JPS62277730A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS62277730A JPS62277730A JP12047586A JP12047586A JPS62277730A JP S62277730 A JPS62277730 A JP S62277730A JP 12047586 A JP12047586 A JP 12047586A JP 12047586 A JP12047586 A JP 12047586A JP S62277730 A JPS62277730 A JP S62277730A
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- Japan
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- etching
- electrodes
- electrode
- distance
- plasma
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- Pending
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体デバイスの製造装置、特に対向電極をも
つプラズマエツチング装置の電極形状に関するものでお
る。
つプラズマエツチング装置の電極形状に関するものでお
る。
［従来の技術］
従来、半導体デバイスの製造工程において、選択的に不
要部分を除去する手段として薬液による湿式エツチング
が行なわれていたが、デバイスの微細化にともない加工
精度のすぐれたプラズマエツチング法が採用されるよう
になってきた。従来のプラズマエツチング装置はこれを
大別すると、バレル型と平板型とにわけられる。ざらに
平板型は対向電極型とダイオード型に分けられるが、こ
れらの型式の中で加工精度が最も優れているのが対向電
極型である。対向電極型エツチング装置は通常弗素系も
しくは塩素系カス（ＣＦ４． Ｃ０２［２゜ＣＣｌ４な
ど）をエツチングカスとして用い、反応ガス圧力は１０
−３〜１０”Ｔｏｒｒで行なわれており、このタイプの
エツチング装置はプラズマ電位と被エツチング物でおる
シリコン基板との電界の方向性が強いため、異方性エツ
チングができる。従来の対向電極型プラズマエツチング
装置の構造を第３図に示す。第３図において、対向する
上部電極３０１と下部電極３０２は互に平行に３２首さ
れており、対向する二つの電極２０１．２０２間の距離
３０４は一定て必る。３０３は被エツチング物、３０５
はエツチングガスの導入方向、３０６は真空排気の方向
でおる。
要部分を除去する手段として薬液による湿式エツチング
が行なわれていたが、デバイスの微細化にともない加工
精度のすぐれたプラズマエツチング法が採用されるよう
になってきた。従来のプラズマエツチング装置はこれを
大別すると、バレル型と平板型とにわけられる。ざらに
平板型は対向電極型とダイオード型に分けられるが、こ
れらの型式の中で加工精度が最も優れているのが対向電
極型である。対向電極型エツチング装置は通常弗素系も
しくは塩素系カス（ＣＦ４． Ｃ０２［２゜ＣＣｌ４な
ど）をエツチングカスとして用い、反応ガス圧力は１０
−３〜１０”Ｔｏｒｒで行なわれており、このタイプの
エツチング装置はプラズマ電位と被エツチング物でおる
シリコン基板との電界の方向性が強いため、異方性エツ
チングができる。従来の対向電極型プラズマエツチング
装置の構造を第３図に示す。第３図において、対向する
上部電極３０１と下部電極３０２は互に平行に３２首さ
れており、対向する二つの電極２０１．２０２間の距離
３０４は一定て必る。３０３は被エツチング物、３０５
はエツチングガスの導入方向、３０６は真空排気の方向
でおる。
この電極３０１．３０２間距離を小さくすると、一般的
に電界強さが増すために、エツチング速度は速くなる。
に電界強さが増すために、エツチング速度は速くなる。
通常の多数枚同時処理式エツチング装置（バッチ装置）
ではこの電極間距離は５０＃前後となっている。しかし
ながら最近では高速エツチングのために電極間距離を５
ｍ前後に狭めたナローギャップ型対向電極プラズマエツ
チング装置が用いられるようになってきた。
ではこの電極間距離は５０＃前後となっている。しかし
ながら最近では高速エツチングのために電極間距離を５
ｍ前後に狭めたナローギャップ型対向電極プラズマエツ
チング装置が用いられるようになってきた。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のナローギャップ型対向電極プラズマエツ
チング装置は電極間距離が狭いために、エツチングガス
が電極の中心部まで充分に入り込まないため、エツチン
グ量の均一性が極めて悪いという欠点がある。すなわち
、電極周辺部ではエツチングが速く進み、電極の中心部
ではエツチングが遅くなるという欠点がある。このため
、実際のエツチング時間は中心部の遅いエツチング速度
にあわせて決定する必要があり、周辺部ではオーバーエ
ッチ状態となり、エツチングされた後の形状がデバイス
の特性に不利なものとなる場合がおる。
チング装置は電極間距離が狭いために、エツチングガス
が電極の中心部まで充分に入り込まないため、エツチン
グ量の均一性が極めて悪いという欠点がある。すなわち
、電極周辺部ではエツチングが速く進み、電極の中心部
ではエツチングが遅くなるという欠点がある。このため
、実際のエツチング時間は中心部の遅いエツチング速度
にあわせて決定する必要があり、周辺部ではオーバーエ
ッチ状態となり、エツチングされた後の形状がデバイス
の特性に不利なものとなる場合がおる。
［発明の従来技術の対する相違点］
上述した従来のナローギャップ型対向電極プラズマエツ
チング装置に対し、本発明は対向した二つの電極間の距
離を中央部と周辺部とで異ならせるという独創的内容を
有する。
チング装置に対し、本発明は対向した二つの電極間の距
離を中央部と周辺部とで異ならせるという独創的内容を
有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明はエツチングガス雰囲気内にてプラズマを発生さ
せる一対の電極を備えた対向電極型プラズマエツチング
装置において、相対する一対の電極間距離を変化させ、
電極の周辺部を中央部より広く設定したことを特徴とす
る半導体製造装置である。
せる一対の電極を備えた対向電極型プラズマエツチング
装置において、相対する一対の電極間距離を変化させ、
電極の周辺部を中央部より広く設定したことを特徴とす
る半導体製造装置である。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
１０１および１０２は対向する２つの電極、１０３は被
エツチング物であるシリコン基板、１０４はエツチング
ガスの導入方向、１０５は真空排気の方向、１０６はこ
れらの構成要素を収納する真空チャンバーである。本実
施例の対向する電極１０１．１０２のうち上部電極１０
２は下に凸のわん曲形状をしており、これによって外周
部電極間距離１０７を中心部電極間距離１０８より長く
設定したものである。対向電極のうち１０２は駆動機構
により回転できるようにしてもよい。エツチングガスの
導入及び真空排気は、本実施例ではそれぞれ１カ所とし
たが、必要に応じて多数設けてもよい。上部の電極１０
１には高周波を印加し、接地された下部電極１０２との
間にエツチングガスのプラズマを発生させ、シリコン基
板１０３の表面のエツチングを進行させる。
エツチング物であるシリコン基板、１０４はエツチング
ガスの導入方向、１０５は真空排気の方向、１０６はこ
れらの構成要素を収納する真空チャンバーである。本実
施例の対向する電極１０１．１０２のうち上部電極１０
２は下に凸のわん曲形状をしており、これによって外周
部電極間距離１０７を中心部電極間距離１０８より長く
設定したものである。対向電極のうち１０２は駆動機構
により回転できるようにしてもよい。エツチングガスの
導入及び真空排気は、本実施例ではそれぞれ１カ所とし
たが、必要に応じて多数設けてもよい。上部の電極１０
１には高周波を印加し、接地された下部電極１０２との
間にエツチングガスのプラズマを発生させ、シリコン基
板１０３の表面のエツチングを進行させる。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例の断面図でおる。
１０１はわん曲した上部電極であり、１０２は下部電極
、１０２〜１０６は第１の実施例と同じ構成要素で・あ
るので説明を省略する。２０７は上部電極１０１の支持
部であり、エツチングガスの導入孔を兼ねるため中空と
なっている。この実施例ではガス導入孔が上部電極１０
１の中心にあり、かつ電極周辺部分の間隔が広くなって
いるために、新鮮なガスが効率よくウェハ仝面に到達で
きるので、本発明の効果がより一層顕著になるという利
点がある。
、１０２〜１０６は第１の実施例と同じ構成要素で・あ
るので説明を省略する。２０７は上部電極１０１の支持
部であり、エツチングガスの導入孔を兼ねるため中空と
なっている。この実施例ではガス導入孔が上部電極１０
１の中心にあり、かつ電極周辺部分の間隔が広くなって
いるために、新鮮なガスが効率よくウェハ仝面に到達で
きるので、本発明の効果がより一層顕著になるという利
点がある。
［発明の効果］
本発明は以上説明したように対向する電極間距離を電極
周辺部で広く設定したことによりガス導入孔から導入さ
れたガスが電極の中心部まで入るのが容易になるため、
両電極間に発生するプラズマ中のエツチングガスが均質
になり、エツチング速度の面内変動がより小さくできる
という効果がおる。特に中心部の電極間距離が５＃以下
の場合に周辺部の電極間距離を１０ｓ程度にすることに
よって周辺部のエツチング速度と中心部のエツチング速
度の差を殆んど無くすることができる。ざらに本発明に
よれば、電極周辺部での異常放電をも押えることができ
るという副次的効果がある。
周辺部で広く設定したことによりガス導入孔から導入さ
れたガスが電極の中心部まで入るのが容易になるため、
両電極間に発生するプラズマ中のエツチングガスが均質
になり、エツチング速度の面内変動がより小さくできる
という効果がおる。特に中心部の電極間距離が５＃以下
の場合に周辺部の電極間距離を１０ｓ程度にすることに
よって周辺部のエツチング速度と中心部のエツチング速
度の差を殆んど無くすることができる。ざらに本発明に
よれば、電極周辺部での異常放電をも押えることができ
るという副次的効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来技術
を示す断面図である。 １０１・・・上部電極 １０２・・・下部電極１
０３・・・シリコン基板 １０４・・・ガス導入方向
１０５・・・真空排気方向 １０６・・・真空チャン
バ−１０７・・・外周部電極間距離 １０８・・・中心部電極間距離
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来技術
を示す断面図である。 １０１・・・上部電極 １０２・・・下部電極１
０３・・・シリコン基板 １０４・・・ガス導入方向
１０５・・・真空排気方向 １０６・・・真空チャン
バ−１０７・・・外周部電極間距離 １０８・・・中心部電極間距離
Claims (1)
- （１）エッチングガスの雰囲気内にてプラズマを発生さ
せる一対の電極を備えた対向電極型プラズマエッチング
装置において、一対の電極間距離を変化させ、電極の周
辺部を中央部より広く設定したことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047586A JPS62277730A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047586A JPS62277730A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277730A true JPS62277730A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14787094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12047586A Pending JPS62277730A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277730A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100252210B1 (ko) * | 1996-12-24 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 건식식각장치 |
| KR20040020589A (ko) * | 2002-08-31 | 2004-03-09 | 송석균 | 플라즈마 발생장치 |
| US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP12047586A patent/JPS62277730A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100252210B1 (ko) * | 1996-12-24 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 건식식각장치 |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| KR20040020589A (ko) * | 2002-08-31 | 2004-03-09 | 송석균 | 플라즈마 발생장치 |
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