JPH0680642B2 - 放電加工用電極 - Google Patents
放電加工用電極Info
- Publication number
- JPH0680642B2 JPH0680642B2 JP12495586A JP12495586A JPH0680642B2 JP H0680642 B2 JPH0680642 B2 JP H0680642B2 JP 12495586 A JP12495586 A JP 12495586A JP 12495586 A JP12495586 A JP 12495586A JP H0680642 B2 JPH0680642 B2 JP H0680642B2
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- Japan
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- electrode
- discharge machining
- electric discharge
- semiconductor wafer
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマ処理装置等に配置される放電加工用
電極に関する。
電極に関する。
（従来の技術） 一般に放電加工用電極は、プラズマ処理装置等の処理室
内に配置され、たとえば半導体ウエハ等のエッチング、
CVD等の放電加工に用いられる。
内に配置され、たとえば半導体ウエハ等のエッチング、
CVD等の放電加工に用いられる。
第４図は、このような従来の放電加工用電極を配置され
た半導体ウエハのエッチング装置を示すもので、処理室
１内には第５図にも示すように導入口２から導入される
気体を流通するための複数の貫通孔３を有する円盤状の
電極４、この電極４に対向して配置され半導体ウエハ５
を載置される電極６とから構成される放電加工用電極が
配置されている。
た半導体ウエハのエッチング装置を示すもので、処理室
１内には第５図にも示すように導入口２から導入される
気体を流通するための複数の貫通孔３を有する円盤状の
電極４、この電極４に対向して配置され半導体ウエハ５
を載置される電極６とから構成される放電加工用電極が
配置されている。
そして、これらの電極４、電極６との間には、図示しな
い電源装置から高周波電圧が印加され、導入口２から一
定の流量または圧力で導入され、排出口７から排出され
る気体をプラズマ化して半導体ウエハ５のエッチングを
行なう。
い電源装置から高周波電圧が印加され、導入口２から一
定の流量または圧力で導入され、排出口７から排出され
る気体をプラズマ化して半導体ウエハ５のエッチングを
行なう。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記説明の従来の放電加工用電極では、
一方の電極に気体流通用の貫通孔が設けられているた
め、この貫通孔により電極間に形成される電場が不均一
となり、放電が不均一となる。
一方の電極に気体流通用の貫通孔が設けられているた
め、この貫通孔により電極間に形成される電場が不均一
となり、放電が不均一となる。
また、これらの電極間の電場を均一にするためには、貫
通孔数を増大させればよいが、半導体ウエハのエッチン
グを行なうエッチング装置等では、ダストおよび不純物
の発生を避けるため電極の材質が限定されるので、その
加工上の問題と、電極の上下で気体の圧力差を設ける必
要があるため、貫通孔の数を増大させることは困難であ
る。
通孔数を増大させればよいが、半導体ウエハのエッチン
グを行なうエッチング装置等では、ダストおよび不純物
の発生を避けるため電極の材質が限定されるので、その
加工上の問題と、電極の上下で気体の圧力差を設ける必
要があるため、貫通孔の数を増大させることは困難であ
る。
このため、半導体ウエハのエッチング装置では、エッチ
ングが不均一となり、第６図に示すように半導体ウエハ
５に電極の貫通孔が転写され、深さ40〜100nm程度の凹
部5aが形成される等放電加工を均一に行なうことができ
ないという問題があった。
ングが不均一となり、第６図に示すように半導体ウエハ
５に電極の貫通孔が転写され、深さ40〜100nm程度の凹
部5aが形成される等放電加工を均一に行なうことができ
ないという問題があった。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
従来に比べて電極間に均一な電場を形成することがで
き、均一な放電加工を行なうことのできる放電加工用電
極を提供しようとするものである。
従来に比べて電極間に均一な電場を形成することがで
き、均一な放電加工を行なうことのできる放電加工用電
極を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、気体流通用の複数の貫通孔を有する
平板状の第１の電極と、この第１の電極に対向して配置
される第２の電極とから構成される放電加工用電極にお
いて、前記第１の電極の前記第２の電極と対向する側に
複数の非貫通孔を配設したものである。
平板状の第１の電極と、この第１の電極に対向して配置
される第２の電極とから構成される放電加工用電極にお
いて、前記第１の電極の前記第２の電極と対向する側に
複数の非貫通孔を配設したものである。
（作用） 本発明の放電加工用電極では、気体流通用の複数の貫通
孔を有する平板状の電極の他の電極と対向する側に設け
られた複数の非貫通孔により、これらの電極間に形成さ
れる電場が均一となり、放電が均一に行なわれる。
孔を有する平板状の電極の他の電極と対向する側に設け
られた複数の非貫通孔により、これらの電極間に形成さ
れる電場が均一となり、放電が均一に行なわれる。
（実施例） 以下、本発明の詳細を図面に示す実施例について説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の放電加工用電極を配置され
た半導体ウエハのエッチング装置を示すもので、処理室
11内には、第２図にも示すように導入口２から導入され
る気体を流通するための直径0.8mm程度の複数の貫通孔1
3を有する黒鉛からなる直径185mm、厚さ3.7mmの円盤状
の電極14と、この電極14に5mm程度の間隔を設けて対向
して配置され、半導体ウエハ15を載置される電極16とか
ら構成される放電加工用電極が配置されている。
た半導体ウエハのエッチング装置を示すもので、処理室
11内には、第２図にも示すように導入口２から導入され
る気体を流通するための直径0.8mm程度の複数の貫通孔1
3を有する黒鉛からなる直径185mm、厚さ3.7mmの円盤状
の電極14と、この電極14に5mm程度の間隔を設けて対向
して配置され、半導体ウエハ15を載置される電極16とか
ら構成される放電加工用電極が配置されている。
また、電極14の半導体ウエハ15側には、貫通孔13の間に
これらの貫通孔13とほぼ同形で深さが1.7mm程度の複数
の非貫通孔13aが形成されている。
これらの貫通孔13とほぼ同形で深さが1.7mm程度の複数
の非貫通孔13aが形成されている。
上記構成のこの実施例の放電加工用電極では、電極14と
電極16との間には、図示しない電源装置から高周波電圧
が印加され、導入口２から一定の流量または圧力で導入
され、排出口17から排出される気体をプラズマ化して半
導体ウエハ５のエッチングを行なう。
電極16との間には、図示しない電源装置から高周波電圧
が印加され、導入口２から一定の流量または圧力で導入
され、排出口17から排出される気体をプラズマ化して半
導体ウエハ５のエッチングを行なう。
上述のこの実施例の放電加工用電極を配置されたエッチ
ング装置で電極間距離を0.5cmとし、出力700W、周波数4
00Hzの電圧を印加し、動作圧力3.0torr、CHF3 90cc/mi
n、CF4 120cc/min、He 500cc/minの条件で気体を流通さ
せて、直径６インチの半導体ウエハ15のエッチングを行
なったところ、第３図に示すように電極14の貫通孔13転
写による凹部が形成されることなく、均一にエッチング
を行なうことができた。
ング装置で電極間距離を0.5cmとし、出力700W、周波数4
00Hzの電圧を印加し、動作圧力3.0torr、CHF3 90cc/mi
n、CF4 120cc/min、He 500cc/minの条件で気体を流通さ
せて、直径６インチの半導体ウエハ15のエッチングを行
なったところ、第３図に示すように電極14の貫通孔13転
写による凹部が形成されることなく、均一にエッチング
を行なうことができた。
なお、この実施例の放電加工用電極では、非貫通孔13a
を貫通孔13とほぼ同径として、その深さを1.7mm程度と
したが、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
く、非貫通孔13aの径および深さは、どのようにしても
よいことはもちろんである。
を貫通孔13とほぼ同径として、その深さを1.7mm程度と
したが、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
く、非貫通孔13aの径および深さは、どのようにしても
よいことはもちろんである。
［発明の効果］ 上述のように本発明の放電加工用電極では、電極間に、
従来の放電加工用電極に比べて均一な電場を形成するこ
とができ、放電が均一に行なわれるので、均一な放電加
工を行なうことができる。
従来の放電加工用電極に比べて均一な電場を形成するこ
とができ、放電が均一に行なわれるので、均一な放電加
工を行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例の放電加工用電極を配置され
たエッチング装置を示す縦断面図、第２図は第１図に示
す放電加工用電極の下面図、第３図は第１図に示すエッ
チング装置でエッチングを行なった半導体ウエハを示す
上面図、第４図は従来の放電加工用電極を配置されたエ
ッチング装置を示す縦断面図、第５図は第４図に示す放
電加工用電極の下面図、第６図は第４図に示すエッチン
グ装置でエッチングを行なった半導体ウエハを示す上面
図である。 13……貫通孔、13a……非貫通孔、14、16……電極。
たエッチング装置を示す縦断面図、第２図は第１図に示
す放電加工用電極の下面図、第３図は第１図に示すエッ
チング装置でエッチングを行なった半導体ウエハを示す
上面図、第４図は従来の放電加工用電極を配置されたエ
ッチング装置を示す縦断面図、第５図は第４図に示す放
電加工用電極の下面図、第６図は第４図に示すエッチン
グ装置でエッチングを行なった半導体ウエハを示す上面
図である。 13……貫通孔、13a……非貫通孔、14、16……電極。
フロントページの続き (72)発明者 今福 光祐 山梨県韮崎市藤井町北下条2381−１ テ ル・ラム株式会社内 (72)発明者 新井 泉 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 東京 エレクトロン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】気体流通用の複数の貫通孔を有する平板状
の第１の電極と、この第１の電極に対向して配置される
第２の電極とから構成される放電加工用電極において、
前記第１の電極の前記第２の電極と対向する側に複数の
非貫通孔を配設したことを特徴とする放電加工用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495586A JPH0680642B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 放電加工用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495586A JPH0680642B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 放電加工用電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281427A JPS62281427A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH0680642B2 true JPH0680642B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14898350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12495586A Expired - Lifetime JPH0680642B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 放電加工用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680642B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2793821B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1998-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5091217A (en) * | 1989-05-22 | 1992-02-25 | Advanced Semiconductor Materials, Inc. | Method for processing wafers in a multi station common chamber reactor |
| JP2733316B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1998-03-30 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング装置およびその方法 |
| EP0413239B1 (en) * | 1989-08-14 | 1996-01-10 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system and method of using said system |
| JPH03120371A (ja) * | 1989-10-01 | 1991-05-22 | Hirano Tecseed Co Ltd | 薄膜製造法 |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
| KR100320198B1 (ko) * | 1999-08-21 | 2002-03-13 | 구자홍 | 메쉬 형태의 전극이 설치된 플라즈마중합처리장치 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12495586A patent/JPH0680642B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62281427A (ja) | 1987-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |