DE4117518C2 - Vorrichtung zum Sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem Target - Google Patents
Vorrichtung zum Sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem TargetInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum insbesondere
reaktiven Sputtern mit vorzugsweise einer Magnetronkathode
mit einem bewegten, insbesondere rotierendem Target und
Verfahren zum Vermeiden von Überschlägen bei einer
Vorrichtung dieser Art.
Bei Zerstäubungsprozessen (Sputterprozessen) werden in der
Praxis u. a. solche Hochleistungszerstäubungsvorrichtungen
(Sputtervorrichtung) eingesetzt, bei denen durch ein
Magnetfeld vor der Kathode die Kollisions- und damit die
Ionisationswahrscheinlichkeit der Teilchen erhöht wird.
Kernstück dieser Hochleistungszerstäubungsvorrichtungen ist
die sogenannte Magnetronkathode.
Eine derartige Magnetronkathode wird beispielsweise in der
deutschen Patentschrift DE 24 17 288 C2 beschrieben.
Dort wird eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung mit hoher
Zerstäubungsrate mit einer Kathode, die auf einer ihrer
Oberflächen das zu zerstäubende und auf einem Substrat
abzulagernde Material aufweist, mit einer derart
angeordneten Magneteinrichtung, daß von der
Zerstäubungsfläche ausgehende und zu ihr zurückkehrende
Magnetfeldlinien einen Entladungsbereich bilden, der die
Form einer in sich geschlossenen Schleife hat, und mit
einer außerhalb der Bahnen des zerstäubten und sich von der
Zerstäubungsfläche zum Substrat bewegenden Materials
angeordneten Anode gezeigt.
In der genannten Patentschrift wird vorgeschlagen, daß die
zu zerstäubende und dem zu besprühenden Substrat zugewandte
Kathodenoberfläche eben ist, daß sich das Substrat nahe dem
Entladungsbereich parallel zu der ebenen Zerstäubungsfläche
über diese hinwegbewegen läßt, und daß die das Magnetfeld
erzeugende Magneteinrichtung auf der der ebenen
Zerstäubungsfläche abgewandten Seite der Kathode angeordnet
ist.
Zum Stand der Technik gehören weiterhin Sputteranlagen mit
einer rotierenden Magnetronkathode. Der Prospekt der Firma
Airco Coating Technology, A Division of the BOC Group, Inc.
mit der Kennzeichnung ACT10110K988, weiterhin "Airco-
Prospekt" genannt, beschreibt den Aufbau und die
Arbeitsweise einer solchen an sich bekannten Sputteranlage
mit einer rotierenden Magnetronkathode. Wie aus den
Abbildungen und dem Text des Airco-Prospekts ersichtlich,
rotiert genau genommen nur das zylindrisch oder rohrförmig
geformte Target. Im Innern des Targets befindet sich das
stationäre Magnetaggregat der Magnetronkathode.
Wesentliche Bestandteile einer solchen an sich bekannten
Magnetronkathode sind unter anderem, siehe hierzu den
Airco-Prospekt, neben dem rotierenden zylindrischen Target
und dem stationären Magnetaggregat das
Targetantriebssystem, ein Wasserkühlsystem, eine
Vakuumkammer, in der sich unter anderem das rotierende
Target und das Substrat befinden, und eine
Energieversorgungseinheit für die Kathode. In der Praxis
wird das Target als eine Schicht auf einem zum Beispiel aus
Kupfer bestehenden Rohr aufgebracht. Das System, bestehend
aus einer Targetschicht und Kupferrohr, rotiert vor dem
brennenden Plasma.
Zum Stand der Technik gehört weiterhin die europäische
Patentschrift EP 0070899 B1. In dieser Schrift wird eine
Vorrichtung zur Aufstäubung von dünnen Filmen eines
ausgewählten Überzugsmaterials auf wesentlich planare
Substrate, bestehend aus einer evakuierbaren
Beschichtungskammer, einer in dieser Beschichtungskammer
horizontal angebrachten Kathode mit einem länglichen,
zylindrischen Rohrelement, auf dessen äußerer Fläche eine
Schicht des zu zerstäubenden Überzugsmaterial aufgetragen
worden ist, und Magnetmitteln, die in diesem Rohrelement
angeordnet werden, um eine sich in Längsrichtung davon
erstreckende Zerstäubungszone vorzusehen, beschrieben.
