KR20010102141A

KR20010102141A - 자기 버킷 및 동심 플라즈마와 재료 소스를 가진 이온화물리적 증착 방법 및 장치

Info

Publication number: KR20010102141A
Application number: KR1020017010326A
Authority: KR
Inventors: 부코빅미코
Original assignee: 추후제출; 도쿄 엘렉트론 리미티드
Priority date: 1999-02-19
Filing date: 2000-02-02
Publication date: 2001-11-15
Also published as: KR100442085B1; CN1154750C; JP3730867B2; TW452821B; CN1341159A; EP1151147A1; JP2002537488A; US6254745B1; WO2000049196A1

Abstract

도전 금속 코팅 재료는, 마그네트론 스퍼터링 타겟(51)으로부터 스퍼터되고, 타겟(51)내의 개구(58)의 중심에서 실의 벽(32)내의 유전 윈도우 뒤의 진공실(31) 외측의 코일(65)로부터 결합된 RF 에너지를 가진 조밀한 플라즈마에 의해 처리 스페이스내에서 이온화된다. 실의 압력은 10-100 mTorr 범위내에 있다. 실의 벽(32) 뒤의 영구 자석(23)의 어레이(22)로 형성된 자기 버킷(20)은 플라즈마에서 실의 벽(32)으로 이동하는 전하 입자를 반발시키는 멀티-커스프 자계를 형성하고, 플라즈마 제한을 증가시켜, 플라즈마 밀도 및 균일도와 코팅 재료의 이온화 부분을 개선한다.

Description

자기 버킷 및 동심 플라즈마 와 재료 소스를 가진 이온화 물리적 증착 방법 및 장치{IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND APPARATUS WITH MAGNETIC BUCKET AND CONCENTRIC PLASMA AND MATERIAL SOURCE}

이온화 물리적 증착(IPVD)은 실리콘 웨이퍼 상에 고 종횡비 구조를 충전하고 라이닝(lining)할 시에 특정 유틸리티(utility)를 가진 공정이다. 반도체 웨이퍼 상에 얇은 코팅의 증착을 위한 이온화 물리적 증착에 있어서, 증착될 재료는 스퍼터되거나 소스로부터 증발되고 나서, 증발 재료의 상당한 부분은 코팅될 웨이퍼에 도달하기 전에 양이온으로 변환된다. 이런 이온화는 진공실내의 처리 가스에서 발생되는 고밀도 플라즈마에 의해 달성된다. 이런 플라즈마는, RF 에너지를 RF 전력 여기를 통해 처리실의 진공 상태에 자기적으로 결합함으로써 발생될 수 있다. 이렇게 발생된 플라즈마는 소스와 웨이퍼 간의 영역내에 위치된다. 정전력은 코팅 재료의 양이온에 영향을 주어, 이를 상기 처리실 내의 여러 표면으로 향하게 한다. 부 바이어스를 웨이퍼에 인가함으로써, 양이온은 플라즈마로부터 웨이퍼로 흡인된다.그런 부 바이어스는 플라즈마내의 웨이퍼의 침지(immersion)로 절연된 웨이퍼에 의해 발생하거나,RF 전압을 웨이퍼에 인가함으로써 발생할 수 있다. 이런 바이어스는 코팅 재료의 이온이 웨이퍼를 향해 가속되도록 함으로써, 코팅 재료의 증가한 부분이 웨이퍼에 거의 수직각으로 웨이퍼 상에 증착한다. 이는 심공 및 협공(deep and narrow holes)을 포함하는 웨이퍼 지형 위에 금속을 증착시켜, 웨이퍼 표면 상에 트렌치하여, 그런 지형의 바닥 및 측벽의 양호한 커버리지(coverage)를 제공한다.

어떤 IPVD 시스템은 1997년 4월 21일자로 출원된 미국 특허원 제08/844,751호 및 제08/844,756호에 개시되어 있는데, 이는 본 출원의 양수인에게 양도되었다. 이런 출원의 명세서는 여기서 참고로 포함된다. 그런 시스템은, 통상적으로 모양이 원형이고, 유전 물질 또는 윈도우로 형성된 곡선 외벽의 부분이 제공되는 진공실을 포함한다. 나선형 전기 도전 코일은 유전 윈도우 외부에 배치되며, 진공실과 동심이고, 그 주변에 배치되며, 상기 코일의 축 범위는 유전벽의 축 범위의 상당한 부분이다. 동작 시에, 코일은 적당한 정합(matching) 시스템을 통해 RF 전력의 공급으로부터 에너자이즈된다. 유전 윈도우는 플라즈마와 직접 접촉하지 않게 코일을 격리하면서 코일로부터의 에너지가 진공실내에 결합되도록 한다. 이런 윈도우는, 차폐물을 배치하여 금속 코팅 재료 증착으로부터 보호되고, 통상적으로 RF 자계를 진공실의 내부 영역으로 통과시킬 수 있는 금속으로 형성되며, 이런 자계에 의해 발생된 전류를 순환하기 위한 도전 경로를 형성하는 경향이 있는 유전 윈도우 상으로의 금속의 증착을 방지한다. 그런 전류는, 코일로부터 플라즈마로의 플라즈마 여기 에너지의 자기 결합력의 수축 및 옴 가열(ohmic heating)되기 때문에 바람직하지 않다. 이런 여기 에너지의 목적은 진공실의 내부 영역 내에 고밀도의 플라즈마를 발생시키는 것이다. 이런 결합력의 수축은 플라즈마 밀도가 감소되게 하여 공정 결과가 저하하도록 한다.

그런 IPVD 시스템에서, 재료는 보통 DC 전력 공급에 의해 플라즈마에 대해 음 전하를 띠는 타겟으로부터 스퍼터된다. 이런 타겟은, 타겟을 스퍼터링하기 위해 타겟 위에 플라즈마를 형성하는 자기 회로 또는 다른 자석 구조를 포함하는 평면 마그네트론 설계 방식으로 이루어진다. 종종 임피던스 정합 네트워크를 통해 기판 지지대에 접속된 RF 전력 공급에 의해, 타겟으로부터의 재료는 바이어스가 통상적으로 인가되는 웨이퍼 지지대 또는 테이블 상에 지지된 웨이퍼에 도달한다.

약간 상이한 IPVD 기하학적 구조는 진공실 내부에 배치된 코일에 의해 발생된 플라즈마를 사용한다. 그런 시스템은 유전 벽을 보호하기 위해 유전실 벽 또는 특정 차폐물의 어느 것도 필요로 하지 않는다. 그런 시스템은 반니스 등에 의한 미국 특허 제5,178,739호에 기술되어 있고, 이는 여기서 참조로 포함된다. 반니스 등의 특허에 기술된 시스템 뿐만 아니라 진공실 외부의 코일을 가진 시스템은 진공 내부 또는 외부의 유도 코일 또는 다른 결합 소자를 사용하는데, 상기 소자는 물리적으로 위치되고, 웨이퍼와 스퍼터링 타겟의 평면 사이의 공간을 차지한다.

코일과 같은 결합 소자가 진공실의 내부 또는 외부에 제공되든지 간에, 소스와 기판 사이에 RF 에너지 결합 소자의 설치를 허용하도록 적절한 소스 대 기판 분리에 의해 시스템의 치수는 구속(constrain)되어 왔다. 코일 또는 다른 결합 소자의 설치를 위해 적절한 직경이 또한 웨이퍼 주변에 이용 가능해야 한다. 결합 소자에 대한 공간을 고려할 필요성으로 인한 증가한 소스 대 기판 스페이싱의 직접적인 결과로서, 그러한 시스템과의 적절한 증착 균일도를 달성하기가 어렵다. 진공실의 높이가 균일도를 향상시키도록 감소될 경우, 진공실의 중심 영역내에는 플라즈마 밀도의 손실이 있고, 코팅 재료의 퍼센티지 이온화가 감소된다. 또한, 실제로는, 전체 시스템이 구속된 볼륨내에 맞아야 한다. 결과적으로, RF 코일의 부근에서 벽 및 다른 금속 표면까지 발생하는 열로 인해 빈번한 문제가 있는데, 이는 엔지니어링 및 제품 비용을 상승시키고, 전력을 낭비하는 여분 냉각을 필요로 할 수 있다.

냉각실내의 코일을 가진 IPVD 장치는 코일이 플라즈마에 의해 침식되어, 타겟으로부터 스퍼터되는 것과 동일한 형의 타겟 등급 재료로 구성되어야 하는 부가적인 결점을 가지고 있다. 더욱이, 진공실 내에 배치된 코일의 상당한 냉각이 요구된다. 이런 코일의 냉각을 위해 액체가 사용되면, 코일이 균일치 않은 침식 또는 아크(arc)함으로써 관통되어, 시스템 내에 냉각수의 누설이 발생되며, 이는 매우 바람직하지 않고, 결과적으로 오랫 동안 시스템의 클리닝 및 재검정을 필요로 한다. 더욱이, 진공실 내의 여기 코일은 또한 플라즈마에 용량성 결합하여, 여기 전력을 비효율적으로 사용하게 되고, 이온 에너지 스펙트럼을 넓히게 되는데, 이는 증착법에 바람직하지 않은 영향을 미칠 수 있다.

이와 같은 많은 고려의 결과로서, 이온화 물리적 증착을 위한 방법 및 장치는 공동으로 양도되고 계류중인 미국 특허 출원 제09/073,144호에서 드리워리 및 리카타에 의해 제안되었으며, 이는 여기서 참조로 포함된다. 드리워리 등의 출원에서 기술된 방법 및 장치는, 코팅 재료가 IPVD 처리 시스템에서 이온화되는 조밀한플라즈마로 에너지의 효율적인 결합을 위해 제공하고, 진공실의 최적 기하학을 간섭하지 않고, 그리고 진공실내에 코일 또는 다른 결합 소자를 배치하지 않고 그렇게 행한다. 그것은 고리형 스퍼터링 타겟과 같은 코팅 재료의 링형 소스가 제공된 장치를 사용하는데, 상기 타겟은 그의 중심에서 진공실내로의 RF 에너지를 결합하기 위한 유전 윈도우 뒤의 플랫(flat) 코일과 같은 결합 소자를 가져, 유도 결합 플라즈마(ICP)와 같ㅇ은 고밀도 반응 결합 플라즈마를 생성시킨다.

전술된 것과 같은 IPVD 시스템 및 방법은, 이들의 목적, 특히 코팅 초미세 고 종횡비 특징의 목적을 효율적으로 달성하도록 고 플라즈마 밀도 및 플라즈마 균일도로부터 이익을 얻는다. 고 플라즈마 밀도는 금속 이온화를 증가시킨다. 향상된 플라즈마 균일도는 또한 증착 균일도에 의해 바이어스, 예컨대 RF 소스에 의해 발생된 RF 바이어스의 효과를 감소시키고, 다른 처리 파라미터의 수용 가능한 범위를 넓힌다. 전술된 각종 시스템은 진공실의 벽에 대한 이온의 손실로 인해 효율을 손실시켜 결과적으로 플라즈마 균일도를 개선시킨다.

IPVD를 포함하지 않는 형의 플라즈마 시스템에서는, 진공실 벽에 대한 이온의 손실을 감소시키기 위해 각종 기술이 시도되어 왔다. 저온 플라즈마 발생시에, 예컨대, 플라즈마 균일도를 개선시키고, 플라즈마 밀도를 증가시키는 한가지 접근법은 "자기 버킷"을 사용하는 것이다. 자기 버킷에 의해 발생된 형의 자계는 자기 미러 제한(magnetic mirror confinement)이라는 제한형의 처리실의 벽으로 전자 플럭스를 감소시킨다. 중성을 유지하는, 즉 양이온과 동일한 수의 전자를 가지는 플라즈마의 경향은 또한 이온 플럭스를 벽으로 감소시킨다. 상술한 시스템의 상이한처리실 구조는 제각기 플라즈마 밀도 및 균일도를 달성할 시에 문제를 제공한다. 자기 미러 및 자기 버킷은 역으로 자계와 상호 작용하고, 타겟 이용을 저하시킨다. 이는 고 플라즈마 밀도 및 균일도가 IPVD에 대해서와 같이 요구되는 경우에 적절하지 않게 한다.

이런 및 다른 이유로, IPVD 시스템에서 증착 균일도를 개선하고, 플라즈마 밀도를 증가시킬 필요성이 있는데, 상기 시스템은 고리형 타겟의 중심에 위치된 ICP 플라즈마 소스를 가진 시스템을 포함한다.

본 발명은 이온화 물리적 증착(IPVD)에 관한 것으로서, 특히, 공급되는 코팅 재료가 기판으로의 코팅 재료의 지향성을 개선하도록 이온화되는 방법 및 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 IPVD 처리 장치의 사시도이다.

도 2는 도 1의 라인 2-2를 따른 부분 단면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 및 양호한 실시예에 따른 IPVD 처리 장치의 도 1과 유사한 사시도이다.

도 4는 도 2의 라인 4-4를 따른 단면도이다.

도 5는 도 4의 IPVD 장치의 자기 버킷 구조의 일부의 확대 단면도이다.

본 발명의 목적은 코팅 재료를 이온화시키는 기능을 하는 플라즈마가 코팅 재료가 도중에 기판으로 통과하는 처리실의 부분을 더욱 완전하고, 조밀하며, 균일하게 채우는(fill) IPVD 방법 및 IPVD 장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 다른 목적은 캐소드 및 마그네트론 설계의 복잡도를 과도하게 증가시키지 않고 코팅 재료 이온화 플라즈마를 향상시키기 위한 것이다. 본 발명의 특정 목적은 처리실의 벽으로의 플라즈마 플럭스가 자기적으로 감소되는, 특히, 플라즈마 밀도 및 플라즈마 균일도가 개선되는 방법 및 장치를 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 원리에 따르면, 이온화 물리적 증착(IPVD) 장치에는, 코팅실의 주변에 배치되어 코팅실의 벽을 향해 이동하는 플라즈마로부터의 전하 입자의 이동을 방지하는 자석의 외부 어레이(array), 양호하게는 영구 자석의 자기 버킷 어레이가 제공된다. 본 발명은 양호하게도 한 단부에서의 코팅 재료의 링형 소스 및, 다른 단부에서 소스에 직면한 기판을 가진 IPVD 실의 주변에 영구 자석의 자기 버킷 장치를 채용한다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 코팅 재료의 링형 소스는 그의 중심에서나 그 뒤에서 코일과 같은 RF 결합 소자를 갖는데, 이는 반응적으로 에너지를 상기 실에 결합하여, 상기 소스로부터 코팅 재료를 이온화하기 위해 상기 실내에 조밀한 플라즈마를 유지시킨다. 이런 소스는 그 뒤에나 인접한 마그네트론 자석을 가져, 스퍼터링 플라즈마형을 이루고, 특히 고리형 스퍼터링 타겟형일 시에 상기 소스의 침식 프로파일을 제어한다.

더욱이, 양호한 실시예에서, 자석 어레이는 상기 실의 축에 대해 방사상 지향된 극축을 가진 다수의 영구 자석을 포함한다. 상기 어레이의 자석의 극성 방향은 교번하여, 상기 실의 벽 주변에 멀티-커스프 필드(multi-cusp field)를 생성시킨다. 이런 자석은 축 방향 자석 막대(bar)의 케이지(cage)형일 수 있는데, 이런 막대는 집단적으로 종래의 자기 버킷 구조의 경우에서와 같이 상기 실의 벽 표면에 근접한 자계 라인의 축 연장 터널의 링을 형성한다. 그러나, 본 발명의 양호한 실시예에서, 자석 어레이는 상기 실의 축과 동심인 축 공간 주변 링의 스택(stack)형이고, 상기 실의 주변에 링형 자기 터널을 형성한다. 그런 장치에 의해, 캐소드와의 필드 반응은 방위각상 균일한다. 이런 자계 라인은 수렴하여, 자계는 이에 의해 상기 실의 벽에 인접하여 상기 실내에서 증강하며, 이는 자계의 라인을 따라 상기 실의 벽을 향해 이동하는 전하 입자를 반발시키는 효과를 갖는다.

자석 어레이는 플라즈마 에지(edge)에서 전자를 자석화할 만큼 강한 자계, 즉, 자계에서 이동하는 전자를 편향시킬만큼 강한 자계를 생성시킨다. 자석으로부터의 자계는 다른 한편 플라즈마의 몸체로 거의 관통하기에 충분한 세기를 가지고있지 않다. 본 발명이 관계하는 것과 동일한 IPVD 시스템에 대해, 상기 실의 압력은 일반적으로 반듯이 1 mTorr, 통상적으로는 10-100 mTorr 범위내에 있다. 아르곤 가스의 10-20 mTorr 범위의 압력에 대해, 그런 자계는 세기가 거의 50-100 가우스까지일 수 있다. 약 100 mTorr의 압력에 의해, 자계 세기는 약 200-300 가우스까지일 수 있다. 그러나, 일반적으로, 압력은 플라즈마로 너무 많이 관통하지 않도록 필요보다 높지않아야 하지만, B 자계(가우스)는 압력(milli-Torr)의 적어도 약 1.3배이어야 한다. 양호하게도, 자계 세기는 최소 레벨보다 약 30% 더 높다.

자석은 자기 병(bottle)으로 공지되어 있는 것을 만들도록 함께 근접해 있는데, 여기서, 상기 어레이의 한 자석으로부터의 자계 라인은 대향 극 방향을 가진 각 측상의 인접한 자석을 통해 자석의 한 극에서 자석을 다른 극으로 연장한다. 자석을 너무 멀리 배치함으로써, 어레이의 효율이 떨어지지만, 근접하여 배치하면은 플라즈마 몸체로의 과도한 자계 관통을 방지하여 캐소드 자계로의 자석 어레이의 결합력을 감소시킨다.

자석은 상기 실의 벽에 가능한 근접하여 배치되어, 상기 실의 벽에 대한 전하 입자 손실을 방지하는데에 더욱 효과적이게 한다. 양호하게도, 자석은, 진공의 실 외측의 외부벽 뒤에서보다는 실의 벽 라이너 또는 차폐물 뒤의 실내에서 진공 상태로 배치된다. 냉각 가스 또는 다른 냉각 유체는 자석을 냉각시킬 시에 유용할 수 있다. 플라즈마를 유지하도록 에너지가 공급되는 코일 또는 다른 소자로부터 RF 자계의 면전에 자석이 있는 경우에, 자석을 차폐하여 RF 자계로부터 자석의 과열을 방지하기에 충분한 두께의 구리 또는 알루미늄 코팅 등의 적절한 코팅으로 자석은보호될 수 있다. 13.56 MHZ RF 에너지에 의해, 구리 또는 알루미늄의 적어도 20-50 미크론, 양호하게는 80-100 미크론의 코팅이 적절하다.

본 발명의 양호한 실시예에서, IPVD 실에는 한 단부에서의 고리형 타겟, 다른 단부에서의 기판 지지대 및, 타겟의 중심의 개구에 위치된 RF 코일이 제공된다. 영구 자석의 어레이는 실의 벽에서 실을 둘러싼다. 이런 어레이는 타겟 및 기판의 중심을 통해 연장하는 실의 축 상에 중심을 이룬다. 양호하게도, 어레이는 실의 축에 대해 방사상 연장하는 극 축을 가진 고리형 자석 링의 형태의 자기 버킷 어레이이다. 이런 링은 축 방향으로 근접하여 배치된 얇은 플랫형 링이며, 그의 극 축은 실의 길이를 따라 교번한다. 이런 링은 양호하게도 실의 벽과 제거 가능한 벽 라이너 사이에서 실의 진공 상태 내측에 위치되는데, 상기 제거 가능한 벽 라이너는 통상적으로 실로부터의 디포지트(deposit)를 차단하여 실의 내측의 클리닝을 용이하게 하도록 제공되는 형이다. 벽 라이너는 폐쇄된 실린더의 금속 또는 다른 도전 비자기 재료일 수 있다.

선택적인 실시예에서, 어레이는 또한 원주 방향으로 각을 이루어 근접하여 배치된 일직선상의 축방향 연장 영구 자석 스트립(strip)으로 형성된 자기 버킷 어레이의 형태일 수 있고, 그의 극 축은 실의 축에 대해 방사상으로 지향된다. 각 어레이 구조에서, 자석이 실의 외측에 위치될 수 있을 지라도, 축 자석 어레이는 또한 양호하게도 실의 벽과 실의 벽 라이너 사이에 위치되지만, 그런 장치는 효율적이지 않는 것으로 사료된다. 축 연장 자석의 어레이에 의해, 통상적으로 고리형 타겟 뒤의 캐소드 조립체에 제공되는 어레이 자석과 마그네트론 자석 간의 주변 연장자석에 의해서보다 더 양호한 결합력이 유발된다. 결과적으로, 캐소드 자석의 설계의 재최적화는 자석 버킷 어레이를 부가한 후에 보증되어야 하는데, 이는 종래의 마그네트론 최적화 기술을 사용할 수 있을 지라도 바람직하지 않다.

플라즈마를 이온화시키는 조밀한 저 에너지 코팅 재료를 여기시키도록 고리형 타겟의 중심에서 코일과 같은 RF 소자를 가진 IPVD 프로세서를 위한 자기 버킷의 준비로 플라즈마의 효율이 증가된다. 실의 벽으로 방출하는 전자의 자기 버킷에 의한 반발 작용으로 플라즈마로부터의 전자의 손실이 방지된다. 이는 실의 벽으로 이온 플럭스를 감소시켜, 플라즈마의 이온 밀도 및 균일도를 향상시킨다. 이런 고 이온 밀도는 금속 이온화를 증가시켜, RF 소스에 의한 전력 요구를 감소시킨다. 증착 균일도에 의해 RF 바이어스 효과를 감소시키고, 다른 처리 파라미터에 의한 구속을 감소시킴으로써 플라즈마 균일도가 개선된다.

본 발명의 이런 및 다른 목적과 잇점은 아래의 도면에 대한 상세한 설명으로부터 더욱 명백해진다.

도 1은, 여기서 참조로 포함되는 미국 특허 출원 제09/073,144호에 기술된 형의 IPVD 프로세서(30)와 조합하여 통상적인 자기 버킷 자석 조립체(20)를 포함하는 이온화 물리적 증착(IPVD) 장치(10)를 도시한 것이다. 프로세서(30)는 한 단부에서의 고리형 스퍼터링 타겟 및 캐소드 조립체(33) 및 다른 단부에서의 (도시되지 않은) 기판 지지대를 가진 밀폐형 실의 벽(32)에 의해 둘러싸인 진공실(31)을 포함한다. 진공실(31)은 캐소드 조립체(33) 및 기판 지지대의 중심을 통해 연장하는 중심축(35)을 갖는다. 실의 벽(31)은 일반적으로 원통형이고, 축(35)과 동심이다. 고리형 타겟 및 캐소드 조립체(33)의 중심에서, 축(35) 상에서 중심을 이루는 것은 고 밀도 저 에너지 플라즈마를 실(31)에 결합하기 위한 RF 발생기(34)이다.

통상적인 IPVD 프로세서에는, 벽 상에 디포지트하는 코팅 재료를 차단하여, 라이너가 클리닝을 위해 제거되도록 함으로써 실의 클리닝을 용이하게 하는 벽의 제거 가능한 라이너 내측이 제공된다. 장치(10)에서, 프로세서(30)에는, 실의 벽(32)에서 작은 거리, 양호하게는 약 1/2 인치 만큼 내향으로 떨어진 라이너(21)이 제공되는데, 상기 실의 벽(32)은 직경이 약 15 인치이다.

자기 버킷(20)은 실(31)의 높이보다 약간 작은 길이를 가진 자기 막대로 형성된 각각의 자석(23)의 어레이(22)를 포함한다. 각 자석은, 도 2에서 N 및 S 명칭으로 표시된 바와 같이, 실(31)에 대해 방사상 지향된 극 축을 가지고 있다. 즉, 한 극은 자석(23)의 막대의 방사상 내부 에지에 위치되고, 다른 극은 자석(23)의 막대의 방사상 외부 에지에 위치된다. 그래서, 자석(23)의 짝수가 제공된다. 막대의 각각은 단일 자석으로 형성되거나, 공통 스트립 상에 조립된 작은 이산 자석의 행으로 형성될 수 있고, 상기 스트립은 예컨대 철로 형성될 수 있다.

