JPH0266941A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JPH0266941A JPH0266941A JP21931388A JP21931388A JPH0266941A JP H0266941 A JPH0266941 A JP H0266941A JP 21931388 A JP21931388 A JP 21931388A JP 21931388 A JP21931388 A JP 21931388A JP H0266941 A JPH0266941 A JP H0266941A
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- Japan
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- hollow cathode
- cathode
- plasma
- etching chamber
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエツチング装置に関し、特にプラズマもしくは
反応性イオンによるエツチング装置に関する。
反応性イオンによるエツチング装置に関する。
従来、この種のエツチング装置はマイクロ波（２，４５
ＧＨｚ）を用いてプラズマを生成していた。
ＧＨｚ）を用いてプラズマを生成していた。
第７図は従来のエツチング装置の一例の断面図である。
第７図に示すように、導波管３０１からマイクロ波（２
，４５ＧＨｚ）をエツチングチャンバ３０２に導入し、
上部ソレノイドコイル３０５で生成した磁場中で電子サ
イクロトロン共鳴によりプラズマを生成する。この際、
エツチング用ガスはガス導入管３０４からエツチングチ
ャンバ３０２内に導入される。
，４５ＧＨｚ）をエツチングチャンバ３０２に導入し、
上部ソレノイドコイル３０５で生成した磁場中で電子サ
イクロトロン共鳴によりプラズマを生成する。この際、
エツチング用ガスはガス導入管３０４からエツチングチ
ャンバ３０２内に導入される。
生成されたプラズマは上部ソレノイドコイル３０５と下
部ソレノイドコイル３０６によって形成された磁力線３
０７によってウェーハステージ３０３の導かれ、ウェー
ハステージ３０３上のウェーハ３０８をエツチングする
。
部ソレノイドコイル３０６によって形成された磁力線３
０７によってウェーハステージ３０３の導かれ、ウェー
ハステージ３０３上のウェーハ３０８をエツチングする
。
上述した従来のエツチング装置は、マイクロ波をエツチ
ングチャンバ内に直接導入しているので、プラズマの密
度はエツチングチャンバ内の圧力に依存するという欠点
がある。
ングチャンバ内に直接導入しているので、プラズマの密
度はエツチングチャンバ内の圧力に依存するという欠点
がある。
本発明のエツチング装置は、エツチングチャンバの外部
に配置される複数のガス導入管を兼ねたホローカソード
を有している。
に配置される複数のガス導入管を兼ねたホローカソード
を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図に示すように、ホローカソードユニット１０１に
エツチング用ガスを導入し、ホローカソードユニット１
０１内部で直流放電によりプラズマを生成する。
エツチング用ガスを導入し、ホローカソードユニット１
０１内部で直流放電によりプラズマを生成する。
このプラズマは上部ソレノイドコイル１０４と下部ソレ
ノイドコイル１０５によって形成されたミラー磁場の磁
力線１０６によってエツチングチャンバ１０２内のウェ
ーハステージ１０３に導かれ、ウェーハステージ１０３
上のウェーハ１１０をエツチングする。
ノイドコイル１０５によって形成されたミラー磁場の磁
力線１０６によってエツチングチャンバ１０２内のウェ
ーハステージ１０３に導かれ、ウェーハステージ１０３
上のウェーハ１１０をエツチングする。
第２図は第１図のホローカソードユニットのＡ−Ａ′線
断面図である。
断面図である。
第２図に示すように、ホローカソードユニット１０１（
第１図参照）は絶縁体１０７によって互いに絶縁された
、複数のホローカソード１．０８によって構成されてい
る。
第１図参照）は絶縁体１０７によって互いに絶縁された
、複数のホローカソード１．０８によって構成されてい
る。
第３図は第２図のホローカソードユニットのＢ−Ｂ’線
断面図である。
断面図である。
第３図に示すように、エツチング用ガス１１１はアノー
ド１０９から個々のホローカソード１０８の内部に導入
され、アノード１０９とホローカソード１０８の間に印
加された直流電界により放電し、プラズマを生成する。
ド１０９から個々のホローカソード１０８の内部に導入
され、アノード１０９とホローカソード１０８の間に印
加された直流電界により放電し、プラズマを生成する。
ホローカソード１０８を互いに絶縁する絶縁体１０７は
ホローカソード１０８の先端部でホローカソード１０８
より口径が小さくなるように加工しである。これにより
、ホローカソード１０８の内部に圧力をエツチングチャ
ンバ１０２の内部の圧力より高く保つことができる。
ホローカソード１０８の先端部でホローカソード１０８
より口径が小さくなるように加工しである。これにより
、ホローカソード１０８の内部に圧力をエツチングチャ
ンバ１０２の内部の圧力より高く保つことができる。
ホローカソード１０８内で生成されたプラズマは、ホロ
ーカソード１０８とエツチングチャンバ１０２の圧力差
によってエツチングチャンバ１０２内に噴出し、かつ絶
縁体１０７によって圧縮され、電離度がさらに高くなる
。
ーカソード１０８とエツチングチャンバ１０２の圧力差
によってエツチングチャンバ１０２内に噴出し、かつ絶
縁体１０７によって圧縮され、電離度がさらに高くなる
。
第４図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第４図に示すように、第２の実施例では、上部ソレノイ
ドコイル２０４と下部ソレノイドコイル２０５の逆方向
の電流を流し、エツチングチャンバ２０２の内部に磁力
線２０６が、第４図に破線で示すように、カスブ磁場を
形成する。
ドコイル２０４と下部ソレノイドコイル２０５の逆方向
の電流を流し、エツチングチャンバ２０２の内部に磁力
線２０６が、第４図に破線で示すように、カスブ磁場を
形成する。
カスプ磁場のポイントカスプ部に上部ホローカソード２
０１を、ラインカスプ部に下部ホローカソードユニット
２０３を配置し、各々のホローカソード内で生成された
プラズマをウェーハステージ２０７に、下部ソレノイド
コイル２０５によって形成される磁場により導く。
０１を、ラインカスプ部に下部ホローカソードユニット
２０３を配置し、各々のホローカソード内で生成された
プラズマをウェーハステージ２０７に、下部ソレノイド
コイル２０５によって形成される磁場により導く。
第５図は第４図の下部ホローカソードユニットのｃ−ｃ
′線断面図である。
′線断面図である。
第５図に示すように、下部ホローカソードユニット２０
３（第４図参照）は絶縁体２１０で互いに絶縁されたホ
ローカソード２０８を放射状に配し、その外側にアノー
ド２０９を配しである。
３（第４図参照）は絶縁体２１０で互いに絶縁されたホ
ローカソード２０８を放射状に配し、その外側にアノー
ド２０９を配しである。
第６図は第４図の上部ホローカソードのＤＤ′線断面図
である。
である。
第６図に示すように、上部ホローカソード２０１（第４
図参照）はホローカソード２０８の外側に絶縁体２１０
を配し、その上部にアノード２０９を配しである。
図参照）はホローカソード２０８の外側に絶縁体２１０
を配し、その上部にアノード２０９を配しである。
なお、プラズマの生成方法については上述した第１図の
第１の実施例と同様であり説明を省略する。
第１の実施例と同様であり説明を省略する。
以上説明したように本発明は、複数のホローカソードを
用いることにより、プラズマの電離度を上げ、ウェーハ
上でのプラズマの均一性を向上し、更にホローカソード
とエツチングチャンバの間の絶縁体の穴を小さくことに
より、ホローカソード内部とエツチングチャンバ内の圧
力を個々に制御でき、プラズマの密度のエツチングチャ
ンバ内の圧力依存性を小さくできるという効果がある。
用いることにより、プラズマの電離度を上げ、ウェーハ
上でのプラズマの均一性を向上し、更にホローカソード
とエツチングチャンバの間の絶縁体の穴を小さくことに
より、ホローカソード内部とエツチングチャンバ内の圧
力を個々に制御でき、プラズマの密度のエツチングチャ
ンバ内の圧力依存性を小さくできるという効果がある。
又、第２の実施例では、カスブ磁場を用いることにより
、生成されたプラズマがカスブ中央部の弱磁場領域を通
過するため、ウェーハ上でのプラズマの均一性がさらに
向上するという効果がある。
、生成されたプラズマがカスブ中央部の弱磁場領域を通
過するため、ウェーハ上でのプラズマの均一性がさらに
向上するという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
図のホローカソードユニットのＡ−Ａ”線断面図、第３
図は第２図のホローカソードユニットのＢ−Ｂ’線断面
図、第４図は本発明の第２の実施例の断面図、第５図は
第４図の下部ボローカソードユニットのｃ−ｃ’線断面
図、第６図は第４図の上部ホローカソードユニットのＤ
−Ｄ′線断面図、第７図は従来のエツチング装置の一例
の断面図である。 １０１・・・ホローカソードユニット、１０２・・・エ
ツチングチャンバ、１０３・・・ウェーハステージ、１
０４・・・上部ソレノイドコイル、１０５・・・下部ソ
レノイドコイル、１０６・・・磁力線、１０７・・・絶
縁体、１０８・・・ホローカソード、１０９・・・アノ
ード、１１０・・・ウェーハ、１］］・・・エツチング
用ガス、２０１・・・上部ホローカソード、２０２・・
・エツチングチャンバ、２０３・・・下部ホローカソー
ドユニット、２０４・・・上部ソレノイドコイル、２０
５・・・下部ソレノイドコイル、２０６・・・磁力線、
２０７・・・ウェーハステージ、２０８・・・ホローカ
ソード、２０９・・・アノード、２１０・・・絶縁体、
３０１・・・導波管、３０２・・・エツチングチャンバ
、３０３・・・ウェーハステージ、３０４・・・ガス導
入管、３０５・・・上部ソレノイドコイル、３０６・・
・下部ソレノイドコイル、３０７・・・磁力線、３０８
・・・ウェーハ。 代理人 弁理士 内 原 晋 月３図 ２何２図 石４圀
図のホローカソードユニットのＡ−Ａ”線断面図、第３
図は第２図のホローカソードユニットのＢ−Ｂ’線断面
図、第４図は本発明の第２の実施例の断面図、第５図は
第４図の下部ボローカソードユニットのｃ−ｃ’線断面
図、第６図は第４図の上部ホローカソードユニットのＤ
−Ｄ′線断面図、第７図は従来のエツチング装置の一例
の断面図である。 １０１・・・ホローカソードユニット、１０２・・・エ
ツチングチャンバ、１０３・・・ウェーハステージ、１
０４・・・上部ソレノイドコイル、１０５・・・下部ソ
レノイドコイル、１０６・・・磁力線、１０７・・・絶
縁体、１０８・・・ホローカソード、１０９・・・アノ
ード、１１０・・・ウェーハ、１］］・・・エツチング
用ガス、２０１・・・上部ホローカソード、２０２・・
・エツチングチャンバ、２０３・・・下部ホローカソー
ドユニット、２０４・・・上部ソレノイドコイル、２０
５・・・下部ソレノイドコイル、２０６・・・磁力線、
２０７・・・ウェーハステージ、２０８・・・ホローカ
ソード、２０９・・・アノード、２１０・・・絶縁体、
３０１・・・導波管、３０２・・・エツチングチャンバ
、３０３・・・ウェーハステージ、３０４・・・ガス導
入管、３０５・・・上部ソレノイドコイル、３０６・・
・下部ソレノイドコイル、３０７・・・磁力線、３０８
・・・ウェーハ。 代理人 弁理士 内 原 晋 月３図 ２何２図 石４圀
Claims (1)
- エッチングチャンバの外部に配置される複数のガス導入
管を兼ねたホローカソードを有することを特徴とするエ
ッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931388A JPH0266941A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931388A JPH0266941A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266941A true JPH0266941A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16733528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21931388A Pending JPH0266941A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266941A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634778A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-01-18 | The Boc Group, Inc. | Hollow cathode array |
| WO2000034979A1 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Hollow cathode array for plasma generation |
| US6528947B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-03-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hollow cathode array for plasma generation |
| JP2007095536A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Univ Nagoya | ラジカル発生装置 |
| KR101010130B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2011-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전자빔 큐어링 장비 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226925A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Anelva Corp | 放電反応装置 |
| JPS644481A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | Minoru Sugawara | Parallel-plate discharge electrode |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21931388A patent/JPH0266941A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226925A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Anelva Corp | 放電反応装置 |
| JPS644481A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-09 | Minoru Sugawara | Parallel-plate discharge electrode |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0634778A1 (en) * | 1993-07-12 | 1995-01-18 | The Boc Group, Inc. | Hollow cathode array |
| US5627435A (en) * | 1993-07-12 | 1997-05-06 | The Boc Group, Inc. | Hollow cathode array and method of cleaning sheet stock therewith |
| WO2000034979A1 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Hollow cathode array for plasma generation |
| US6528947B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-03-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hollow cathode array for plasma generation |
| KR101010130B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2011-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전자빔 큐어링 장비 |
| JP2007095536A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Univ Nagoya | ラジカル発生装置 |
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