Der Gegenstand der europäischen Patentschrift ist
gekennzeichnet durch Mittel zum Drehen dieses Rohrelements
um seine Längsachse, um verschiedene Teile des
Überzugsmaterials in eine Zerstäubungsstellung gegenüber
den vorerwähnten Magnetmitteln und innerhalb der
vorerwähnten Zerstäubungszone zu bringen, und durch in der
Beschichtungskammer befindliche Mittel zum horizontalen
Abstützen der Substrate und zum Transportieren dieser an
den Magnetmitteln vorbei, damit diese Substrate das
zerstäubte Material empfangen.
Weiterhin existiert die Patentschrift DD 161 040 der Deutschen
Demokratischen Republik, die sich allerdings nicht mit
einem rotierenden Target befaßt. Durch diese letztgenannte
Schrift ist eine Vorrichtung zur Vermeidung unerwünschter
Entladungen beim reaktiven dc-Kathodenzerstäuben,
insbesondere reaktiven dc-Hochratezerstäuben, zwecks
Herstellung elektrisch hoch isolierender Schichten unter
Verwendung üblicher Plasmatronzerstäubungsvorrichtungen und
einer auf dem Target aufgebrachten, bis dicht an die
Entladung heranreichenden Targetberandung bekannt geworden.
In der letztgenannten Schrift wird vorgeschlagen, daß die
Targetberandung aus einem elektrisch isolierenden Material
möglichst geringer Dicke besteht, und daß zwischen der
Targetberandung und dem Target ein spaltförmiger Hohlraum
ist, dessen Spaltbreite höchstens einige Zehntel der
mittleren freien Wellenlänge der abgestäubten Teilchen
beträgt und die Auflagepunkte der Targetberandung auf
elektrisch leitenden Konstruktionsteilen wenigstens ein
Zwanzigfaches der Spaltbreite des spaltförmigen Hohlraums
vom Targetrand entfernt sind und die Targetberandung
zumindest zu einem Teil von einer Abschirmung überdeckt
ist, deren Abstand zur Targetberandung in Größenordnung des
spaltförmigen Hohlraums zwischen Target und Targetberandung
ist.
Bei rotierenden, rohrförmigen Targets wird der mittlere
Bereich durch das Plasma erodiert, während an den Enden
keine Erosionen auftreten. Beim Sputtern bestimmter
Materialien, beispielsweise SiO2, bilden sich auf den
Rohrenden zusätzlich während des Sputtervorgangs
aufgesputterte Schichten.
Während des Sputterprozesses erhält durch die oben
beschriebenen Vorgänge das rotierende Target ein Profil,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß der mittlere Bereich
infolge der Erosion einen geringeren Durchmesser aufweist,
während die Rohrenden einen großen Durchmesser besitzen.
Die Rohrenden werden sogar in einigen Anwendungsfällen noch
weiter verdickt durch das geschilderte Anwachsen einer
Schicht von Sputtermaterial auf den Rohrenden.
Die oben beschriebenen Vorgänge führen zu einer erhöhten
Gefahr des unerwünschten Arcings zwischen Target und
Rezipienteninnenwand, zwischen Target und Substrat bzw.
zwischen Target und der bereits aufgewachsenen, aus
Sputtermaterial bestehenden Schicht auf dem Substrat.
Diese Gefahr des Arcings besteht besonders bei folgenden
Sputtermaterialien: SiO2, Al2O3, ZrO2, TiO2, ZnO, Ta2O5.
Der Erfindung liegen folgende Aufgaben zugrunde:
Das Sputtern vom rotierenden Target mit Magnetronkathode
soll grundsätzlich verbessert werden. Es sollen bessere
Voraussetzungen dafür geschaffen werden, daß ein derartiges
Sputtern von SiO2 nicht nur labormäßig, sondern auch in der
Großproduktion eingesetzt werden kann.
Ganz speziell soll das Arcing an den Rohrenden,
vorzugsweise beim Einsatz von SiO2 verhindert werden.
Die gestellten Aufgaben werden erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß die nicht abgesputterten Bereiche des Targets
mit einer Dunkelraumabschirmung versehen sind.
Bei einer Sputtervorrichtung mit einem rotierenden Target,
das rohrförmig ausgebildet ist, mit einem innerhalb des
Rohrs angeordneten stationären Magnetaggregat einer
Magnetronkathode, das einen im wesentlichen mit zwei langen
Geraden versehenen stationären Plasmaschlauch vor der
Oberfläche des rotierenden Targets erzeugt, der eine
Erosionswirkung auf die Oberfläche des rotierenden Targets
ausübt, wodurch es zur Bildung einer Verjüngung des
Durchmessers des rohrförmigen rotierenden Targets im
mittleren Bereich des rohrförmigen rotierenden Targets und
zur Bildung von Rändern an den beiden Enden des
rohrförmigen rotierenden Targets kommt, wird vorgeschlagen,
daß die Enden des rohrförmigen rotierenden Targets mit je
einer Dunkelraumabschirmung versehen sind, die die Ränder
des rohrförmigen rotierenden Targets abdecken. Weiterhin
wird vorgeschlagen, daß in einem ersten Ausführungsbeispiel
die Dunkelraumabschirmung geerdet wird. Eine besonders
vorteilhafte Ausbildung des Gegenstands der Erfindung
besteht in einem zweiten Ausführungsbeispiel darin, daß die
Dunkelraumabschirmung über eine elektrische Leitung, die
gegenüber der Vakuumkammer isoliert ist, mit einer Strom-
Spannungs-Versorgungseinheit über eine weitere Leitung
gegen Masse geschaltet ist.
Es hat sich gezeigt, daß ein Verfahren zur Beeinflussung
der Schichtgleichmäßigkeit an den Rändern eines mittels
Sputtern zu beschichtenden Materials mit Hilfe einer
Vorrichtung, wie sie oben beschrieben wurde, möglich ist,
hierzu wird vorgesehen, daß die Dunkelraumabschirmung
gegenüber der Sputteranlage isoliert über eine variable
Spannungsquelle gegen Masse geschaltet wird.
Besonders vorteilhafte Ergebnisse werden dadurch erreicht,
daß bei einem Verfahrensdruck von 3 . 10-3 mbar der radiale
Abstand zwischen dem rotierenden Target und der
Dunkelraumabschirmung gleich oder kleiner als 2 mm ist.
Um noch bessere Resultate bei der Verhinderung des Arcings
zu erzielen wird weiterhin vorgeschlagen, daß zwischen dem
rotierenden Target und der Dunkelraumabschirmung ein
Isolator, der beispielsweise aus Keramik oder Quarz
hergestellt ist, angeordnet ist.
Dabei kann vorgesehen werden, daß zwischen dem rotierenden
Target und der Dunkelraumabschirmung ein Isolator
angeordnet ist, der mit der Dunkelraumabschirmung verbunden
ist, oder daß zwischen dem rotierenden Target und der
Dunkelraumabschirmung ein Isolator angeordnet ist, der mit
dem rotierenden Target verbunden ist und mit ihm zusammen
rotiert.
Durch die Erfindung werden folgende Vorteile erreicht:
Das Sputtern vom rotierenden Target mit Magnetronkathode
wird grundsätzlich verbessert. Es werden bessere
Voraussetzungen dafür geschaffen, daß insbesondere ein
derartiges Sputtern vorzugsweise von SiO2 in der
Großproduktion eingesetzt werden kann. Das Arcing an den
Rohrenden, vorzugsweise beim Einsatz von SiO2, wird
verhindert.
Weitere Einzelheiten der Erfindung, der Aufgabenstellung
und der erzielten Vorteile sind der folgenden Beschreibung
von Ausführungsbeispielen der Erfindung zu entnehmen.
Diese Ausführungsbeispiele werden anhand von sieben Figuren
erläutert.
Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung den Schnitt
durch ein rotierendes Target und stationäres
Magnetaggregat, wie sie zum Stand der Technik gehören.
Fig. 2 zeigt die Konfiguration eines Sputtergrabens auf
dem rotierenden Target zu Beginn des Sputtervorgangs.
Fig. 3 zeigt ein erodiertes rotierendes Target.
Die Fig. 4 bis 7 zeigen in schematischer Darstellung
Ausführungsbeispiele der Erfindung.
Bei der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele
der Erfindung wird von einem Stand der Technik ausgegangen,
wie er sich in Form der oben zitierten Schriften darstellt.
Die Beschreibungen und die Figuren dieser Schriften können
zur Erläuterung der Ausgangsbasis für die nachfolgend
beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung
herangezogen werden.
In Fig. 1 ist mit 1 das rotierende Target bezeichnet, wie
es beispielsweise beim Gegenstand der europäischen
Patentschrift EP 0070899 B1, siehe dort unter anderem Fig. 3,
und beim Gegenstand des Airco-Prospekts eingesetzt wird.
Nach dem Stand der Technik kann das Targetmaterial 1 auf
einem beispielsweise aus Kupfer bestehenden Rohr 35
aufgebracht sein. Das Targetmaterial kann beispielsweise Si
sein.
Mit 2 ist die Gesamtheit des innerhalb des rotierenden
Targets angeordneten stationären, also nicht rotierenden
Magnetaggregats bezeichnet. Siehe hierzu auch Fig. 3 der
genannten europäischen Patentschrift. Die einzelnen Magnete
tragen die Bezugsziffern 3, 4, 5, 6. Die zugeordneten
Magnetjoche sind mit 7 und 8 bezeichnet. 9 ist das
Halteelement.
Mit Hilfe des Magnetaggregats wird ein stehendes Plasma
über dem rotierenden Target erzeugt. Dieses stehende Plasma
hat die Form eines rennbahnähnlichen, im wesentlichen
rechteckig ausgebildeten Schlauchs. Siehe hierzu Fig. 2,
Bezugsziffer 11. 11 bezeichnet zwar den Sputter- oder
Erosionsgraben, gleichzeitig kann 11 aber auch als die
Position des erodierenden Plasmas angesehen werden.
Weitere Einzelheiten zu diesem Stand der Technik sind der
genannten europäischen Patentschrift und dem Airco-Prospekt
zu entnehmen.
Die Fig. 2 und 3 zeigen je ein rotierendes Target. Das
Target 10 der Fig. 2 weist, wie erwähnt, einen
rennbahnähnlichen, im wesentlichen rechteckförmig
ausgebildeten Sputtergraben oder Erosionsgraben 11 auf, der
am Anfang des Sputterprozesses durch das entsprechend
ausgebildete Plasma erodiert wird.
Um den Unterschied zu Fig. 2 deutlich zu machen, ist die
Gesamtheit des in Fig. 3 gezeigten Targets mit 12
bezeichnet. Durch die erodierende Wirkung des
schlauchförmigen Plasmas auf das rotierende Target wird der
mittlere Bereich des rotierenden Targets 12 stark erodiert
und in seinem Durchmesser verjüngt. Der mittlere Bereich
des rotierenden Targets trägt die Bezugsziffer 13.
Während der mittlere Bereich erodiert wird, bleiben die
Rohrenden 14, 15 in ihrem Durchmesser erhalten. Siehe hierzu
Fig. 3 und Fig. 4; in Fig. 4 ist das rotierende Target
in Seitenansicht dargestellt. Die Durchmesser an den
Rohrenden können sich durch Schichtbildung auf den
Rohrenden, insbesondere bei Bildung von SiO2-Schichten noch
vergrößern. Durch die Rohrenden mit größerem Durchmesser
wird die Bildung der oben beschriebenen nachteiligen
Arcing-Effekte begünstigt.
Gemäß der Erfindung wird nunmehr vorgeschlagen, daß im
Bereich dieser Rohrenden, siehe hierzu Fig. 4,
Dunkelraumabschirmungen 16, 17 angeordnet werden. Diese
Dunkelraumabschirmungen verhindern ein Arcing zwischen dem
rotierenden Target einerseits und dem Substrat, der auf dem
Substrat aufwachsenden, aus Sputtermaterial bestehenden
Schicht und der Innenwand der Vakuumprozeßkammer
andererseits. Die Dunkelraumabschirmung ist in einem ersten
Ausführungsbeispiel, siehe Fig. 4, über die Leitung 39
geerdet. Ebenso ist die Rezipientenwand geerdet, demzufolge
kann kein Arcing zwischen der Dunkelraumabschirmung und der
Rezipientenwand stattfinden.
In Fig. 4 ist einmal das rotierende Target in seiner nicht
erodierten, anfänglichen Konfiguration 18 und in seiner
erodierten, späteren Konfiguration 19 dargestellt. Mit 20
und 21 sind Isolatoren bezeichnet.
Die beiden Dunkelraumabschirmungen 16 und 17 sind außerhalb
der Sputteranlage über eine Leitung miteinander verbunden.
Die Leitung ist symbolisch mit den beiden
Leitungsanschlüssen 22 und der gestrichelten Linie 36
dargestellt.
In einem zweiten Ausführungsbeispiel, siehe Fig. 5, wird
eine Leitung 23 vorgesehen, die gegenüber der Wand 24 der
Vakuumkammer isoliert ist. Die Isolation trägt die
Bezugsziffer 37. Die Leitung 23 verbindet die Strom-
Spannungs-Versorgungseinheit 25, die als variable
Spannungsquelle dienen kann, mit der Dunkelraumabschirmung
17. Die Dunkelraumabschirmung 17 ist, wie oben geschildert,
über eine außerhalb angeordnete Leitung mit der
Dunkelraumabschirmung 16 verbunden. Die Strom-Spannungs-
Versorgungseinheit 25 ist über die Leitung 38 geerdet.
Zur Vermeidung des nachteiligen Arcing-Effekts ist beim
Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 zusätzlich zur
Dunkelraumabschirmung 26 ein Isolator 27 zwischen
Dunkelraumabschirmung und dem rotierenden Target 28
angeordnet. Er ist mit der Dunkelraumabschirmung 26
verbunden.
Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 7 wird ein Isolator 29
über eine Schraubenverbindung 30 mit dem rotierenden Target
31 verbunden.
31 ist ein Distanzstück, das aus einem Isolator oder Leiter
bestehen kann. 33 ist die Dunkelraumabschirmung. Beim
Gegenstand der Fig. 6 rotiert der Isolator 29 zusammen mit
dem rotierenden Target 31.
Die Isolatoren der Gegenstände der Fig. 5 und 6 können
aus beispielsweise Keramik oder Quarz bestehen.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann eine Vielzahl
von Sputtermaterialien erzeugt werden. So kommen neben SiO2
auch folgende Materialien infrage: Al2O3, ZrO2, TiO2, ZnO,
Ta2O5.
Aus Fig. 5 ist erkennbar, daß die Dunkelraumabschirmung
isoliert nach außen geführt wird und mit einer wie
geschildert variablen Spannungsquelle (+), nämlich der
Strom-Spannungs-Versorgungseinheit 25, gegen Masse
geschaltet wird. Die Spannung kann zwischen ca. 0 bis
+50 Volt oder zwischen +50 Volt bis -50 Volt liegen. Man
kann durch Variation der Spannung die
Schichtgleichmäßigkeit an den Rändern des zu beschichtenden
Materials beeinflussen.
Bei der Dimensionierung des radialen Abstands 34, siehe
Fig. 4 und 5, zwischen dem rotierenden Target und der
Dunkelraumabschirmung hat es sich als vorteilhaft
herausgestellt, wenn bei einem Prozeßdruck von 3 . 10-3 mbar
ein Abstandsmaß 34 von 2 mm oder kleiner gewählt wird.
1
rotierendes Target
2
Magnetaggregat
3
Magnet
4
Magnet
5
Magnet
6
Magnet
7
Magnetjoch
8
Magnetjoch
9
Halteelement
10
Target
11
Sputtergraben, Erosionsgraben
12
Target
13
mittlerer Bereich
14
Rohrenden, Ränder
15
Rohrenden, Ränder
16
Dunkelraumabschirmung
17
Dunkelraumabschirmung
18
Konfiguration
19
Konfiguration
20
Isolator
21
Isolator
22
Leitungsanschluß
23
Leitung
24
Wand
25
Strom-Spannungs-Versorgungseinheit
26
Dunkelraumabschirmung
27
Isolator
28
rotierendes Target
29
Isolator
30
Schraubenverbindung
31
rotierendes Target
32
Distanzstück
33
Dunkelraumabschirmung
34
radialer Abstand
35
Rohr
36
Linie, Leitung
37
Isolation
38
Leitung
39
Leitung
Claims (9)
1. Vorrichtung zum insbesondere reaktiven Sputtern mit
vorzugsweise einer Magnetronkathode mit einem
bewegten, insbesondere rotierenden Target, dadurch
gekennzeichnet, daß die nicht abgesputterten Bereiche
des Targets mit einer Dunkelraumabschirmung versehen
sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1 mit einem rotierenden
Target, das rohrförmig ausgebildet ist, mit einem
innerhalb des Rohres angeordneten stationären
Magnetaggregat einer Magnetronkathode, das einen im
wesentlichen mit zwei langen Geraden versehenen
stationären Plasmaschlauch vor der Oberfläche des
rotierenden Targets erzeugt, der eine Erosionswirkung
auf die Oberfläche des rotierenden Targets ausübt,
wodurch es zur Bildung einer Verjüngung des
Durchmessers des rohrförmigen rotierenden Targets im
mittleren Bereich des rohrförmigen rotierenden
Targets und zur Bildung von Rändern an den beiden
Enden des rohrförmigen Targets kommt, dadurch
gekennzeichnet, daß die Enden (14, 15) des
rohrförmigen rotierenden Targets (12, 18, 19) mit je
einer Dunkelraumabschirmung (16, 17) versehen sind,
die die Ränder des rohrförmigen rotierenden Targets
abdecken.
3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Enden (14, 15) des
rohrförmigen rotierenden Targets (12, 18, 19) mit je
einer Dunkelraumabschirmung (16, 17) versehen sind,
die die Ränder des rohrförmigen rotierenden Targets
abdecken, daß die Dunkelraumabschirmung geerdet ist.
4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dunkelraumabschirmung (16, 17)
über eine elektrische Leitung (23), die gegenüber der
Vakuumkammer (24) isoliert ist, mit einer Strom-
Spannungs-Versorgungseinheit (25) verbunden ist, daß
die Strom-Spannungs-Versorgungseinheit über eine
weitere Leitung (38) gegen Masse geschaltet ist.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der
vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß bei einem Verfahrensdruck von 3 . 10-3 mbar der
radiale Abstand (34) zwischen dem rotierenden Target
(18, 19) und der Dunkelraumabschirmung (16, 17) gleich
oder kleiner als 2 mm ist.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der
vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen dem rotierenden Target (28, 31) und der
Dunkelraumabschirmung (26, 33) ein Isolator (27, 29),
der beispielsweise aus Keramik oder Quarz hergestellt
ist, angeordnet ist.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der
vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen dem rotierenden Target (28) und der
Dunkelraumabschirmung (26) ein Isolator (27)
angeordnet ist, der mit der Dunkelraumabschirmung
verbunden ist.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der
vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen dem rotierenden Target (31) und der
Dunkelraumabschirmung (33) ein Isolator (29)
angeordnet ist, der mit dem rotierenden Target
verbunden ist und mit ihm zusammen rotiert.
9. Verfahren zur Vermeidung von Überschlägen an den
Rändern eines mittels Sputtern zu beschichtenden
Materials mit Hilfe einer Vorrichtung nach einem oder
mehreren der vorangegangenen Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dunkelraumabschirmung
gegenüber der Sputteranlage isoliert über eine
variable Spannungsquelle gegen Masse geschaltet wird.
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