DE2215151A1 - Verfahren zum herstellen von duennen schichten aus tantal - Google Patents

Verfahren zum herstellen von duennen schichten aus tantal

Info

Publication number
DE2215151A1
DE2215151A1 DE2215151A DE2215151A DE2215151A1 DE 2215151 A1 DE2215151 A1 DE 2215151A1 DE 2215151 A DE2215151 A DE 2215151A DE 2215151 A DE2215151 A DE 2215151A DE 2215151 A1 DE2215151 A1 DE 2215151A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tantalum
layers
cathode
atomization
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2215151A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2215151B2 (de
DE2215151C3 (de
Inventor
Alois Dr Rer Nat Schauer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2215151A priority Critical patent/DE2215151C3/de
Priority to CH1709172A priority patent/CH582754A5/xx
Priority to FR7245661A priority patent/FR2177708B1/fr
Priority to GB9873A priority patent/GB1400371A/en
Priority to US344194A priority patent/US3878079A/en
Priority to IT22188/73A priority patent/IT983627B/it
Priority to CA167,146A priority patent/CA1014518A/en
Priority to BE129374A priority patent/BE797454A/xx
Priority to NL7304329A priority patent/NL7304329A/xx
Priority to JP48034758A priority patent/JPS498425A/ja
Publication of DE2215151A1 publication Critical patent/DE2215151A1/de
Publication of DE2215151B2 publication Critical patent/DE2215151B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2215151C3 publication Critical patent/DE2215151C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/25—Metals
    • C03C2217/263—Metals other than noble metals, Cu or Hg
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

