JP7458195B2 - 載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法 - Google Patents

載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法 Download PDF

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Description

本開示は、載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法に関する。
特許文献１は、静電チャック、ベース、及び筒状のスリーブを備える載置台を開示する。静電チャックには第１貫通孔が形成される。ベースは、静電チャックの裏面に第１接着層によって接着され、第１貫通孔に連通された第２貫通孔が形成される。
特開２０１６－２８４４８号公報
本開示は、接着剤の消耗を防ぎながら、異常放電を防止することができる載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法を提供する。
本開示の一の態様によれば、プラズマ空間に配置され、基板を載置する載置部と、前記載置部と基台とを接着する接着層と、前記載置部と前記基台と前記接着層とを貫通し、伝熱ガスを供給する貫通孔と、前記貫通孔と前記プラズマ空間を連通する複数の細孔が設けられた面を有し、前記貫通孔の内部にて前記面が前記接着層より上方に位置するように配置されるスリーブ部材を、を有する、載置台が提供される。
一の側面によれば、接着剤の消耗を防ぎながら、異常放電を防止することができる。
実施形態に係る載置台を示す概略断面図。 比較例に係る載置台の貫通孔へのプラズマ侵入を示す図。 実施形態に係る載置台の貫通孔に設けられたスリーブ部材を示す図。 実施形態に係る載置台の貫通孔に設けられたスリーブ部材の変形例を示す図。 実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略断面図。 実施形態に係るクリーニング処理方法を示すフローチャート。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［載置台］
図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置に搭載される載置台ＳＴを示す概略断面図である。載置台ＳＴは、気密に構成されたチャンバ内に形成され、ウエハを一例とする基板を載置する。載置台ＳＴは、静電チャック５、第１のプレート４、及び第２のプレート６を有する。
第１のプレート４及び第２のプレート６は、導電性部材、例えばアルミニウムから構成される。静電チャック５は、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等のセラミックスから構成される。第２のプレート６及び第１のプレート４は、静電チャック５を支持する基台であり、静電チャック５の上に基板が載置される。静電チャック５は、チャンバ内のプラズマ空間に配置され、基板を載置する載置部の一例である。第１のプレート４及び／又は第２のプレート６は、載置部を支持する基台の一例である。本実施形態では、第１のプレート４及び第２のプレート６は別体であるが、一体にしてもよい。
静電チャック５、第１のプレート４、及び第２のプレート６は、中心軸Ｏを中心に略円柱状に形成されている。第１のプレート４及び第２のプレート６の直径は同一である。静電チャック５の直径は、第１のプレート４及び第２のプレート６よりも小さい。静電チャック５の上面は、基板を載置する基板載置面５ａとなっている。静電チャック５の外周の第１のプレート４の上面は、エッジリングを載置するエッジリング載置面４ａとなっている。静電チャック５の下面と第１のプレート４の上面との間には、静電チャック５と第１のプレート４とを接着する接着層２１が設けられている。
載置台ＳＴの内部には、伝熱ガスを供給するための貫通孔１６と共通ガス供給路１７とが形成されている。共通ガス供給路１７は、第１のプレート４の下面と第２のプレート６の上面との間の空間である。共通ガス供給路１７は、第１のプレート４の下面と第２のプレート６の上面との間の空間の端部近傍に設けられたＯリング４０により画定される。
貫通孔１６は、静電チャック５と接着層２１と第１のプレート４を貫通し、共通ガス供給路１７に連通し、更にその下の第２のプレート６を貫通し、伝熱ガスの一例であるヘリウムガス（Ｈｅ）を供給する。貫通孔１６のうち、静電チャック５を上下方向に貫通する部分を貫通孔１６ａとし、第１のプレート４を上下方向に貫通する部分を貫通孔１６ｂとし、第２のプレート６を上下方向に貫通する部分を貫通孔１６ｃとする。
貫通孔１６ｂは、貫通孔１６ａの下部に位置し、貫通孔１６ａに垂直に連通する。貫通孔１６ａは、静電チャック５の基板載置面５ａに開口している。貫通孔１６ｂは、共通ガス供給路１７を介して貫通孔１６ｃと連通する。本実施形態では、貫通孔１６ｂと貫通孔１６ｃの位置はずれ、垂直に連通していない。しかし、これに限らず、貫通孔１６ｃを貫通孔１６ｂの下部に配置させ、貫通孔１６ｃと貫通孔１６ｂとが垂直に連通するように構成してもよい。貫通孔１６ａ、貫通孔１６ｂ、及び貫通孔１６ｃの各直径は同じである。しかし、これに限らず、これらの貫通孔のそれぞれの直径は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
ヘリウムガスは、貫通孔１６ｃ及び共通ガス供給路１７を通り、さらに貫通孔１６ｂを介して貫通孔１６ａから静電チャック５の基板載置面５ａ上のプラズマ空間（処理空間）に導入される。このとき、Ｏリング４０によってプラズマ空間側にヘリウムガスが漏れないように構成されている。また、Ｏリング４０は、真空空間である処理空間と、大気空間とを仕切る機能を有する。
チャンバ内で基板が処理されるときに、基板毎のチャンバ内のコンディションを維持することを目的として定期的又は不定期にクリーニング処理方法が実行される。クリーニング処理としては、基板載置面５ａに基板を載置せずにクリーニングガスのプラズマを生成し、静電チャック５の外周やその他のパーツに付着した反応生成物等を除去するウエハレスドライクリーニング（以下、「ＷＬＤＣ」ともいう。）が知られている。
図２は、比較例に係る載置台に設けられた伝熱ガス供給用の貫通孔１６へのプラズマの侵入を示す図である。ＷＬＤＣ時には、基板載置面５ａに基板が載置されていないため、図２に示すように貫通孔１６内に、プラズマ空間のプラズマＰが侵入する。その結果、貫通孔１６内の、特に静電チャック５を第１のプレート４に固定している接着層２１の接着剤がダメージを受ける。接着剤がプラズマに暴露され続けると、図２のＡの枠内に示すように、接着剤が侵食される。接着剤が侵食された部分では、静電チャック５と第１のプレート４との間に空間が発生し、熱伝達を阻害する。この結果、基板の温度制御性を悪くする。
そこで、本実施形態に係る載置台ＳＴは、図１に示すように、貫通孔１６ａに複数の微細孔２０ａを有するスリーブ部材２０を圧入もしくは結合し、貫通孔１６ａから基板載置面５ａ上のプラズマ空間へヘリウムガスを流す。これにより、貫通孔１６内へのプラズマの侵入を防ぎ、接着剤の侵食を防止するとともに、微細孔２０ａの直径を１００μｍ以下に加工することにより、プラズマによる異常放電を防止することもできる。さらに、微細孔２０ａによりプラズマ空間へヘリウムガスを噴出する際のコンダクタンスを確保できる。
［スリーブ部材］
次に、図１のＢを拡大して示す図３を参照して、スリーブ部材２０の構成について説明する。図３は、実施形態に係る載置台ＳＴの貫通孔１６に設けられたスリーブ部材２０を示す図である。図３（ａ）は、実施形態に係る載置台ＳＴの貫通孔１６に配置されたスリーブ部材２０及びその周辺の縦断面図である。図３（ｂ）は、実施形態に係るスリーブ部材２０の斜視図である。
スリーブ部材２０は、貫通孔１６の開口を塞ぐように貫通孔の内部に設けられ、貫通孔１６とプラズマ空間を連通する複数の微細孔２０ａがスリーブ部材２０の上面２０ａ１に開口している。上面２０ａ１は、貫通孔１６ａの内部にて接着層２１より上方に位置する。図３（ｂ）に示すように、スリーブ部材２０は、内部に空間２０ｅと複数の微細孔２０ａとを有するキャップ状の部材である。スリーブ部材２０は、中央が出っ張った構造を有し、上から順に円盤状の第１の部分２０ｂ、環状の第２の部分２０ｃ、及び環状の第３の部分２０ｄを有する。第１の部分２０ｂ内の空間２０ｅは、第１の部分２０ｂの内部においてスリーブ部材２０の上面２０ａ１を貫通する複数の微細孔２０ａに連通する。
スリーブ部材２０は、シリコンカーバイト又はセラミックスであってもよい。特に、微細孔２０ａを形成する第１の部分２０ｂの上面２０ａ１は、プラズマに直接暴露されるため、プラズマ耐性のあるシリコンカーバイト等の導電性材料を使用することが好ましい。
微細孔２０ａの直径は、例えば、５０μｍ以上～１００μｍの範囲であってもよい。微細孔２０ａは、パッシェンの法則により直径が１００μｍ以下であれば、貫通孔１６ａの内部へプラズマが侵入することを抑制できる。
本実施形態では、複数の微細孔２０ａは、貫通孔１６ａが形成される方向と同じ垂直方向に形成されている。これにより、ヘリウムガスをプラズマ空間に導入するときのコンダクタンスを確保しながら、貫通孔１６ａへのプラズマの侵入を防ぎ、貫通孔１６ａにて異常放電の発生を防止する。これにより、プラズマによって接着層２１の接着剤が侵食されることを防止するとともに、異常放電によってスリーブ部材２０及びその周辺の構造物が損傷を受けることを防ぐ。これにより、スリーブ部材２０や静電チャック５等の周辺の構造物の性能を維持し、延命することができる。
特に、載置台ＳＴには、高周波電源から高周波電流が印加される。高周波電流は、導電性部材である第１のプレート４から、プラズマＰを介してグランド電位であるチャンバへ向けて流れる。このとき、ヘリウムガスを流す貫通孔１６にスリーブ部材２０を設けることで、スリーブ部材２０の複数の微細孔２０ａにより、空間距離を長くすることができる。
また、ヘリウムガスを複数の微細孔２０ａから導入するプラズマ空間は真空空間である。つまり、ヘリウムガスは真空領域へ導入される。圧力の高い空間から圧力の低い空間へヘリウムガスを流すと、圧力の高い空間で異常放電が発生し易い。本実施形態に係る載置台ＳＴでは、その異常放電が発生し易いヘリウムガスの導入部分にスリーブ部材２０の微細孔２０ａを配置し、微細孔２０ａをヘリウムガスが流れる流路にする。このようにしてヘリウムガスの流れる空間距離を長くすることで電界による加速力が減し、異常放電の発生を抑制できる。
また、ヘリウムガスを複数の微細孔２０ａからプラズマ空間へ流すことにより、微細孔２０ａの内部をプラズマ空間よりも圧力の高い状態にすることができる。これにより、微細孔２０ａから貫通孔１６ａの内部へのプラズマの侵入をより効果的に抑制することができ、その結果、接着層２１の接着剤の侵食をより効果的に防止することができる。
第２の部分２０ｃの直径は、第１の部分２０ｂ、第３の部分２０ｄ、及び貫通孔１６ｂの直径よりも大きい。貫通孔１６ａの内部には、第１の部分２０ｂと第２の部分２０ｃの直径の相違に応じた段差が設けられている。これにより、スリーブ部材２０を貫通孔１６ａの内部に圧入もしくは結合させたときに第２の部分２０ｃを貫通孔１６ｂの上面で固定することでスリーブ部材２０を位置決めすることができる。
第３の部分２０ｄの直径は、貫通孔１６ｂの直径よりも図３（ａ）に示すギャップＧの幅だけ小さい。これにより、静電チャック５と第１のプレート４との材質の違いから、線膨張係数の相違により、プラズマ入熱によりスリーブ部材２０と第１のプレート４とが熱膨張したときの熱膨張差によって、両者が擦れて摩擦が生じることを防ぐことができる。また、第３の部分２０ｄを貫通孔１６ｂ内に配置することで、プラズマ空間側から接着層２１が見えないように構成する。これにより、接着層２１の接着剤の侵食をより効果的に防止することができる。
なお、静電チャック５の基板載置面５ａは、ドット形状の凹凸が設けられている。スリーブ部材２０の上面２０ａ１は、このドット形状の凸凹の凹部の底部から凸部の先端までのいずれかの高さに位置することが好ましい。ただし、基板載置面５ａは、ドット形状の凸凹が形成されず、平面であってもよい。この場合、スリーブ部材２０の上面２０ａ１は、基板載置面５ａと略同一の高さに位置すること好ましい。これにより、プラズマの電界の集中をより効果的に抑制し、異常放電の発生をより効果的に防止できる。
［変形例］
次に、変形例に係るスリーブ部材２０について、図４を参照しながら説明する。図４は、貫通孔１６に設けられたスリーブ部材２０の変形例を示す図である。図４（ａ）は、変形例に係るスリーブ部材２０及びその周辺の縦断面図である。図４（ｂ）は、変形例に係るスリーブ部材２０の斜視図である。
変形例に係るスリーブ部材２０は、図３に示す実施形態に係るスリーブ部材２０とほぼ同一構成である。相違点は、変形例では、スリーブ部材２０の微細孔２０ａが水平方向に形成されている点である。よって、以下ではスリーブ部材２０の微細孔２０ａについて説明し、その他のスリーブ部材２０の構成についての説明を省略する。
実施形態に係る複数の微細孔２０ａは、スリーブ部材２０の上面に垂直方向に形成されていたが、変形例に係る複数の微細孔２０ａは、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の部分２０ｂを水平方向に貫通し、第１の部分２０ｂの側面２０ｂ１に開口する。変形例においても、スリーブ部材２０は、貫通孔１６ａの内部にて側面２０ｂ１が接着層より上方に位置するように配置される。そして、複数の微細孔２０ａが開口するスリーブ部材の側面２０ｂ１と静電チャック５の対向面との間に、プラズマ空間に連通する空間を有する。
変形例に係る載置台ＳＴでは、異常放電が発生し易い貫通孔１６ａの開口部分にスリーブ部材２０を配置する。また、変形例に係る載置台ＳＴでは、水平方向に複数の微細孔２０ａを設けることにより、電位差のある空間距離を長くすることに加えて、貫通孔１６ａ、１６ｂの内部を垂直方向に流れていたヘリウムガスの流路が複数の微細孔２０ａを通る際に水平方向に曲がる。これにより、ヘリウムガスの流路内の電子の直進距離が短くなることで、電子が加速するための空間が不足するため異常放電を抑制することができる。さらに、微細孔２０ａの開口が、プラズマ空間から隠れた位置になる。これにより、プラズマによる電界集中をより回避し、異常放電を更に抑制することができる。
ただし、複数の微細孔２０ａは、水平方向に形成されることに限られない。複数の微細孔２０ａは、第１の部分２０ｂに斜め方向に形成されてもよい。これによっても、ヘリウムガスの流路内の電子の直進距離が短くなることにより、異常放電をより抑制することができる。
また、図３に示す実施形態に係るスリーブ部材２０と同様に、複数の微細孔２０ａを設けることにより、ヘリウムガスをプラズマ空間に供給するときのコンダクタンスを確保しながら、プラズマの侵入を防ぎ、異常放電を防止することができる。これにより、プラズマによって接着層２１の接着剤が侵食されることを防止するとともに、異常放電によってスリーブ部材２０及びその周辺の構造物が損傷を受けることを防ぎ、スリーブ部材２０等の性能を維持して延命することができる。
［プラズマ処理装置］
次に、実施形態に係る載置台ＳＴ又は変形例に係る載置台ＳＴを搭載したプラズマ処理装置１００の一例を、図５を参照して説明する。図５は、実施形態に係るプラズマ処理装置１００を示す概略断面図である。
プラズマ処理装置１００は、気密に構成され、電気的にグランド電位とされたチャンバ１を有する。チャンバ１は、円筒形状であり、例えばアルミニウムから構成される。チャンバ１内には、基板Ｗを載置する載置台ＳＴが設けられている。載置台ＳＴは、図３の実施形態に係る載置台ＳＴであってもよいし、図４の変形例に係る載置台ＳＴであってもよい。
基板Ｗの周囲には、例えばシリコンで形成されたエッジリング７が設けられている。エッジリング７は、フォーカスリングともいう。エッジリング７、第１のプレート４及び第２のプレート６の周囲には、例えば石英の円筒形状の内壁部材９ａが設けられている。載置台ＳＴは、内壁部材９ａと、内壁部材９ａの下端部にて連結する、例えば石英により形成された支持部材９とを介してチャンバ１の底部に配置される。
静電チャック５内の電極５ｃは、誘電体５ｂの間に挟まれ、電源１２と接続する。電源１２から電極５ｃに電圧が印加されると、クーロン力により基板Ｗが静電チャック５に静電吸着される。
第１のプレート４は、内部に流路２ｄを有する。チラーユニットから供給される熱交換媒体、例えば水は、入口配管２ｂ、流路２ｄ、出口配管２ｃを循環する。載置台ＳＴの内部には貫通孔１６及び共通ガス供給路１７が形成されている。伝熱ガス供給源１９は、貫通孔１６及び共通ガス供給路１７に伝熱ガスを供給し、基板Ｗの下面と静電チャック５の基板載置面５ａとの間の空間に伝熱ガスを導入する。なお、実施形態及び変形例では、ヘリウムガスを導入する例を挙げて説明したが、導入される伝熱ガスは、ヘリウムガスに限られず、アルゴンガス（Ａｒ）等の不活性ガスでもよい。なお、伝熱ガスだけでなくプロセスに使用するガスも適用できる。プロセスに使用するガスの一例としては、酸素ガス（Ｏ２）、窒素ガス（Ｎ２）が挙げられる。
なお、載置台ＳＴには、複数、例えば３本のリフターピンが貫通している。載置台ＳＴにはピン挿通路が設けられ、ピン挿通路を挿通するリフターピンが昇降機構により上下動する。
第２のプレート６には、第１の整合器１１ａを介して第１の高周波電源１０ａが接続され、第２の整合器１１ｂを介して第２の高周波電源１０ｂが接続されている。第１の高周波電源１０ａは、第１の周波数のプラズマ生成用の高周波電力を第２のプレート６に印加する。第２の高周波電源１０ｂは、第１の周波数と異なる第２の周波数であって、イオンを引き込むためのバイアス電圧用の高周波電力を第２のプレート６に印加する。ただし、第２の高周波電源１０ｂから供給された高周波電力が、プラズマ生成用に用いられる場合もある。載置台ＳＴの上方には、載置台ＳＴに対向する上部電極３が設けられている。上部電極３は、ガスシャワーヘッドとしても機能する。
上部電極３は、電極板３ｂと天板３ａとを有する。上部電極３の周囲には上部電極３を支持する絶縁性の環状部材９５が設けられ、上部電極３と環状部材９５とによりチャンバ１の上部開口が閉塞される。天板３ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に電極板３ｂを着脱自在に支持する。
天板３ａには、ガス拡散室３ｃと、ガス拡散室３ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口３ｇとが形成されている。ガス導入口３ｇには、ガス供給配管１５ａが接続されている。ガス供給配管１５ａには、ガス供給部１５、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ及び開閉弁Ｖ２が順に接続され、ガス供給配管１５ａを介してガス供給部１５から上部電極３に処理ガスが供給される。開閉弁Ｖ２及びマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂは、ガスのオン・オフ及び流量を制御する。
ガス拡散室３ｃの下部にはチャンバ１内に向けて多数のガス通流孔３ｄが形成され、電極板３ｂのガス導入孔３ｅと連通する。処理ガスは、ガス拡散室３ｃ、ガス通流孔３ｄを通ってガス導入孔３ｅからチャンバ１内にシャワー状に供給される。
上部電極３には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が接続され、スイッチ７３により可変直流電源７２から出力される直流電圧の給電がオン・オフされる。可変直流電源７２からの直流電圧ならびにスイッチ７３のオン・オフは、制御部９０によって制御される。第１の高周波電源１０ａ、第２の高周波電源１０ｂから高周波電力が載置台ＳＴに印加されて処理ガスがプラズマ化する際には、必要に応じて制御部９０によりスイッチ７３がオンされ、上部電極３に所望の直流電圧が印加される。
チャンバ１の側壁から上部電極３の高さ位置よりも上方に延びるように円筒形状の接地導体１ａが設けられている。この円筒形状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
チャンバ１の底部には排気口８１が形成され、排気口８１には排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は真空ポンプを有し、真空ポンプを作動することによりチャンバ１内を所定の真空度まで減圧する。チャンバ１内の側壁には、基板Ｗの搬入出口８４が設けられ、搬入出口８４はゲートバルブ８５により開閉可能となっている。
チャンバ１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。また、内壁部材９ａに沿ってデポシールド８７が着脱自在に設けられている。デポシールド８６、８７は、チャンバ１の内壁及び内壁部材９ａにエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。デポシールド８６の基板Ｗと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられ、これにより異常放電が防止される。
プラズマ処理装置１００は、制御部９０によって統括的に制御される。制御部９０には、プラズマ処理装置１００の各部を制御するプロセスコントローラ９１と、ユーザインターフェース９２と、記憶部９３とが設けられている。
ユーザインターフェース９２は、工程管理者がプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有する。
記憶部９３には、プラズマ処理装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９１に実行させる制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース９２からの指示等にて任意のレシピを記憶部９３から呼び出してプロセスコントローラ９１に実行させることで、プロセスコントローラ９１の制御下で、プラズマ処理装置１００にて所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体等に格納された状態のものを利用したり、又は、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用したりすることも可能である。記憶媒体としては、例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等が挙げられる。
[クリーニング処理方法]
最後に、実施形態に係る載置台ＳＴ又は変形例に係る載置台ＳＴを有するプラズマ処理装置１００にて実行されるクリーニング処理方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、実施形態に係るクリーニング処理方法を示すフローチャートである。実施形態に係るクリーニング処理方法は、制御部９０により制御され、プラズマ処理装置１００にて実行される。
図６の本処理が開始されると、伝熱ガス供給源１９から貫通孔１６にヘリウムガスを供給し、複数の微細孔２０ａからプラズマ空間にヘリウムガスを導入する（ステップＳ１）。次に、チャンバ１内にクリーニングガスを供給し、第１の周波数及び／又は第２の周波数の高周波電力によりクリーニングガスのプラズマを生成する（ステップＳ２）。次に、生成したクリーニングガスのプラズマにより、クリーニング処理を実行し（ステップＳ３）、チャンバ１内に付着した反応生成物を除去し、本処理を終了する。
以上に説明した実施形態に係るクリーニング処理方法によれば、基板を基板載置面５ａに載置しないＷＬＤＣが実行される。この場合、基板載置面５ａがプラズマに晒されるが、スリーブ部材２０の複数の微細孔２０ａからヘリウムガスを吹き出すことによって、クリーニングガスのプラズマが貫通孔１６内に侵入することを防止できる。これにより、接着層２１の接着剤の消耗を防ぎながら、異常放電を防止することができる。
以上、載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記実施形態及び変形例に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、上記実施形態及び変形例に係る載置台は、静電チャックを有していたが、これに限らず、例えば、静電チャックを有しない載置台であってもよい。この場合、載置台の載置部は、静電チャックの機能を有さず、載置部の上面に基板を載置する。
本発明に係るプラズマ処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。本開示のクリーニング処理方法は、プラズマ空間を有するチャンバと、プラズマ空間内に配置された載置台と、プラズマ空間に供給されたガスからプラズマを形成するように構成されたプラズマ生成部とを有する上記プラズマ処理装置にて実行可能である。
１ チャンバ
３ 上部電極
４ 第１のプレート
５ 静電チャック
６ 第２のプレート
１０ａ 第１の高周波電源
１０ｂ 第２の高周波電源
１６ 貫通孔
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ 貫通孔
１７ 共通ガス供給路
１９ 伝熱ガス供給源
２０ａ 微細孔
２０ スリーブ部材
９０ 制御部
１００ プラズマ処理装置
Ｗ 基板
ＳＴ 載置台
Ｐ プラズマ

Claims (8)

  1. プラズマ処理空間に配置される基台と、
    基板を載置し、前記基台の上部に配置される載置部と、
    前記載置部と前記基台とを接着する接着層と、
    前記載置部と前記基台と前記接着層とを貫通し、伝熱ガスを供給する貫通孔と、
    前記貫通孔内に配置されるスリーブ部材と、を有し、
    前記スリーブ部材は、前記載置部より薄い円盤状の第１の部分と、
    前記第１の部分の下方に形成され、前記第１の部分の直径より大きい直径を有する環状の第２の部分と、
    前記第２の部分の下方に形成され、前記第２の部分の直径より小さい直径を有する環状の第３の部分と、を含み、
    前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記接着層より上方に位置し、前記第１の部分には、細孔が形成され、
    第３の部分は接着層に接触していない、かつ、第３の部分は基台に接触していない、載置台。
  2. 前記細孔が形成される面は、前記第１の部分の上面及び／又は側面である、
    請求項１に記載の載置台。
  3. 前記第１の部分の上面は、前記載置部の上面と同一の高さ、又は前記載置部の上面に設けられたドット形状の凸凹の底部から先端までのいずれかの高さに位置する、
    請求項２に記載の載置台。
  4. 前記面が前記第１の部分の側面である場合、前記細孔が設けられた前記第１の部分の側面と前記載置部の対向面との間に空間を有する、
    請求項２又は３に記載の載置台。
  5. 前記スリーブ部材の側面と前記基台の前記貫通孔の壁面との間に空間を有する、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の載置台。
  6. 前記スリーブ部材は、ＳｉＣ又はセラミックスである、
    請求項１～５のいずれか一項に記載の載置台。
  7. チャンバと、
    前記チャンバの内部のプラズマ処理空間に配置される載置台と、を有し、
    前記載置台は、
    基台と、
    基板を載置し、前記基台の上部に配置される載置部と、
    前記載置部と基台とを接着する接着層と、
    前記載置部と前記基台と前記接着層とを貫通し、伝熱ガスを供給する貫通孔と、
    前記貫通孔内に配置されるスリーブ部材と、を有し、
    前記スリーブ部材は、前記載置部より薄い円盤状の第１の部分と、
    前記第１の部分の下方に形成され、前記第１の部分の直径より大きい直径を有する環状の第２の部分と、
    前記第２の部分の下方に形成され、前記第２の部分の直径より小さい直径を有する環状の第３の部分と、を含み、
    前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記接着層より上方に位置し、前記第１の部分には、細孔が形成され、
    第３の部分は接着層に接触していない、かつ、第３の部分は基台に接触していない、プラズマ処理装置。
  8. 請求項１～６のいずれか一項に記載の載置台がチャンバ内に配置されたプラズマ処理装置のクリーニング処理方法であって、
    前記貫通孔から伝熱ガスを供給する工程と、
    前記チャンバ内にクリーニングガスを供給する工程と、
    前記クリーニングガスのプラズマにより前記チャンバ内をクリーニングする工程と、を有する、クリーニング処理方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101971312B1 (ko) * 2011-11-23 2019-04-22 램 리써치 코포레이션 다중 존 가스 주입 상부 전극 시스템
JP7409536B1 (ja) 2023-02-22 2024-01-09 Toto株式会社 静電チャック及びその製造方法
JP7480876B1 (ja) 2023-02-22 2024-05-10 Toto株式会社 静電チャック及びその製造方法
JP7409535B1 (ja) 2023-02-22 2024-01-09 Toto株式会社 静電チャック及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222799A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法
JP2006344766A (ja) 2005-06-09 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2017519373A (ja) 2014-05-16 2017-07-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ペデスタルの流体による熱制御
WO2020004478A1 (ja) 2018-06-29 2020-01-02 北陸成型工業株式会社 静電チャック

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US6581275B2 (en) * 2001-01-22 2003-06-24 Applied Materials Inc. Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits
US20070283891A1 (en) * 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
JP2010182763A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
US20100326602A1 (en) * 2009-06-30 2010-12-30 Intevac, Inc. Electrostatic chuck
JP6017328B2 (ja) * 2013-01-22 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
WO2016132909A1 (ja) * 2015-02-18 2016-08-25 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置及び半導体製造装置
JP6026620B2 (ja) 2015-10-22 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 載置台、プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
US10688750B2 (en) * 2017-10-03 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Bonding structure of E chuck to aluminum base configuration
US11456161B2 (en) * 2018-06-04 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
US11417556B2 (en) * 2019-03-05 2022-08-16 Toto Ltd. Electrostatic chuck and processing apparatus
US20200411355A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for reduction or prevention of arcing in a substrate support

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222799A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法
JP2006344766A (ja) 2005-06-09 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2017519373A (ja) 2014-05-16 2017-07-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ペデスタルの流体による熱制御
WO2020004478A1 (ja) 2018-06-29 2020-01-02 北陸成型工業株式会社 静電チャック

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