JPS62281427A - 放電加工用電極 - Google Patents
放電加工用電極Info
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- JPS62281427A JPS62281427A JP12495586A JP12495586A JPS62281427A JP S62281427 A JPS62281427 A JP S62281427A JP 12495586 A JP12495586 A JP 12495586A JP 12495586 A JP12495586 A JP 12495586A JP S62281427 A JPS62281427 A JP S62281427A
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- electrode
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- electrodes
- discharge machining
- electric discharge
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的１
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ処理装置等に配置される放電加工用
電極に関する。
電極に関する。
（従来の技術）
一般に放電加工用電極は、プラズマ処理装置等の処理室
内に配置され、たとえば半導体ウェハ等のエツチング、
ＣＶＤＷの放電加工に用いられる。
内に配置され、たとえば半導体ウェハ等のエツチング、
ＣＶＤＷの放電加工に用いられる。
第４図は、このような従来の放電加工用電極を配置され
た半導体ウェハのエツチング装置を示すもので、処理室
１内には第５図にも示すように導入口２から導入される
気体を流通するための複数の貫通孔３を有する円盤状の
電極４、この電極４に対向して配置さ机半導体ウェハ５
を載置される電極６とから構成されるＩＩｌ電加工用電
極が配置されている。
た半導体ウェハのエツチング装置を示すもので、処理室
１内には第５図にも示すように導入口２から導入される
気体を流通するための複数の貫通孔３を有する円盤状の
電極４、この電極４に対向して配置さ机半導体ウェハ５
を載置される電極６とから構成されるＩＩｌ電加工用電
極が配置されている。
そして、これらの電極４、電極６との間には、図示しな
い電源装置から高周波電圧が印加され、導入口２から一
定の流量または圧力で導入され、排出ロアから排出され
る気体をプラズマ化して半導体ウェハ５のエツチングを
行なう。
い電源装置から高周波電圧が印加され、導入口２から一
定の流量または圧力で導入され、排出ロアから排出され
る気体をプラズマ化して半導体ウェハ５のエツチングを
行なう。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記説明の従来の敢電加工用電４へでは
、一方の電極に気体流通用の貫通孔か設けられているた
め、この貫通孔により電極間に形成される電場が不均一
となり、放電が不均一となる。
、一方の電極に気体流通用の貫通孔か設けられているた
め、この貫通孔により電極間に形成される電場が不均一
となり、放電が不均一となる。
また、これらの電極間の電場を均一にするためには、貫
通孔数を増大させればよいが、半導体ウェハのエツチン
グを行なうエツチング装置等では、ダストおよび不純物
の発生を避けるため電極の材質が限定されるので、その
加工上の問題と、電極の上下で気体の圧力差を設ける必
要がおるため、貫通孔の数を増大させることは困難であ
る。
通孔数を増大させればよいが、半導体ウェハのエツチン
グを行なうエツチング装置等では、ダストおよび不純物
の発生を避けるため電極の材質が限定されるので、その
加工上の問題と、電極の上下で気体の圧力差を設ける必
要がおるため、貫通孔の数を増大させることは困難であ
る。
このため、半導体ウェハのエツチング装置では、エツチ
ングが不均一となり、第６図に示すように半導体ウェハ
５に電極の貫通孔が転写され、深さ４０〜１１００ｎ程
度の凹部５ａが形成される等放電加工を均一に行なうこ
とができないという問題があった。
ングが不均一となり、第６図に示すように半導体ウェハ
５に電極の貫通孔が転写され、深さ４０〜１１００ｎ程
度の凹部５ａが形成される等放電加工を均一に行なうこ
とができないという問題があった。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
従来に比べて電極間に均一な電場を形成することができ
、均一な放電加工を行なうことのできる放電加工用電極
を提供しようとするものである。
従来に比べて電極間に均一な電場を形成することができ
、均一な放電加工を行なうことのできる放電加工用電極
を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するだめの手段）
すなわち本発明は、気体流通用の複数の貫通孔を有する
平板状の第１の電極と、この第１の電極に対向して配置
される第２の電極とから構成される放電加工用電極にお
いて、前記第１の電極の面記第２の電極と対向する側に
複数の非貫通孔を配設したものである。
平板状の第１の電極と、この第１の電極に対向して配置
される第２の電極とから構成される放電加工用電極にお
いて、前記第１の電極の面記第２の電極と対向する側に
複数の非貫通孔を配設したものである。
（作 用）
本発明の放電加工用電極では、気体流通用の複数の貫通
孔を有する平板状の電極の他の電極と対向する側に設け
られた複数の非貫通孔により、これらの電極間に形成さ
れる電場が均一となり、放電が均一に行なわれる。
孔を有する平板状の電極の他の電極と対向する側に設け
られた複数の非貫通孔により、これらの電極間に形成さ
れる電場が均一となり、放電が均一に行なわれる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図面に示す実施例について説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の放電加工用電極を配置され
た半導体ウェハのエツチング装置を示すもので、処理室
１１内には、第２図にも示すように導入口２から導入さ
れる気体を流通するための直径０．８ｍｍ程度の複数の
貫通孔１３を有する黒鉛からなる直径１８５ｍｍ、厚さ
３．７丁の円盤状の電極１４と、この電極」４に５ル程
度の間隔を設けて対向して配置され、半導体ウェハ１５
を載置される電極１６とから構成される放電加工用電極
が配置されている。
た半導体ウェハのエツチング装置を示すもので、処理室
１１内には、第２図にも示すように導入口２から導入さ
れる気体を流通するための直径０．８ｍｍ程度の複数の
貫通孔１３を有する黒鉛からなる直径１８５ｍｍ、厚さ
３．７丁の円盤状の電極１４と、この電極」４に５ル程
度の間隔を設けて対向して配置され、半導体ウェハ１５
を載置される電極１６とから構成される放電加工用電極
が配置されている。
また、電（１１′！１４の半導体ウェハ１５側には、貫
通孔１３の間にこれらの貫通孔１３とほぼ同形で深さか
１．７ｍｍ程度の複数の非貫通孔１３ａが形成されてい
る。
通孔１３の間にこれらの貫通孔１３とほぼ同形で深さか
１．７ｍｍ程度の複数の非貫通孔１３ａが形成されてい
る。
上記構成のこの実施例の放電加工用型４※では、電極］
４と電極１６との間には、図示しない電源装置から高周
波電圧が印加され、導入口２から一定の流♀または圧力
で導入され、排出口１７から排出される気体をプラズマ
化して半導体ウェハ５のエツチングを行なう。
４と電極１６との間には、図示しない電源装置から高周
波電圧が印加され、導入口２から一定の流♀または圧力
で導入され、排出口１７から排出される気体をプラズマ
化して半導体ウェハ５のエツチングを行なう。
上；ボのごの実施例の放電加工用電極を配置されたエツ
チング載置で電極間距離を０．５ＣＴＩｌとし、出カフ
００Ｗ、周波数４００）＋２の電圧を印加し、動作圧力
３．０ｔＯｒｌ’、 ＣＨＦ３９０ｃｃ／ｍｉｎ 、
ＣＦ４１２０ｃｃ／ｍｉｎ 、 １−ｊｅ ５００ｃｃ
／ｍｉｎの条件で気体を流通させて、直径６インチの半
導体ウェハ１５のエツチングを行なったところ、第３図
に示すように電極１４の貫通孔１３転写による凹部が形
成されることなく、均一にエツチングを行なうことがで
きた。
チング載置で電極間距離を０．５ＣＴＩｌとし、出カフ
００Ｗ、周波数４００）＋２の電圧を印加し、動作圧力
３．０ｔＯｒｌ’、 ＣＨＦ３９０ｃｃ／ｍｉｎ 、
ＣＦ４１２０ｃｃ／ｍｉｎ 、 １−ｊｅ ５００ｃｃ
／ｍｉｎの条件で気体を流通させて、直径６インチの半
導体ウェハ１５のエツチングを行なったところ、第３図
に示すように電極１４の貫通孔１３転写による凹部が形
成されることなく、均一にエツチングを行なうことがで
きた。
なお、この実施例の放電加工用電極では、非貫通孔１３
ａを貫通孔１３とほぼ同径として、その深さを１．７ｍ
ｍ程度としたが、本発明はかかる実施例に限定されるも
のではなく、非貫通孔１３ａの径および深さは、どのよ
うにしてもよいことはもちろんである。
ａを貫通孔１３とほぼ同径として、その深さを１．７ｍ
ｍ程度としたが、本発明はかかる実施例に限定されるも
のではなく、非貫通孔１３ａの径および深さは、どのよ
うにしてもよいことはもちろんである。
［発明の効果］
上）ホのように本発明の放電加工用電極では、電極間に
、従来の放電加工用電極に比べて均一な電場を形成する
ことができ、放電が均一に行なわれるので、均一な放電
加工を行なうことかできる。
、従来の放電加工用電極に比べて均一な電場を形成する
ことができ、放電が均一に行なわれるので、均一な放電
加工を行なうことかできる。
第１図は本発明の一実施例の放電加工用゛電極を配置さ
れたエツチング装置を示す縦断面図、第２図は第１図に
示す放電加工用電極の下面図、第３図は第１図に示すエ
ツチング装置でエツチングを行なった半導体ウェハを示
す上面図、第４図は従来の放電加工用電極を配置された
エツチング装置を示す縦断面図、第５図は第４図に示す
放電加工用電極の下面図、第６図は第４図に示すエツチ
ング装置でエツチングを行なった半導体ウェハを示す上
面図でおる。 １３・・・・・・貫通孔、１３ａ・・・・・・非貫通孔
、１４．１６・・・・・・電極。 出願人 東京エレクトロン株式会社出願人 チ
ル・ラム株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第２２ 第３図 第５図 第６図
れたエツチング装置を示す縦断面図、第２図は第１図に
示す放電加工用電極の下面図、第３図は第１図に示すエ
ツチング装置でエツチングを行なった半導体ウェハを示
す上面図、第４図は従来の放電加工用電極を配置された
エツチング装置を示す縦断面図、第５図は第４図に示す
放電加工用電極の下面図、第６図は第４図に示すエツチ
ング装置でエツチングを行なった半導体ウェハを示す上
面図でおる。 １３・・・・・・貫通孔、１３ａ・・・・・・非貫通孔
、１４．１６・・・・・・電極。 出願人 東京エレクトロン株式会社出願人 チ
ル・ラム株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第２２ 第３図 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）気体流通用の複数の貫通孔を有する平板状の第１
の電極と、この第１の電極に対向して配置される第２の
電極とから構成される放電加工用電極において、前記第
１の電極の前記第２の電極と対向する側に複数の非貫通
孔を配設したことを特徴とする放電加工用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495586A JPH0680642B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 放電加工用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495586A JPH0680642B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 放電加工用電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281427A true JPS62281427A (ja) | 1987-12-07 |
| JPH0680642B2 JPH0680642B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14898350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12495586A Expired - Lifetime JPH0680642B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 放電加工用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680642B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142120A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPH0340427A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH03120371A (ja) * | 1989-10-01 | 1991-05-22 | Hirano Tecseed Co Ltd | 薄膜製造法 |
| JPH03175627A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-07-30 | Applied Materials Inc | ガス配給システム |
| US5091217A (en) * | 1989-05-22 | 1992-02-25 | Advanced Semiconductor Materials, Inc. | Method for processing wafers in a multi station common chamber reactor |
| EP1175695A1 (en) * | 1999-08-21 | 2002-01-30 | Lg Electronics Inc. | Plasma polymerizing apparatus having an electrode with a lot of uniform edges |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12495586A patent/JPH0680642B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142120A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5091217A (en) * | 1989-05-22 | 1992-02-25 | Advanced Semiconductor Materials, Inc. | Method for processing wafers in a multi station common chamber reactor |
| JPH0340427A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH03175627A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-07-30 | Applied Materials Inc | ガス配給システム |
| JPH03120371A (ja) * | 1989-10-01 | 1991-05-22 | Hirano Tecseed Co Ltd | 薄膜製造法 |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
| EP1175695A1 (en) * | 1999-08-21 | 2002-01-30 | Lg Electronics Inc. | Plasma polymerizing apparatus having an electrode with a lot of uniform edges |
| EP1175695A4 (en) * | 1999-08-21 | 2007-04-04 | Lg Electronics Inc | PLASMA POLYMERIZATION DEVICE WITH A VARIETY OF EQUALLY ELIMINATED ELECTRODE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680642B2 (ja) | 1994-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |