JPH11149999A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH11149999A JPH11149999A JP9334945A JP33494597A JPH11149999A JP H11149999 A JPH11149999 A JP H11149999A JP 9334945 A JP9334945 A JP 9334945A JP 33494597 A JP33494597 A JP 33494597A JP H11149999 A JPH11149999 A JP H11149999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- lcd substrate
- processing gas
- plasma
- block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体の中央部とその外縁部で均一な処理
を施すことが可能なプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 エッチング装置１００の処理室１０２内
には，下部電極１０６と上部電極板１１８が対向配置さ
れる。下部電極１０６上には，ＬＣＤ基板Ｌを載置する
載置台が形成され，載置台の外縁部には，ＬＣＤ基板Ｌ
を固定するクランプ１１４が配置される。クランプ１１
４のＬＣＤ基板Ｌの中心方向側面には，処理時にＬＣＤ
基板Ｌの処理面よりも頂面が高いブロック１１６が取り
付けられる。上部電極板１１８の下部電極１０６側面に
は，複数の処理ガス噴出孔１２２を有する上部電極板１
１８が形成される。複数の処理ガス噴出孔１２２は，Ｌ
ＣＤ基板Ｌの処理面を上部電極板１１８のＬＣＤ基板Ｌ
側面に正投影した面積よりも内側範囲に配置される。
を施すことが可能なプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 エッチング装置１００の処理室１０２内
には，下部電極１０６と上部電極板１１８が対向配置さ
れる。下部電極１０６上には，ＬＣＤ基板Ｌを載置する
載置台が形成され，載置台の外縁部には，ＬＣＤ基板Ｌ
を固定するクランプ１１４が配置される。クランプ１１
４のＬＣＤ基板Ｌの中心方向側面には，処理時にＬＣＤ
基板Ｌの処理面よりも頂面が高いブロック１１６が取り
付けられる。上部電極板１１８の下部電極１０６側面に
は，複数の処理ガス噴出孔１２２を有する上部電極板１
１８が形成される。複数の処理ガス噴出孔１２２は，Ｌ
ＣＤ基板Ｌの処理面を上部電極板１１８のＬＣＤ基板Ｌ
側面に正投影した面積よりも内側範囲に配置される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ処理装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，ＬＣＤ用ガラス基板（以下，「Ｌ
ＣＤ基板」と称する。）などの被処理体を処理するため
の各種プラズマ処理装置が提案されている。例えば，Ｌ
ＣＤ基板に対してエッチング処理を施す装置として，処
理室内に上部電極と下部電極を対向配置したエッチング
装置が提案されている。当該装置は，サセプタを兼ねた
下部電極上にＬＣＤ基板を載置し，処理室内に処理ガス
を導入すると共に，処理室内を真空引きして所定の減圧
雰囲気に維持した後，下部電極に対して高周波電力を印
加することにより，ＬＣＤ基板に対して所定のエッチン
グ処理が施されるように構成されている。
ＣＤ基板」と称する。）などの被処理体を処理するため
の各種プラズマ処理装置が提案されている。例えば，Ｌ
ＣＤ基板に対してエッチング処理を施す装置として，処
理室内に上部電極と下部電極を対向配置したエッチング
装置が提案されている。当該装置は，サセプタを兼ねた
下部電極上にＬＣＤ基板を載置し，処理室内に処理ガス
を導入すると共に，処理室内を真空引きして所定の減圧
雰囲気に維持した後，下部電極に対して高周波電力を印
加することにより，ＬＣＤ基板に対して所定のエッチン
グ処理が施されるように構成されている。
【０００３】また，ＬＣＤ基板に対して均一な処理を施
すためには，ＬＣＤ基板上の処理ガスの分布を均一にす
ることが必要となる。そこで，当該装置では，上部電極
の下部電極側面に複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガ
ス供給面を形成した，いわゆるシャワーヘッド構造を採
用し，処理ガスの分布の均一化が図られている。
すためには，ＬＣＤ基板上の処理ガスの分布を均一にす
ることが必要となる。そこで，当該装置では，上部電極
の下部電極側面に複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガ
ス供給面を形成した，いわゆるシャワーヘッド構造を採
用し，処理ガスの分布の均一化が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
た一般的なシャワーヘッド構造を採用した場合でも，特
に半導体ウェハよりも相対的に面積の大きいＬＣＤ基板
では，そのＬＣＤ基板Ｌの外縁部での処理ガスの流速が
相対的に速くなり，ＬＣＤ基板の中心部とその外縁部で
処理ガスの密度分布が異なってしまい，ＬＣＤ基板に対
して均一な処理を施すことが困難となる。さらに，Ｃｌ
系ガスを処理ガスに使用し，ＬＣＤ基板に形成されたＡ
ｌ層に対してエッチング処理を施す場合には，上記処理
ガスの分布の乱れによる影響がより一層顕著に表れ，そ
のＬＣＤ基板に対して均一な処理を施すことがさらに困
難となる。
た一般的なシャワーヘッド構造を採用した場合でも，特
に半導体ウェハよりも相対的に面積の大きいＬＣＤ基板
では，そのＬＣＤ基板Ｌの外縁部での処理ガスの流速が
相対的に速くなり，ＬＣＤ基板の中心部とその外縁部で
処理ガスの密度分布が異なってしまい，ＬＣＤ基板に対
して均一な処理を施すことが困難となる。さらに，Ｃｌ
系ガスを処理ガスに使用し，ＬＣＤ基板に形成されたＡ
ｌ層に対してエッチング処理を施す場合には，上記処理
ガスの分布の乱れによる影響がより一層顕著に表れ，そ
のＬＣＤ基板に対して均一な処理を施すことがさらに困
難となる。
【０００５】本発明は，従来の技術が有する上記のよう
な問題点に鑑みて成されたものであり，被処理体の中央
部とその外縁部での処理ガスの分布を均一化し，被処理
体の全面に渡って均一なプラズマ処理を施すことが可能
な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的としている。
な問題点に鑑みて成されたものであり，被処理体の中央
部とその外縁部での処理ガスの分布を均一化し，被処理
体の全面に渡って均一なプラズマ処理を施すことが可能
な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置を提供するこ
とを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に
プラズマを励起して，処理室内に載置された被処理体に
対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，
被処理体に対向する位置には，複数の処理ガス噴出孔を
有する処理ガス供給面が形成されており，複数の処理ガ
ス噴出孔は，被処理体の処理面を処理ガス供給面に正投
影した範囲よりも内側範囲に配置されることを特徴とす
るプラズマ処理装置を提供することである。
め，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に
プラズマを励起して，処理室内に載置された被処理体に
対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，
被処理体に対向する位置には，複数の処理ガス噴出孔を
有する処理ガス供給面が形成されており，複数の処理ガ
ス噴出孔は，被処理体の処理面を処理ガス供給面に正投
影した範囲よりも内側範囲に配置されることを特徴とす
るプラズマ処理装置を提供することである。
【０００７】かかる構成によれば，被処理体に対向する
位置に，複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガス供給面
を形成し，それら複数の処理ガス噴出孔を，被処理体の
処理面を処理ガス供給面に正投影した範囲よりも内側範
囲に配置するため，処理ガスの流れが被処理体の中央部
よりも相対的に速い被処理体の外縁部でその処理ガスの
流れを相対的に遅くして，処理ガスの密度分布を均一に
できる。その結果，被処理体の全面に渡って均一なプラ
ズマ処理を施すことができる。
位置に，複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガス供給面
を形成し，それら複数の処理ガス噴出孔を，被処理体の
処理面を処理ガス供給面に正投影した範囲よりも内側範
囲に配置するため，処理ガスの流れが被処理体の中央部
よりも相対的に速い被処理体の外縁部でその処理ガスの
流れを相対的に遅くして，処理ガスの密度分布を均一に
できる。その結果，被処理体の全面に渡って均一なプラ
ズマ処理を施すことができる。
【０００８】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項２に記載の発明のように，処理室内に処理ガスを導入
し，処理室内にプラズマを励起して，処理室内に載置さ
れた被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理
装置において，被処理体の周囲には，処理時に被処理体
の処理面よりも頂面が高いブロックが配されることを特
徴とするプラズマ処理装置を適用することである。
項２に記載の発明のように，処理室内に処理ガスを導入
し，処理室内にプラズマを励起して，処理室内に載置さ
れた被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理
装置において，被処理体の周囲には，処理時に被処理体
の処理面よりも頂面が高いブロックが配されることを特
徴とするプラズマ処理装置を適用することである。
【０００９】かかる構成によれば，処理時に被処理体の
処理面よりも頂面が高いブロックが被処理体の周囲に配
置されるため，上述した請求項１に記載の発明と同様
に，処理ガスの流れが被処理体の中央部よりも相対的に
速い被処理体の外縁部で，その処理ガスの流れを相対的
に遅くし，処理ガスの密度分布を均一にできる。
処理面よりも頂面が高いブロックが被処理体の周囲に配
置されるため，上述した請求項１に記載の発明と同様
に，処理ガスの流れが被処理体の中央部よりも相対的に
速い被処理体の外縁部で，その処理ガスの流れを相対的
に遅くし，処理ガスの密度分布を均一にできる。
【００１０】本発明の第３の観点によれば，請求項３に
記載の発明のように，処理室内に処理ガスを導入し，処
理室内にプラズマを励起して，処理室内に載置された被
処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に
おいて，被処理体に対向する位置には，複数の処理ガス
噴出孔を有する処理ガス供給面が形成されており，複数
の処理ガス噴出孔は，被処理体の処理面を処理ガス供給
面に正投影した範囲よりも内側範囲に配置されること，
さらに被処理体の周囲には，処理時に被処理体の処理面
よりも頂面が高いブロックが配されることを特徴とする
プラズマ処理装置を提供することである。
記載の発明のように，処理室内に処理ガスを導入し，処
理室内にプラズマを励起して，処理室内に載置された被
処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に
おいて，被処理体に対向する位置には，複数の処理ガス
噴出孔を有する処理ガス供給面が形成されており，複数
の処理ガス噴出孔は，被処理体の処理面を処理ガス供給
面に正投影した範囲よりも内側範囲に配置されること，
さらに被処理体の周囲には，処理時に被処理体の処理面
よりも頂面が高いブロックが配されることを特徴とする
プラズマ処理装置を提供することである。
【００１１】かかる構成によれば，被処理体に対向する
位置に，複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガス供給面
を形成し，それら複数の処理ガス噴出孔を，被処理体の
処理面を処理ガス供給面に正投影した範囲よりも内側範
囲に配置し，さらに被処理体の処理面よりも頂面が高い
ブロックを被処理体の周囲に配置するため，被処理体の
中央部上とその外縁部上での処理ガスの密度分布を容易
に均一化することができ，被処理体の全面に渡って均一
な処理を施すことができる。
位置に，複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガス供給面
を形成し，それら複数の処理ガス噴出孔を，被処理体の
処理面を処理ガス供給面に正投影した範囲よりも内側範
囲に配置し，さらに被処理体の処理面よりも頂面が高い
ブロックを被処理体の周囲に配置するため，被処理体の
中央部上とその外縁部上での処理ガスの密度分布を容易
に均一化することができ，被処理体の全面に渡って均一
な処理を施すことができる。
【００１２】さらにまた，ブロックの一つを，例えば請
求項４に記載の発明のように，被処理体を載置台に固定
するクランプとすれば，ブロックを被処理体の周囲に容
易に配置することができる。
求項４に記載の発明のように，被処理体を載置台に固定
するクランプとすれば，ブロックを被処理体の周囲に容
易に配置することができる。
【００１３】また，被処理体上の処理ガスの分布の均一
性がより厳密に要求される処理プロセス，例えば請求項
５に記載の発明のように，被処理体の一つがＡｌ層が形
成されたＬＣＤ用ガラス基板であり，処理ガスとしてＣ
ｌ系ガスを使用する場合には，上述した請求項１〜請求
項４に記載の発明を採用することにより，そのＬＣＤ基
板に対して均一な処理を確実に施すことができる。
性がより厳密に要求される処理プロセス，例えば請求項
５に記載の発明のように，被処理体の一つがＡｌ層が形
成されたＬＣＤ用ガラス基板であり，処理ガスとしてＣ
ｌ系ガスを使用する場合には，上述した請求項１〜請求
項４に記載の発明を採用することにより，そのＬＣＤ基
板に対して均一な処理を確実に施すことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置
に適用した，実施の一形態について詳細に説明する。ま
ず，図１を参照しながら，本実施の形態にかかるエッチ
ング装置１００の全体構成について説明する。
ら，本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置
に適用した，実施の一形態について詳細に説明する。ま
ず，図１を参照しながら，本実施の形態にかかるエッチ
ング装置１００の全体構成について説明する。
【００１５】エッチング装置１００の処理室１０２は，
気密な導電性の処理容器１０４内に形成されており，そ
の処理室１０２内には，サセプタを兼ねる導電性の下部
電極１０６が配置されている。また，下部電極１０６の
載置面に載置される被処理体，例えばＬＣＤ基板Ｌは，
本実施の形態では，例えば５５０ｍｍ×６５０ｍｍの大
きさに設定されおり，ＬＣＤ基板Ｌの処理面には，Ａｌ
層が形成されている。さらに，図示の例では，下部電極
１０６の載置面と対向する処理室１０２の天井部に，上
部電極を成している。また，下部電極１０６には，整合
器１１０を介して，例えば１３．５６ＭＨｚで４ｋＷの
プラズマ生成用高周波電力を出力可能な高周波電源１１
２が接続されている。
気密な導電性の処理容器１０４内に形成されており，そ
の処理室１０２内には，サセプタを兼ねる導電性の下部
電極１０６が配置されている。また，下部電極１０６の
載置面に載置される被処理体，例えばＬＣＤ基板Ｌは，
本実施の形態では，例えば５５０ｍｍ×６５０ｍｍの大
きさに設定されおり，ＬＣＤ基板Ｌの処理面には，Ａｌ
層が形成されている。さらに，図示の例では，下部電極
１０６の載置面と対向する処理室１０２の天井部に，上
部電極を成している。また，下部電極１０６には，整合
器１１０を介して，例えば１３．５６ＭＨｚで４ｋＷの
プラズマ生成用高周波電力を出力可能な高周波電源１１
２が接続されている。
【００１６】また，下部電極１０６の載置面の外縁部上
方には，上下動自在な略枠状の機械的クランプ１１４が
配置されている。かかる構成により，下部電極１０６上
にＬＣＤ基板Ｌを載置した後，上下動自在なクランプ１
１４を相対的に下方に移動させて，クランプ１１４をＬ
ＣＤ基板Ｌを介して下部電極１０６に押圧することによ
り，ＬＣＤ基板Ｌが下部電極１０６で保持される。さら
に，クランプ１１４の内周面には，本実施の形態にかか
る略枠状のブロック１１６が形成されている。なお，こ
のブロック１１６の詳細な構成については，後述する。
方には，上下動自在な略枠状の機械的クランプ１１４が
配置されている。かかる構成により，下部電極１０６上
にＬＣＤ基板Ｌを載置した後，上下動自在なクランプ１
１４を相対的に下方に移動させて，クランプ１１４をＬ
ＣＤ基板Ｌを介して下部電極１０６に押圧することによ
り，ＬＣＤ基板Ｌが下部電極１０６で保持される。さら
に，クランプ１１４の内周面には，本実施の形態にかか
る略枠状のブロック１１６が形成されている。なお，こ
のブロック１１６の詳細な構成については，後述する。
【００１７】また，図示の例では，処理室１０２の天井
部に，処理ガス供給面を構成する本実施の形態にかかる
上部電極板１１８が設置されている。この上部電極板１
１８には，処理室１０２内とガス供給管１２０を連通す
る複数の処理ガス噴出孔１２２が形成され，いわゆるシ
ャワーヘッド構造を有している。なお，上部電極板１１
８の詳細な構成については後述する。また，ガス供給管
１２０には，処理ガス，例えば流量が１８０ｓｃｃｍの
ＢＣｌ3と，流量が９０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合ガスなど
のＣｌ系ガスを供給可能な不図示のガス供給源が接続さ
れている。
部に，処理ガス供給面を構成する本実施の形態にかかる
上部電極板１１８が設置されている。この上部電極板１
１８には，処理室１０２内とガス供給管１２０を連通す
る複数の処理ガス噴出孔１２２が形成され，いわゆるシ
ャワーヘッド構造を有している。なお，上部電極板１１
８の詳細な構成については後述する。また，ガス供給管
１２０には，処理ガス，例えば流量が１８０ｓｃｃｍの
ＢＣｌ3と，流量が９０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合ガスなど
のＣｌ系ガスを供給可能な不図示のガス供給源が接続さ
れている。
【００１８】また，処理室１０２の底面には，排気管１
２４が接続されており，この排気管１２４に接続された
不図示の排気機構の作動により，処理室１０２内の雰囲
気を均一に排気することができる。従って，処理室１０
２内を所定の減圧雰囲気，例えば２０ｍＴｏｒｒに維持
することができる。なお，本実施の形態では，処理ガス
のガス流のコントロールを行う観点から，排気量が相対
的に大きい排気機構を使用することが好ましい。
２４が接続されており，この排気管１２４に接続された
不図示の排気機構の作動により，処理室１０２内の雰囲
気を均一に排気することができる。従って，処理室１０
２内を所定の減圧雰囲気，例えば２０ｍＴｏｒｒに維持
することができる。なお，本実施の形態では，処理ガス
のガス流のコントロールを行う観点から，排気量が相対
的に大きい排気機構を使用することが好ましい。
【００１９】次に，本実施の形態にかかるブロック１１
６の構成について詳細に説明する。ブロック１１６は，
アルミナセラミックスなどの耐プラズマ性材料から形成
されていると共に，図１及び図２に示したように，クラ
ンプ１１４と略同形の略枠状に形成されている。また，
ブロック１１６は，クランプ１１４の内周面下方に取り
付けられていると共に，クランプ１１４の内周面よりも
ＬＣＤ基板Ｌの中心方向に張り出している。さらに，ブ
ロック１１６は，ブロック１１６の底面とクランプ１１
４の底面が略同一平面上に配置されるように，クランプ
１１４に取り付けられている。従って，本実施の形態に
かかるブロック１１６は，クランプ１１４の機能の一部
を果たしている。さらに，ブロック１１６とクランプ１
１４は，別体に構成されているため，ブロック１１６が
消耗した場合でも，そのブロック１１６のみを容易に交
換することができる。
６の構成について詳細に説明する。ブロック１１６は，
アルミナセラミックスなどの耐プラズマ性材料から形成
されていると共に，図１及び図２に示したように，クラ
ンプ１１４と略同形の略枠状に形成されている。また，
ブロック１１６は，クランプ１１４の内周面下方に取り
付けられていると共に，クランプ１１４の内周面よりも
ＬＣＤ基板Ｌの中心方向に張り出している。さらに，ブ
ロック１１６は，ブロック１１６の底面とクランプ１１
４の底面が略同一平面上に配置されるように，クランプ
１１４に取り付けられている。従って，本実施の形態に
かかるブロック１１６は，クランプ１１４の機能の一部
を果たしている。さらに，ブロック１１６とクランプ１
１４は，別体に構成されているため，ブロック１１６が
消耗した場合でも，そのブロック１１６のみを容易に交
換することができる。
【００２０】また，同図に示したように，ブロック１１
６の頂面は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面よりも高く配置され
ているが，そのブロック１１６の高さは，ＬＣＤ基板Ｌ
の中心部上とその外縁部上での処理ガスの分布が均一と
なるように，処理プロセスに応じて，適宜設定すること
ができる。すなわち，ブロック１１６の高さは，ＬＣＤ
基板Ｌの処理面と上部電極板１１８の距離や，ＬＣＤ基
板Ｌの大きさ（面積）や，処理ガスの流量などの各種条
件によって異なり，本実施の形態では，５ｍｍ〜４０ｍ
ｍに設定されている。
６の頂面は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面よりも高く配置され
ているが，そのブロック１１６の高さは，ＬＣＤ基板Ｌ
の中心部上とその外縁部上での処理ガスの分布が均一と
なるように，処理プロセスに応じて，適宜設定すること
ができる。すなわち，ブロック１１６の高さは，ＬＣＤ
基板Ｌの処理面と上部電極板１１８の距離や，ＬＣＤ基
板Ｌの大きさ（面積）や，処理ガスの流量などの各種条
件によって異なり，本実施の形態では，５ｍｍ〜４０ｍ
ｍに設定されている。
【００２１】かかる構成により，ＬＣＤ基板Ｌの外縁部
を流れる処理ガス流を適宜阻止し，ＬＣＤ基板Ｌの外縁
部の処理ガスの流速を相対的に遅くして，ＬＣＤ基板Ｌ
の中央部上とその外縁部上の処理ガスの分布を均一にす
ることができる。その結果，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とそ
の外縁部でエッチングレートが異なることなく，均一な
処理を施すことができる。
を流れる処理ガス流を適宜阻止し，ＬＣＤ基板Ｌの外縁
部の処理ガスの流速を相対的に遅くして，ＬＣＤ基板Ｌ
の中央部上とその外縁部上の処理ガスの分布を均一にす
ることができる。その結果，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とそ
の外縁部でエッチングレートが異なることなく，均一な
処理を施すことができる。
【００２２】また，同図に示したように，ブロック１１
６の内周面は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面に対して略垂直平
面となるように形成されている。かかる構成により，Ｌ
ＣＤ基板Ｌの外縁部での処理ガス流を所定の状態に確実
に阻止することができるため，ＬＣＤ基板Ｌ上での処理
ガスのコントロール性を向上させることができる。
６の内周面は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面に対して略垂直平
面となるように形成されている。かかる構成により，Ｌ
ＣＤ基板Ｌの外縁部での処理ガス流を所定の状態に確実
に阻止することができるため，ＬＣＤ基板Ｌ上での処理
ガスのコントロール性を向上させることができる。
【００２３】次に，本実施の形態にかかる上部電極板１
１８について詳細に説明する。上部電極板１１８は，図
１に示した例では，処理室１０２の天井部に設置され，
上部電極部１０８を構成しており，ＬＣＤ基板Ｌと対向
する面に複数の処理ガス噴出孔１２２が形成されたいわ
ゆるシャワーヘッド構造を有している。従って，処理ガ
スをＬＣＤ基板Ｌ方向に均一に噴出することができる。
１８について詳細に説明する。上部電極板１１８は，図
１に示した例では，処理室１０２の天井部に設置され，
上部電極部１０８を構成しており，ＬＣＤ基板Ｌと対向
する面に複数の処理ガス噴出孔１２２が形成されたいわ
ゆるシャワーヘッド構造を有している。従って，処理ガ
スをＬＣＤ基板Ｌ方向に均一に噴出することができる。
【００２４】また，同図に示したように，処理ガス噴出
孔１２２は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面を上部電極板１１８
の下部電極１０６側面に正投影した範囲よりも内側範囲
内に配置されるように上部電極板１１８に形成されてい
るが，この処理ガス噴出孔１２２が形成される範囲は，
上述したブロック１１６と同様に，ＬＣＤ基板Ｌの中心
部上とその外縁部上での処理ガスの分布が均一となるよ
うに，処理プロセスに応じて，適宜設定することができ
る。
孔１２２は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面を上部電極板１１８
の下部電極１０６側面に正投影した範囲よりも内側範囲
内に配置されるように上部電極板１１８に形成されてい
るが，この処理ガス噴出孔１２２が形成される範囲は，
上述したブロック１１６と同様に，ＬＣＤ基板Ｌの中心
部上とその外縁部上での処理ガスの分布が均一となるよ
うに，処理プロセスに応じて，適宜設定することができ
る。
【００２５】すなわち，処理ガス噴出孔１２２が形成さ
れる範囲は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面と上部電極板１１８
の距離や，ＬＣＤ基板Ｌの大きさ（面積）や，処理ガス
の流量などの各種条件によって異なり，本実施の形態で
は，ＬＣＤ基板Ｌの面積の３０％程度に設定されてい
る。
れる範囲は，ＬＣＤ基板Ｌの処理面と上部電極板１１８
の距離や，ＬＣＤ基板Ｌの大きさ（面積）や，処理ガス
の流量などの各種条件によって異なり，本実施の形態で
は，ＬＣＤ基板Ｌの面積の３０％程度に設定されてい
る。
【００２６】かかる構成によれば，ＬＣＤ基板Ｌの外縁
部上に処理ガス噴出孔１２２が配置されないため，処理
ガスがＬＣＤ基板Ｌの外縁部に向かって直接噴出される
ことがなく，ＬＣＤ基板Ｌの外縁部での処理ガスの流れ
を相対的に遅くすることができる。その結果，ＬＣＤ基
板Ｌの中央部とその外縁部の処理ガスの密度分布が均一
化されて，ＬＣＤ基板Ｌの全面に渡って均一なエッチン
グレートでの処理を施すことができる。
部上に処理ガス噴出孔１２２が配置されないため，処理
ガスがＬＣＤ基板Ｌの外縁部に向かって直接噴出される
ことがなく，ＬＣＤ基板Ｌの外縁部での処理ガスの流れ
を相対的に遅くすることができる。その結果，ＬＣＤ基
板Ｌの中央部とその外縁部の処理ガスの密度分布が均一
化されて，ＬＣＤ基板Ｌの全面に渡って均一なエッチン
グレートでの処理を施すことができる。
【００２７】本実施の形態にかかるエッチング装置１０
０は，以上のように構成されており，上部電極板１１８
に設けられた複数の処理ガス噴出孔１２２が形成される
領域面積を，ＬＣＤ基板Ｌの処理面の面積よりも相対的
に小さくし，さらにＬＣＤ基板Ｌの周囲にブロック１１
６を配置したため，ＬＣＤ基板Ｌ上の処理ガス密度分布
が均一化される。特に，本実施の形態の如く，Ｃｌ系ガ
スを処理ガスとして使用し，ＬＣＤ基板ＬのＡｌ層に対
してエッチング処理を施す場合には，ＬＣＤ基板Ｌの全
面に渡って均一なエッチングレートで処理を施すことが
できる。
０は，以上のように構成されており，上部電極板１１８
に設けられた複数の処理ガス噴出孔１２２が形成される
領域面積を，ＬＣＤ基板Ｌの処理面の面積よりも相対的
に小さくし，さらにＬＣＤ基板Ｌの周囲にブロック１１
６を配置したため，ＬＣＤ基板Ｌ上の処理ガス密度分布
が均一化される。特に，本実施の形態の如く，Ｃｌ系ガ
スを処理ガスとして使用し，ＬＣＤ基板ＬのＡｌ層に対
してエッチング処理を施す場合には，ＬＣＤ基板Ｌの全
面に渡って均一なエッチングレートで処理を施すことが
できる。
【００２８】
【実施例】次に，本発明にかかるプラズマ処理装置をエ
ッチング装置に適用した実施例について，図３〜図９を
参照しながら説明する。なお，本実施例は，上述したエ
ッチング装置１００によりＬＣＤ基板ＬのＡｌ層に対し
てエッチング処理を施す場合についてのものであるた
め，エッチング装置１００と略同一の機能及び構成を有
する構成要素については，同一の符号を付することによ
り，重複説明を省略する。
ッチング装置に適用した実施例について，図３〜図９を
参照しながら説明する。なお，本実施例は，上述したエ
ッチング装置１００によりＬＣＤ基板ＬのＡｌ層に対し
てエッチング処理を施す場合についてのものであるた
め，エッチング装置１００と略同一の機能及び構成を有
する構成要素については，同一の符号を付することによ
り，重複説明を省略する。
【００２９】（１） 上部電極板１１８の処理ガス供給
孔１２２が形成される領域面積を変更した場合の実施例 （第１実施例）まず，上部電極板１１８の処理ガス供給
孔１２２が形成される領域面積を変更した場合の第１実
施例について説明する。本実施例での各種設定条件につ
いて説明すると，ＬＣＤ基板Ｌは，５５０ｍｍ×６５０
ｍｍの大きさのものを使用し，ＬＣＤ基板Ｌの温度は，
６０℃に設定し，ＬＣＤ基板Ｌと上部電極板１１８との
間隔は２１０ｍｍに設定し，処理室１０２内に供給する
処理ガスは，流量が１８０ｓｃｃｍのＢＣｌ3と，流量
が９０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合ガスを使用し，処理室１
０２内の圧力雰囲気は，２０ｍｔｏｒｒに設定し，下部
電極１０６に印加する高周波電力は，４０００Ｗの電力
に設定した。
孔１２２が形成される領域面積を変更した場合の実施例 （第１実施例）まず，上部電極板１１８の処理ガス供給
孔１２２が形成される領域面積を変更した場合の第１実
施例について説明する。本実施例での各種設定条件につ
いて説明すると，ＬＣＤ基板Ｌは，５５０ｍｍ×６５０
ｍｍの大きさのものを使用し，ＬＣＤ基板Ｌの温度は，
６０℃に設定し，ＬＣＤ基板Ｌと上部電極板１１８との
間隔は２１０ｍｍに設定し，処理室１０２内に供給する
処理ガスは，流量が１８０ｓｃｃｍのＢＣｌ3と，流量
が９０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合ガスを使用し，処理室１
０２内の圧力雰囲気は，２０ｍｔｏｒｒに設定し，下部
電極１０６に印加する高周波電力は，４０００Ｗの電力
に設定した。
【００３０】そして，これら各条件に基づいて，ＬＣＤ
基板ＬのＡｌ層に対してエッチング処理を施した場合の
ＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部のエッチングレート
を図３に示した。なお，同図中の縦軸は，エッチングレ
ート（オングストローム／分）を示し，また横軸は，上
部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領
域面積を，ＬＣＤ基板Ｌの処理面の面積で割った商
（％）を示している。
基板ＬのＡｌ層に対してエッチング処理を施した場合の
ＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部のエッチングレート
を図３に示した。なお，同図中の縦軸は，エッチングレ
ート（オングストローム／分）を示し，また横軸は，上
部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領
域面積を，ＬＣＤ基板Ｌの処理面の面積で割った商
（％）を示している。
【００３１】その結果，同図にも示したように，上部電
極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域面
積をＬＣＤ基板Ｌの面積の３６％程度に設定したとき
に，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチング
レートが実質的に同一となった。
極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域面
積をＬＣＤ基板Ｌの面積の３６％程度に設定したとき
に，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチング
レートが実質的に同一となった。
【００３２】（第２実施例）次に，第２実施例での各種
設定条件について説明すると，ＬＣＤ基板Ｌは，３６０
ｍｍ×４６５ｍｍの大きさのものを使用し，ＬＣＤ基板
Ｌと上部電極板１１８との間隔は１００ｍｍに設定し，
処理室１０２内に供給する処理ガスは，流量が１２０ｓ
ｃｃｍのＢＣｌ3と，流量が６０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合
ガスを使用し，下部電極１０６に印加する高周波電力
は，２０００Ｗの電力に設定した。その他の条件は，上
記第１実施例と同様にした。
設定条件について説明すると，ＬＣＤ基板Ｌは，３６０
ｍｍ×４６５ｍｍの大きさのものを使用し，ＬＣＤ基板
Ｌと上部電極板１１８との間隔は１００ｍｍに設定し，
処理室１０２内に供給する処理ガスは，流量が１２０ｓ
ｃｃｍのＢＣｌ3と，流量が６０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合
ガスを使用し，下部電極１０６に印加する高周波電力
は，２０００Ｗの電力に設定した。その他の条件は，上
記第１実施例と同様にした。
【００３３】そして，上記各条件に基づいて，ＬＣＤ基
板ＬのＡｌ層に対してエッチング処理を施した場合のＬ
ＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部のエッチングレートを
図４に示した。なお，同図中の縦軸と横軸は，上記第１
実施例と同様である。その結果，本実施例では，ＬＣＤ
基板Ｌの面積が上述した第１実施例でのＬＣＤ基板Ｌの
面積の約１／２であるため，同図に示したように，上部
電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域
面積がＬＣＤ基板Ｌの面積の６４％〜３６％の範囲内で
は，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチング
レートが同一とはならなかった。しかしながら，上部電
極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域面
積がＬＣＤ基板Ｌの面積の３６％以下の場合に，ＬＣＤ
基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチングレートが同
一になることが予想される結果を得た。
板ＬのＡｌ層に対してエッチング処理を施した場合のＬ
ＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部のエッチングレートを
図４に示した。なお，同図中の縦軸と横軸は，上記第１
実施例と同様である。その結果，本実施例では，ＬＣＤ
基板Ｌの面積が上述した第１実施例でのＬＣＤ基板Ｌの
面積の約１／２であるため，同図に示したように，上部
電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域
面積がＬＣＤ基板Ｌの面積の６４％〜３６％の範囲内で
は，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチング
レートが同一とはならなかった。しかしながら，上部電
極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域面
積がＬＣＤ基板Ｌの面積の３６％以下の場合に，ＬＣＤ
基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチングレートが同
一になることが予想される結果を得た。
【００３４】（２） ブロック１１６の頂面とＬＣＤ基
板Ｌの処理面の距離を変更した場合の実施例 （第３実施例）次に，ブロック１１６の頂面とＬＣＤ基
板Ｌの処理面の距離を変更した場合の第３実施例につい
て説明する。なお，本実施例での各種設定条件は，上述
した第２実施例と同一である。そして，これら各条件に
基づいて，ＬＣＤ基板ＬのＡｌ層に対してエッチング処
理を施した場合のＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部の
エッチングレートを図５に示した。なお，同図中の縦軸
は，エッチングレート（オングストローム／分）を示
し，また横軸は，クランプ１１４に取り付けたブロック
１１６の頂面とＬＣＤ基板Ｌの処理面の距離を示してい
る。
板Ｌの処理面の距離を変更した場合の実施例 （第３実施例）次に，ブロック１１６の頂面とＬＣＤ基
板Ｌの処理面の距離を変更した場合の第３実施例につい
て説明する。なお，本実施例での各種設定条件は，上述
した第２実施例と同一である。そして，これら各条件に
基づいて，ＬＣＤ基板ＬのＡｌ層に対してエッチング処
理を施した場合のＬＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部の
エッチングレートを図５に示した。なお，同図中の縦軸
は，エッチングレート（オングストローム／分）を示
し，また横軸は，クランプ１１４に取り付けたブロック
１１６の頂面とＬＣＤ基板Ｌの処理面の距離を示してい
る。
【００３５】その結果，同図にも示したように，ＬＣＤ
基板Ｌと上部電極板１１８の間隔を１００ｍｍに設定し
た場合には，ブロック１１６の頂面とＬＣＤ基板Ｌの処
理面の距離を２０ｍｍに設定したときに，ＬＣＤ基板Ｌ
の中央部とその外縁部でのエッチングレートが実質的に
同一となった。
基板Ｌと上部電極板１１８の間隔を１００ｍｍに設定し
た場合には，ブロック１１６の頂面とＬＣＤ基板Ｌの処
理面の距離を２０ｍｍに設定したときに，ＬＣＤ基板Ｌ
の中央部とその外縁部でのエッチングレートが実質的に
同一となった。
【００３６】（３） ブロック１１６の形状を変更した
場合の実施例 （第４実施例）次に，ブロック１１６の形状，特にブロ
ック１１６のＬＣＤ基板Ｌの中央部方向側面の形状を変
更した場合の第４実施例について，図６を参照しながら
説明する。まず，本実施例での各種設定条件について説
明すると，ＬＣＤ基板Ｌは，３２０ｍｍ×４００ｍｍの
大きさのものを使用し，処理室１０２内に供給する処理
ガスは，流量が１４０ｓｃｃｍのＢＣｌ3と，流量が４
０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合ガスを使用し，上部電極板１
１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域面積は，
上記ＬＣＤ基板Ｌの面積の１６％に設定した，また，そ
の他の条件は，上記第２及び第３実施例と同様に設定し
た。
場合の実施例 （第４実施例）次に，ブロック１１６の形状，特にブロ
ック１１６のＬＣＤ基板Ｌの中央部方向側面の形状を変
更した場合の第４実施例について，図６を参照しながら
説明する。まず，本実施例での各種設定条件について説
明すると，ＬＣＤ基板Ｌは，３２０ｍｍ×４００ｍｍの
大きさのものを使用し，処理室１０２内に供給する処理
ガスは，流量が１４０ｓｃｃｍのＢＣｌ3と，流量が４
０ｓｃｃｍのＣｌ2の混合ガスを使用し，上部電極板１
１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領域面積は，
上記ＬＣＤ基板Ｌの面積の１６％に設定した，また，そ
の他の条件は，上記第２及び第３実施例と同様に設定し
た。
【００３７】なお，本実施例では，図７（ａ）に示した
所定の傾斜面が形成された従来のクランプ１０と，ブロ
ックを備えたクランプとを比較するため，図７（ｂ）に
示したように，従来のクランプ１０上に本実施例にかか
るブロック２００を取り付けたものを使用した。また，
クランプ１０は，上述したクランプ１１４と同様に，Ｌ
ＣＤ基板Ｌの外縁部を機械的に押圧して下部電極１０６
に固定するように構成されていると共に，図７（ａ）に
示したように，クランプ１０の頂面とＬＣＤ基板Ｌの距
離は７ｍｍに設定し，クランプ１０のＬＣＤ基板Ｌ中心
方向側面には，３０度の傾斜面を形成した。従って，ク
ランプ１０の厚みは，ＬＣＤ基板Ｌの中心方向に向かっ
て順次薄くなるように形成され，対向するクランプ１０
同士でいわゆるテーパ形状を成している。
所定の傾斜面が形成された従来のクランプ１０と，ブロ
ックを備えたクランプとを比較するため，図７（ｂ）に
示したように，従来のクランプ１０上に本実施例にかか
るブロック２００を取り付けたものを使用した。また，
クランプ１０は，上述したクランプ１１４と同様に，Ｌ
ＣＤ基板Ｌの外縁部を機械的に押圧して下部電極１０６
に固定するように構成されていると共に，図７（ａ）に
示したように，クランプ１０の頂面とＬＣＤ基板Ｌの距
離は７ｍｍに設定し，クランプ１０のＬＣＤ基板Ｌ中心
方向側面には，３０度の傾斜面を形成した。従って，ク
ランプ１０の厚みは，ＬＣＤ基板Ｌの中心方向に向かっ
て順次薄くなるように形成され，対向するクランプ１０
同士でいわゆるテーパ形状を成している。
【００３８】一方，本実施の形態にかかるブロック２０
０を備えたクランプ１０は，図７（ｂ）に示したよう
に，クランプ１０のＬＣＤ基板Ｌの中心方向側外縁部上
にブロック２００が取り付けられている。また，それら
クランプ１０とブロック２００で形成されるＬＣＤ基板
Ｌの中心方向側面が，ＬＣＤ基板Ｌの処理面に対して垂
直な平面を構成している。また，ブロック２００の頂面
とＬＣＤ基板Ｌの距離は，２５ｍｍに設定した。
０を備えたクランプ１０は，図７（ｂ）に示したよう
に，クランプ１０のＬＣＤ基板Ｌの中心方向側外縁部上
にブロック２００が取り付けられている。また，それら
クランプ１０とブロック２００で形成されるＬＣＤ基板
Ｌの中心方向側面が，ＬＣＤ基板Ｌの処理面に対して垂
直な平面を構成している。また，ブロック２００の頂面
とＬＣＤ基板Ｌの距離は，２５ｍｍに設定した。
【００３９】そして，それらテーパ形状のブロック１０
と，本実施例にかかる垂直形状のブロック２００を備え
たブロック１０を用いて，上記各条件に従い，ＬＣＤ基
板ＬのＡｌ層に対してエッチング処理を施した場合のＬ
ＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部のエッチングレートを
図６に示した。なお，同図中の縦軸は，エッチングレー
ト（オングストローム／分）を示し，また横軸は，テー
パ形状のクランプ１０と，本実施例にかかる垂直形状の
ブロック２００を備えたクランプ１０を使用した場合を
示した。
と，本実施例にかかる垂直形状のブロック２００を備え
たブロック１０を用いて，上記各条件に従い，ＬＣＤ基
板ＬのＡｌ層に対してエッチング処理を施した場合のＬ
ＣＤ基板Ｌの中央部とその外縁部のエッチングレートを
図６に示した。なお，同図中の縦軸は，エッチングレー
ト（オングストローム／分）を示し，また横軸は，テー
パ形状のクランプ１０と，本実施例にかかる垂直形状の
ブロック２００を備えたクランプ１０を使用した場合を
示した。
【００４０】その結果，同図にも示したように，従来の
テーパ形状のクランプ１０ではなく，本実施例にかかる
垂直形状のブロック２００を備えたクランプ１０を使用
した場合に，ＬＣＤ基板Ｌの中心部とその外縁部でのエ
ッチングレートが実質的に同一となるデータを得た。従
って，処理ガスの流れを妨げるブロック２００をＬＣＤ
基板Ｌの周囲を囲うように配置することにより，逆にＬ
ＣＤ基板Ｌの全面に渡って均一な処理を施すことができ
た。
テーパ形状のクランプ１０ではなく，本実施例にかかる
垂直形状のブロック２００を備えたクランプ１０を使用
した場合に，ＬＣＤ基板Ｌの中心部とその外縁部でのエ
ッチングレートが実質的に同一となるデータを得た。従
って，処理ガスの流れを妨げるブロック２００をＬＣＤ
基板Ｌの周囲を囲うように配置することにより，逆にＬ
ＣＤ基板Ｌの全面に渡って均一な処理を施すことができ
た。
【００４１】（４） 本実施例にかかるエッチング装置
と従来のエッチング装置のシミュレーションによる比較 次に，図８及び図９を参照しながら，本実施例にかかる
エッチング装置１００と，従来のエッチング装置のエッ
チング処理の均一性の違いについて，シミュレーション
の結果により説明する。なお，図８と図９の第５実施例
の各種設定条件は，上述した第１実施例と同一であり，
比較例の各種設定条件は，上部電極板１１８の処理ガス
供給孔１２２が形成される領域面積と，クランプに上記
第４実施例で説明したクランプ１０を使用した以外は，
上記第１実施例を同一である。また，図８及び図９中の
縦軸は，エッチングレート（オングストローム／分）を
示し，また横軸は，ＬＣＤ基板Ｌの中心部からその外縁
部までの距離（ｍｍ）を示している。
と従来のエッチング装置のシミュレーションによる比較 次に，図８及び図９を参照しながら，本実施例にかかる
エッチング装置１００と，従来のエッチング装置のエッ
チング処理の均一性の違いについて，シミュレーション
の結果により説明する。なお，図８と図９の第５実施例
の各種設定条件は，上述した第１実施例と同一であり，
比較例の各種設定条件は，上部電極板１１８の処理ガス
供給孔１２２が形成される領域面積と，クランプに上記
第４実施例で説明したクランプ１０を使用した以外は，
上記第１実施例を同一である。また，図８及び図９中の
縦軸は，エッチングレート（オングストローム／分）を
示し，また横軸は，ＬＣＤ基板Ｌの中心部からその外縁
部までの距離（ｍｍ）を示している。
【００４２】まず，図８を参照しながら，本実施例にか
かるエッチング装置１００について説明する。本実施例
では，上部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成
される領域面積をＬＣＤ基板Ｌの面積の３６％に設定
し，またブロック１１６の頂面とＬＣＤ基板Ｌの処理面
の距離が４０ｍｍのブロック１１６を取り付けた。その
結果，同図に示したように，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とそ
の外縁部でのエッチングレートが実質的に同一となっ
た。
かるエッチング装置１００について説明する。本実施例
では，上部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成
される領域面積をＬＣＤ基板Ｌの面積の３６％に設定
し，またブロック１１６の頂面とＬＣＤ基板Ｌの処理面
の距離が４０ｍｍのブロック１１６を取り付けた。その
結果，同図に示したように，ＬＣＤ基板Ｌの中央部とそ
の外縁部でのエッチングレートが実質的に同一となっ
た。
【００４３】（比較例）これに対して，図９に示した比
較例では，上部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が
形成される領域面積がＬＣＤ基板Ｌの面積とほぼ同じに
設定され，同図に示したように，ＬＣＤ基板Ｌの中心部
よりもその外縁部でエッチングレートが相対的に高くな
った。
較例では，上部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が
形成される領域面積がＬＣＤ基板Ｌの面積とほぼ同じに
設定され，同図に示したように，ＬＣＤ基板Ｌの中心部
よりもその外縁部でエッチングレートが相対的に高くな
った。
【００４４】以上のシミュレーション結果より，上述し
たエッチング装置１００において，Ｃｌ系ガスを処理ガ
スとして用いて，ＬＣＤ基板Ｌに形成されたＡｌ層をエ
ッチングする場合には，その処理プロセスに応じて，上
部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領
域面積を設定し，またブロック１１６設ければ，ＬＣＤ
基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチングレートを均
一にすることができ，すなわちＬＣＤ基板Ｌに対して均
一な処理を施すことができた。
たエッチング装置１００において，Ｃｌ系ガスを処理ガ
スとして用いて，ＬＣＤ基板Ｌに形成されたＡｌ層をエ
ッチングする場合には，その処理プロセスに応じて，上
部電極板１１８の処理ガス供給孔１２２が形成される領
域面積を設定し，またブロック１１６設ければ，ＬＣＤ
基板Ｌの中央部とその外縁部でのエッチングレートを均
一にすることができ，すなわちＬＣＤ基板Ｌに対して均
一な処理を施すことができた。
【００４５】以上，本発明の好適な実施の一形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり，それ
ら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属
するものと了解される。
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり，それ
ら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属
するものと了解される。
【００４６】例えば，上記実施の形態において，ブロッ
クをクランプに取り付けた構成を例を挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，例
えばクランプとは独立したブロックを被処理体の周囲を
囲うように配置したり，ブロックとクランプを一体に形
成した場合でも，本発明を実施することができる。
クをクランプに取り付けた構成を例を挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，例
えばクランプとは独立したブロックを被処理体の周囲を
囲うように配置したり，ブロックとクランプを一体に形
成した場合でも，本発明を実施することができる。
【００４７】また，上記実施の形態において，一体形成
された略枠状のブロックを採用した例を挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，所
定の厚みを持ったブロックが被処理体の周囲を囲うよう
に配置されれば，複数の部材から構成されるブロックを
採用しても本発明を実施することができる。
された略枠状のブロックを採用した例を挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，所
定の厚みを持ったブロックが被処理体の周囲を囲うよう
に配置されれば，複数の部材から構成されるブロックを
採用しても本発明を実施することができる。
【００４８】さらに，上記実施の形態において，複数の
処理ガス噴出孔が配置される面積を変更した上部電極板
とブロックを一のエッチング装置に設けた構成を例に挙
げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもの
ではなく，上記上部電極板とブロックのいずれか一方の
みを採用した場合でも，本発明を実施することができ
る。
処理ガス噴出孔が配置される面積を変更した上部電極板
とブロックを一のエッチング装置に設けた構成を例に挙
げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもの
ではなく，上記上部電極板とブロックのいずれか一方の
みを採用した場合でも，本発明を実施することができ
る。
【００４９】また，上記実施の形態において，被処理体
としてＬＣＤ基板を用いる場合を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，例
えば半導体ウェハに対して処理を施す場合にも，本発明
を適用することができる。
としてＬＣＤ基板を用いる場合を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，例
えば半導体ウェハに対して処理を施す場合にも，本発明
を適用することができる。
【００５０】さらに，上記実施の形態において，ＲＩＥ
型エッチング装置を例に挙げて説明したが，本発明はか
かる構成に限定されるものではなく，例えばマグネトロ
ンＲＩＥ型プラズマ処理装置や，ＩＣＰ型プラズマ処理
装置など各種プラズマ処理装置にも本発明を適用するこ
とができ，さらにそれら各装置により，例えばアッシン
グ処理や成膜処理などを行う場合にも，本発明を適用す
ることができる。
型エッチング装置を例に挙げて説明したが，本発明はか
かる構成に限定されるものではなく，例えばマグネトロ
ンＲＩＥ型プラズマ処理装置や，ＩＣＰ型プラズマ処理
装置など各種プラズマ処理装置にも本発明を適用するこ
とができ，さらにそれら各装置により，例えばアッシン
グ処理や成膜処理などを行う場合にも，本発明を適用す
ることができる。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば，処理室内の被処理体に
対向する位置に，複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガ
ス供給面を形成し，それら複数の処理ガス噴出孔を被処
理体の処理面を処理ガス供給面に正投影した範囲よりも
内側に配置するため，被処理体の中央部とその外縁部の
処理ガスの密度分布を均一にすることができる。また，
被処理体の周囲に，処理時に被処理体の処理面によりも
頂面が高いブロックを配置したため，上記と同様に被処
理体の中央部とその外縁部での処理ガスの密度分布を均
一にすることができる。その結果，それら被処理体の中
央部上とその外縁部上で，被処理体の全面に渡って均一
な処理を施すことができる。特に，Ｃｌ系の処理ガスを
用いて，ＬＣＤ基板のＡｌ層に処理を施す場合には，よ
り均一な処理を確実に施すことができる。
対向する位置に，複数の処理ガス噴出孔を有する処理ガ
ス供給面を形成し，それら複数の処理ガス噴出孔を被処
理体の処理面を処理ガス供給面に正投影した範囲よりも
内側に配置するため，被処理体の中央部とその外縁部の
処理ガスの密度分布を均一にすることができる。また，
被処理体の周囲に，処理時に被処理体の処理面によりも
頂面が高いブロックを配置したため，上記と同様に被処
理体の中央部とその外縁部での処理ガスの密度分布を均
一にすることができる。その結果，それら被処理体の中
央部上とその外縁部上で，被処理体の全面に渡って均一
な処理を施すことができる。特に，Ｃｌ系の処理ガスを
用いて，ＬＣＤ基板のＡｌ層に処理を施す場合には，よ
り均一な処理を確実に施すことができる。
【図１】本発明を適用可能なエッチング装置を示した概
略的な断面図である。
略的な断面図である。
【図２】図１に示したエッチング装置のブロックを説明
するための概略的な説明図である。
するための概略的な説明図である。
【図３】図１に示したエッチング装置の上部電極板の処
理ガス供給孔が形成される領域面積の比較を説明するた
めの概略的な説明図である。
理ガス供給孔が形成される領域面積の比較を説明するた
めの概略的な説明図である。
【図４】図１に示したエッチング装置の上部電極板の処
理ガス供給孔が形成される領域面積の比較を説明するた
めの概略的な説明図である。
理ガス供給孔が形成される領域面積の比較を説明するた
めの概略的な説明図である。
【図５】図１に示したエッチング装置のブロックを説明
するための概略的な説明図である。
するための概略的な説明図である。
【図６】図１に示したエッチング装置のブロックを説明
するための概略的な説明図である。
するための概略的な説明図である。
【図７】図１に示したエッチング装置のブロックを説明
するための概略的な説明図である。
するための概略的な説明図である。
【図８】図１に示したエッチング装置によるガス流れシ
ミュレーション結果の概略的な説明図である。
ミュレーション結果の概略的な説明図である。
【図９】従来のエッチング装置によるガス流れシミュレ
ーション結果の概略的な説明図である。
ーション結果の概略的な説明図である。
１００ エッチング装置 １０２ 処理室 １０６ 下部電極 １１２ 高周波電源 １１４ クランプ １１６ ブロック １１８ 上部電極板 １２２ 処理ガス噴出孔
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】 処理室内に処理ガスを導入し，前記処理
室内にプラズマを励起して，前記処理室内に載置された
被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置
において：前記被処理体に対向する位置には，複数の処
理ガス噴出孔を有する処理ガス供給面が形成されてお
り；前記複数の処理ガス噴出孔は，前記被処理体の処理
面を前記処理ガス供給面に正投影した範囲よりも内側範
囲に配置されること；を特徴とする，プラズマ処理装
置。 - 【請求項２】 処理室内に処理ガスを導入し，前記処理
室内にプラズマを励起して，前記処理室内に載置された
被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置
において，前記被処理体の周囲には，処理時に前記被処
理体の処理面よりも頂面が高いブロックが配されること
を特徴とする，プラズマ処理装置。 - 【請求項３】 処理室内に処理ガスを導入し，前記処理
室内にプラズマを励起して，前記処理室内に載置された
被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置
において：前記被処理体に対向する位置には，複数の処
理ガス噴出孔を有する処理ガス供給面が形成されてお
り；前記複数の処理ガス噴出孔は，前記被処理体の処理
面を前記処理ガス供給面に正投影した範囲よりも内側範
囲に配置されること；さらに，前記被処理体の周囲に
は，処理時に前記被処理体の処理面よりも頂面が高いブ
ロックが配されること；を特徴とする，プラズマ処理装
置。 - 【請求項４】 前記ブロックの一つは，前記被処理体を
載置台に固定するクランプであることを特徴とする，請
求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記被処理体の一つは，Ａｌ層が形成さ
れたＬＣＤ用ガラス基板であり；前記処理ガスは，Ｃｌ
系ガスであること；を特徴とする，請求項１，２，３又
は４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9334945A JPH11149999A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9334945A JPH11149999A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149999A true JPH11149999A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18282999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9334945A Withdrawn JPH11149999A (ja) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11149999A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100756665B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-09-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 드라이 에칭장치 |
| JP2009120880A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
| JP2010524230A (ja) * | 2008-02-22 | 2010-07-15 | タイニクス カンパニー，． リミテッド． | プラズマ処理装置の基板ホルダー |
| KR101057931B1 (ko) * | 2008-02-05 | 2011-08-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치 |
| TWI403222B (zh) * | 2008-12-02 | 2013-07-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| WO2014015567A1 (zh) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刻蚀设备及其上部电极 |
| JP2014522573A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP9334945A patent/JPH11149999A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100756665B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-09-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 드라이 에칭장치 |
| JP2009120880A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
| KR101057931B1 (ko) * | 2008-02-05 | 2011-08-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치 |
| JP2010524230A (ja) * | 2008-02-22 | 2010-07-15 | タイニクス カンパニー，． リミテッド． | プラズマ処理装置の基板ホルダー |
| TWI403222B (zh) * | 2008-12-02 | 2013-07-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| JP2014522573A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ |
| US20160181067A1 (en) * | 2011-05-31 | 2016-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (icp) reactor |
| KR20160079932A (ko) * | 2011-05-31 | 2016-07-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 유도성 커플링된 플라즈마(ｉｃｐ) 반응기를 위한 동적인 이온 라디칼 시브 및 이온 라디칼 개구 |
| CN105977126A (zh) * | 2011-05-31 | 2016-09-28 | 应用材料公司 | 用于等离子体蚀刻腔室的孔部件 |
| JP2017063212A (ja) * | 2011-05-31 | 2017-03-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 誘導結合プラズマ（ｉｃｐ）リアクタ用動的イオンラジカルシーブ及びイオンラジカルアパーチャ |
| WO2014015567A1 (zh) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 刻蚀设备及其上部电极 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3122601B2 (ja) | プラズマ成膜方法及びその装置 | |
| TW201836008A (zh) | 電漿處理裝置 | |
| JP2003519907A (ja) | 電極アッセンブリ | |
| JP2002305171A (ja) | シリコン系基板の表面処理方法 | |
| JP7458195B2 (ja) | 載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法 | |
| TW202004905A (zh) | 上部電極組件、處理裝置及上部電極組件之製造方法 | |
| US8342121B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP5432629B2 (ja) | バッフル板及びプラズマ処理装置 | |
| JPH11149999A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10326772A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS63122220A (ja) | 反応性イオン・エッチング装置用電極及びこの電極を用いた反応性イオン・エッチング装置 | |
| EP0220901B1 (en) | Apparatus for plasma assisted etching | |
| JP2001023961A (ja) | ドライエッチング装置とドライエッチング方法 | |
| JPH05125545A (ja) | プラズマ装置 | |
| JP4056316B2 (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| JPH11317396A (ja) | エッチング装置 | |
| EP0393637B1 (en) | Plasma processing method | |
| JP2003007679A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2002511642A (ja) | エッチング均一性を改善する装置及び方法 | |
| JP3357737B2 (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| KR100667675B1 (ko) | 기판 식각에 사용되는 상압 플라즈마 장치 | |
| JPS60123033A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2006253222A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
| JPH04318175A (ja) | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |