TWI725034B

TWI725034B - 電漿處理方法

Info

Publication number: TWI725034B
Application number: TW105118478A
Authority: TW
Inventors: 村上拓; 佐佐木信峰; 先崎滋; 伴瀨貴德; 辻本宏; 豊田啟吾
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2015-06-17
Filing date: 2016-06-14
Publication date: 2021-04-21
Also published as: JP2017010993A; US9818582B2; US20160372308A1; KR20160149151A; KR102348077B1; TW201729649A

Abstract

本發明的目的在於提供一種電漿處理方法。本發明之一實施形態之電漿處理方法包括：保護膜形成步驟，於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜；以及處理步驟，在處理容器內執行針對被處理體的處理。保護膜形成步驟之中，自載置台與處理容器的側壁之間的空間的上方供給保護膜形成用氣體，而產生電漿。處理步驟之中，自載置台的上方供給被處理體之處理用氣體，而產生電漿。

Description

電漿處理方法

本發明的實施形態係關於電漿處理方法。

於半導體元件之類的電子元件的製造之中，使用有電漿處理裝置。電漿處理裝置一般具備處理容器、載置台、及噴吐部。載置台設在處理容器內，且構成為將載置於其上之被處理體加以支持。噴吐部構成為將氣體噴吐向由載置台支持的被處理體。電漿處理裝置產生該氣體的電漿而處理被處理體。如此電漿處理裝置的一範例記載於專利文獻1。

專利文獻1所記載之電漿處理裝置係電容耦合型電漿處理裝置，且上部電極提供噴吐部。亦即，上部電極具有噴淋頭構造。如同此上部電極，一般而言，噴吐部設在載置台的上方。〔先前技術文獻〕〔專利文獻〕

日本特開2015－5755號公報

〔發明所欲解決之問題〕然而，有時會於執行針對被處理體的處理前，在處理容器的內壁面形成保護膜，用以防止來自電漿處理裝置的處理容器的內壁面之微粒之類的汚染物附著在被處理體。一般而言，係於將虛置基板載置於載置台上之狀態下進行保護膜之形成，用以防止載置台的頂面形成該保護膜。然而，用於保護膜之形成之處理的前後，須要進行虛置基板的搬入及搬出，因此保護膜之形成中之虛置基板之使用使產出量降低。

因此，於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜之技術，須要不使用虛置基板而抑制保護膜形成在載置台的頂面。〔解決問題之方式〕

本發明之一態樣提供電漿處理方法。此電漿處理方法包括於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜之步驟（以下稱作「保護膜形成步驟」）、在處理容器內執行針對被處理體的處理之步驟（以下稱作「處理步驟」）。電漿處理裝置具備載置台、第一噴吐部、及第二噴吐部。載置台係設在處理容器內。載置台上載置被處理體。第一噴吐部設在載置台的上方，且向載置於該載置台上之被處理體噴吐氣體。第二噴吐部相對於第一噴吐部而設在處理容器的側壁側，且構成為自載置台與該側壁之間的空間的上方向該空間噴吐氣體。保護膜形成步驟之中，產生自第二噴吐部噴吐之保護膜形成用氣體的電漿。又，處理步驟之中，於載置台上載置有被處理體之狀態下，產生自第一噴吐部噴吐之被處理體之處理用氣體的電漿。

上述方法之中，保護膜形成用氣體自第二噴吐部沿著處理容器的側壁而噴吐，並流至載置台的側面。因此，保護膜雖然形成在處理容器的側壁（內壁面），但不實質形成在載置台的頂面。故，依此方法能於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜，並能不使用虛置基板而抑制保護膜形成在載置台的頂面。

本發明之一實施形態之中，載置台與側壁之間設有：阻障板，形成有多數個貫穿孔。又，於阻障板的下方，處理容器連接有排氣裝置。此實施形態進一步抑制自第二噴吐部朝往載置台的頂面之氣體流動。

本發明之一實施形態之中，於處理步驟，蝕刻被處理體的被蝕刻層。亦即，處理步驟中之被處理體之處理亦可為電漿蝕刻。

本發明之一實施形態之中，保護膜形成用氣體亦可係含矽氣體。由含矽氣體形成含有矽之保護膜。此保護膜例如對於下者之蝕刻所使用的活性物種具有抗性：含矽的抗反射膜、含碳膜、氧化矽膜、氮化矽膜之類的膜。

本發明之一實施形態之中，保護膜形成用氣體亦可更包括碳氫化合物氣體及／或氫氟碳化合物氣體。此實施形態之保護膜形成用氣體提昇保護膜之形成速度，亦即提昇沉積速率。又，形成更堅硬的保護膜。

本發明之一實施形態之中，電漿處理裝置係電容耦合型電漿處理裝置，且更具備設在載置台的上方之上部電極。此實施形態之中，上部電極亦可包含第一噴吐部。〔發明之效果〕

如同以上說明，能於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜，並能不使用虛置基板而抑制保護膜形成在載置台的頂面。

〔實施發明之較佳形態〕以下，參照圖式而詳細說明各種實施形態。此外，各圖式對同一或相當的部分標註同一符號。

圖1係顯示一實施形態之電漿處理方法的流程圖。圖1所示之方法MT係一種如下方法：不將虛置基板等物體載置於載置台上而於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜，其後於被處理體（以下有時稱作「晶圓W」）載置於載置台上之狀態下，以預定製程條件進行該針對被處理體的處理。

圖2概略顯示可使用於圖1所示之電漿處理方法之實施之電漿處理裝置的一範例。圖2所示之電漿處理裝置10係電容耦合型電漿處理裝置，且具備略圓筒狀之處理容器12。處理容器12具有容器本體14及屏護構件16。

容器本體14包含側壁部14s及底部14b。側壁部14s具有略圓筒狀。底部14b連接至側壁部14s的下端，且構成處理容器12的底部。此容器本體14例如由鋁構成，且其內壁面施有陽極氧化處理。亦即，容器本體14的內壁面具有陽極鋁（Alumite）皮膜。又，容器本體14接地。

屏護構件16防止沉積物形成在容器本體14的內壁面。屏護構件16具有略圓筒狀，且沿著容器本體14的側壁部14s而延展。屏護構件16例如藉由下者而構成：在鋁材的表面或基材表面所形成之陽極鋁皮膜的表面，形成氧化釔之類的陶瓷皮膜。此屏護構件16與容器本體14的側壁部14s一同構成處理容器12的側壁12s。此外，於反應生成物沉積在此屏護構件16之情況下，藉由乾式清洗去除該反應生成物。於屏護構件16因多數次使用（例如多數次乾式清洗）而消耗之情況下，亦可藉由再次形成皮膜而再次使用該屏護構件16。

處理容器12的側壁12s形成有開口12g。開口12g係該晶圓W於朝處理容器12內之晶圓W的搬入及自處理容器12之晶圓W的搬出之際通過之通道。此開口12g可由閘閥54開閉。

處理容器12內設有載置台PD。載置台PD具有支持部17、下部電極18、及靜電夾盤20。支持部17具有略圓筒狀。支持部17例如由絕緣材料形成。支持部17在處理容器12內自該處理容器12的底部沿垂直方向延展。此支持部17支持下部電極18及靜電夾盤20。

下部電極18包含第一板18a及第二板18b。第一板18a及第二板18b例如由鋁之類的金屬形成，且具有略圓板狀。第二板18b設在第一板18a上，且與第一板18a導通。

第二板18b上設有靜電夾盤20。靜電夾盤20提供載置台PD的頂面，亦即晶圓W之載置面。靜電夾盤20具有將導電膜即電極配置在一對絕緣層或絕緣片間之構造。靜電夾盤20的電極經由開關23而電性連接有直流電源22。此靜電夾盤20藉由來自直流電源22的直流電壓所生之庫侖力等靜電力而吸附晶圓W。藉此，靜電夾盤20能固持晶圓W。

第二板18b的周緣部上，以圍繞晶圓W的邊緣及靜電夾盤20之方式配置有聚焦環FR。聚焦環FR具有略環狀板形狀。聚焦環FR由因應於針對晶圓W之電漿處理而適當選擇之材料形成。舉例而言，聚焦環FR由矽、石英、SiC之類的材料形成。

第二板18b的內部設有冷媒流道24。冷媒流道24之中，冷媒係自設在處理容器12的外部之冷卻單元經由配管26a而供給。供給至冷媒流道24之冷媒經由配管26b而返回冷卻單元。如上所述，冷媒循環在冷媒流道24與冷卻單元之間。藉由控制此冷媒的溫度，而將由靜電夾盤20支持之晶圓W的溫度例如控制於－20℃以上100℃以下的溫度範圍內。此外，於晶圓W的溫度控制為高溫之情況下，例如亦可藉由設在第二板18b之加熱器而控制晶圓W的溫度。

又，電漿處理裝置10設有氣體供給線28。氣體供給線28將來自傳熱氣體供給機構之傳熱氣體例如He氣體供給至靜電夾盤20的頂面與晶圓W的背面之間。

又，電漿處理裝置10具備上部電極30。上部電極30設在載置台PD的上方，且與該載置台PD相向配置。上部電極30隔著絕緣性遮蔽構件32而由處理容器12的上部支持。一實施形態之中，上部電極30包含頂板34及支持體36。頂板34自上方劃分出處理容器12內的空間。頂板34例如由其表面形成有下者之鋁構件構成：由氧化矽形成之石英；由矽形成之單晶矽或多晶矽；鋁；以及陽極氧化膜。支持體36將頂板34支持為自由裝卸。

上部電極30提供一實施形態的第一噴吐部。亦即，上部電極30構成為將用於晶圓W之處理的氣體加以噴吐。具體而言，頂板34形成有延伸至下方之多數個氣體噴吐孔34a。於一實施形態之中，此頂板34由矽形成。支持體36的內部設有氣體擴散室36a。與氣體噴吐孔34a連通之多數個氣體通流孔36b自氣體擴散室36a延伸至下方。

氣體擴散室36a連接有配管38。配管38經由閥群42及流量控制器群44而連接有氣體源群40。氣體源群40包含多數個氣體源。閥群42包含多數個閥，且流量控制器群44包含質流控制器之類的多數個流量控制器。氣體源群40的多數個氣體源分別經由閥群42之對應的閥及流量控制器群44之對應的流量控制器而連接至配管38。

氣體源群40的多數個氣體源係晶圓W之處理用之多數種氣體源。以下，以晶圓W之處理為被蝕刻層的蝕刻之情況為例，舉例表示因應於被蝕刻層的膜種之氣體源。

於晶圓W的被蝕刻層為含矽的抗反射膜（例如氧化矽膜）之情況下，多數個氣體源包括氟碳氣體源及／或氫氟碳化合物氣體源。此情況下，多數個氣體源亦可更包括稀有氣體源。舉例而言，氟碳氣體為CF₄ 氣體，氫氟碳化合物氣體為CHF₃ 氣體。又，稀有氣體能為任意稀有氣體，例如Ar氣體。

晶圓W的被蝕刻層為形成碳硬罩之含碳膜（例如有機膜、或多晶碳膜）之情況下，多數個氣體源包括氫氣氣體源、及氮氣氣體源。此情況下，多數個氣體源亦可更包括稀有氣體源。又，稀有氣體能為任意稀有氣體，例如Ar氣體。

於晶圓W的被蝕刻層為氧化矽膜之情況下，多數個氣體源包括氟碳氣體源及／或氫氟碳化合物氣體源。此情況下，多數個氣體源亦可更包括稀有氣體源。舉例而言，氟碳氣體為CF₄ 氣體，氫氟碳化合物氣體包括CH₂ F₂ 氣體、CH₃ F氣體、及CHF₃ 氣體中之一以上。又，稀有氣體能為任意稀有氣體，例如Ar氣體。

於晶圓W的被蝕刻層為氮化矽膜之情況下，多數個氣體源包括氟碳氣體源、氫氟碳化合物氣體源、三氟化氮氣體中之一以上的氣體源。此情況下，多數個氣體源亦可更包括稀有氣體源。舉例而言，氟碳氣體包括C₄ F₆ 氣體及C₄ F₈ 氣體中之一以上的氣體、氫氟碳化合物氣體可為CHF₃ 氣體。又，稀有氣體能為任意稀有氣體，例如Ar氣體。

如圖2所示，電漿處理裝置10具備提供第一噴吐部之上部電極30，此外具備第二噴吐部70。圖3係顯示第二噴吐部之立體圖。以下一同參照圖2與圖3。第二噴吐部70噴吐用於將保護膜形成在處理容器12的內壁面之氣體。

第二噴吐部70相對於第一噴吐部而設在處理容器12的側壁12s側。此第二噴吐部70構成為自載置台PD與側壁12s之間的空間SR的上方向該空間噴吐氣體SR。具體而言，第二噴吐部70提供在空間SR的上方具有開口端之多數個氣體噴吐孔70h。此外，氣體噴吐孔70h的個數只要為多數個則不限定，例如能為四個以上。

多數個氣體噴吐孔70h相對於往垂直方向延伸之處理容器12的中心軸線而沿周方向排列。舉例而言，多數個氣體噴吐孔70h沿周方向均等排列。此外，圖2所示之多數個氣體噴吐孔70h朝開口端而往垂直下方延伸，用以將氣體噴吐至下方。然而，多數個氣體噴吐孔70h亦可朝往上述中心軸線之方向開口。或者，多數個氣體噴吐孔70h亦能以隨著朝往位在下方之開口端而靠近上述中心軸線的方式傾斜。此外，多數個氣體噴吐孔70h宜配置在比載置台PD及聚焦環FR的外周緣部更外側，且宜配置在鄰近處理容器12內的側壁之位置。於是，能不將保護膜形成在載置台PD的頂面及聚焦環FR的頂面，而將保護膜形成在處理容器12內的內壁面，且進一步抑制汚染物及微粒的產生。

本發明之一實施形態之中，第二噴吐部70具有環狀構件72、及多數個氣體噴吐區塊74。環狀構件72具有略環狀。此環狀構件72係由側壁12s支持。具體而言，環狀構件72係夾持在側壁12s的上側部分與下側部分之間。多數個氣體噴吐區塊74係提供多數個氣體噴吐孔70h之構件，且由環狀構件72支持。環狀構件72及多數個氣體噴吐區塊74形成有分別與多數個氣體噴吐孔70h連通之多數個氣體線路70p。多數個氣體線路70p連接至配管76。配管76自輸入端76a延伸，且在其中途分岐而連接至多數個氣體線路70p。舉例而言，配管76構成為自輸入端76a至多數個氣體線路70p為止之距離為約略等距。

此外，第二噴吐部70亦可構成為具有自環狀構件72朝處理容器12內中心延伸之多數個噴嘴。又，環狀構件72亦可構成為其全周延伸至處理容器12的內側。於此等情況下，多數個氣體噴吐孔70h亦以將氣體噴吐向空間SR的方式向下開口。

配管76的輸入端76a經由閥群82及流量控制器群84而連接有氣體源群80。氣體源群80包含保護膜形成用之一以上的氣體源。於一實施形態之中，一以上的氣體源為含矽氣體源。含矽氣體例如可為SiF₄ 氣體、SiCl₄ 氣體、或SiH₄ 氣體。又，一以上的氣體源亦可更包括稀有氣體源。稀有氣體能為任意稀有氣體，例如Ar氣體。又，一以上的氣體源亦可更包括碳氫化合物氣體源及／或氫氟碳化合物氣體源。碳氫化合物氣體例如為CH₄ 氣體。氫氟碳化合物氣體例如為CH₂ F₂ 氣體。一以上的氣體源經由閥群82之對應的閥、及流量控制器群84之對應的流量控制器，而連接至配管76的輸入端。

如圖2所示，沿著載置台PD的外周面而設有屏護構件46。屏護構件46防止沉積物形成在載置台PD的外周面。屏護構件46係例如藉由將氧化釔之類的陶瓷皮膜形成在鋁材的表面而構成。

載置台PD與處理容器12的側壁12s之間設有阻障板48。阻障板48例如可藉由將氧化釔等陶瓷覆蓋在鋁材而構成。此阻障板48形成有多數個貫穿孔。

在阻障板48的下方，處理容器12設有排氣口12e。排氣口12e經由排氣管52而連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有壓力調整閥及渦輪分子泵等真空泵，能將處理容器12內的空間減壓至期望之真空度。

又，電漿處理裝置10更具備第一射頻電源62及第二射頻電源64。第一射頻電源62產生電漿產生用射頻，例如產生27～100MHz之頻率的射頻。第一射頻電源62經由匹配器66而連接至下部電極18。匹配器66具有用以將第一射頻電源62的輸出阻抗與負載側（下部電極18側）的輸入阻抗加以匹配之電路。此外，第一射頻電源62亦可經由匹配器66而連接至上部電極30。

第二射頻電源64產生用以將離子引入晶圓W之射頻偏壓，例如產生400kHz～13.56MHz的範圍內之頻率之射頻偏壓。第二射頻電源64經由匹配器68而連接至下部電極18。匹配器68具有用以將第二射頻電源64的輸出阻抗與負載側（下部電極18側）的輸入阻抗加以匹配之電路。

又，於一實施形態，電漿處理裝置10更可具備控制部Cnt。此控制部Cnt係具備處理器、記憶部、輸入裝置、表示裝置等之電腦，且將電漿處理裝置10的各部加以控制。此控制部Cnt之中，操作者能使用輸入裝置而進行用以管理電漿處理裝置10之指令的輸入操作等，又，能藉由表示裝置而將電漿處理裝置10的運作狀況加以可視化並顯示。再者，控制部Cnt的記憶部儲存有用以藉由處理器而將在電漿處理裝置10執行之各種處理加以控制之控制程式、或用以因應處理條件而使電漿處理裝置10的各部執行處理之程式，亦即處理配方。舉例而言，控制部Cnt能將方法MT用之處理配方記憶在記憶部，且依循該處理配方而將電漿處理裝置10的各部加以控制。

以下，再次參照圖1，詳細說明方法MT。以下說明參照圖4～圖7。圖4～圖6顯示圖1所示之電漿處理方法之實施途中之電漿處理裝置的狀態。又，圖7係用以說明被蝕刻層之蝕刻之被處理體的剖面圖。以下，以使用電漿處理裝置10而進行電漿蝕刻之情況為例而說明方法MT。

如圖1所示，方法MT首先執行步驟ST1。步驟ST1進行將保護膜形成在電漿處理裝置10的處理容器12的內壁面之處理。如圖4所示，步驟ST1係於晶圓W未載置於靜電夾盤20上之狀態下執行。

步驟ST1之中，保護膜形成用氣體自第二噴吐部70供給至處理容器12內。自第二噴吐部70噴吐之氣體如圖4中箭號G1所示，形成朝往空間SR之氣體流動，亦即沿著側壁12s之氣體流動。藉此，抑制朝往載置台PD的頂面亦即靜電夾盤20的頂面之氣體流動。又，步驟ST1之中，藉由排氣裝置50而將處理容器12內的空間的壓力設定為預定壓力。藉此，形成自第二噴吐部70沿著側壁12s朝往空間SR、且其後通過阻障板48而排氣之氣體流動，並進一步抑制自第二噴吐部70朝往靜電夾盤20的頂面之氣體流動。再者，步驟ST1之中，來自第一射頻電源62的射頻供給至下部電極18。藉此，保護膜形成用氣體的電漿P1產生在載置台PD及聚焦環FR的外周空間內。亦即，此電漿P1形成在沿著側壁12s的區域。

因電漿P1的產生而解離之氣體中的離子，進行反應而沉積在來自第二噴吐部70之氣體流動的附近的壁面，亦即處理容器12的內壁面。此內壁面例如包含側壁12s的內壁面、載置台PD的外周面、及阻障板48的表面。此步驟ST1之執行結果如圖5所示，保護膜PF形成在處理容器12的內壁面。又，如同上述，來自第二噴吐部70之氣體流動產生在沿著側壁12s之區域，因此即使不將虛置基板配置在靜電夾盤20上，亦抑制保護膜形成在靜電夾盤20的頂面。

接續的步驟ST2之中，將晶圓W搬入處理容器12內。其後，晶圓W載置於靜電夾盤20上，且由該靜電夾盤20固持。

接續的步驟ST3之中，為了晶圓W之電漿處理，本範例之中係為了被蝕刻層的電漿蝕刻，氣體自上部電極30（第一噴吐部）供給至處理容器12內。自上部電極30供給之氣體如圖6中箭號G2所示，形成朝往晶圓W之流動。又，步驟ST3之中，藉由排氣裝置50而將處理容器12內的空間的壓力設定為預定壓力。再者，步驟ST3之中，來自第一射頻電源62的射頻供給至下部電極18。藉此，電漿P2產生在晶圓W的上方。此外，步驟ST3之中，來自第二射頻電源64的射頻亦可供給至下部電極18。

因為電漿P2的產生而解離之氣體中的分子或原子的活性物種照射在晶圓W。藉此，進行晶圓W之電漿處理，本範例中係進行被蝕刻層之蝕刻。舉例而言，如圖7（a）所示，活性物種照射在基板SB上所設之被蝕刻層EL的全區域中之自遮罩MK露出的區域。藉此，如圖7（b）所示，將被蝕刻層EL蝕刻。

此方法MT之步驟ST3執行時，於步驟ST1形成之保護膜PF，藉以抑制活性物種導致之處理容器12的內壁面之侵蝕。於是，抑制微粒之類的汚染物附著在晶圓W。

又，依據方法MT，可於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜，且可不使用虛置基板而抑制保護膜形成在載置台的頂面即靜電夾盤的頂面。

此外，保護膜形成用氣體如同上述，於一範例為含矽氣體，例如SiF₄ 氣體、SiCl₄ 氣體、或SiH₄ 氣體。由此氣體形成含矽之保護膜PF。此保護膜PF具有上述之針對下者的抗性：含矽的抗反射膜之蝕刻用氣體；含碳膜之蝕刻用氣體；氧化矽膜之蝕刻用氣體；以及氮化矽膜之蝕刻用氣體。亦即，此保護膜PF能提昇蝕刻對象的膜相對於該保護膜PF之蝕刻選擇性。

又，保護膜形成用氣體亦可包括碳氫化合物氣體及／或氫氟碳化合物氣體。舉例而言，保護膜形成用氣體亦可包括CH₄ 氣體及／或CH₂ F₂ 氣體。此保護膜形成用氣體提昇保護膜PF之形成速度，亦即沉積速率。另外，形成堅硬的保護膜PF。亦即，提昇保護膜PF的耐蝕性。

又，如同上述，被蝕刻層EL可為含矽的抗反射膜、含碳膜、氧化矽膜、或氮化矽膜。就用以蝕刻此等膜之氣體而言，能使用上述舉例表示之氣體。

以上，已說明各種實施形態，但不限定於上述實施形態而能構成各種變形態樣。舉例而言，於方法MT之實施，亦可使用電容耦合型電漿處理裝置以外的電漿處理裝置。舉例而言，於方法MT之實施，亦可使用感應耦合型的電漿處理裝置、或藉由微波之類的表面波而激發氣體之電漿處理裝置。

10‧‧‧電漿處理裝置12‧‧‧處理容器12e‧‧‧排氣口12g‧‧‧開口12s‧‧‧側壁14‧‧‧容器本體14b‧‧‧底部14s‧‧‧側壁部16‧‧‧屏護構件17‧‧‧支持部18‧‧‧下部電極18a‧‧‧第一板18b‧‧‧第二板20‧‧‧靜電夾盤22‧‧‧直流電源23‧‧‧開關24‧‧‧冷媒流道26a～26b‧‧‧配管28‧‧‧氣體供給線30‧‧‧上部電極32‧‧‧遮蔽構件34‧‧‧頂板34a‧‧‧氣體噴吐孔36‧‧‧支持體36a‧‧‧氣體擴散室36b‧‧‧氣體流通孔38‧‧‧配管40‧‧‧氣體源群42‧‧‧閥群44‧‧‧流量控制群46‧‧‧屏護構件48‧‧‧阻障板50‧‧‧排氣裝置52‧‧‧排氣管54‧‧‧閘閥62‧‧‧第一射頻電源64‧‧‧第二射頻電源66‧‧‧匹配器68‧‧‧匹配器70‧‧‧第二噴吐部70h‧‧‧氣體噴吐孔70p‧‧‧氣體線路72‧‧‧環狀構件74‧‧‧噴吐區塊76‧‧‧配管76a‧‧‧輸入端80‧‧‧氣體源群82‧‧‧閥群84‧‧‧流量控制群Cnt‧‧‧控制部EL‧‧‧被蝕刻層FR‧‧‧聚焦環MK‧‧‧遮罩MT‧‧‧方法P1‧‧‧電漿P2‧‧‧電漿PD‧‧‧載置台PF‧‧‧保護膜SB‧‧‧基板ST1～ST3‧‧‧步驟SR‧‧‧空間W‧‧‧晶圓

圖1係顯示本發明一實施形態之電漿處理方法的流程圖。圖2概略顯示可使用於圖1所示之電漿處理方法之實施之電漿處理裝置的一範例。圖3係顯示第二噴吐部之立體圖。圖4顯示圖1所示之電漿處理方法之實施途中之電漿處理裝置的狀態。圖5顯示圖1所示之電漿處理方法之實施途中之電漿處理裝置的狀態。圖6顯示圖1所示之電漿處理方法之實施途中之電漿處理裝置的狀態。圖7（a）（b）係用以說明被蝕刻層之蝕刻之被處理體的剖面圖。

MT‧‧‧方法

ST1~ST3‧‧‧步驟

Claims

一種電漿處理方法，其特徵為，包括：保護膜形成步驟，於電漿處理裝置的處理容器的內壁面形成保護膜；以及處理步驟，在該處理容器內執行針對被處理體的處理；且該電漿處理裝置包括：載置台，用以載置該被處理體，且設在該處理容器內；第一噴吐部，設在該載置台的上方，且向載置於該載置台上之被處理體噴吐氣體；以及第二噴吐部，相對於該第一噴吐部而設在該處理容器的側壁側，且自該載置台與該側壁之間的空間的上方向該空間噴吐氣體；且於該保護膜形成步驟之中，產生自該第二噴吐部噴吐之保護膜形成用氣體的電漿，於該處理步驟之中，在該被處理體載置於該載置台上之狀態下，產出自該第一噴吐部噴吐之該被處理體之處理用氣體的電漿。
如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理方法，其中，該載置台與該側壁之間設有阻障板，該阻障板形成有多數個貫穿孔，且於該阻障板的下方，該處理容器連接有排氣裝置。
如申請專利範圍第1或2項所記載之電漿處理方法，其中，於該處理步驟之中，蝕刻該被處理體的被蝕刻層。
如申請專利範圍第1或2項所記載之電漿處理方法，其中該保護膜形成用氣體包括含矽氣體。
如申請專利範圍第4項所記載之電漿處理方法，其中，該保護膜形成用氣體更包括碳氫化合物氣體及／或氫氟碳化合物氣體。
如申請專利範圍第1或2項所記載之電漿處理方法，其中，該電漿處理裝置為電容耦合型電漿處理裝置，且更具備設在該載置台的上方之上部電極，該上部電極包含該第一噴吐部。