양호한 치수에서, 자석(23)은 방사 방향으로는 두께가 약 3/8 인치이고, 원주 방향으로는 두께가 약 1/8 내지 3/16 인치이다. 그런 자석(23)은 또한 양호하게도 약 1/8 내지 1/4 인치 떨어져 있고, 약 120 자석(23)은 실(31)을 둘러싸고 있다. 자석(23)은 실의 벽(32)과 차폐물(21) 사이로 연장하며, 실의 벽(32) 및 차폐물(21)은 양자 모두 비자기 재료로 형성되고, 전기적으로 도전할 수 있다. 여하튼, 플라즈마에 근접하여 있는 실의 상당한 영역은 접지되거나 실의 애노드 전위로 유지된다.

도 2에서 설명되는 바와 같이, 자계 라인(25)은 자석(23)의 각각의 내부 에지로부터 대향 극성을 가진 바로 인접한 자석(23)의 내부 에지까지 아치 모양으로 된다. 자계 라인(25)이 자석(23)의 극에 도달할 시에 수렴함으로써, 자계 라인과 나란히 이동하는 전자는 자석 극에 더욱 근접하여 이동할 시에 반발력을 받아, 실(31)내로 다시 편향된다.

도 3 및 4는 미국 특허 출원 제09/073,144호의 IPVD 프로세서(30)와 조합하여 수정된 자기 버킷형 자석 조립체(40)를 포함하는 이온화 물리적 증착(IPVD) 장치(10a)의 양호한 실시예를 설명한 것으로서, 상기 출원의 모두는 적절하지만, 그 중 하나만이 본 출원에서 상세히 기술된다. 프로세서(30)는 밀폐된 실의 벽(32)에 의해 둘러싸인 진공실(31)을 포함한다. 고리형 스퍼터링 타겟 및 캐소드 조립체(33)는 실(31)의 한 단부에 위치되고, 기판 지지대(36)는 타겟 및 캐소드 조립체(33)와 나란히 실(31)의 다른 단부에 위치된다. 중심축(35)은 캐소드 조립체(33) 및 기판 지지대(36)의 중심을 통해 연장한다. 실의 벽(32)은 양호하게도 축(35)에 대해 대칭이고, 그 상에서 중심을 이루며, 일반적으로 축(35)과 동심일 수 있다. 고리형 타겟 및 캐소드 조립체(33)의 중심에서, 축(35) 상에서 중심을 이루는 것은 RF 발생기(34)이다.

도 4에서 설명되는 바와 같이, 타겟 및 캐소드 조립체(35)는 양호하게도 캐소드 전원(52)에 의해 음전하를 띠는 일반적 고리형 타겟(51)을 포함하는데, 상기 전원은 양호하게도 DC 또는 펄스된 DC 전원의 형태이거나, 적당한 정합 네트워크를 통해 타겟(51)에 접속된 RF 공급부의 형태일 수 있다. 타겟(51)의 침식은 내부 및 외부 암흑부(dark space) 링(53,54)에 의해 제어되고, 양호하게도, 또한 영역(55)에 개략적으로 도시된 바와 같이 마그네트론 자석 조립체(59)에 의해 발생된 자계에 의해서도 제어된다. 통상적으로 (도시되지 않은) 내부수(internal water) 채널 또는 다른 냉각 유체 포트를 사용하거나, (도시되지 않은) 적절한 외부 냉각 시스템내에 담금으로써 타겟(51)의 냉각이 달성될 수 있다. 타겟(51)은 절연체(56,57)에 의해 접지면에서 전기적으로 절연된다. 고리형 타겟(51)은 RF 플라즈마 여기 시스템(34)이 설치된 내부 개구(58)를 가지고 있다. 통상적으로, 가스 소스(37)는 프로세서(30)에 제공되어, 아르곤과 같은 처리 가스를 실(31)에 공급하는 반면에, 진공 펌프(38)는 바람직한 진공 상태로 실(31)을 유지한다.

RF 여기 시스템(34)은 양호하게도 고리형 타겟(51)의 개구를 밀폐하는 평면 유전 윈도우(61)를 포함한다. 지지대(36)상에서 기판(39)에 마주하는 윈도우(61)의측면은 실(31)의 진공 상태와 접촉하는 반면에, 윈도우(61)의 대향측 또는 외부면은 공칭 대기 환경과 접촉한다. 양호하게도 윈도우(61)와 나란한 방향으로 연장하고, 평면 또는 거의 평면일 수 있는 여기 코일(65)은 윈도우(61)의 외부면 근처에 있다. 적절한 코일(65)은 예컨대 오글리에 의한 미국 특허 제4,948,458호 및 아쉬티아니에 의한 미국 특허 제5,669,975호에 기술되어 있는데, 이는 양자 모두 여기서 참조로 포함된다. 윈도우(61)의 내부측 상에는 하나의 차폐물 또는 다수의 차폐물(66,67)이 있는데, 이는 스퍼터 재료의 증착으로부터 유전 윈도우(61)를 물리적으로 보호하고, 또한 코일(65)로부터의 유도 결합 RF 에너지를 실(31)로 통과시키는 패러데이 차폐물 역할을 한다. 차폐물(66,67)은 유전 윈도우(61)의 내측 표면에서 약간 떨어지고 근접해 설치된다. 차폐물(66,67)은 양호하게도 슬롯(slot)되어, 암흑부 차폐물(53)에 전기적으로 접지되고, 그와 양호한 열 접촉 상태로 유지되는데, 상기 차폐물(53)은 양호하게도 수-냉각된다. 선택적으로, 차폐물(66,67) 중의 하나 또는 양자 모두는 적어도 코일(65) 상의 RF 에너지에 대해 전기적으로 부동(floating)할 수 있다. 양호한 실시예에서, 바람직하다면, 암흑부 차폐물(53)로부터 차폐물(66,67)을 전기적으로 절연하면서, 차폐물(66,67)의 냉각을 허용하는 (도시되지 않은) 선택적인 전기 절연 및 열 도전 지지 링을 통해 에지로부터 수-냉각되는 암흑부 차폐물(53)로 도전시킴으로써 차폐물(66,67)은 냉각된다. 다른 차폐 냉각 기술 및 차폐물의 장치가 채용될 수 있다.

동작 시에, RF 전압은 전원(72)에 의해 정합 네트워크(71)를 통해 여기 코일(65)에 공급된다. 차폐물(66,67)에 대한 바람직하지 않은 용량성 결합을 최소화하도록 할 정합 유닛 및 어떤 접속부의 설계 기술은 아쉬티아니에 의한 미국 특허 제5,669,975에 기술되어 있다. 처리 가스는 실내의 압력을 약 10 내지 100 mTorr로 상승시키도록 하기 위해 공급된다. 그 후, 고 밀도 플라즈마는 실내에 점화될 수 있다. DC 또는 RF 전력은 스퍼터링 타겟(51)에 공급되는데, 이는 주 플라즈마로부터 이온 충격에 의해 침식된다. 주 플라즈마에 의해 타겟으로부터 스퍼터된 재료는, 코일(65)로부터 유도 결합 에너지에 의해 지지된 고 밀도 플라즈마를 통과할 시에 이온화된다. 이런 이온화된 스퍼터 코팅 재료는, 정합 네트워크(84)를 통해 기판 지지대(36)에 접속된 고주파 RF 발생기(83)에 의해서와 같이 양호하게도 부 바이어스되는 기판 또는 웨이퍼(39)를 향해 가속된다.

실시예(10a)에서, 자기 버킷(40)은, 실의 벽(32)의 내부 직경과 거의 동일하거나 약간 작은 외부 직경 및, 차폐물(21)의 외부 직경과 거의 동일하거나 약간 큰 내부 직경을 가진 자기 링으로 형성된 각각의 자석(43)의 어레이를 포함한다. 자석(43)은 실(31)의 높이보다 약간 작게 연장하는 스택(stack)으로 배치된다. 도 5에서의 N 및 S 기호로 표시되는 바와 같이, 각 자석(43)은 실(31)에 대해 방사상으로 지향된 극 축을 가지고 있다. 즉, 한 극은 자석(43)의 링의 방사상 내부 에지에 위치되고, 다른 극은 자석(43)의 막대의 방사상 외부 에지에 위치된다. 자석(43)의 링의 양호한 치수는 방사 방향으로의 약 3/8 인치, 축 방향으로의 약 1/8 내지 3/16 인치 두께이고, 축 방향으로의 링 간의 스페이싱이 약 3/16 인치 떨어짐으로써, 실(31)의 높이에 따라 자석 링의 수는 약 16 내지 24이다. 상술한 실시예에서의 자석(20)에 의해, 자기 링형 자석(40)은 제각기 단일 링형 자석으로 형성되거나, 공통 링에 조립된 다수의 작은 이산 자석으로 형성될 수 있다. 그런 링은 철로 형성될 수 있고, 자석은 링에 기계적으로 고정되거나, 자기 흡인에 의해 거기에 유지된다.

도 5에서 설명되는 바와 같이, 자계 라인(45)은 자석(43)의 각각의 내부 에지로부터 대향 극성을 가진 바로 인접한 자석(43)의 내부 에지까지 아치 모양으로 된다. 자계 라인(45)이 자석(43)의 극에 도달할 시에 수렴함으로써, 자계 라인과 나란히 이동하는 전자는 자석 극에 더욱 근접하여 이동할 시에 반발력을 받아, 실(31)내로 다시 편향된다. 실시예(10a)의 자석(43)에 의하면, 자계 라인(45)은 라이너(21)의 주변에서 폐쇄된 고리형 아치 모양을 형성하고, 자석으로부터의 자계 라인은 실의 축(35)을 통해 연장하는 평면에 놓여 있다. 실시예(10)의 자석(23)에 의하면, 자계 라인(25)은 실(31)의 주변에서 터널형 세그먼트를 형성하는데, 이런 세그먼트는 제각기 실의 축(35)과 나란히 연장하고, 자계 라인은 축(35)과 수직이고, 기판 지지대 및 타겟 조립체(33)와 나란한 평면에 놓여 있다. 결과적으로, 실시예(10a)는 캐소드 조립체(33)의 마그네트론 자계에 영향을 적게 미치게 하여, 장치에 대한 자기 버킷의 부가로 인해 특정 디자인을 다시 최적화하는 것을 적게 한다.

본 기술 분야의 숙련자는 본 발명의 구현을 변화시킬 수 있고, 본 발명이 양호한 실시예에서 기술된 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 원리 및 의도로부터 벗어나지 않고 부가 및 수정을 행할 수 있다.

Claims

진공실 내에 IPVD를 수행하기에 적당한 진공 압력으로 유지된 처리 스페이스, 상기 처리 스페이스를 통한 축 및, 상기 진공 처리 스페이스 및 축을 에워싸는 내측 표면을 가진 실의 벽을 가진 진공실,

코팅 재료가 상기 처리 스페이스에 공급되는 상기 진공실의 한 단부에서의 축 상에서 일반적으로 중심을 이룬 코팅 재료의 소스,

상기 코팅 재료의 소스로부터 상기 처리 스페이스의 대향 단부에서의 축 상에서 일반적으로 중심을 이룬 상기 진공실내의 기판 지지대,

RF 에너지 소스,

상기 코팅 재료의 소스에 인접한 상기 진공실의 단부에서의 축 상에서 일반적으로 중심을 이루고, 상기 처리 스페이스를 통해 상기 코팅 재료의 소스로부터 이동하는 코팅 재료를 이온화하기에 충분히 조밀한 처리 스페이스내에 플라즈마를 형성하도록 에너지를 반응적으로 결합하기 위해 동작하는 RF 에너지 소스에 접속된 RF 결합 소자 및,

상기 축 상에서 일반적으로 중심을 이루고, 상기 축 및 상기 처리 스페이스를 에워싸는 자기 버킷을 구비하는데, 상기 자기 버킷은 축 상에서 중심을 이루고, 상기 벽의 내부 표면 뒤와 상기 처리 스페이스의 외측의 상기 진공실을 둘러싸는 축 방향으로 떨어진 고리형 영구 자석의 어레이를 포함하고, 상기 자석은 제각기 방사상으로 지향된 극 축을 가지며, 상기 어레이의 자석은 교번 극성으로 배치되고, 상기 플라즈마로부터의 벽에 접근하는 전하 입자를 반발시키기 위해 벽의 내부 표면의 내측에 근접한 실 주변으로 연장하는 축 방향으로 떨어진 다중 고리형 커스프의 자계를 생성시키도록 근접해 위치되는 이온화 물리적 증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 자기 버킷에 의해 발생된 자계는 밀리-Torr의 압력의 약 1.3 배에서 밀리-Torr의 압력의 5 배 또는 300 가우스 이하의 실의 벽의 내부 표면의 내측에서 가우스의 적절한 세기를 가지는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 어레이의 자석은 축 두께가 약 1/8 내지 약 1/4 인치 사이이고, 방사 폭이 약 3/8 내지 약 3/4 인치 사이인 플랫 링이며, 약 1/8 및 약 1/4 인치 사이에서 일정한 간격으로 떨어져 있고, 상기 어레이는 코팅 재료의 소스와 기판 사이에서 실의 축 방향 길이를 약 2/3 이상 연장하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 자석은 제각기 비자기 고 전기 도전 재료로 코팅되는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 코팅 재료의 소스는 코팅 재료가 상기 처리 스페이스에 공급되는 링형 소스이고, 상기 링형 소스는 진공 처리 스페이스와 통신하는 하나 이상의 표면 및 중심 개구를 가지며,

상기 RF 결합 소자는 상기 링형 소스의 중심 개구에 위치되어, 상기 처리 스페이스를 통해 상기 링형 소스로부터 이동하는 코팅 재료를 이온화하기에 충분히 조밀한 처리 스페이스내에 플라즈마를 형성하도록 실내에 에너지를 반응적으로 결합하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 RF 결합 소자는 상기 링형 소스의 중심 개구에 위치되어, 상기 처리 스페이스내에 유도 결합된 플라즈마를 형성하도록 실내에 에너지를 유도적으로 결합하는 코일인 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 소스의 중심 개구에서의 유전 윈도우 및,

상기 실의 진공 밖의 윈도우 외향 및 그 뒤에 위치되어, 상기 실내의 플라즈마를 에너자이즈하도록 상기 윈도우를 통한 RF 에너지를 상기 실내에 결합하도록 동작하는 RF 결합 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 윈도우와 상기 처리 스페이스 사이의 윈도우 내의 차폐 구조를 더 포함하는데, 차폐물은 상기 결합 소자에서 상기 처리 스페이스로의 RF 에너지의 효율적인 결합을 행하여, 상기 처리 스페이스로부터의 코팅 재료에서 상기 윈도우를 물리적으로 차폐하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 기판 지지대에 접속되어, 상기 처리 스페이스로부터의 코팅 재료의 양이온을 기판을 향해 지향하도록 플라즈마에 대해 상당히 네가티브한 지지대상의 기판에 DC 전위를 발생시키는 바이어스 전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 링형 소스는 상기 실의 내측과 통신하는 스퍼터링 표면을 가진 전기 도전 코팅 재료의 하나 이상의 고리형 스퍼터링 타겟 및, 상기 타겟에 접속되어, 상기 타겟의 스퍼터링 표면으로부터 상기 처리 스페이스로 재료를 스퍼터하도록 플라즈마에 대해 전기적으로 상당히 네가티브한 스퍼터링 표면에 DC 전위를 공급하는 타겟 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 10 항에 있어서,

상기 타겟의 스퍼터링 표면에 근접하여 스퍼터링 플라즈마를 한정하도록 하는 상기 실 외측 타겟 뒤의 마그네트론 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
진공 처리 스페이스, 상기 처리 스페이스를 통한 축 및, 상기 진공 처리 스페이스 및 상기 축을 에워싸는 내측 표면을 가진 실의 벽을 가진 진공실,

코팅 재료가 상기 처리 스페이스에 공급되는 상기 진공실의 한 단부에서의 축 상의 코팅 재료의 링형 소스로서, 상기 진공 처리 스페이스와 통신하는 하나 이상의 표면 및 중심 개구를 가진 링형 소스,

상기 코팅 재료의 소스로부터 상기 처리 스페이스의 대향 단부에서의 축 상의 상기 진공실내의 기판 지지대,

RF 에너지 소스,

상기 링형 소스의 중심 개구에서의 축 상에서 일반적으로 중심을 이루어, 상기 처리 스페이스를 통해 상기 링형 소스로부터 이동하는 코팅 재료를 이온화하기에 충분히 조밀한 처리 스페이스내에 플라즈마를 형성하도록 상기 실내에 에너지를 반응적으로 결합하는 RF 에너지 소스에 접속된 RF 결합 소자 및,

상기 축 상에서 일반적으로 중심을 이루고, 상기 처리 스페이스를 에워싸는 자기 버킷을 구비하는데, 상기 자기 버킷은 상기 벽의 내부 표면 뒤와 상기 처리 스페이스의 외측의 상기 진공실을 둘러싸는 영구 자석의 어레이를 포함하고, 상기자석은 제각기 길이 방향 범위 및, 상기 길이 방향 범위에 대해 가로로 연장하고, 상기 벽의 내부 표면에 수직인 극 축을 가지며, 그리고 교번 극성으로 배치되고, 상기 실 주변의 벽의 내부 표면의 내측에 근접한 멀티-커스프 자계를 발생시키도록 근접하여 배치되는 이온화 물리적 증착 장치.
제 12 항에 있어서,

상기 영구 자석의 어레이는 상기 실의 벽 주변에서 원주상으로 근접하여 배치되는 축 방향으로 연장하는 다수의 막대 자석을 포함하는데, 상기 막대 자석의 각각은 축 길이 방향 범위 및, 상기 축 길이 방향 범위에 대해 가로로 연장하고, 상기 벽의 내부 표면에 수직인 극 축을 가지며, 상기 어레이의 자석은 교번 극성으로 배치되고, 상기 실 주변의 벽의 내부 표면의 내측에 근접하여 원주상으로 떨어진 축 방향 연장한 다수의 자계 커스프를 가진 자계를 발생시키도록 근접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 12 항에 있어서,

상기 영구 자석의 어레이는 상기 실의 벽에서 축 방향으로 근접하여 배치되는 원주 상으로 연장하는 다수의 고리형 링 자석을 포함하는데, 상기 링 자석의 각각은 원주 길이 방향 범위 및, 상기 원주 길이 방향 범위에 대해 가로로 연장하고, 상기 벽의 내부 표면에 수직인 극 축을 가지며, 상기 어레이의 자석은 교번 극성으로 배치되고, 상기 실 주변의 벽의 내부 표면의 내측에 근접하여 축 방향으로 떨어진 원주 방향 연장한 다수의 자계 커스프를 가진 자계를 발생시키도록 근접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
제 12 항에 있어서,

상기 실의 벽은 상기 고리형 타겟의 중심 개구에 인접한 유전 윈도우를 포함하고,

상기 RF 전극은 상기 처리 스페이스내의 고리형 타겟으로부터 코팅 재료를 이온화하기에 충분히 조밀한 처리 스페이스내에 유도 결합된 플라즈마를 형성하도록 상기 윈도우를 통해 상기 실내에 에너지를 유도적으로 결합하기 위해 상기 RF 에너지 소스에 접속되고, 상기 윈도우에 인접한 상기 실 외측의 코일을 포함하며,

상기 장치는 상기 윈도우와 상기 처리 스페이스 사이의 윈도우 내의 차폐 구조를 더 포함하고, 상기 코일에서 상기 처리 스페이스로의 RF 에너지의 효율적인 결합을 행하여, 상기 처리 스페이스로부터의 코팅 재료에서 상기 윈도우를 물리적으로 차폐하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 장치.
1 mTorr이상의 진공 처리실내의 처리 스페이스내에 진공을 유지하는 단계,

상기 처리실의 축 상의 처리 스페이스의 한 단부에서의 코팅 재료의 링으로부터, 상기 처리 스페이스내로 상기 재료의 입자를 방출하는 단계,

상기 코팅 재료의 링의 내부에서의 개구를 통해 상기 실 외측의 소스로부터 상기 처리 스페이스로 RF 에너지를 반응적으로 결합하는 단계,

상기 결합된 RF 에너지에 의해, 상기 처리 스페이스내의 상기 코팅 재료의 상당한 부분을 이온화하기에 충분히 조밀한 처리 스페이스내에 반응적으로 결합된 플라즈마를 형성하는 단계,

일반적으로 상기 축상에서 중심을 이루고, 상기 축 및 상기 처리 스페이스를 에워싼 자기 버킷에 의해, 상기 실의 벽의 내부 표면 내부 및 그에 인접한 다수의 커스프 자계를 발생시켜, 상기 플라즈마로부터 상기 실의 벽으로 이동하는 전하 입자를 반발시키는 단계 및,

상기 처리 스페이스로부터의 코팅 재료의 양이온을 거의 수직각에서 상기 기판을 향해 지향하도록 상기 플라즈마에 대해 상당히 네가티브한 DC 전위를 생성시키기 위해 코팅 재료의 링과 대향한 처리 스페이스의 단부에서 기판을 전기적으로 바이어스하는 단계로 이루어지는 이온화 물리적 증착 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 입자 방출 단계는,

기판 지지대로부터 상기 처리 스페이스와 대향한 개구를 에워싼 코팅 재료의 고리형 스퍼터링 타겟을 제공하는 단계,

상기 타겟의 스퍼터링 표면으로부터 기판 지지대를 향해 상기 처리 스페이스로 스퍼터하도록 플라즈마에 대해 상당히 네가티브한 스퍼터링 표면에 DC 전위를 공급할 타겟 전원으로 타겟을 에너자이즈하는 단계 및,

상기 타겟의 중심 개구를 에워싸고, 상기 타겟의 스퍼터링 표면 위에 자계를생성시켜, 상기 타겟의 스퍼터링 표면에 근접하여 스퍼터링 플라즈마를 한정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 결합 단계는 상기 코팅 재료의 링의 내부의 개구에서 코일을 위치 설정하여, 상기 처리 스페이스내에 플라즈마를 형성하도록 상기 실에 RF 에너지를 유도 결합하는 단계를 포함하고,

상기 다수의 커스프 자계 발생 단계는 상기 스페이스 주변의 교번 극성의 방사 방향 극 축을 가진 처리 스페이스 주변의 원주상 떨어진 구간에 축 방향 자석의 어레이를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 결합 단계는 상기 코팅 재료의 링의 내부의 개구에서 코일을 위치 설정하여, 상기 처리 스페이스내에 플라즈마를 형성하도록 상기 실에 RF 에너지를 유도 결합하는 단계를 포함하고,

상기 다수의 커스프 자계 발생 단계는 축을 따라 교번하는 극성의 방사 방향 극 축을 가지고 처리 스페이스 주변의 축 방향 떨어진 구간에 고리형 자석의 어레이를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 결합 단계는 상기 코팅 재료의 링의 내부의 개구에서 코일을 위치 설정하여, 상기 처리 스페이스내에 플라즈마를 형성하도록 상기 실에 RF 에너지를 유도 결합하는 단계를 포함하고,

상기 다수의 커스프 자계 발생 단계는 교번 극성의 방사 방향 극 축을 가지고 처리 스페이스 주변의 벽의 내부 표면 뒤의 구간에 자석의 어레이를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 진공 유지 단계는 거의 10 mTorr 및 100 mTorr 사이의 압력에서 처리 스페이스내의 압력을 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 방법.
제 16 항에 있어서,

상기 진공 유지 단계는 거의 10 mTorr 및 20 mTorr 사이의 압력에서 처리 스페이스내의 압력을 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온화 물리적 증착 방법.