KR960029488A - 원통형 마그네트론 차폐 구조물 및 침착 방법 - Google Patents

원통형 마그네트론 차폐 구조물 및 침착 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판상에 필름을 침착하기 위한 스퍼터링 장치에 사용하는 차폐 구조물에 관한 것이다. 원통형 스퍼터링 타겟의 단부 위로 연장하는 원통형 차폐 구조물은 차폐부의 외부면 둘레를 연장하는 적어도 하나의 환형 구조물을 갖는다. 환형 구조물은 외부면을 가로질러 이동하는 아크의 이동을 차단 또는 억제하기 위한 크기를 갖는다. 양호한 실시예에서, 환형 구조물은 아크를 내부에서 차단하여 탈출하는 것이 방지될 수 있는 홈이다. 또다른 양호한 실시예에서, 차폐 구조물은 양극화 하는것이 방지되도록 전기적으로 절연된다. 이에 의하면, 전기적으로 절연된 차폐 구조물은 구조물과 음극 타겟 사이의 아크 생성을 억제한다. 또한, 아크 억제환형 구조물에 의하면, 전기적으로 절연된 차폐 구조물은 지지 블럭, 진공실 또는 다른 양극을 향하여 차폐부표면을 가로질러 이동하는 아크의 이동을 억제한다.

Description

원통형 마그네트론 차폐 구조물 및 침착 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 원통형 스퍼터링 타겟 마그네트론의 사시도, 제2도는 본 발명에 따른 제1도의 타겟 조립체의 일부 단면도, 제3도는 본 발명에 따른 제1도의 타겟 조립체의 일부를 분해 도시하는 등척도.

Claims (11)

  1. 진공실 내부의 가스 분위기에서, 각각의 지지불럭(16, 18)에 의하여 대향 단부(42,44)에서 회전가능하게 지지되는 원통형 타겟(14)으로부터 재료를 스퍼터링하여 기판(22)상에 필름을 침착하는 장치(10)로서, 상기 타겟은 타겟의 길이를 따라 연장하는 스퍼터링 영역을 설정하기 위하여 내부에 비회전식으로 유지되는 자석을 구비하여, 상기 장치는 타겟과 전기 연통하는 전원 공급부(36)와, 적어도 하나의 지지 블럭에 의하여 지지되고 또한 그 사이의 공간(50)과 관련된 적어도 하나의 타겟 단부위를 연장하는 적어도 하나의 원통형 차폐 구조물(38 및/또는 40)을 구비하며, 상기 차폐 구조물은 외부면(62)둘레를 연장하는 적어도 하나의 환형 구조물(52)을 구비하며, 상기 적어도 하나의 환형 구조물은 외부면을 가로질러 이동하는 아크(56)의 이동을 차단할 수 있는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 환형 구조물은 환형 구조물의 인접부에서 발생하는 플라즈마 생성을 차단할 수 있는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 환형 구조물은 진공실 내부의 가스 평균 자유통로의 절반보다 작고 아크의 폭(D)보다 큰 폭(B,B´,B˝ 또는 B˝´)을 가지며, 상기 환형 구조물은 반경방향 연장부(C,C´,C˝또는 C˝´)가 환형 구조물의 폭보다 크도록 외부면에 대하여 반경방향으로 연장하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 환형 구조물은 거의 직사각형이며, 상기 환형 구조물의 폭(B 또는 B´)과 반경방향 연장부(C 또는 C´)는 직사각형의 인접 측변을 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 환형 구조물은 거의 삼각형이며, 상기 환형 구조물의 폭(B˝ 또는 B´˝)은 삼각형의 밑변을 형성하고 상기 반경방향 연장부(C˝ 또는 C´˝)는 삼각형의 높이를 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제3항, 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 환형 구조물은 홈이며, 상기 반경방향 연장부(C´ 또는 C´˝)를 외부면에 대하여 내부로 향하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제3항, 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 환형 구조물은 릿지이며, 상기 반경방향 연장부(C´ 또는 C´˝)를 외부면에 대하여 외부로 향하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 차폐 구조물은 적어도 하나의 지지 블럭의 전위 또는 접지 전위와 전기적으로 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 상기 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 원통형 차폐 구조물은 지지 블럭 각각에 의하여 지지되는 원통형 단일 차폐부를 구비하며, 상기 단일 차폐부는 스퍼터링 영역의 외부에 위치하는 타겟의 원주변 일부 둘레를 연장하며 적어도 스퍼터링 영역만큼 큰 개구를 가지며, 상기 개구는 스퍼터링 영역 내부에 위치하는 원주변 일부 둘레를 연장하며 타겟의 대향 단부간의 거리 보다 작은 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 원통형 차폐 구조물은 제1 및 제2지지 블럭에 의하여 각각 지지되는 제1 및 제2원통형 차폐부(38,40)를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 상기 타겟은 타겟의 길이를 따라 연장하는 스퍼터링 영역을 설정하기 위하여 내부에 비회전식으로 유지되는 자석을 구비하며, 상기 장치(10)는 타겟과 전기 연통하는 전원 공급부(36)와, 적어도 하나의 지지 블럭에 의하여 지지되고 또한 그 사이의 공간(50)과 관련된 적어도 하나의 타겟 단부위를 연장하는 적어도 하나의 원통형 차폐 구조물(38 및/또는 40)을 구비하며, 진공실과 내부의 가스 분위기를 갖는 장치에서, 각각의 지지블럭(16,18)에 의하여 대향 단부(42,44)에서 회전가능하게 지지되는 원통형 타겟(14)으로 부터 재료를 스퍼터링하여 기판상에 유전체 또는 절연필름을 침착하는 방법에 있어서, 상기 차폐 구조물은 외부면(62)을 가로질러 이동하는 어떠한 아크(56)의 이동도 적어도 하나의 환형 구조물(52)을 이용하여 차단하는 단계를 포함하며, 상기 적어도 하나의 환형 구조물은 외부면을 둘레를 연장하며 상기 아크의 이동을 차단할 수 있는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 침착 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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DE (1) DE69620489T2 (ko)
IL (1) IL116540A0 (ko)
ZA (1) ZA96172B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102067820B1 (ko) * 2018-07-24 2020-01-17 (주)선익시스템 가변형 아크억제수단이 마련된 증착장비

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744017A (en) * 1993-12-17 1998-04-28 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Vacuum arc deposition apparatus
US5985102A (en) * 1996-01-29 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Kit for electrically isolating collimator of PVD chamber, chamber so modified, and method of using
AU2074097A (en) * 1996-03-04 1997-09-22 Polar Materials, Inc. Method for bulk coating using a plasma process
US5736021A (en) * 1996-07-10 1998-04-07 Applied Materials, Inc. Electrically floating shield in a plasma reactor
EP0969238A1 (en) * 1998-06-29 2000-01-05 Sinvaco N.V. Vacuum tight coupling for tube sections
US6328858B1 (en) * 1998-10-01 2001-12-11 Nexx Systems Packaging, Llc Multi-layer sputter deposition apparatus
US6736948B2 (en) * 2002-01-18 2004-05-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation
US20040129561A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical magnetron magnetic array mid span support
US20050051422A1 (en) * 2003-02-21 2005-03-10 Rietzel James G. Cylindrical magnetron with self cleaning target
US7014741B2 (en) 2003-02-21 2006-03-21 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical magnetron with self cleaning target
US6878242B2 (en) * 2003-04-08 2005-04-12 Guardian Industries Corp. Segmented sputtering target and method/apparatus for using same
US20050224343A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Richard Newcomb Power coupling for high-power sputtering
US20060065524A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Richard Newcomb Non-bonded rotatable targets for sputtering
US20060096855A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Richard Newcomb Cathode arrangement for atomizing a rotatable target pipe
US20060260938A1 (en) * 2005-05-20 2006-11-23 Petrach Philip M Module for Coating System and Associated Technology
US20060278519A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Leszek Malaszewski Adaptable fixation for cylindrical magnetrons
US20060278524A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for modulating power signals to control sputtering
US20060278521A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals
US20070089982A1 (en) 2005-10-24 2007-04-26 Hendryk Richert Sputtering target and method/apparatus for cooling the target
US7504011B2 (en) * 2005-10-24 2009-03-17 Guardian Industries Corp. Sputtering target and method/apparatus for cooling the target
US7560011B2 (en) * 2005-10-24 2009-07-14 Guardian Industries Corp. Sputtering target and method/apparatus for cooling the target
US20070095281A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Stowell Michael W System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources
US7842355B2 (en) * 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
BE1018645A5 (fr) * 2007-09-24 2011-06-07 Ardenne Anlagentech Gmbh Systeme de magnetron avec support de cible blinde.
DE102007063362B3 (de) * 2007-12-28 2009-08-27 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Abschirmeinrichtung für ein Rohrtarget
ES2375235T3 (es) * 2008-02-15 2012-02-28 Bekaert Advanced Coatings Nv. Acoplamiento a vacío con múltiples surcos.
US20100025229A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Guardian Industries Corp. Apparatus and method for sputtering target debris reduction
US20100044222A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Guardian Industries Corp., Sputtering target including magnetic field uniformity enhancing sputtering target backing tube
DE102008058528B4 (de) * 2008-11-21 2011-03-03 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Endblock für eine Magnetronanordnung mit einem rotierenden Target
JP5289035B2 (ja) * 2008-12-24 2013-09-11 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
US9567666B2 (en) 2009-01-12 2017-02-14 Guardian Industries Corp Apparatus and method for making sputtered films with reduced stress asymmetry
US20100200395A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Anton Dietrich Techniques for depositing transparent conductive oxide coatings using dual C-MAG sputter apparatuses
US10586689B2 (en) * 2009-07-31 2020-03-10 Guardian Europe S.A.R.L. Sputtering apparatus including cathode with rotatable targets, and related methods
US20120067717A1 (en) 2010-09-17 2012-03-22 Guardian Industries Corp. Method of co-sputtering alloys and compounds using a dual C-MAG cathode arrangement and corresponding apparatus
JP2014074188A (ja) * 2010-12-27 2014-04-24 Canon Anelva Corp スパッタリング装置およびスパッタリング方法
JP6244103B2 (ja) 2012-05-04 2017-12-06 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. 反応性スパッタ堆積のための方法および反応性スパッタ堆積システム
DE102012207930A1 (de) * 2012-05-11 2013-11-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Betreiben eines Geräts zum Erzeugen einer Mikrowellenstrahlung
US9255323B2 (en) * 2012-06-18 2016-02-09 Apollo Precision Fujian Limited Sputtering target including a feature to reduce chalcogen build up and arcing on a backing tube
DE102012110284B3 (de) * 2012-10-26 2013-11-14 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sputterbeschichtungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsanlage
CN106011766B (zh) * 2016-07-15 2018-09-04 森科五金(深圳)有限公司 一种真空炉体及其使用的辅助阳极
CA3058468A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Duralar Technologies, Llc Systems and methods for coating surfaces
US11339464B2 (en) 2017-03-31 2022-05-24 Agm Container Controls, Inc. Plasma nitriding with PECVD coatings using hollow cathode ion immersion technology
KR102458281B1 (ko) * 2018-12-27 2022-10-24 가부시키가이샤 아루박 방착부재 및 진공처리장치
CA3111730C (en) * 2020-03-16 2023-09-26 Vapor Technologies, Inc. Convertible magnetics for rotary cathode

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3514391A (en) * 1967-05-05 1970-05-26 Nat Res Corp Sputtering apparatus with finned anode
JPS5512732A (en) * 1978-07-14 1980-01-29 Anelva Corp Sputtering apparatus for making thin magnetic film
US4422916A (en) * 1981-02-12 1983-12-27 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
US4356073A (en) * 1981-02-12 1982-10-26 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
US4362611A (en) * 1981-07-27 1982-12-07 International Business Machines Corporation Quadrupole R.F. sputtering system having an anode/cathode shield and a floating target shield
US4407708A (en) * 1981-08-06 1983-10-04 Eaton Corporation Method for operating a magnetron sputtering apparatus
DD217964A3 (de) * 1981-10-02 1985-01-23 Ardenne Manfred Einrichtung zum hochratezerstaeuben nach dem plasmatronprinzip
GB2109010B (en) * 1981-11-12 1985-11-20 Advanced Semiconductor Mat Spacer for conductive plase in rf plasma reactor used in chemical vapour deposition
US4525264A (en) * 1981-12-07 1985-06-25 Ford Motor Company Cylindrical post magnetron sputtering system
US4410407A (en) * 1981-12-22 1983-10-18 Raytheon Company Sputtering apparatus and methods
US4417968A (en) * 1983-03-21 1983-11-29 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
US4443318A (en) * 1983-08-17 1984-04-17 Shatterproof Glass Corporation Cathodic sputtering apparatus
US4466877A (en) * 1983-10-11 1984-08-21 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
DD222900A1 (de) * 1984-04-09 1985-05-29 Fi Manfred V Ardenne Einrichtung zum reaktiven ionengestuetzten beschichten mit plasmatronquellen
DE3427587A1 (de) * 1984-07-26 1986-02-06 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Zerstaeubungseinrichtung fuer katodenzerstaeubungsanlagen
JP2693960B2 (ja) * 1988-02-24 1997-12-24 プロメトロンテクニクス株式会社 マグネトロンスパッタリングカソード装置
WO1992002659A1 (en) * 1990-08-10 1992-02-20 Viratec Thin Films, Inc. Shielding for arc suppression in rotating magnetron sputtering systems
US5108574A (en) * 1991-01-29 1992-04-28 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
DE4109018C2 (de) * 1991-03-20 2002-02-28 Unaxis Deutschland Holding Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
DE4117518C2 (de) * 1991-05-29 2000-06-21 Leybold Ag Vorrichtung zum Sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem Target
ATE227783T1 (de) * 1993-01-15 2002-11-15 Boc Group Inc Zylindrische mikrowellenabschirmung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102067820B1 (ko) * 2018-07-24 2020-01-17 (주)선익시스템 가변형 아크억제수단이 마련된 증착장비

Also Published As

Publication number Publication date
EP0724025B1 (en) 2002-04-10
US5527439A (en) 1996-06-18
DE69620489T2 (de) 2002-10-31
JPH08239758A (ja) 1996-09-17
DE69620489D1 (de) 2002-05-16
EP0724025A3 (en) 1998-03-18
CN1134469A (zh) 1996-10-30
CA2165884A1 (en) 1996-07-24
EP0724025A2 (en) 1996-07-31
IL116540A0 (en) 1996-03-31
AU690388B2 (en) 1998-04-23
AU4071395A (en) 1996-08-01
ZA96172B (en) 1996-07-15

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