一性、選択性などの各種
エツチング特性を向上させるこ７とができる。
ドライエツチングで加工するに際し、ＣＦ４ と、ＣＨ
Ｆｆｆ と、Ａｒと、Ｈｅとからなる反応ガスを用い
ることにより、形状制御性、均一性、選択性などの各種
エツチング特性を向上させるこ７とができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例である半導体
装置の製造方法を示す半導体ウェハの要部断面図、第２
図は本実施例で用いるドライエツチング装置の要部断面
図、 第３図は本実施例で用いる反応ガスにおけるＨｅ添添加
とコンタクトホールのテーバ角度との関係を示すグラフ
図である。 ｌ・・・平行平板形ドライエツチング装置、２・・・処
理室２．３ａ〜３Ｃ・・・ガス供給源、４・・・カソー
ド電極、５・・・アノード電極、６・・・温調器、７・
・・高周波電源、８・・・ロードロツタ室、９・・・ロ
ーダ、１０・・・半導体ウェハ、１１・・・排気管、１
２・・・ガス供給管、１３ａ−１３ｃ・・・バルブ、１
４・・・５１０２膜（シリコン酸化膜）、１５・・・レ
ジストマスク、１６・・・コンタクトホール、１７・・
・第−層配線、１８・・・層間絶縁膜（シリコン酸化膜
）、１９・・・層間絶縁孔、２０・・・第二層配！、２
１・・・パッシベーション膜、２２・・・電極パッド、
θ・・・テーバ角度。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第１図 ／ （、ｅ 第１図 ／ ）′１
装置の製造方法を示す半導体ウェハの要部断面図、第２
図は本実施例で用いるドライエツチング装置の要部断面
図、 第３図は本実施例で用いる反応ガスにおけるＨｅ添添加
とコンタクトホールのテーバ角度との関係を示すグラフ
図である。 ｌ・・・平行平板形ドライエツチング装置、２・・・処
理室２．３ａ〜３Ｃ・・・ガス供給源、４・・・カソー
ド電極、５・・・アノード電極、６・・・温調器、７・
・・高周波電源、８・・・ロードロツタ室、９・・・ロ
ーダ、１０・・・半導体ウェハ、１１・・・排気管、１
２・・・ガス供給管、１３ａ−１３ｃ・・・バルブ、１
４・・・５１０２膜（シリコン酸化膜）、１５・・・レ
ジストマスク、１６・・・コンタクトホール、１７・・
・第−層配線、１８・・・層間絶縁膜（シリコン酸化膜
）、１９・・・層間絶縁孔、２０・・・第二層配！、２
１・・・パッシベーション膜、２２・・・電極パッド、
θ・・・テーバ角度。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第１図 ／ （、ｅ 第１図 ／ ）′１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハの表面に形成されたシリコン酸化膜を
ドライエッチングで加工するに際し、ＣＦ、と、ＣＨＦ
＿３と、Ａｒと、Ｈｅとからなる反応ガスを用いること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、アノードカップリング方式の平行平板形ドライエッ
チング装置を用いることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066141A JP2603989B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066141A JP2603989B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238121A true JPH01238121A (ja) | 1989-09-22 |
| JP2603989B2 JP2603989B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=13307284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066141A Expired - Lifetime JP2603989B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603989B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162721A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH056875A (ja) * | 1990-02-16 | 1993-01-14 | Applied Materials Inc | 二酸化シリコンの改良ｒｉｅエツチング方法 |
| JPH06151388A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066141A patent/JP2603989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056875A (ja) * | 1990-02-16 | 1993-01-14 | Applied Materials Inc | 二酸化シリコンの改良ｒｉｅエツチング方法 |
| JPH04162721A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06151388A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2603989B2 (ja) | 1997-04-23 |
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Legal Events
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