DE19651811A1 - Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten - Google Patents

Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten

Info

Publication number
DE19651811A1
DE19651811A1 DE19651811A DE19651811A DE19651811A1 DE 19651811 A1 DE19651811 A1 DE 19651811A1 DE 19651811 A DE19651811 A DE 19651811A DE 19651811 A DE19651811 A DE 19651811A DE 19651811 A1 DE19651811 A1 DE 19651811A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bridge
voltage source
cathode
conductor
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19651811A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19651811B4 (de
Inventor
Joachim Dr Szczyrbowski
Goetz Teschner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oerlikon Deutschland Holding GmbH
Original Assignee
Leybold Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Systems GmbH filed Critical Leybold Systems GmbH
Priority to DE19651811A priority Critical patent/DE19651811B4/de
Priority to US08/990,953 priority patent/US6096174A/en
Publication of DE19651811A1 publication Critical patent/DE19651811A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19651811B4 publication Critical patent/DE19651811B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444—Associated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bele­ gen eines Substrats mit dünnen Schichten von Tar­ gets, zwischen denen ein Gasentladungsplasma auf­ rechterhalten wird, um die zum Beschuß der an Wechselspannung anliegenden Targets erforderlichen Ionen zu erzeugen, wozu die Prozeßkammer ein unter einem bestimmten Partialdruck stehendes Gas ent­ hält und die Targets mit einer Stromquelle verbun­ den und so geschaltet sind, daß sie wechselweise Kathode und Anode der Gasentladung bilden.
Es ist eine Vorrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats bekannt (DE-A-41 36 655.7; Zusatz zu DE-A-40 42 289.5), bei der eine elektrisch von der Vakuumkammer getrennte, als Magnetronkathode ausge­ bildete, aus zwei elektrisch voneinander getrennten Teilen bestehende Kathode, bei der der Targetgrund­ körper mit Joch und Magneten als der eine Teil - unter Zwischenschaltung einer Kapazität - an den ne­ gativen Pol einer Gleichstrom-Spannungsversorgung und das Target als der andere Teil über eine Leitung und unter Zwischenschaltung einer Drossel und einem dieser parallel liegenden Widerstand an die Strom­ versorgung angeschlossen ist, wobei das Target über eine weitere Kapazität mit dem Pluspol der Stromver­ sorgung und mit der Anode verbunden ist, die ihrer­ seits - unter Zwischenschaltung eines Widerstandes - auf Masse liegt, wobei in Reihe zur induktionsarmen Kapazität eine Induktivität in die Zweigleitung zum Widerstand und zur Drossel eingeschaltet ist und der Wert für den Widerstand typischerweise zwischen 2 KΩ und 10 KΩ liegt.
Diese ältere Vorrichtung ist so ausgebildet, daß sie die überwiegende Zahl der während eines Beschich­ tungsprozesses auftretenden Arcs unterdrückt, die Energie der Arcs absenkt und die Wiederzündung des Plasmas nach einem Arc verbessert.
In einer weiteren älteren Patentanmeldung (P 41 27 504.7) wurde auch bereits eine Schaltungs­ anordnung zum Löschen von Lichtbögen in Plasmavor­ richtungen geschaffen, um auch beim Sputtern von schwierigen Materialien, z. B. von SiO2, hohe Be­ schichtungsraten zu ermöglichen. Es wird dabei der Augenblickswert der Spannung der Plasmastrecke mit einem Spannungswert verglichen, der einer über eine vorgegebene Zeit ermittelten mittleren Plasmaspan­ nung entspricht, wobei dann, wenn die Differenz zwi­ schen dem Augenblickswert der Plasmaspannung einen vorgegebenen Wert übersteigt, die Plasmastrecke von der Spannungsquelle getrennt wird.
Beim reaktiven Sputtern von Metalloxiden bzw. Me­ tallnitriden kann die Entstehung von mehr oder weni­ ger gut isolierenden Schichten auf der Targetober­ fläche nicht vermieden werden. Solche Isolierschich­ ten auf dem Target stehen in Plasmakontakt und laden sich deshalb elektrisch auf. Aufgrund der hohen elektrischen Feldstärke in diesen dünnen Schichten kann es zu elektrischen Durchbrüchen kommen. Auf diese Weise wird ein Arc initialisiert. Die Folgen sind eine punktuelle Zerstörung des Targets und da­ mit Schichtdefekte auf dem Substrat.
Beim Mittelfrequenzsputtern (wie es beispielsweise in der DE-A-41 38 793 und DE-A-41 38 794 beschrieben ist) hat sich gezeigt, daß spontane Arcs mit gerin­ gerer Häufigkeit auftreten als beim normalen DC- Sputtern. Die Besonderheit des bekannten Verfahrens ist, daß die Kathoden im Takt der Mittelfrequenz pe­ riodisch umgeladen werden.
Bekannt ist auch eine Vorrichtung zum beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nicht­ leitenden Schichten (DE-A-42 02 425) von einem elek­ trisch leitfähigen Target in reaktiver (z. B. oxydie­ render Atmosphäre), bestehend aus einer Gleichstrom­ quelle, die mit einer in einer evakuierbaren Be­ schichtungskammer angeordneten, einen Magneten ein­ schließenden Kathode verbunden ist, die elektrisch mit dem Target zusammenwirkt, die zerstäubt wird und deren abgestäubte Teilchen sich auf dem Substrat niederschlagen, wobei eine elektrisch von der Sput­ terkammer getrennte Anode angeordnet ist und eine DC-Magnetronkathode, die an eine DC-Stromquelle an­ geschlossen ist, mit Hilfe einer angepaßten zusätz­ lichen Schaltung periodisch für kurze Zeitspannen auf ein positives Potential bringbar ist, wobei die Frequenz dieses periodischen Umpolens - abhängig von der abzuscheidenden Schicht - einstellbar ist.
Ausgehend von den Erfahrungen mit Vorrichtungen zum Mittelfrequenzsputtern von dünnen Schichten liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ei­ ne Vorrichtung des in Frage stehenden Typs so zu verbessern, daß bei der Beschichtung von sehr groß­ flächigen Substraten ein starkes und gleichmäßiges Ionenbombardement ohne den Einsatz kostspieliger Stromversorgungen erreicht wird, wobei das Ionenbom­ bardement selbst kontrollierbar erfolgen soll.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vor­ richtung gelöst, bei der das Umpolen der Stromrich­ tung über eine aus vier Schaltern gebildete H-Brücke erfolgt, deren Diagonalpunkte mit jeweils einer Ma­ gnetronkathode, die je ein Target tragen, verbunden sind, wobei von dem die Brücke mit der ersten Span­ nungsquelle verbindenden ersten Leiter eine Leitung abzweigt, die mit dem Pluspol einer Spannungsquelle oder eines Ladungsspeichers verbunden ist, deren Mi­ nuspol über einen fünften Schalter mit der Prozeß­ kammer verbunden ist, und ein zweiter Leiter die er­ ste Spannungsquelle mit einer Drossel verbindet und die Drossel mit einer Brücke verbunden ist und alle Schalter von einer Steuerschaltung in einem regelmä­ ßigen und einstellbaren Modus betätigt werden.
Bei einer alternativen Ausführungsform erfolgt das Umpolen der Stromrichtung über eine aus vier Schal­ tern gebildeten H-Brücke, deren Diagonalpunkte mit jeweils einer Magnetronkathode, die je ein Target tragen, verbunden sind, wobei von dem die Brücke mit der ersten spannungsquelle verbindenden ersten Lei­ ter eine Leitung abzweigt, die mit dem Pluspol einer Spannungsquelle oder eines Ladungsspeichers verbun­ den ist, dessen Minuspol über einen fünften Schalter mit der Prozeßkammer verbunden ist, und ein zweiter Leiter die erste Spannungsquelle mit der Brücke ver­ bunden ist, wobei ein zweiter Ladungsspeicher mit der ersten und zweiten Leitung verbunden ist und al­ le Schalter von einer Steuerschaltung in einem re­ gelmäßigen und einstellbaren Modus betätigt werden.
Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung sind in den Patentansprüchen näher dargestellt und ge­ kennzeichnet.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausführungs­ möglichkeiten zu; vier davon sind in den anhängenden Zeichnungen rein schematisch näher dargestellt, und zwar zeigen:
Fig. 1 das stark vereinfachte Blockschaltbild einer Vorrichtung der in Frage stehen­ den Art,
Fig. 2 das Strombild verschiedener Schaltpha­ sen der Schaltung nach Fig. 1,
Fig. 3-5 das elektrische Schaltschema mit einer mit einer ersten Stromquelle verbunde­ nen, den beiden Elektroden vorgeschal­ teten H-Brücke, einer zweiten Strom­ quelle und einer Drossel im Neutrallei­ ter der Brücke.
Fig. 6-8 eine Schaltung ähnlich derjenigen nach den Fig. 3 bis 5, jedoch mit einer zwischen Stromleiter und Minuspol ge­ schalteten Kapazität.
Fig. 9-11 eine Schaltung ähnlich derjenigen nach den Fig. 6 bis 8, jedoch mit einer zweiten Stromquelle in Gestalt eines Kondensators und
Fig. 12 eine Schaltung ähnlich derjenigen gemäß den Fig. 3 bis 5 mit einer zweiten als Kondensator ausgebildeten Strom­ quelle.
Die in Fig. 1 dargestellte Prinzipschaltung besteht aus einer ersten Stromquelle 3 einer Vakuumkammer 6 mit den darin angeordneten Elektroden 9, 10 mit Tar­ gets 12, 13 und dem Substrat 24, einer Schalteranord­ nung 4 und einer zweiten Stromquelle 5. Der an die Elektrode 9 angeschlossene Stromleiter ist über die Schalteranordnung 4 und die Leitung 21 mit der zwei­ ten Stromquelle 5 und über den Schalter 20 mit der Erde verbunden, wenn die Schalteranordnung 4 in der Phase II (siehe Fig. 2) die Stromquelle 3 kurz­ schließt. In der Phase III sind die Elektroden 9 und 10 mit der Stromquelle 3 verbunden.
Die Schaltung gemäß den Fig. 3 bis 5 besteht aus dem Generator 3, der mit diesem elektrisch verbunde­ nen Brückenschaltung 4, dem zweiten Generator 5, der Vakuumkammer 6 mit Vakuumpumpe 7, dem Gaseinlaßven­ til 8, den beiden Elektroden 9, 10 mit zugehörigen Targets 12,13, der Drossel 11, dem Erdleiter 15 und den Schaltern 16 bis 20. Die IGBT-Schalter 16 bis 20 werden während des Sputtervorgangs von einer nicht näher dargestellten Steuerschaltung nach einem re­ gelmäßigen und einstellbaren Modus in der in den Zeichnungen (Fig. 3 bis 5) dargestellten drei Phasen betätigt, so daß die Targets 12, 13 wechselweise Ka­ thode und Anode der Gasentladung bilden.
Wie Fig. 3 zeigt, fließt der Strom vom Generator 3 über den Leiter 14 und den Schalter 19 zur Elektrode 10 mit Target 13, während die zweite Stromquelle 5 von den Elektroden 12, 13 abgekoppelt ist, da der in die Zweigleitung 21 eingefügte Schalter 20 und auch der Schalter 18 der H-Brücke 4 geöffnet sind. Der Strom wird in dieser Zeit durch die Drossel 11 in der Stromversorgung begrenzt.
In Fig. 4 ist die nächste Phase des Sputtervorgangs dargestellt, in der alle Schalter 16 bis 19 der H- Brücke und auch der Schalter 20 kurzgeschlossen sind. Diese Pausenzeit für die Entladung wird ausge­ nutzt, um die beiden Elektroden 9, 10 durch den Schalter 20 an eine externe Spannungsquelle 5 anzu­ schließen. Die Zeitdauer für die Pause und damit die Beschleunigungszeit für die Ionen ist so gewählt, daß die Mehrzahl der Ionen die Strecke von den Elek­ troden 9, 10 zum Substrat 24 zurückgelegt hat. Da auch die Zeitdauer durch die Ansteuerung der Schal­ ter einstellbar ist, können sowohl die Energie durch die externe Spannungsquelle 5 als auch die Anzahl der Ionen durch die Zeitdauer gewählt werden.
Die gleiche Schaltung ist auch für einen Spannungs­ pulser realisierbar, wie er in den Fig. 6 bis 8 dargestellt ist, wobei sich die zugehörige Schaltung von derjenigen nach den Fig. 1 bis 3 dadurch un­ terscheidet, daß die beiden Stromleiter 14, 23 über eine Leitung 25 mit einer in diese eingeschalteten Kapazität 26 verbunden sind. Darüber hinaus fehlt die den Strom bei der Ausführung nach den Fig. 1 bis 3 begrenzende Drossel 11.
Die Fig. 9 bis 11 zeigen eine weitere Variante, bei der das externe Netzteil 5 durch einen Kondensa­ tor 29 ersetzt ist. Während der Sputterzeit wird der Kondensator 29 aufgeladen und in der Pausenzeit wird die im Kondensator 29 gespeicherte Energie be­ nutzt, die Ionen zum Substrat 24 zu beschleunigen. Diese Variante schränkt die Freiheit in der Be­ schleunigungsspannung ein, aber für einige Anwendun­ gen besteht so die Möglichkeit für einen kostengün­ stigeren Aufbau.
Fig. 12 zeigt die vereinfachte Schaltung mit dem Kondensator 29 in der Strompulser-Version.
Bekannte Lösungen benutzen zur Verstärkung des Io­ nenbombardements entweder separate Ionenquellen, z. B. die APS, oder beim Sputtern eine Biasspannung. Während separate Ionenquellen den Hauptnachteil in der Ionenverteilung haben, d. h. nicht auf große Flä­ chen selektierbar sind, besteht beim Einbringen ei­ ner Biasspannung besonders bei großen Glasflächen das Problem, großflächige Hochfrequenzelektroden und entsprechende Leistungen zu installieren. Die ge­ nannten Probleme haben verursacht, daß bisher bei der Großflächenbeschichtung keine Ionenunterstützung eingesetzt wurde. Bei der herkömmlichen Mittelfre­ quenzentladung in der Doppel-Magnetron-Anordnung stellt sich durch die Entladungsparameter eine na­ türliche Beschleunigungsspannung ein, die nur in en­ gen Grenzen in Abhängigkeit von den anderen Parame­ tern variiert werden kann. Der Variationsbereich ist für viele Anwendungen nicht ausreichend, wo eine drastische Strukturveränderung benötigt wird.
Die erfindungsgemäße Lösung hat demgegenüber den Vorteil, daß die Beschleunigungsspannung unabhängig von anderen Prozeßparametern gewählt werden kann, wodurch bestimmte Schichten überhaupt erst großflä­ chig herstellbar werden.
Bezugszeichenliste
3
Generator, erste Stromquelle
4
Brückenschaltung
5
Generator, zweite Stromquelle, externes Netzteil
6
Vakuumkammer, Prozeßkammer
7
Vakuumpumpe
8
Gaseinlaßventil
9
Elektrode
10
Elektrode
11
Drossel
12
Target
13
Target
14
Stromleiter
15
Erdleiter
16
Schalter
17
Schalter
18
Schalter
19
Schalter
20
Schalter
21
Zweigleitung
22
Kondensator
23
Stromleiter
24
Substrat
25
Zweigleitung
26
Ladungsspeicher, Kondensator
27
Zweigleitung
28
Schalter
29
Kondensator, Ladungsspeicher
30
Schalter
31
Zweigleitung

Claims (5)

1. Vorrichtung zum Belegen eines Substrats (24) mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäu­ bung von Targets (12, 13), zwischen denen ei­ ne Spannung angelegt wird, um ein Gasentla­ dungsplasma aufrechtzuerhalten, um die zur Kathodenzerstäubung erforderlichen Ionen zu erzeugen, wozu die Prozeßkammer (6) ein unter einem bestimmten Partialdruck stehendes Gas enthält und die Targets (12, 13) mit einer Stromquelle verbunden und so geschaltet sind, daß sie wechselweise Kathode und Anode der Gasentladung bilden, dadurch gekennzeichnet, daß das Umpolen der Stromrichtung über eine aus vier Schaltern (16 bis 19) gebildete H- Brücke (4) erfolgt, deren Diagonalpunkte mit jeweils einer Magnetronkathode (9 bzw. 10), die je ein Target (12 bzw. 13) tragen, ver­ bunden sind, wobei von dem die Brücke (4) mit der ersten Spannungsquelle (3) verbindenden ersten Leiter (14) eine Leitung (21) ab­ zweigt, die mit dem Pluspol einer Spannungs­ quelle (5) oder eines Ladungsspeichers (29) verbunden ist, deren Minuspol über einen fünften Schalter (20) mit der Prozeßkammer (6) verbunden ist, und ein zweiter Leiter (23) die erste Spannungsquelle (3) mit einer Drossel (11) verbindet und die Drossel (11) mit der Brücke (4) verbunden ist und alle Schalter (16 bis 19, 20, 28) von einer Steuer­ schaltung in einem regelmäßigen und einstell­ baren Modus betätigt werden.
2. Vorrichtung zum Belegen eines Substrats (24) mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäu­ bung von Targets (12, 13), zwischen denen ei­ ne Spannung angelegt wird, um ein Gasentla­ dungsplasma aufrechtzuerhalten, um die zur Kathodenzerstäubung erforderlichen Ionen zu erzeugen, wozu die Prozeßkammer (6) ein unter einem bestimmten Partialdruck stehendes Gas enthält und die Targets (12, 13) mit einer Stromquelle verbunden und so geschaltet sind, daß sie wechselweise Kathode und Anode der Gasentladung bilden, dadurch gekennzeichnet, daß das Umpolen der Stromrichtung über eine aus vier Schaltern (16 bis 19) gebildete H- Brücke (4) erfolgt, deren Diagonalpunkte mit jeweils einer Magnetronkathode (9 bzw. 10), die je ein Target (12 bzw. 13) tragen, ver­ bunden sind, wobei von dem die Brücke (4) mit der ersten Spannungsquelle (3) verbindenden ersten Leiter (14) eine Leitung (21) ab­ zweigt, die mit dem Pluspol einer Spannungs­ quelle (5) oder eines Ladungsspeichers (29) verbunden ist, deren Minuspol über einen fünften Schalter (20) mit der Prozeßkammer (6) verbunden ist, und ein zweiter Leiter (23), der den Plus-Pol der ersten Spannungs­ quelle (3) mit der H-Brücke (4) verbindet, an einen Kondensator (26) gekoppelt ist, dessen anderer Pol an den ersten Leiter (14) ange­ schlossen ist und alle Schalter (16 bis 19, 20) von einer Steuerschaltung in einem re­ gelmäßigen und einstellbaren Modus betätigt werden.
3. Vorrichtung zum Belegen eines Substrats (24) mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäu­ bung von Targets (12, 13), zwischen denen ei­ ne Spannung angelegt wird, um ein Gasentla­ dungsplasma aufrechtzuerhalten, um die zur Kathodenzerstäubung erforderlichen Ionen zu erzeugen, wozu die Prozeßkammer (6) ein unter einem bestimmten Partialdruck stehendes Gas enthält und die Targets (12, 13) mit einer Stromquelle verbunden und so geschaltet sind, daß sie wechselweise Kathode und Anode der Gasentladung bilden, dadurch gekennzeichnet, daß das Umpolen der Stromrichtung über eine aus vier Schaltern (16 bis 19) gebildete H- Brücke (4) erfolgt, deren Diagonalpunkte mit jeweils einer Magnetronkathode (9 bzw. 10), die je ein Target (12 bzw. 13) tragen, ver­ bunden sind, wobei von dem die Brücke (4) mit der ersten Spannungsquelle (3) verbindenden ersten Leiter (14) eine Leitung (21) ab­ zweigt, die mit dem Pluspol eines Ladungs­ speichers (29) verbunden ist, dessen Minuspol über einen fünften Schalter (20) mit der Pro­ zeßkammer (6) verbunden ist, und ein zweiter Leiter (23) die erste Spannungsquelle (3) mit der Brücke (4) verbunden ist, wobei ein zwei­ ter Ladungsspeicher (26) mit der Leitung (23) und der Leitung (14) verbunden ist, und wobei die die Brücke (4) mit dem Minus-Pol der er­ sten Spannungsquelle (3) verbindende Leitung (23) über eine Zweigleitung (27) mit Schalter (30) an den Leiter (15) zur Prozeßkammer (6) angeschlossen ist und alle Schalter (16 bis 19, 20, 28, 30) von einer Steuerschaltung in ei­ nem regelmäßigen und einstellbaren Modus be­ tätigt werden.
4. Vorrichtung zum Belegen eines Substrats (24) mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäu­ bung von Targets (12, 13), zwischen denen ei­ ne Spannung angelegt wird, um ein Gasentla­ dungsplasma aufrechtzuerhalten, um die zur Kathodenzerstäubung erforderlichen Ionen zu erzeugen, wozu die Prozeßkammer (6) ein unter einem bestimmten Partialdruck stehendes Gas enthält und die Targets (12, 13) mit einer Stromquelle verbunden und so geschaltet sind, daß sie wechselweise Kathode und Anode der Gasentladung bilden, dadurch gekennzeichnet, daß das Umpolen der Stromrichtung über eine aus vier Schaltern (16 bis 19) gebildete H- Brücke (4) erfolgt, deren Diagonalpunkte mit jeweils einer Magnetronkathode (9 bzw. 10), die je ein Target (12 bzw. 13) tragen, ver­ bunden sind, wobei von dem die Brücke (49 mit der ersten Spannungsquelle (3) verbindenden ersten Leiter (14) eine Leitung (21) ab­ zweigt, die mit dem Pluspol einer Spannungs­ quelle (5) oder eines Ladungsspeichers (29) verbunden ist, deren Minuspol über einen fünften Schalter (20) mit der Prozeßkammer (6) verbunden ist, und ein zweiter Leiter (23) die erste Spannungsquelle (3) mit einer Drossel (11) verbindet und die Drossel (11) mit der Brücke (4) verbunden ist, wobei an der Verbindung zwischen der Drossel (11) und der Brücke (4) ein sechster Schalter (28) an­ geschlossen ist, der mit dem Minuspol des La­ dungsspeichers (29) an der Anschlußstelle des fünften Schalters (20) verbunden ist, und al­ le Schalter (16 bis 19, 20, 28) von einer Steu­ erschaltung in einem regelmäßigen Modus betä­ tigt werden.
5. Verfahren zum Belegen eines Substrats (24) mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäu­ bung von Targets (12, 13), zwischen denen ei­ ne Spannung angelegt wird, um ein Gasentla­ dungsplasma aufrechtzuerhalten, um die zur Kathodenzerstäubung erforderlichen Ionen zu erzeugen, wozu die Prozeßkammer (6) ein unter einem bestimmten Partialdruck stehendes Gas enthält und die Targets (12, 13) mit einer Stromquelle verbunden und so geschaltet sind, daß sie wechselweise Kathode und Anode der Gasentladung bilden, dadurch gekennzeichnet, daß der Kathodenzerstäubungsprozeß in einem vorgewählten Rhythmus für vorbestimmte Zei­ tintervalle unterbrochen wird, in dem die beiden Kathoden (9, 10) durch eine Brücke (4) kurzgeschlossen werden und an diesen Kurz­ schluß eine positive Spannung gegenüber der Prozeßkammer (6) oder dem Substrat (24) ange­ legt wird, wobei die Höhe der Spannung durch eine zweite Spannungsquelle (5) bzw. die Zeitdauer der Aufladung eines Ladungsspei­ chers (29) kontrolliert wird.
DE19651811A 1996-12-13 1996-12-13 Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten Expired - Lifetime DE19651811B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19651811A DE19651811B4 (de) 1996-12-13 1996-12-13 Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten
US08/990,953 US6096174A (en) 1996-12-13 1997-12-15 Apparatus for coating a substrate with thin layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19651811A DE19651811B4 (de) 1996-12-13 1996-12-13 Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19651811A1 true DE19651811A1 (de) 1998-06-18
DE19651811B4 DE19651811B4 (de) 2006-08-31

Family

ID=7814550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651811A Expired - Lifetime DE19651811B4 (de) 1996-12-13 1996-12-13 Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6096174A (de)
DE (1) DE19651811B4 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19830404A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-27 Ardenne Anlagentech Gmbh Vorrichtung zur Sputterbeschichtung mit variierbarem Plasmapotential
US6340416B1 (en) 1997-01-23 2002-01-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschund E.V. Process and system for operating magnetron discharges
DE10222909A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-04 Unaxis Balzers Ag Sputterverfahren bzw. Vorrichtung zur Herstellung von eigenspannungsoptimierten Beschichtungen
WO2005027299A1 (de) * 2003-09-10 2005-03-24 Applied Films Gmbh & Co. Kg Anordnung für n verbraucher elektrischer energie, von denen m verbraucher gleichzeitig mit energie versorgt werden
WO2008101254A2 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Intevac, Inc. Power source arrangement for multiple-target sputtering system
EP2439763A2 (de) 2010-10-08 2012-04-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung Magnetron-Vorrichtung und Verfahren zum gepulsten Betreiben einer Magnetron-Vorrichtung
DE102016116762A1 (de) 2016-09-07 2018-03-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mittels einer Magnetronsputtereinrichtung
WO2022023422A1 (en) * 2020-07-29 2022-02-03 Trumpf Huettinger Sp. Z O. O. Pulsing assembly and power supply arrangement

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338777B1 (en) * 1998-10-23 2002-01-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for sputtering thin films
JP2001003166A (ja) * 1999-04-23 2001-01-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd 基体表面に被膜を被覆する方法およびその方法による基体
JP2001049428A (ja) * 1999-08-05 2001-02-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 基体に被膜を被覆する方法およびその方法に用いるスパッタリング装置
US6605195B2 (en) * 2000-04-14 2003-08-12 Seagate Technology Llc Multi-layer deposition process using four ring sputter sources
US20030185973A1 (en) * 2002-03-30 2003-10-02 Crawley Richard L. Water vapor plasma method of increasing the surface energy of a surface
US20050236266A1 (en) * 2002-06-19 2005-10-27 Poole John E Sputter target monitoring system
DE10306347A1 (de) * 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
US6967305B2 (en) * 2003-08-18 2005-11-22 Mks Instruments, Inc. Control of plasma transitions in sputter processing systems
EP1675155B1 (de) * 2004-12-24 2012-01-25 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Plasmaanregungssystem
EP1720195B1 (de) * 2005-05-06 2012-12-12 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Arcunterdrückungsanordnung
US20070068794A1 (en) * 2005-09-23 2007-03-29 Barret Lippey Anode reactive dual magnetron sputtering
DE102006061324B4 (de) * 2006-06-20 2008-07-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Regelung eines reaktiven Hochleistungs-Puls-Magnetronsputterprozesses und Vorrichtung hierzu
EP2075823B1 (de) * 2007-12-24 2012-02-29 Huettinger Electronic Sp. z o. o Stromänderungsbegrenzungsvorrichtung
JP5124345B2 (ja) * 2008-05-26 2013-01-23 株式会社アルバック バイポーラパルス電源及びこのバイポーラパルス電源を複数台並列接続してなる電源装置
JP5124344B2 (ja) * 2008-05-26 2013-01-23 株式会社アルバック バイポーラパルス電源及び複数のバイポーラパルス電源からなる電源装置並びに出力方法
JP5429771B2 (ja) * 2008-05-26 2014-02-26 株式会社アルバック スパッタリング方法
JP5429772B2 (ja) * 2008-06-30 2014-02-26 株式会社アルバック 電源装置
JP5500794B2 (ja) * 2008-06-30 2014-05-21 株式会社アルバック 電源装置
JP5339965B2 (ja) * 2009-03-02 2013-11-13 株式会社アルバック スパッタリング装置用の交流電源
KR20120014571A (ko) * 2009-04-27 2012-02-17 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 복수의 스퍼터 소스를 구비한 반응성 스퍼터링
JP5363281B2 (ja) * 2009-11-25 2013-12-11 株式会社アルバック 電源装置
US10332725B2 (en) * 2015-03-30 2019-06-25 Lam Research Corporation Systems and methods for reversing RF current polarity at one output of a multiple output RF matching network
EP3396698A1 (de) * 2017-04-27 2018-10-31 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Strommwandlungseinheit, plasmaverarbeitungsausrüstung und verfahren zur steuerung mehrerer plasmaprozesse
KR102257134B1 (ko) 2017-06-27 2021-05-26 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
PL3648550T3 (pl) 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
SG11201912567RA (en) 2017-06-27 2020-01-30 Canon Anelva Corp Plasma processing apparatus
WO2019014781A1 (es) * 2017-07-18 2019-01-24 Investigaciones Forestales Bioforest S.A. Método y aparato para inversión asimétrica de polaridad en procesos de electromembrana
EP3817517A4 (de) * 2018-06-26 2022-03-16 Canon Anelva Corporation Plasmabehandlungsvorrichtung, plasmabehandlungsverfahren, programm und speichermedium

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD252205A1 (de) * 1986-09-01 1987-12-09 Ardenne Forschungsinst Zerstaeubungseinrichtung
US4902394A (en) * 1987-01-23 1990-02-20 Hitachi, Ltd. Sputtering method and apparatus
DE4042287A1 (de) * 1990-12-31 1992-07-02 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum reaktiven beschichten eines substrats
DE4202425A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-05 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten
US5241152A (en) * 1990-03-23 1993-08-31 Anderson Glen L Circuit for detecting and diverting an electrical arc in a glow discharge apparatus
DE4237517A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE4438463C1 (de) * 1994-10-27 1996-02-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen
DE19506515C1 (de) * 1995-02-24 1996-03-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur reaktiven Beschichtung
DE4242633C2 (de) * 1992-12-17 1996-11-14 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Durchführung von stabilen Niederdruck-Glimmprozessen
DE19506513C2 (de) * 1995-02-24 1996-12-05 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur reaktiven Beschichtung

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4042289A1 (de) * 1990-12-31 1992-07-02 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum reaktiven beschichten eines substrats
DE4136655C2 (de) * 1990-12-31 2001-05-17 Leybold Ag Vorrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats
DE4127504A1 (de) * 1991-08-20 1993-02-25 Leybold Ag Einrichtung zur unterdrueckung von lichtboegen
US5281321A (en) * 1991-08-20 1994-01-25 Leybold Aktiengesellschaft Device for the suppression of arcs
DE4138794A1 (de) * 1991-11-26 1993-05-27 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten
DE4138793C2 (de) * 1991-11-26 2001-03-01 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE19537212A1 (de) * 1994-10-06 1996-04-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum
DE4441206C2 (de) * 1994-11-19 1996-09-26 Leybold Ag Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD252205A1 (de) * 1986-09-01 1987-12-09 Ardenne Forschungsinst Zerstaeubungseinrichtung
US4902394A (en) * 1987-01-23 1990-02-20 Hitachi, Ltd. Sputtering method and apparatus
US5241152A (en) * 1990-03-23 1993-08-31 Anderson Glen L Circuit for detecting and diverting an electrical arc in a glow discharge apparatus
DE4042287A1 (de) * 1990-12-31 1992-07-02 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum reaktiven beschichten eines substrats
DE4202425A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-05 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten
DE4237517A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE4242633C2 (de) * 1992-12-17 1996-11-14 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Durchführung von stabilen Niederdruck-Glimmprozessen
DE4438463C1 (de) * 1994-10-27 1996-02-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen
DE19506515C1 (de) * 1995-02-24 1996-03-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur reaktiven Beschichtung
DE19506513C2 (de) * 1995-02-24 1996-12-05 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur reaktiven Beschichtung

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6340416B1 (en) 1997-01-23 2002-01-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschund E.V. Process and system for operating magnetron discharges
DE19702187C2 (de) * 1997-01-23 2002-06-27 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zum Betreiben von Magnetronentladungen
DE19830404A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-27 Ardenne Anlagentech Gmbh Vorrichtung zur Sputterbeschichtung mit variierbarem Plasmapotential
DE19830404B4 (de) * 1998-07-08 2004-07-22 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vorrichtung zur Sputterbeschichtung mit variierbarem Plasmapotential
DE10222909A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-04 Unaxis Balzers Ag Sputterverfahren bzw. Vorrichtung zur Herstellung von eigenspannungsoptimierten Beschichtungen
US7479712B2 (en) 2003-09-10 2009-01-20 Applied Materials Gmbh & Co. Kg. Configuration for N consumers of electric energy, of which M consumers are simultaneously supplied with energy
WO2005027299A1 (de) * 2003-09-10 2005-03-24 Applied Films Gmbh & Co. Kg Anordnung für n verbraucher elektrischer energie, von denen m verbraucher gleichzeitig mit energie versorgt werden
WO2008101254A2 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Intevac, Inc. Power source arrangement for multiple-target sputtering system
WO2008101254A3 (en) * 2007-02-16 2008-10-09 Intevac Inc Power source arrangement for multiple-target sputtering system
EP2439763A2 (de) 2010-10-08 2012-04-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung Magnetron-Vorrichtung und Verfahren zum gepulsten Betreiben einer Magnetron-Vorrichtung
DE102010047963A1 (de) 2010-10-08 2012-04-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Magnetron-Vorrichtung und Verfahren zum gepulsten Betreiben einer Magnetron-Vorrichtung
EP2439763B1 (de) * 2010-10-08 2020-06-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung Magnetron-Vorrichtung und Verfahren zum gepulsten Betreiben einer Magnetron-Vorrichtung
DE102016116762A1 (de) 2016-09-07 2018-03-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mittels einer Magnetronsputtereinrichtung
US10407767B2 (en) 2016-09-07 2019-09-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for depositing a layer using a magnetron sputtering device
DE102016116762B4 (de) 2016-09-07 2021-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mittels einer Magnetronsputtereinrichtung
WO2022023422A1 (en) * 2020-07-29 2022-02-03 Trumpf Huettinger Sp. Z O. O. Pulsing assembly and power supply arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
DE19651811B4 (de) 2006-08-31
US6096174A (en) 2000-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19651811A1 (de) Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten
DE4412906C1 (de) Verfahren und Einrichtung für die ionengestützte Vakuumbeschichtung
EP0502242B1 (de) Reaktive Zerstäubungsvorrichtung
DE4042287C2 (de) Vorrichtung zum reaktiven Aufstäuben von elektrisch isolierendem Werkstoff
EP0782173B1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens
DE69835363T2 (de) Kontinuierliche abscheidung eines isolierenden materials mittels mehrerer unter alternierend positiver und negativer spannung stehender anoden
DE19902146C2 (de) Verfahren und Einrichtung zur gepulsten Plasmaaktivierung
DE3802852C2 (de)
DE3521053A1 (de) Vorrichtung zum aufbringen duenner schichten auf ein substrat
DE4237517A1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
CH689767A5 (de) Verfahren zur Werkstueckbehandlung in einer Vakuumatmosphaere und Vakuumbehandlungsanlage.
WO1991000374A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von substraten
DE3919145A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats mit elektrisch leitenden werkstoffen
DE4042288A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reaktiven beschichten eines substrats
EP0772223B1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats von elektrisch leitfähigen Targets
WO2011160766A1 (de) Arc-verdampfungsquelle mit definiertem elektrischem feld
DE19848636A1 (de) Verfahren zur Überwachung einer Wechselspannungs-Entladung an einer Doppelelektrode
DE19860474A1 (de) Verfahren und Einrichtung zum Beschichten von Substraten mittels bipolarer Puls-Magnetron-Zerstäubung
EP0422323A1 (de) Verwendung von Helium als Prozessgas bei der Beschichtung von Substraten aus Polymethylmethacrylat mit einer dünnen Schicht Aluminium
DE4239218C2 (de) Anordnung zum Verhindern von Überschlägen in einem Plasma-Prozeßraum
DE4204999A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten
DE4138793A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten
DE4025231C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats
DE4030900A1 (de) Verfahren und einrichtung zum beschichten von teilen
DE2624005A1 (de) Verfahren zum aufbringen von duennen schichten nach dem ion-plating- verfahren und vorrichtung dazu

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: UNAXIS DEUTSCHLAND HOLDING GMBH, 85609 ASCHHEIM, D

8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right