JP2019207912A - 上部電極アセンブリ、処理装置及び上部電極アセンブリの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本発明の一実施形態に係る処理装置1の全体構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、処理装置1の一例を示す縦断面図である。本実施形態では、処理装置1の一例として容量結合型プラズマエッチング装置を挙げて説明する。
上部電極アセンブリ25は、プラズマ処理において生成されるプラズマ中の主にイオンにより削られる。そこで、所定以上削られた上部電極アセンブリ25は、新品の上部電極アセンブリ25と交換する必要がある。このようにして処理装置1のメンテナンス時に新品の上部電極アセンブリ25をインストールした場合、インストールしてから所定時間の処理装置1の使用において、上部電極アセンブリ25からパーティクルが発生する。新品の処理装置1を納入した場合においても同様に、所定時間、新品の上部電極アセンブリ25からパーティクルが発生する。
一実施形態に係るガス穴26の形状の一例として漏斗形状のガス穴26を図4(a)に示す。また、一実施形態の変形例に係るガス穴26の形状の一例としてベル形状のガス穴26の一例を図4(b)に示す。図4(a)では、ガス穴26の開口部28は、先端部に向かって広がる円錐形の漏斗形状に形成され、その先端部は丸く形成されている。また、ガス穴26は、ケミカルポリッシュ処理により破砕層が削れる程度まで加工され、ガス穴26の表面はなめらかに形成されている。また、ガス穴26の開口部28の基端部は、上部電極アセンブリ25を垂直方向に貫通する貫通穴29に繋がっている。ガス穴26の開口部28と貫通穴29とは中心軸は同軸になるように形成されている。
次に、一実施形態に係るガス穴の製造方法の一例について、図5を参照しながら説明する。図5は、一実施形態に係るガス穴の製造方法の一例を示す図である。図5(a)〜(d)は、一実施形態に係るガス穴の製造方法の一例を示す図である。図5(h)〜(k)は、一実施形態に係るガス穴の製造方法の他の一例を示す図である。
図6は、一実施形態に係るガス穴の製造方法の効果の一例を示す図である。図6(a)は、図5(a)〜(d)に示す一実施形態に係るガス製造方法の一例により作製されたガス穴26の開口部28の側面27a1を示す。図6(b)は、図5(h)〜(k)に示す一実施形態に係るガス製造方法の他の一例により作製されたガス穴26の開口部28の側面27a2を示す。
10:処理容器
11:下部電極
15:ガス供給源
20:上部電極
24:支持体
25:上部電極アセンブリ
26:ガス穴
27:開口部の側面
28:開口部
29:貫通穴
32:高周波電源
34:高周波電源
100:制御部
Claims (10)
- 板状部材と、
前記板状部材に形成された複数のガス穴とを有し、
前記複数のガス穴のそれぞれは、
前記ガス穴の開口部が漏斗形状又はベル形状に形成され、
前記開口部の端部が丸く形成されている、
上部電極アセンブリ。 - 前記複数のガス穴のそれぞれは、ケミカルポリッシュ処理により加工されている、
請求項1に記載の上部電極アセンブリ。 - 前記複数のガス穴のそれぞれは、
前記開口部に繋がる貫通穴を有し、
前記開口部の直径は、前記貫通穴の直径の1.6倍〜2.0倍の範囲内に形成されている、
請求項1又は2に記載の上部電極アセンブリ。 - 前記複数のガス穴のそれぞれは、
前記開口部に繋がる貫通穴を有し、
前記貫通穴の側面に対する前記開口部の側面の傾きは、30°〜60°の範囲内の角度に形成されている、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。 - 前記貫通穴の側面に対する前記開口部の側面の傾きは、45°の角度に形成されている、
請求項4に記載の上部電極アセンブリ。 - 前記上部電極アセンブリは、シリコン、石英、シリコンカーバイトのいずれかを含む、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。 - 処理容器と、
前記処理容器内に配置され、基板を載置する載置台と、
前記載置台に対向する上部電極アセンブリを含む上部電極と、を有し、
前記上部電極アセンブリは、
板状部材と、
前記板状部材に形成された複数のガス穴とを有し、
前記複数のガス穴のそれぞれは、
前記ガス穴の開口部が漏斗形状又はベル形状に形成され、
前記開口部の端部が丸く形成されている、
処理装置。 - 複数のガス穴を有する板状部材の上部電極アセンブリを製造する方法であって、
前記複数のガス穴のそれぞれを作製する工程は、
前記板状部材に漏斗形状又はベル形状の開口部を形成する工程と、
前記開口部に繋がる貫通穴を形成する工程と、
前記開口部の端部を丸く形成する工程と、
を含む上部電極アセンブリの製造方法。 - 前記開口部の端部を丸く形成する工程は、
前記複数のガス穴をケミカルポリッシュ処理により加工する、
請求項8に記載の上部電極アセンブリの製造方法。 - 前記開口部に繋がる貫通穴を形成する工程は、前記板状部材に漏斗形状又はベル形状の開口部を形成する工程の後に行われる、
請求項8又は9に記載の上部電極アセンブリの製造方法。
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