SIEMSHS AKTIESGESELLSCHAFT Hünchen 2, 2 8. MRZ 1.97 2 Berlin und München Wittelsbacherplatz 2
72/1051
Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von sehr reinen, dünnen Schichten aus Tantal in der OC -Phase (kubisch rauirizentrierrer. Gitter) durch Kathodenzerstäubung auf isolierende Substrate.
Bei der Herstellung von Dünnschichtschaltungen der Elektronik wird in großen Ausmaß Tantal als schichtbildendes Material verwendet. Dabei werden die Schichten durch Kathodenzerstäubung hergestellt. Durch geeignete Wahl der Zerstäubungsparaaeter kennen Schichten für ",'id erstände, Leiterbahnen und Kondensatoren erzeugt v/erden. Durch thermische und anodische Oxidation wird daa Tantalisetall in nichtleitendes Tantaloxid übergeführt, das als Schutzschicht gegen atmosphärische "Einwirkungen und als Kondensatordielektrikurn geeignet ist.
Aufgestäubtem Tantal ist bisher in zwei unterschiedlichen Modifikationen bekannt. Die älteste bekannte Modifikation ist das sogenannte -^C -Tantal, das wie das massive Material ein kubisch raumzentriertes Gitter besitzt. Seit 1965 ist auch das sögenannte ei -Tantal bekannt, das sich durch ein tetraeonales Gitter auszeichnet, rb-Tantal besitzt einen relativ hohen spezifischen elektrischen Widerstand von ca. 200 /u-A- cm und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von ca - 100 ppm/°C. Es entsteht, wenn der Druckwert reaktiver Restgase bei der Bestäubung klein gehalten wird.
VPA 9/l40/20/iB/Bit/3ro - 2 -
309840/1057
Bei der Herstellung von Dünnschichtkondensatoren sollten zwei Bedingungen erfüllt werden: Das für die !Elektroden verwendete Material sollte niederohmig und das als Dielektrikum verwendete Oxid hochwertig sein. "Diese beiden Bedingungen werden von den bisher bekannten Tnntalrnodifikationen nicht voll erfüllt. O -Tantal ergibt zwar ein als Dielektrikum geeignetes Oxid, ist jedoch recht hochohmig;^ -Tantal ist zwar niederohmiger, ergibt jedoch kein als Kondensatordielektrikum geeignetes Oxid.
Bei Untersuchungen der bekannten, durch Kathodenzerstäubung hergestellten Tantalnodifikationen hat es sich herausgestellt, daß in dem bekannienci -Tantal relativ viel Fremdgas in das l.Cetallgitter eingebaut ist, das den Aufbau einer dichten Oxidschicht stört. *
Es ist bereits ein Kathodenzerstäubungsverfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal in der ·\· -Phase bekannt, mit dem sich besonders reine und niederohmige Tantalrchichten herstellen lassen, die sich hervorragend für Dünnfilmschaltkreise eignen. Dieses bekannte Verfahren besteht darin, dal3 ein Substrat, dessen Oberfläche frei ist von absorbierten Fremdatomen, in einer Katliouenzerst^ubungsvorrichtung mit Ringentladmigsplasraa bestäubt wird und daß die Zerstüubungsatniosph;:re sehr geringe Anteile von inaktiven Fremdgasen, vorzugsweise weniger als 10"" Torr Partialdruek enthält.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein weiteres Verfahren zur Herstellung derartiger reiner und niederohmiger Tantalschichten auf isolierenden Cv.hctraten für DünnfjJir.co^alte anzvgcccn.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, da.3 das Substrat aus Glas besteht und bei Temperaturen oberhalb 300 C ausgeheizt wird, daß in einer Kathodenzerstüu.bungsvorrichtung mit Hochfrequenzent-
VPA 9/140/2043 30 9840/105
BAD ORlGiNAU
ladung gearbeitet v/ird und daß die Zerstäubungsatmosphäre sehr geringe Anteile von reaktiven Fremdgasen enthält.
Vorteilhaft wird zur Zerstäubung Argon bei einem Druck von 1,5 . 10 Torr verwendet, wobei der Druck reaktiver Fremdgase unter 10~ Torr liegt. Liegt der Patialdruck der reaktiven Gase, z.B. Sauerstoff oder Stickstoff über diesem Wert, so wird das/5 -Tantal abgeschieden, wie es in der Literatur schon mehrfach beschrieben worden ist. Die Abscheidung von hochreiner, CK -Tantal mit Hilfe der Hochfrequ.enzzerstau.bung war bisher jedoch noch nie beobachtet worden.
Vorzugsweise wird vor Beginn der Schichtabscheidung eine Vorzerstäubung vorgenommen. Damit erreicht man eine Säuberung der Tantal-Kathode. Außerdem wird dabei durch die bekannte Getterwirkung von Tantal die Zerstäubungsatmosphäre zusätzlich von reaktiven Fremdgasen gereinigt.
Vorzugsweise werden die Tantalschichten auf ein oberflächlich mit TapOj- bedecktes Substrat abgeschieden. Die Oberfläche dieser TapÖ^-Schicht läßt sich leichter von unerwünschten absorbierten Fremdatonien reinigen, die das Entstehen der hochreinen K. -Phase behindern.
Zur Verstärkung des Zerstäubungsplasmas wird vorzugsweise in dem Bereich zwischen Anode und Kathode ein axiales magnetisches Gleichfeld erzeugt. Dieses magnetische G-leicnfeld bewirkt, daß die Elektronen und Ionen auf ihrem Weg von Anode zur Kathode auf schrai?benlinienförmigen Bahnen laufen, wodurch die Zahl der ionisierten Gasatome erhöht wird.
Anhand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden, Figur 1 zeigt eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung IL, die sur
VPA 9/140/2048 . - 4 -
309840/1057
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignet ist. Man erkennt eine Vakuumglocke 2 aus unmagnetischen !vlaterial, die auf einer Grundplatte 3 sitzt. In der Grundplatte 3 ist eine Öffnung 4 zum Anschluß einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt). Man erkennt weiterhin ein Ventil 5 für den Einlaß des Zerstäubungsgnses, z.B. Argon und ein zweites Ventil 6 zum Einlaß reaktiver Gase. Die Magnetspule 7 wird an eine (nicht dargestellte) Gleichstromquelle angeschlossen und erzeugt ein axial gerichtetes magnetisches Gleichfeld, wodurch das Zerstäubungsplasma verstärkt wird. Im Inneren der Vorrichtung 1_ ist eine Heizvorrichtung 8 vorgesehen, die zur intensiven Ausheilung der zu bestäubenden Substrate 9 dient, die an der Grundelektrode 10 befestigt sind. Vor den Substraten befindet sich eine bewegliche Blende 11, die während der Vorzerstäubung die Abscheidung des Tantalmaterials auf dem Substrat verhindert. Ein Target 12 aus hochreinem-Tantal ist gegenüber dem Substrat 9 angeordnet. An seiner dem Substrat abgewendeten Seite ist eine Abschirmung 13 vorgesehen. Die hochfrequente Zerstäubungsspannung v/ird über die Leitung 14 zugeführt.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einer in Figur 1 dargestellten Zerstäubungsvorrichtung verwendet man,mit Vorteil Argon mit einer Reinheit von 99*999 1P und einem Druck von 1,5 · 10 Torr. Der Abstand zwischen Target und Substrat beträgt ca. 4 cm, die Spannung etwa 2,5 kV bei 27 MHz und der Strom ca. 0,6 A. Sehr wichtig ist die Reinigung der verwendeten Glassubstrate. Nach einer Reinigung im Ultraschallbad, Kochen in H?0? und Waschen in deionisiertem Wasser werden sie in der Vakuumvorrichtung bei Temperaturen oberhalb 300 G ausgeheizt. Nach einer halbstündigen Vorzerstäubung wird die Blende geöffnet und Schichten von 100 bis 400 nm Dicke bei einer Rate von ungefähr 14 nw/ Minute abgeschieden.
VPA 9/140/2048 - 5 -
309840/1057
Figur 2 zeigt den spezifischen Widerstand 9 der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Tantalschichten in Abhängigkeit vom Stickstoff-Partialdruck ϊ\τρ· Man erkennt, daß mit abnehmendem Stickstoffdruck zunächst TaN, -Ta2N und schließlich ^' -Tantal gebildet wird. Dieses OC-Tantal ist jedoch noch relativ stark mit Fremgasen verunreinigt. Mit weiter abnehmendem Stickstoffgehalt der Zerstäubungsatmosphäre wird ρ -Tantal abgeschieden, das sich durch ein tetragonales Gitter auszeichnet. Der spezifische Widerstand ς> des fi -Tantals liegt bei 160 /u-^- om. Bei noch weitergehender Verringerung des Fremdgasgehalts in der Zerstäubungsatmonphäre spaltet sich die expericenielle Kurve auf in di3 Äste a und b. Die Kurve ο erhält man, wenn man die Substrate nicht bei Temperaturen oberhalb 300 C ausheizt; es wird weiterhin/b-Tantal abgeschieden. Die Kurve a erhält man bei Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Bei einem Partialdruck der reaktiven Fremdgase von weniger als 10 Torr erhält man auf sorgfältig ausgeheizten Substraten eine hochreine^· -Modifikation des Tantal, die hier alsfl>*-Tantal bezeichnet ist. Der spezifische Widerstand des oL *-Tantal beträgt 20 bis 25 /u-Λ cm, während die bisher bekannten, durch Kathodenzerstäubung hergestelltenoC-Tantal-Schichten einen spezifischen Widerstand von 50 /USL cm aufweisen.
Figur 3 zeigt die Abhängigkeit des Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes TCp in Abhängigkeit\vom Stickstoff-Partialdruck P,-p. Auch hier spaltet sich die experimentelle Kurve in die Äste a und b auf. Das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte^ *-Tantal besitzt einen ΤΟ,, von ca» + 1.500 ppm/°C, während man auf nicht ausgeheizten Substraten Schichten in der fi -Modifikation mit einem Temperaturkoeffizienten zwischen - 150 und - 200 ppm/°C erhält.
5 Patentansprüche - 6 -
3 Figuren
3Q984G/1G57
VPA 9/140/204-8

Claims (5)

  1. PatentansOrüche
    Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal in der X -Phase (kubisch raumzentriertes Gitter) durch Kathodenzerstäubung auf isolierende Substrate, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (9) aus Glas besteht und bei Temperaturen oberhalb 3000C ausgeheizt wird, daß in einer Kathodenzerstäubungsvorrichtung (1) mit Hochfrequenzentladung gearbeitet wird und daß d?'e Serstäubungsatinosphäre sehr geringe Anteile von reaktiven Fremdgasen enthalt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Zerstäubung Argon bei einem Druck von 1,5 · 10 Torr verwendet wird und daß der Druck reaktiver Premdgase unter 10~ ToTr liegt.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch g ekennzeichnet, daß vor Beginn der Schichtabscheidunf; eine Vorzerstätibung vorgenommen wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten auf ein oberflächlich mit Ta?0[- bedecktes Substrat abgeschieden werden.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch i-4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Anode und Kathode ein axiales magnetisches Gleichfeld erzeugt wird.
    VPA 9/140/2048
    3098A0/1057
    Leerseite
DE2215151A 1972-03-28 1972-03-28 Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal Expired DE2215151C3 (de)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2215151A DE2215151C3 (de) 1972-03-28 1972-03-28 Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal
CH1709172A CH582754A5 (de) 1972-03-28 1972-11-23
FR7245661A FR2177708B1 (de) 1972-03-28 1972-12-21
GB9873A GB1400371A (en) 1972-03-28 1973-01-01 Production of thin films of tantalum
US344194A US3878079A (en) 1972-03-28 1973-03-23 Method of producing thin tantalum films
CA167,146A CA1014518A (en) 1972-03-28 1973-03-27 Production of thin films of tantalum
IT22188/73A IT983627B (it) 1972-03-28 1973-03-27 Procedimento per formare sottili strati di tantalio su substrati isolanti
BE129374A BE797454A (fr) 1972-03-28 1973-03-28 Procede de fabrication de couches minces de tantale et couches obtenues
NL7304329A NL7304329A (de) 1972-03-28 1973-03-28
JP48034758A JPS498425A (de) 1972-03-28 1973-03-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2215151A DE2215151C3 (de) 1972-03-28 1972-03-28 Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2215151A1 true DE2215151A1 (de) 1973-10-04
DE2215151B2 DE2215151B2 (de) 1978-09-28
DE2215151C3 DE2215151C3 (de) 1979-05-23

Family

ID=5840438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2215151A Expired DE2215151C3 (de) 1972-03-28 1972-03-28 Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3878079A (de)
JP (1) JPS498425A (de)
BE (1) BE797454A (de)
CA (1) CA1014518A (de)
CH (1) CH582754A5 (de)
DE (1) DE2215151C3 (de)
FR (1) FR2177708B1 (de)
GB (1) GB1400371A (de)
IT (1) IT983627B (de)
NL (1) NL7304329A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5192740A (de) * 1974-12-06 1976-08-14

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5654207A (en) * 1903-02-03 1997-08-05 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making two-terminal nonlinear device and liquid crystal apparatus including the same
US4006073A (en) * 1975-04-03 1977-02-01 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Thin film deposition by electric and magnetic crossed-field diode sputtering
US4025410A (en) * 1975-08-25 1977-05-24 Western Electric Company, Inc. Sputtering apparatus and methods using a magnetic field
US4036708A (en) * 1976-05-13 1977-07-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Technique for nucleating b.c.c. tantalum films on insulating substrates
US4647361A (en) * 1985-09-03 1987-03-03 International Business Machines Corporation Sputtering apparatus
JPS6285062A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 ユニチカ株式会社 長繊維からなるウエブの製造方法
US5506037A (en) * 1989-12-09 1996-04-09 Saint Gobain Vitrage International Heat-reflecting and/or electrically heatable laminated glass pane
DE3940748A1 (de) * 1989-12-09 1991-06-13 Ver Glaswerke Gmbh Elektrisch beheizbare autoglasscheibe aus verbundglas
FR2657343B1 (fr) * 1990-01-19 1993-01-29 Saint Gobain Vitrage Int Couche mince pour vitrage de protection solaire.
JPH03248568A (ja) * 1990-02-27 1991-11-06 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜半導体装置
JPH0819516B2 (ja) * 1990-10-26 1996-02-28 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 薄膜状のアルファＴａを形成するための方法および構造
US5221449A (en) * 1990-10-26 1993-06-22 International Business Machines Corporation Method of making Alpha-Ta thin films
US5281554A (en) * 1991-02-08 1994-01-25 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing a semiconductor device having a tantalum thin film
JP2741814B2 (ja) * 1991-12-26 1998-04-22 シャープ株式会社 タンタル金属薄膜の製造方法
US6355146B1 (en) * 1996-04-03 2002-03-12 The Regents Of The University Of California Sputtering process and apparatus for coating powders
US6139699A (en) * 1997-05-27 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Sputtering methods for depositing stress tunable tantalum and tantalum nitride films
US7253109B2 (en) * 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
US20050272254A1 (en) * 1997-11-26 2005-12-08 Applied Materials, Inc. Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects
US6911124B2 (en) * 1998-09-24 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method of depositing a TaN seed layer
TW520551B (en) 1998-09-24 2003-02-11 Applied Materials Inc Method for fabricating ultra-low resistivity tantalum films
US6348113B1 (en) 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
JP3402313B2 (ja) 2000-07-05 2003-05-06 株式会社村田製作所 弾性表面波装置の製造方法
KR20040015670A (ko) * 2001-01-24 2004-02-19 트리콘 호울딩즈 리미티드 탄탈륨 필름 침착방법
DK174876B1 (da) * 2001-02-26 2004-01-12 Danfoss As Implantat og implantatoverflademodificeringsproces
US7214295B2 (en) * 2001-04-09 2007-05-08 Vishay Dale Electronics, Inc. Method for tantalum pentoxide moisture barrier in film resistors
US6926390B2 (en) * 2003-02-05 2005-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming mixed-phase compressive tantalum thin films using nitrogen residual gas, thin films and fluid ejection devices including same
US6893116B2 (en) 2003-04-29 2005-05-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid ejection device with compressive alpha-tantalum layer
US6955835B2 (en) * 2003-04-30 2005-10-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for forming compressive alpha-tantalum on substrates and devices including the same
JP3646723B2 (ja) * 2003-08-12 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
CN1984839A (zh) * 2004-03-24 2007-06-20 H.C.施塔克公司 形成具有可控和新型微观结构的α和β钽薄膜的方法
TW201114936A (en) * 2009-07-21 2011-05-01 Ulvac Inc Method of forming film including alpha tantalum and deposition film
CN110499493B (zh) * 2019-08-30 2021-08-31 西安工程大学 一种制备可抑制杀菌活性的Ta2O5@Ag双相微纳结构的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3258413A (en) * 1961-12-20 1966-06-28 Bell Telephone Labor Inc Method for the fabrication of tantalum film resistors
US3395089A (en) * 1964-12-14 1968-07-30 Bell Telephone Labor Inc Method of depositing films of controlled specific resistivity and temperature coefficient of resistance using cathode sputtering

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5192740A (de) * 1974-12-06 1976-08-14
JPS62229B2 (de) * 1974-12-06 1987-01-06 Beru Noozan Risaachi Ltd

Also Published As

Publication number Publication date
NL7304329A (de) 1973-10-02
DE2215151B2 (de) 1978-09-28
CA1014518A (en) 1977-07-26
JPS498425A (de) 1974-01-25
BE797454A (fr) 1973-07-16
IT983627B (it) 1974-11-11
FR2177708B1 (de) 1975-01-03
GB1400371A (en) 1975-07-16
DE2215151C3 (de) 1979-05-23
US3878079A (en) 1975-04-15
CH582754A5 (de) 1976-12-15
FR2177708A1 (de) 1973-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2215151A1 (de) Verfahren zum herstellen von duennen schichten aus tantal
DE4412906C1 (de) Verfahren und Einrichtung für die ionengestützte Vakuumbeschichtung
DE3708717C2 (de)
DE3150591C2 (de)
DE1931412A1 (de) Duennschichtwiderstaende und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1515296A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten
DE2148933A1 (de) HF-Zerstaeubungsvorrichtung
DE1515323A1 (de) Verfahren zum Erzeugen eines Schutzfilmes auf einer festen Unterlage
EP0432090B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung und Werkstück beschichtet nach dem Verfahren
DE102008022145B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Hochleistungs-Puls-Gasfluß-Sputtern
DE102016116762A1 (de) Verfahren zum Abscheiden einer Schicht mittels einer Magnetronsputtereinrichtung
DE4136655A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reaktiven beschichten eines substrats
DE2109510A1 (de) Dunnschichtresistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2110987A1 (de) Verfahren zum Herstellen von duennen Schichten aus Tantal
DE2919191A1 (de) Verfahren zum aufbringen einer beschichtung aus abriebfestem material auf rohre, insbesondere schreibroehrchen fuer roehrchenschreiber
DE1521561B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen dünner Schichten
DE102013210155A1 (de) Verfahren zum Abscheiden einer transparenten, elektrisch leitfähigen Metalloxidschicht
DE2624005A1 (de) Verfahren zum aufbringen von duennen schichten nach dem ion-plating- verfahren und vorrichtung dazu
DE4011515C1 (en) Coating substrate with metal (alloy) - by magnetic sputtering, with substrate mounted on surface held at negative voltage
EP1397526A2 (de) Modifizierter dlc-schichtaufbau
DE2163077C3 (de) Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Eisenoxid auf einem Substrat
DE3408053C2 (de)
DE2800852C2 (de) Einrichtung zum Ionenplasma-Beschichten
DE1765144B1 (de) Anordnung und verfahren zur herstellung von schichten mittels kathodenzerstaeubung
DE1765144C (de) Anordnung und Verfahren zur Herstellung von Schichten mittels Kathodenzerstäubung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee