CN113745083B - 一种等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置，其包含：真空反应腔，其内具有上电极和可移动下电极，两者相对设置且两者之间为等离子体环境；等离子体约束装置，其环绕设置于可移动下电极的外侧；中接地环，设置于等离子体约束装置的下方；上接地环，位于可移动下电极与等离子体约束装置之间；外绝缘环，位于等离子体约束装置上包围上接地环的内侧壁、外侧壁和顶部表面；内绝缘环，包围可移动下电极的顶部表面和外侧壁，内绝缘环与外绝缘环之间形成缝隙。其优点是：其采用外绝缘环、内绝缘环等部件相结合，避免了真空反应腔内上接地环等遭受等离子体侵蚀，减少了其损坏的可能性，延长了等离子体处理装置的使用寿命，也为工作人员的日常维护工作提供了便利。

Description

一种等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

目前通常采用等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等方式对半导体工艺件或半导体衬底进行微加工，例如制造平板显示器、发光二极管、柔性器件等。微加工制造的进程中往往伴随着等离子体辅助工艺，这些工艺一般都在真空反应腔内进行。真空反应腔的工作原理一般是在真空反应腔内通入适当的刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应腔进行射频能量的输入，以激活反应气体来点燃或维持等离子体，以便对半导体衬底进行加工。

等离子体具有扩散性，虽然大部分等离子体会停留在上电极和下电极之间的反应区域，但部分等离子体可能会飘散到其他区域，直至充满整个真空反应腔腔室。但是真空反应腔内部构件结构复杂，用料多样，在等离子体环境中很多构件很容易被侵蚀，即使某些部件的外部包裹一层阳极氧化保护层以保护表面，但是若长期暴露在等离子体环境中，也会发生等离子体侵蚀从而使阳极氧化保护层发生破损，导致构件内部的金属材料或其他材料露出，若金属材料露出，在电场环境下很容易发生烧融、点火或电弧损伤等问题，这对于等离子体处理装置的维护与使用带来了诸多不便。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，可移动下电极和上接地环能够免受等离子体的腐蚀，且不易发生等离子体泄漏。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种等离子体处理装置，包括：

真空反应腔，所述真空反应腔内具有上电极和可移动下电极，所述上电极和可移动下电极相对设置，所述上电极和可移动下电极之间为等离子体环境；

等离子体约束装置，其环绕设置于所述可移动下电极的外侧；

中接地环，设置于所述等离子体约束装置的下方；

上接地环，位于所述可移动下电极与等离子体约束装置之间，且其端部的侧壁与中接地环的第一端部连接，所述上接地环与可移动下电极之间具有间隙；

外绝缘环，位于所述等离子体约束装置上包围所述上接地环的内侧壁、外侧壁和顶部表面；

内绝缘环，包围所述可移动下电极的部分顶部表面和外侧壁，在所述间隙内的所述内绝缘环与外绝缘环之间形成缝隙。

可选的，所述可移动下电极在高位和低位之间移动，在移动的过程中，在所述间隙内的所述内绝缘环与外绝缘环之间始终有重叠区域。

可选的，所述外绝缘环包含一倒立沟槽结构，所述倒立沟槽结构套在所述上接地环上，所述外绝缘环的第三端部与所述等离子体约束装置接触，其第四端部在所述上接地环和所述可移动下电极之间的间隙内，所述外绝缘环的第四端部的高度低于所述第三端部的高度。

可选的，所述外绝缘环还包括：

第一延伸件，其由所述外绝缘环的第四端部向所述可移动下电极方向延伸而成。

可选的，所述外绝缘环还包括：

第二延伸件，其由所述第一延伸件端部向上弯折延伸而成。

可选的，所述可移动下电极处于低位时，所述内绝缘环底端被所述外绝缘环所包围。

可选的，所述内绝缘环为一弯折结构，其包含：

第一防护件，其覆盖在所述可移动下电极外边缘的顶部表面上；

第二防护件，其与所述第一防护件连接，所述第二防护件环绕包围所述可移动下电极的外侧壁，位于所述间隙内。

可选的，所述内绝缘环还包含：

第三延伸件，其由所述第二防护件底部向所述上接地环方向延伸而成，所述可移动下电极处于低位时，所述内绝缘环底部的高度高于所述外绝缘环底部的高度。

可选的，所述内绝缘环还包含：

第四延伸件，其由所述第三延伸件向上弯折延伸而成。

可选的，第一防护件和/或第二防护件和/或第三延伸件和/或第四延伸件一体成型。

可选的，还包括：内衬，所述内衬包含：

承载部分，其承载于真空反应腔的侧壁上；

保护部分，环绕设置于所述真空反应腔的内侧壁，且所述保护部分的端部与所述中接地环的第二端部连接。

可选的，所述缝隙的宽度范围为1mm～2mm；

和/或，所述缝隙的深宽比大于或等于10:1。

可选的，所述外绝缘环和所述内绝缘环均为石英环。

可选的，所述外绝缘环与所述等离子体约束装置之间通过互补的阶梯型结构进行接触。

可选的，所述等离子体处理装置为电容耦合型等离子体处理装置。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

本发明提供的等离子体处理装置中，由于所述外绝缘环位于所述等离子体约束装置上且包围所述上接地环的内侧壁、外侧壁和顶部表面，因此，所述外绝缘环能够对上接地环进行保护，防止上接地环被等离子体腐蚀。尽管所述可移动下电极在低位和高位之间移动，但是，由于所述可移动下电极的顶部表面和外侧壁被内绝缘环包围，因此，在移动的过程中，所述内绝缘环始终能够对可移动下电极进行保护，防止可移动下电极被等离子体腐蚀。并且，所述上接地环与可移动下电极之间具有间隙，在所述间隙内的所述内绝缘环与外绝缘环之间形成缝隙，使得进入所述缝隙内的等离子体易发生熄灭，因此，不易发生等离子体泄漏。

附图说明

图1为本发明的一种等离子体处理装置的结构示意图；

图2为图1中区域A的一种放大图，此时，可移动组件处于低位；

图3为图2中可移动下电极处于高位时的结构示意图；

图4为图1中区域A的另一种放大图，此时，可移动组件处于低位；

图5为图1中区域A的又一种放大图，此时，可移动组件处于低位；

图6为图1中区域A的再一种放大图，此时，可移动组件处于低位；

图7为图1中区域A的还有一种放大图，此时，可移动组件处于低位。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明一实施例的目的。

在等离子体处理装置中，内部构件结构复杂、用料多样，某些部件的外部会包裹一层阳极氧化保护层以保护表面，如可移动下电极、接地环等部件。但是研究发现，若长期暴露在等离子体环境中，可移动下电极、接地环等部件也会发生等离子体侵蚀从而使其表面的阳极氧化保护层发生破损，导致该部件内部的金属材料或其他材料露出，若金属材料露出，在电场环境下很容易发生烧融、点火或电弧损伤等问题，这对于等离子体处理装置的维护与使用带来了诸多不便。

另外，当可移动下电极处于高位时，可移动下电极和接地环之间缝隙较大，等离子体很容易扩散至可移动下电极与固定工艺组件的空隙中，进而导致等离子体状态不稳定，引发等离子体泄露等问题，若发生等离子体泄露，由于等离子体的存在以及电场的影响，容易发生点火现象以及电弧损伤等问题，影响晶圆的刻蚀。

针对上述问题，本发明提供了一种等离子体处理装置，如图1所示，为本发明的一种等离子体处理装置的结构示意图，该等离子体处理装置包含：一真空反应腔100，其由反应腔腔体101和腔体端盖102包围而成，所述反应腔腔体101通常由金属材料制成。所述真空反应腔100的反应腔腔体101上设有传片门103，该传片门103为反应腔腔体101一侧上的开口，用于将晶圆W在真空反应腔100内外之间传输。所述真空反应腔100内具有上电极111和可移动下电极121，传入真空反应腔100内的晶圆W放置在可移动下电极121上，所述上电极111和可移动下电极121相对设置，所述上电极111和可移动下电极121之间为等离子体环境，等离子体环境中包含大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理晶圆W的表面发生多种物理和化学反应，使得晶圆W表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。

所述可移动下电极121可上下移动，使得上电极111与可移动下电极121之间的间隙可调以满足不同的工艺的需求。

实施例一

在本实施例中，所述等离子体处理装置为电容耦合型等离子体处理装置(CCP)。

如图1和图2结合所示，为本实施例的一种电容耦合型等离子体处理装置，其由射频电源104向可移动下电极121施加射频电源，通过电容耦合的方式在上电极111和可移动下电极121之间形成等离子体环境以用于刻蚀。

该等离子体处理装置还包含等离子体约束装置131，所述等离子体约束装置131环绕设置于所述可移动下电极121的外侧，其具体设置在可移动下电极121和反应腔腔体101之间。所述等离子体约束装置131将等离子体约束在上电极111和可移动下电极121之间的反应区域，避免等离子体泄露到非反应区域，造成非反应区域的部件损伤。

所述等离子体约束装置131的下方设置有中接地环132，所述中接地环132用于为所述等离子体约束装置131提供电场屏蔽。一上接地环135位于所述可移动下电极121与等离子体约束装置131之间，且所述上接地环135端部侧壁与中接地环132的第一端部133连接，所述上接地环135与可移动下电极121之间具有间隙。

如图2所示，在本实施例中，等离子体处理装置还包含外绝缘环151和内绝缘环161，其可防止上接地环135和中接地环132以及可移动下电极121长期暴露于等离子体环境中被侵蚀或发生电弧损伤问题。其中，外绝缘环151位于所述等离子体约束装置131上，其包围所述上接地环135的内侧壁、外侧壁和顶部表面，以保护所述上接地环135的内侧壁、顶部表面和外侧壁不被等离子体侵蚀。内绝缘环161包围所述可移动下电极121的顶部表面边缘区域和外侧壁，在所述上接地环135和可移动下电极121之间的间隙内，以保护所述可移动下电极121的顶部表面边缘区域和外侧壁，避免被等离子体侵蚀或发生电弧损伤问题。所述内绝缘环161与外绝缘环151之间形成缝隙，所述缝隙的宽度范围为1～2mm，所述缝隙的深宽比大于或等于10:1，使等离子体在缝隙内猝灭，避免发生等离子体泄露的问题，以免引起点火或电弧损伤。另外，在本实施例中，所述外绝缘环151和所述内绝缘环161均为石英环，石英材料可避免两者受到电场的影响。

在本实施例中，所述外绝缘环151包含一倒立沟槽结构和第一延伸件154，所述倒立沟槽结构套在所述上接地环135上，所述倒立沟槽结构覆盖上接地环135的外侧壁、顶部表面和内侧壁，所述外绝缘环151的第三端部152与所述等离子体约束装置131接触，其第四端部153在所述上接地环135和所述可移动下电极121之间的间隙内，所述外绝缘环151的第四端部153的高度低于所述第三端部152的高度。所述第一延伸件154由所述外绝缘环151的第四端部153向所述可移动下电极121方向延伸而成，在本实施例中，所述第一延伸件154由第四端部153向所述可移动下电极121方向水平延伸而成，当然其也可不水平延伸，例如倾斜延伸。

其中，所述外绝缘环151的倒立沟槽结构和第一延伸件154一体成型。进一步的，所述外绝缘环151的第三端部152与所述等离子体约束装置131之间通过互补的阶梯结构接触，以防止等离子体从缝隙中接触侵蚀上接地环135和中接地环132。

所述内绝缘环161为一弯折结构，其包含第一防护件162和第二防护件163。所述第一防护件162覆盖在所述可移动下电极121顶部表面的外边缘上，以保护所述可移动下电极121的顶部表面外边缘不受等离子体侵蚀。所述第二防护件163与所述第一防护件162连接，所述第二防护件163环绕包围所述可移动下电极121的外侧壁，且位于所述间隙内，以保护所述可移动下电极121的外侧壁不受等离子体侵蚀或发生电弧损伤问题。可选的，所述第一防护件162和所述第二防护件163一体成型。

所述可移动下电极121在高位和低位之间移动，其中，图2是可移动下电极121处于低位的结构示意图，图3是可移动下电极121处于高位的结构示意图，所述可移动下电极121在移动的过程中，在所述间隙内的所述内绝缘环161与外绝缘环151之间始终有重叠区域，以防止等离子体侵蚀上接地环135、中接地环132和可移动下电极121。由于外绝缘环151和内绝缘环161的交叠，即使可移动下电极121处于最高位，等离子体也无法直接钻入可移动下电极内的缝隙处，而是会在内绝缘环161与外绝缘环151的缝隙内猝灭掉；即使部分等离子体未在缝隙内猝灭，外绝缘环151的第一延伸件154也更进一步阻止等离子体接触到中接地环132、上接地环135和可移动下电极121。

在本实施例中，所述内绝缘环161和外绝缘环151的交叠区域设置在所述可移动下电极121与上接地环135之间，不会影响可移动下电极121的上下移动，该结构不仅可以防止上接地环135、中接地环132和可移动下电极121被等离子体侵蚀，还不会影响晶圆W传递等操作，在传递晶圆W时两者的交叠区域不易被碰到，降低了内绝缘环161和外绝缘环151损坏的风险。

另外，通常情况下，反应腔腔体101由金属材料所制备，因此，本实施例的等离子体处理装置还包含内衬171(请见图1)，所述内衬171可保护反应腔腔体101的内侧壁不受等离子体侵蚀。具体地，在本实施例中，所述内衬171包含承载部分172和保护部分173，所述承载部分172承载于真空反应腔100的侧壁上，所述保护部分173环绕设置于所述真空反应腔100的内侧壁，且所述保护部分173的端部与所述中接地环132的第二端部134连接。可选的，所述内衬171、中接地环132和上接地环135一体成型，以便设备的安装与维护。

实施例二

基于实施例一中的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对外绝缘环251的结构做出了一些改变，主要针对所述外绝缘环251处于上接地环235和可移动下电极221之间的间隙内的部分做出改变。

如图4所示，在本实施例中，所述外绝缘环251包含实施例一中的倒立沟槽结构，其套在所述上接地环235上，所述外绝缘环251的第三端部252与所述等离子体约束装置231接触，其第四端部253在所述上接地环235和所述可移动下电极221之间的间隙内，所述外绝缘环251第四端部253的高度低于所述第三端部252的高度。

所述内绝缘环261的结构与实施例一相同，其包含第一防护件262和第二防护件263。所述第一防护件262覆盖在所述可移动下电极221顶部表面的外边缘上，所述第二防护件263环绕包围所述可移动下电极221的外侧壁，且位于所述间隙内。

所述外绝缘环251和内绝缘环261之间形成缝隙，该缝隙的宽度范围为1～2mm，所述缝隙的深宽比大于或等于10:1，足够高的深宽比可保证等离子体在缝隙内猝灭。中接地环232、上接地环235和可移动下电极221的外侧壁始终被外绝缘环251和内绝缘环261所保护，以避免受到等离子体侵蚀干扰。本实施例的其它结构部分及各组件作用方式都与实施例一中的相同，在此不再加以赘述。

实施例三

基于实施例一中的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对外绝缘环351的结构做出了改变，主要针对所述外绝缘环351的第一延伸件354部分作出改变。

如图5所示，在本实施例中，所述外绝缘环351包含实施例一中的倒立沟槽结构和第一延伸件354，其还包含第二延伸件355，所述倒立沟槽结构套在所述上接地环335上，所述外绝缘环351的第三端部352与所述等离子体约束装置331接触，其第四端部353在所述间隙内，所述第四端部353的高度低于所述第三端部352的高度，所述第一延伸件354由所述第四端部353朝向所述可移动下电极321方向延伸而成，所述第二延伸件355由所述第一延伸件354端部向上弯折延伸而成。可选的，所述倒立沟槽结构、第一延伸件354和第二延伸件355一体成型。

所述内绝缘环361的结构与实施例一中的相同。可选的，当所述可移动下电极321处于低位时，所述内绝缘环361底端被所述外绝缘环351所包围。该结构可有效地保证中接地环332、上接地环335和可移动下电极321不受等离子体干扰。

相比于实施例一中的结构，本实施例中第二延伸件355的存在更能防止等离子体对可移动下电极321的侵蚀。当可移动下电极321不处于低位时，即使有部分等离子体扩散至缝隙底部，第二延伸件355可以使等离子体无法接触到可移动下电极321，进而避免了可移动下电极321的损伤。本实施例的其它结构部分及各组件作用方式都与实施例一中的相同，在此不再加以赘述。

实施例四

基于实施例一中的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对内绝缘环461的结构做出了改变，主要针对所述内绝缘环461处于上接地环435和可移动下电极421之间的间隙内的部分做出改变。

如图6所示，在本实施例中，所述外绝缘环451包含实施例一中的倒立沟槽结构和第一延伸件454。

所述内绝缘环461包含实施例一中的第一防护件462和第二防护件463，其还包含第三延伸件464，所述第三延伸件464由所述第二防护件463向上接地环435方向延伸而成。所述可移动下电极421处于低位时，所述第三延伸件464的高度高于所述第一延伸件454的高度，该结构既能保证可移动下电极421的上下移动，也可以保证等离子体在外绝缘环451和内绝缘环461之间的缝隙中猝灭，以使中接地环432、上接地环435和可移动下电极421免受等离子体干扰。本实施例的其它结构部分及各组件作用方式都与实施例一中的相同，在此不再加以赘述。

实施例五

基于实施例四中的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对内绝缘环561的结构做出了改变，主要针对所述内绝缘环561处于上接地环535和可移动下电极521之间的间隙内的部分做出改变。

如图7所示，在本实施例中，所述外绝缘环551为实施例二中的倒立沟槽结构。所述内绝缘环561包含实施例四中的第一防护件562、第二防护件563和第三延伸件564，其还包含第四延伸件565，所述第三延伸件564由所述第二防护件563向所述上接地环535方向延伸而成，所述第四延伸件565由所述第三延伸件564向上延伸而成。所述可移动下电极521处于低位时，所述第三延伸件564的高度高于所述第一延伸件554的高度，该结构既能保证可移动下电极521的上下移动，也可以保证等离子体在外绝缘环551和内绝缘环561之间的缝隙中猝灭，以使中接地环532、上接地环535和可移动下电极521免受等离子体干扰。可选的，所述第一防护件562和第二防护件563和第三延伸件564和第四延伸件565一体成型。本实施例的其它结构部分及各组件作用方式都与实施例四中的相同，在此不再加以赘述。

综上所述，本发明的等离子体处理装置，设置有外绝缘环151和内绝缘环161等结构，所述外绝缘环151位于所述等离子体约束装置131上包围所述上接地环135的内侧壁、外侧壁和顶部表面，所述内绝缘环161包围所述可移动下电极121的顶部表面和外侧壁，在所述间隙内的所述内绝缘环161与外绝缘环151之间形成缝隙。在可移动下电极121移动范围内，外绝缘环151和内绝缘环161始终有交叠区域，中接地环132、上接地环135和可移动下电极121始终被保护不被等离子体侵蚀，可减少等离子体处理装置中中接地环132、上接地环135和可移动下电极121等部件的损耗，增加了等离子体处理装置的使用寿命。

需要注意的是，本发明中的外绝缘环151和内绝缘环161既适用于电容耦合型等离子体处理装置，也适用于电感耦合型等离子体处理装置，即本发明的等离子体处理装置既可为电容耦合型等离子体处理装置，也可为电感耦合型等离子体处理装置。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (15)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

真空反应腔，所述真空反应腔内具有上电极和可移动下电极，所述上电极和可移动下电极相对设置，所述上电极和可移动下电极之间为等离子体环境；

等离子体约束装置，其环绕设置于所述可移动下电极的外侧；

中接地环，设置于所述等离子体约束装置的下方；

上接地环，位于所述可移动下电极与等离子体约束装置之间，且其端部的侧壁与中接地环的第一端部连接，所述上接地环与可移动下电极之间具有间隙；

外绝缘环，位于所述等离子体约束装置上包围所述上接地环的内侧壁、外侧壁和顶部表面；

内绝缘环，包围所述可移动下电极的部分顶部表面和外侧壁，在所述间隙内的所述内绝缘环与外绝缘环之间形成缝隙。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述可移动下电极在高位和低位之间移动，在移动的过程中，在所述间隙内的所述内绝缘环与外绝缘环之间始终有重叠区域。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述外绝缘环包含一倒立沟槽结构，所述倒立沟槽结构套在所述上接地环上，所述外绝缘环的第三端部与所述等离子体约束装置接触，其第四端部在所述上接地环和所述可移动下电极之间的间隙内，所述外绝缘环的第四端部的高度低于所述第三端部的高度。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外绝缘环还包括：

第一延伸件，其由所述外绝缘环的第四端部向所述可移动下电极方向延伸而成。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外绝缘环还包括：

第二延伸件，其由所述第一延伸件端部向上弯折延伸而成。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述可移动下电极处于低位时，所述内绝缘环底端被所述外绝缘环所包围。

7.如权利要求1或2或3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述内绝缘环为一弯折结构，其包含：

第一防护件，其覆盖在所述可移动下电极外边缘的顶部表面上；

第二防护件，其与所述第一防护件连接，所述第二防护件环绕包围所述可移动下电极的外侧壁，位于所述间隙内。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述内绝缘环还包含：

第三延伸件，其由所述第二防护件底部向所述上接地环方向延伸而成，所述可移动下电极处于低位时，所述内绝缘环底部的高度高于所述外绝缘环底部的高度。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述内绝缘环还包含：

第四延伸件，其由所述第三延伸件向上弯折延伸而成。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，

第一防护件和/或第二防护件和/或第三延伸件和/或第四延伸件一体成型。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：内衬，所述内衬包含：

承载部分，其承载于真空反应腔的侧壁上；

保护部分，环绕设置于所述真空反应腔的内侧壁，且所述保护部分的端部与所述中接地环的第二端部连接。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述缝隙的宽度范围为1mm～2mm；

和/或，所述缝隙的深宽比大于或等于10:1。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述外绝缘环和所述内绝缘环均为石英环。

14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述外绝缘环与所述等离子体约束装置之间通过互补的阶梯型结构进行接触。

15.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体处理装置为电容耦合型等离子体处理装置。