JPH01268127A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01268127A JPH01268127A JP9857588A JP9857588A JPH01268127A JP H01268127 A JPH01268127 A JP H01268127A JP 9857588 A JP9857588 A JP 9857588A JP 9857588 A JP9857588 A JP 9857588A JP H01268127 A JPH01268127 A JP H01268127A
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- JP
- Japan
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- etching
- etching chamber
- chamber
- dry etching
- vacuum
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に関し、特に柱状電極をもつ
ドライエツチング装置において、真空排気口をエツチン
グ室の側面に設けたことに関するものである。
ドライエツチング装置において、真空排気口をエツチン
グ室の側面に設けたことに関するものである。
従来、半導体製造等に用いるドライエツチング装置で、
柱状電極をもつものは、真空排気口は、エツチング室の
底面に設けられていた。
柱状電極をもつものは、真空排気口は、エツチング室の
底面に設けられていた。
上述した従来のドライエツチング装置では、バッチ処理
やウェハーの大口径化によりエツチング室が大きくなる
と、エツチング室底部に排気口が設けられている為エツ
チング室の上部と下部ではプラズマ密度が異なり、エツ
チングの均一性が悪くなるという欠点がある。
やウェハーの大口径化によりエツチング室が大きくなる
と、エツチング室底部に排気口が設けられている為エツ
チング室の上部と下部ではプラズマ密度が異なり、エツ
チングの均一性が悪くなるという欠点がある。
上述した従来のエツチング室底部に真空排気口がある柱
状電極を持つドライエツチング装置に対し、本発明は、
エツチング室側面に真空排気口があるという相違点を有
する。
状電極を持つドライエツチング装置に対し、本発明は、
エツチング室側面に真空排気口があるという相違点を有
する。
本発明の目的は、真空排気口をエツチング室側面に設け
ることによりエツチング室の大型化の際に、エツチング
の均一性を向上させるドライエツチング装置を提供する
ことにある。
ることによりエツチング室の大型化の際に、エツチング
の均一性を向上させるドライエツチング装置を提供する
ことにある。
本発明の特徴は、エツチング室側面に真空排気口を設け
たことにある。
たことにある。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
この実施例のドライエツチング装置は、エツチング室４
に真空ポンプ６が接続されている。さらに、エツチング
処理の際には、ガス導入口８よ゛リガスがエツチング室
３に導入され、かつ高周波電流５により柱状電極１に高
周波電圧が印加され、柱状電極ｌ上に配置されたウェハ
ー９表面をエツチングする。このエツチング装置では真
空排気口３がエツチング室４の側面についている為、ウ
ェハー９上のエツチングを均一にできる。
に真空ポンプ６が接続されている。さらに、エツチング
処理の際には、ガス導入口８よ゛リガスがエツチング室
３に導入され、かつ高周波電流５により柱状電極１に高
周波電圧が印加され、柱状電極ｌ上に配置されたウェハ
ー９表面をエツチングする。このエツチング装置では真
空排気口３がエツチング室４の側面についている為、ウ
ェハー９上のエツチングを均一にできる。
第２図は、本発明の実施例２の縦断面図である。
エツチング室４と真空ポンプ６七の接続部も側面に設け
である。本実施例では、エツチング室４と真空ポンプ６
との接続部を側面に設けることにより、ウェハー９上の
エツチングを均一にすることができる。
である。本実施例では、エツチング室４と真空ポンプ６
との接続部を側面に設けることにより、ウェハー９上の
エツチングを均一にすることができる。
以上説明したように本発明のドライエツチング装置を用
いれば、バッチ処理やウエノ・−の大口径化によりエツ
チング室が大型化されても、エツチング室内のプラズマ
の均一性を向上させる効果がある。
いれば、バッチ処理やウエノ・−の大口径化によりエツ
チング室が大型化されても、エツチング室内のプラズマ
の均一性を向上させる効果がある。
以上の実施例において、柱状電極の形、ウエハニ数、真
空ポンプの数、真空排気口の数及び形状は自由に選択で
きる。
空ポンプの数、真空排気口の数及び形状は自由に選択で
きる。
第１図は本発明の実施例１の縦断面図、第２図は実施例
２の縦断面図である。 １・・・・・・柱状電極、２・・・・・・陽極、３・・
・・・・真空排気口、４・・・・・・エツチング室、５
・・・・・・高周波電源、６・・・・・・真空ポンプ、
７・・・・・・絶縁物、８・・・・・・ガス導入口、９
・・・・・・ウェハー。 代理人 弁理士 内 原 音 区 味 呪
２の縦断面図である。 １・・・・・・柱状電極、２・・・・・・陽極、３・・
・・・・真空排気口、４・・・・・・エツチング室、５
・・・・・・高周波電源、６・・・・・・真空ポンプ、
７・・・・・・絶縁物、８・・・・・・ガス導入口、９
・・・・・・ウェハー。 代理人 弁理士 内 原 音 区 味 呪
Claims (1)
- エッチング室内を真空に保ち、該エッチング室内の電
極に高周波の電圧を印加し、導入されたガスの励起又は
イオン化によって電極上の半導体ウェハーをドライエッ
チングするドライエッチング装置において、半導体ウェ
ハーを固定する電極が柱状をしており、かつ真空排気口
がエッチング室の側面にあることを特徴とするドライエ
ッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098575A JPH0797580B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098575A JPH0797580B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268127A true JPH01268127A (ja) | 1989-10-25 |
| JPH0797580B2 JPH0797580B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=14223468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098575A Expired - Fee Related JPH0797580B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797580B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127761A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-26 | Fujitsu Ltd | Gas plasma etching unit |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63098575A patent/JPH0797580B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52127761A (en) * | 1976-04-19 | 1977-10-26 | Fujitsu Ltd | Gas plasma etching unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797580B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |