JP4056316B2 - ドライエッチング方法及び装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを用いたドライエッチング方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、InPやGaAsなどの化合物材料からなる被加工物をプラズマを用いてドライエッチングする際には、真空容器内にハロゲンガスを含むガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら電力を供給することでプラズマを発生させ、真空容器内の基板電極上に載置した被加工物をエッチング処理している。
【0003】
具体的には、図8に示すように、被加工物51は石英やアルミナなどにて構成された担持基板52上に設置されて供給され、その担持基板52を基板電極53上に載置し、担持基板52の外縁部を、石英、アルミナ、セラミックス、サファイアなどにて構成されたクランプ部材54にて固定した状態、若しくは担持基板52を静電吸着して固定し、周囲に石英、アルミナ、セラミックス等を配置した状態でエッチング処理を行っている。また、供給ガスには、HBr、Cl2 、BCl3 、HCl、HIなどのハロゲンガスの単体ガス若しくはそれらの混合ガスや、それにAr、Heなどの不活性ガスを必要に応じて添加したものが用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図8に示すような状態で、InPやGaAsなどの化合物材料からなる被加工物51をエッチング処理した場合、図9(a)に示すように、エッチング溝55内にエッチングされない部分が微小柱状に残って柱状残渣56が発生してしまうという問題があり、また図9(b)に示すように、レジスト57のエッチングレートに対する被加工物51のエッチングレートの比である対レジスト選択比が低いためレジスト削れが発生するという問題があった。
【0005】
なお、被加工物51を200℃〜300℃程度の高温状態でエッチング処理すれば、上記柱状残渣56を生じることなく、エッチング処理することもできるが、そのような高温に耐えるレジスト57は、特殊なものに限定されて、作業性及びコスト面で好ましくなく、またInPの場合にはPが飛び出してしまう等、被加工物51にダメージを与えるために適用することはできない。
【0006】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、ハロゲンガスを用いて化合物材料からなる被加工物を処理する際に、柱状残渣を発生せず、レジストに対する選択比を向上できるドライエッチング方法及び装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
真空容器内にハロゲンガスを含むガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら電力を供給することでプラズマを発生させ、前記真空容器内の基板電極に載置された化合物材料から成る被加工物をエッチング処理するドライエッチング方法であって、
供給ガスにSi含有ガスを添加し、
前記Si含有ガスの添加量を、供給ガス総量の1〜5%とするように制御することにより、エッチング溝に発生する柱状残渣量を低減するように調節するものである。
【0008】
化合物材料をエッチングする際に柱状残渣が発生する原因としては、化合物材料の組織の不均一のためプラズマ中のハロゲンイオンでは速やかにエッチング出来ない部分が発生したり、被加工物の周囲に存在する石英やアルミナなどの極めて安定性の高い部材がエッチングされてその粒子がエッチング箇所に飛散することで、その粒子がマスクとして機能してエッチング出来なかったりすることが想定されるが、本発明では供給ガスにSi含有ガスを添加することで、プラズマ中で発生したSiイオンにてハロゲンイオンではエッチングされ難い部分も速やかにエッチングされ、また被加工物の周囲に存在する石英やアルミナなどから成る部材の表面にSiが堆積することで、石英やアルミナなども極めて安定性の高い粒子の飛散が防止され、柱状残渣の発生を防止でき、またSiの堆積により対レジスト選択比も向上できる。特に、Si含有ガスの供給ガス総量に対する1〜5%の添加によって柱状残渣の発生を効果的になくすことができる。
【0012】
したがって、Si含有ガスの添加量を、供給ガス総量の1%に制御して有効である。
【0014】
また、Si含有ガスはSiCl 4 であり、被加工物がInPなどのIn系化合
物からなる場合に、本発明を適用することで特に大きな効果が発揮される。
【0019】
また、本発明のドライエッチング装置は、真空容器と、前記真空容器内にガスを導入するためのガス供給手段と、前記真空容器内を排気して所定の圧力に制御する排気手段と、前記真空容器内に化合物材料から成る被加工物を載置するための基板電極と、前記真空容器内にプラズマを発生させる電力を供給する電力供給手段とを備えたドライエッチング装置であって、前記ガス供給手段は、供給ガスにSi含有ガスを添加し、前記Si含有ガスの添加量を、前記供給ガス総量の1〜5%とするように制御することによりエッチング溝に発生する柱状残渣量を低減するように調整するものであり、Si含有ガスを添加する上記ドライエッチング方法を実施してその効果を奏することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のドライエッチング方法及び装置の第1の実施形態について、図1〜図5を参照して説明する。
【0024】
図1、図2において、1は真空容器で、その天井壁は電磁波を真空容器1内に透過する石英などの誘電体2にて構成されている。誘電体2上には、中心から外周に向けて渦巻き状に巻回された複数のコイル3が配設され、その中心部にはインピーダンス整合手段4を介してコイル用高周波電源5が接続され、外周端は接地されている。真空容器1は排気手段6に接続され、真空容器1内を所定の圧力に維持できるように構成されている。また、真空容器1内にガスを導入するガス導入口7が設けられ、このガス導入口7に所定のガスを所定流量にコントロールして供給するガス供給手段8が接続されている。
【0025】
真空容器1内の下部には、支持体9及び絶縁体9aを介して基板11を載置する基板電極10が配設されている。基板11は、石英又はアルミナ製の担持基板12上にInPなどの化合物材料から成る被加工物13を設置して構成されている。基板電極10にはインピーダンス整合手段14を介して基板電極用高周波電源15が接続されている。また、基板電極10内には冷却通路が内蔵され、冷却手段16から冷却媒体を流通させることで、被加工物13を所定の温度に制御できるように構成されている。
【0026】
また、基板電極10上に載置された基板11の外縁部を押圧固定する石英又はアルミナ製のクランプ部材17が配設され、真空容器1外に配設された昇降手段18にて基板11の固定及び固定解除を行うように構成されている。
【0027】
ガス供給手段8は、ハロゲンガス源21とその流量を制御するマスフローコントローラ22と開閉弁23a、23b、及びSi含有ガス源24とその流量を制御するマスフローコントローラ25と開閉弁26a、26bとを備え、ハロゲンガスとSi含有ガスを所定の流量で混合して真空容器1内に供給するように構成されている。本実施形態では、ハロゲンガスはHI、Si含有ガスはSiCl4 である。
【0028】
ハロゲンガスとしては、本実施形態のようにHIを用いると、低温でのエッチング処理が可能であるため好適であるが、Cl2 、HBrなども好適に用いることができる。また、その他にもHCl、BCl3 等のガスを含有しても構わない。また、Si含有ガスとしても、SiCl4 に限らず、SiF4 、SiH4 、SiH2 Cl2 などを好適に用いることができる。
【0029】
以上の構成において、基板電極10上に基板11を設置し、ガス供給手段8にてガス導入口7から真空容器1内にハロゲンガスとSi含有ガスの混合ガスを供給しつつ、排気手段6にて真空容器1内を排気し、真空容器1内を0.1〜10Paの所定の圧力に保ちながら、コイル3及び基板電極10に、コイル用高周波電源5及び基板電極用高周波電源15からそれぞれ高周波電力を印加し、真空容器1内にプラズマを発生させ、基板11のInPから成る被加工物13をエッチング処理する。このとき、基板電極10が冷却手段16にて冷却され、基板11の被加工物13の温度が20℃〜170℃の範囲内、好適には140℃以下の所定温度に保持される。
【0030】
以上のエッチング処理において、エッチングガスとして、ハロゲンガスとしてのHIガスにSi含有ガスとしてのSiCl4 を添加した混合ガスを用いたことにより、InPから成る被加工物13におけるエッチング部のハロゲンイオンではエッチングされ難い部分も、プラズマ中で発生したSiイオンにて速やかにエッチングされ、また被加工物13の周囲に存在する石英やアルミナから成るクランプ部材17などの表面にSiが堆積することで、石英やアルミナなどの極めて安定性の高い部材がエッチングされてその粒子が飛散するのを防止することができ、したがってエッチング溝に柱状残渣が発生するのを確実に防止することができ、またSiの堆積によりレジストに対する選択比も向上できる。
【0031】
また、基板電極10上の被加工物13の温度を、20℃〜170℃の範囲の温度、特に140℃以下の温度に制御することにより、適用できるレジストの選択幅が広がるとともに、InPのように耐熱性の低い化合物材料からなる被加工物13においてもそのPの飛び出しが防止されてダメージを受けず、かつ上記Siの作用にてこのような温度範囲においても柱状残渣の発生を確実に防止できる。
【0032】
次に、ハロゲンガスに対するSi含有ガスの添加量の変化による作用の変化を確認するために行った実験例について説明する。
【0033】
図1に示したような構成のドライエッチング装置において、ハロゲンガスとしてのHIガスを120sccm、それにSi含有ガスとしてのSiCl4 を後述のように添加して真空容器1内に供給しつつ、真空容器1内を排気手段6で排気して1〜3Paに維持し、その状態でコイル3にコイル用高周波電源5から13.56MHz、700Wの高周波電力を印加するとともに、基板電極10に基板電極用電源14から13.56MHz、100Wの高周波電力を印加することで、真空容器1内にプラズマを発生させ、InPから成る被加工物13のエッチング処理を行った。SiCl4 の添加量を、SiCl4 を総ガス供給量の0%〜20%の範囲内で変化させた時の柱状残渣の発生と、エッチング溝のテーパ角度と、エッチングレートと対レジストの選択比を調べたところ、図3〜図5に示すような結果が得られた。
【0034】
図3は、SiCl4 の添加量を0%〜20%の範囲で変化させた時に、柱状残渣の発生量が無添加の場合の柱状残渣の量を100%としてどの程度発生したかを示したものである。図3から分かるように、SiCl4 の添加によって急激に柱状残渣が低減し、1%の添加で50%となり、5%以上添加すると、柱状残渣は10%以下となって実質的に柱状残渣が全く問題にならなくなる。
【0035】
図4は、SiCl4 の添加量を0%〜20%の範囲で変化させた時に、エッチング溝のテーパ角度がどのように変化したかを示したものである。エッチング溝のテーパ角度とは、図4(b)に示すように、エッチングによって形成されたエッチング溝28の側壁29の水平面に対する傾斜角θを示す。30はレジストである。図4(a)から分かるように、SiCl4 の添加量が5%になるまではテーパ角度θは殆ど90°であるが、5%から15%の間でテーパ角度θが90°から60°に変化している。従って、SiCl4 の添加量の制御によって、エッチング溝28のテーパ角度θを90°から60°の範囲で制御することができる。なお、テーパ角度θが60度以下は実用的でない。
【0036】
図5は、SiCl4 の添加量を0%〜15%の範囲で変化させた時に、そのエッチング処理速度であるエッチングレート、及びレジストのエッチングレートに対する被加工物のエッチングレートの比である対レジストの選択比がどのように変化したかを示したものである。図5から分かるように、エッチングレートは、SiCl4 を添加しない状態で1.1μm/min程度であったものが、SiCl4 の添加に伴って急上昇し、添加量が1%程度で2.0μm/min程度にまで達し、その後添加量が15%程度で元の1.1μm/min程度になるまで漸減している。また、対レジストの選択比は、SiCl4 を添加しない状態で3程度であったものが、SiCl4 の添加に伴って上昇し、添加量が5%程度で10程度にまで達し、その後添加量が15%程度で2〜3程度になるまで低下している。
【0037】
以上のように、SiCl4 の1〜5%の添加によって柱状残渣の発生を急激に低減することができ、また1〜10%の添加によって対レジストの選択比を大幅に向上することができ、また、微量から15%の添加範囲でエッチングレートを格段に向上することができ、特に1%を中心としてエッチングレートを2倍近くまで高くでき、また5〜15%の添加によってエッチング溝のテーパ角を制御することができ、しかもこれらの効果が140℃程度の低温でのエッチング処理によって得られ、被加工物13にダメージを与えずまたレジスト30の選択の幅も広がるという効果が得られる。
【0038】
なお、エッチング処理時の上記プロセス条件を変更しても、SiCl4 の添加による上記作用効果に関しては同様の結果が得られた。
【0039】
次に、本発明のドライエッチング方法及び装置の第2の実施形態について、図6、図7を参照して説明する。
【0040】
上記第1の実施形態では、供給ガスにSiを含むガスを添加したが、本実施形態では、被加工物13の周囲にSiを配置したものであり、同様の作用効果を得ることができる。なお、ドライエッチング装置の全体構成は図1を参照して説明したものと、Si含有ガス源24を用いない点を除いて同一である。
【0041】
本実施形態では、図6(a)に示すように、基板11における石英又はアルミナ製の担持基板12に代えてSi担持基板32が用いられ、このSi担持基板32上に被加工物13が設置されている。また、クランプ部材17の被加工物13の周辺部の表面がSiカバー33で覆われている。
【0042】
以上の構成によれば、被加工物13の周囲にSi担持基板32が配設され、さらに被加工物13の周囲に露出しているクランプ部材17などの石英やアルミナからなる部材の表面がSiカバー33で覆われているので、そのSiがエッチングされることで、被加工物13の周囲に露出しているクランプ部材17など、石英やアルミナから成る部材の表面にSiが堆積し、それによって石英やアルミナがエッチングされてその粒子が被加工物13のエッチング部位に飛散するのを防止でき、またSiイオンが発生してハロゲンイオンではエッチングされ難い部分に対するエッチング作用が得られるため、柱状残渣の発生を確実に無くし、またSiの堆積によりレジストに対する選択比も向上できる。
【0043】
上記図6(a)に示した例では、Si担持基板32を用いるとともにSiカバー33でクランプ部材17の表面の一部を覆ったが、図6(b)に示すように、Si担持基板32を用い、クランプ部材17の表面はSiで覆わなくても柱状残渣の発生を低減することができた。また、図6(c)に示すように、Si担持基板32に代えて、石英基板35の上面にSi基板36を貼り合わせた複合担持基板34を用い、そのSi基板36上に被加工物13を設置した基板11を用いても同様の効果が得られた。また、図6(d)に示すように、石英又はアルミナ製の担持基板37上に被加工物13を設置した従来と同様の基板における担持基板37の表面をSiカバー38で覆った基板11を用いても同様の効果が得られた。
【0044】
また、図6に示した例では、基板電極10上に載置した基板11をクランプ部材17にて押圧固定するように構成したものを示したが、図7に示すように、基板11を静電吸着するように構成された基板電極10の場合にも、図7(a)に示すように、Si担持基板32を有する基板11を用い、基板電極10におけるSi担持基板32の周囲の表面をSiカバー39で覆うことによって、上記と同様に柱状残渣の発生を確実に無くし、またレジストに対する選択比も向上できる。また、この場合も、図7(b)に示すように、Si担持基板32を有する基板11を用いることで、基板電極10におけるSi担持基板32の周囲の表面を従来と同様に石英カバー40で覆っている場合でも柱状残渣の発生を無くすことができる。
【0045】
以上の説明では、基板11を、担持基板32上に被加工物13を載置したものを例示したが、基板11を1枚の化合物基板とした場合でも、その周囲にSiからなる部材を配置することで、柱状残渣の発生を無くし、対レジスト選択比を向上することができる。
【0046】
また、上記実施形態の説明ではSiカバー33、38、39にて、被加工物基板13の周辺に露出している石英やアルミナの表面を覆った例を示したが、Siに代えて、ポリイミド、レジストなどのエッチングされ易い材料を用いてカバーしても、同様の作用効果を奏することができる。
【0047】
以上の説明では、第1と第2の実施形態を単独で実施した例のみを説明したが、第1と第2の実施形態を併用して実施しても良いことは言うまでもない。
【0048】
また、以上の実施形態の説明では、化合物材料から成る被加工物13としてInPの例を説明したが、その他のIn系化合物材料からなる被加工物や、GaAs、GaN、GaPなどのGa系化合物材料からなる被加工物に適用しても同様の効果がある。
【0049】
また、プラズマ源として高密度プラズマが得られる誘導結合方式プラズマ源を用いた例を示したが、容量結合方式プラズマ源を用いても良く、また高密度プラズマ源としても、電子サイクロトロン共鳴方式プラズマ源、ヘリコン波方式プラズマ源、VHFプラズマ源等を用いることもできる。
【0050】
本発明のドライエッチング方法及び装置によれば、ハロゲンガスを用いて化合物材料から成る被加工物をエッチングする際に、供給ガスにSi含有ガスを添加することで、プラズマ中で発生したSiイオンにてハロゲンイオンではエッチングされ難い部分も速やかにエッチングされ、また被加工物の周囲に存在する石英やアルミナの表面にSiが堆積して石英やアルミナなども極めて安定性の高い部材がエッチングされた粒子の飛散が防止でき、柱状残渣の発生を防止し、またSiの堆積によりレジストに対する選択比も向上する。特に、Si含有ガスの供給ガス総量に対する1〜5%の添加によって柱状残渣の発生を効果的になくすことができる。
【0051】
また、被加工物の周囲にSiを配設しても、そのSiがエッチングされ、被加工物の周囲に露出している石英やアルミナの表面にSiが堆積し、またSiイオンが発生することで、上記と同様の効果を奏することができる。
【0052】
また、被加工物の周囲に露出している石英やアルミナの表面をSiにて覆っても、上記と同様に同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のドライエッチング装置の第1の実施形態の概略構成を示す縦断面図である。
【図2】同実施形態の概略構成を示す斜視図である。
【図3】同実施形態におけるSiCl4 の添加量と残渣比率の関係を示すグラフである。
【図4】同実施形態におけるSiCl4 の添加量とエッチング溝のテーパ角度の関係を示し、(a)はそのグラフ、(b)はテーパ角度を説明する断面図である。
【図5】同実施形態におけるSiCl4 の添加量とエッチングレート及び選択比の関係を示すグラフである。
【図6】本発明のドライエッチング装置の第2の実施形態における基板電極部分の構成を示し、(a)〜(d)はそれぞれ各種構成例を示す断面図である。
【図7】同実施形態における基板電極部分の他の構成を示し、(a)、(b)はそれぞれ各種構成例を示す断面図である。
【図8】従来例のドライエッチング装置における基板電極部分の構成を示す断面図である。
【図9】同従来例における問題点を示し、(a)は柱状残渣の発生状態を示す断面図、(b)はレジスト削れの発生状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 真空容器
3 コイル
5 コイル用高周波電源
6 排気手段
8 ガス供給手段
10 基板電極
11 基板
13 被加工物
21 ハロゲンガス源
24 Si含有ガス源
32 Si担持基板
33 Siカバー
36 Si基板
38 Siカバー
39 Siカバー
Claims (4)
- 真空容器内にハロゲンガスを含むガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら電力を供給することでプラズマを発生させ、前記真空容器内の基板電極に載置された化合物材料から成る被加工物をエッチング処理するドライエッチング方法であって、
供給ガスにSi含有ガスを添加し、
前記Si含有ガスの添加量を、供給ガス総量の1〜5%とするように制御することにより、エッチング溝に発生する柱状残渣量を低減するように調節する
ことを特徴とするドライエッチング方法。 - Si含有ガスの添加量を、供給ガス総量の1%とするように制御することにより、更に、エッチングレートを格段に向上させる
ことを特徴とする請求項1に記載のドライエッチング方法。 - Si含有ガスはSiCl4であり、被加工物はInPなどのIn系化合物である
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のドライエッチング方法。 - 真空容器と、前記真空容器内にハロゲンガスを含むガスを導入するためのガス供給手段と、前記真空容器内を排気して所定の圧力に制御する排気手段と、前記真空容器内に化合物材料から成る被加工物を載置するための基板電極と、前記真空容器内にプラズマを発生させる電力を供給する電力供給手段とを備えたドライエッチング装置であって、
前記ガス供給手段は、供給ガスにSi含有ガスを添加し、前記Si含有ガスの添加量を、供給ガス総量の1〜5%とするように制御することにより、エッチング溝に発生する柱状残渣量を低減するように調節する
ことを特徴とするドライエッチング装置。
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