DE4011515C1 - Coating substrate with metal (alloy) - by magnetic sputtering, with substrate mounted on surface held at negative voltage - Google Patents

Coating substrate with metal (alloy) - by magnetic sputtering, with substrate mounted on surface held at negative voltage

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DE4011515C1 DE19904011515 DE4011515A DE4011515C1 DE 4011515 C1 DE4011515 C1 DE 4011515C1 DE 19904011515 DE19904011515 DE 19904011515 DE 4011515 A DE4011515 A DE 4011515A DE 4011515 C1 DE4011515 C1 DE 4011515C1
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Abstract

Substrate is coated with a metal or metal alloy by magnetic sputtering, the substrate being mounted on a surface held at a negative voltage and moved repeatedly before a target of the magnetron. By using of mounting surfaces larger in area than the target surfaces, the substrate is exposed to an additional ion current, produced by a glow cathode outside the magnetron magnetic field emitting electrons which are removed by an anode positioned in front of the target edge. A W cathode is used as glow electrode and is held at 2200-3000 deg.C. Voltage of more than 0V-60V is maintained between glow cathode and anode. Additional ion current density is 0.05-5 mA/cm2. ADVANTAGE - Reproducibility of coating characteristics is improved.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Beschichten von Substraten mit einem Metall oder einer Metall-Legierung durch Magnetronzerstäubung, wobei die Substrate auf einer an negativer Spannung liegenden Halterungsfläche an­ gebracht und vor einem Target des Magnetrons zur Beschichtung wiederholt vor­ bei bewegt werden.The invention relates to a method for coating substrates with a metal or a metal alloy by magnetron sputtering, where the substrates on a support surface lying at negative voltage brought and repeated in front of a target of the magnetron for coating at be moved.

Ein derartiges Verfahren ist aus der US-PS 44 26 267 bekannt. Um eine gleich­ mäßige Beschichtung selbst auf Substraten mit komplizierter Form zu erzielen, wird eine zweite Kathoden-Anordnung mit gleichem Target-Werkstoff wie bei der ersten Kathoden-Anordnung vorgesehen.Such a method is known from US-PS 44 26 267. To an equal achieve moderate coating even on substrates with a complicated shape, is a second cathode arrangement with the same target material as in the first cathode arrangement provided.

Bei diesen bekannten Verfahren wurde beobachtet, daß die abgeschiedenen me­ tallischen Schichten infolge ihrer zum Teil sehr porösen Stengelstruktur nicht die geforderten Eigenschaften besitzen. Bekannt ist es, daß durch verschiedene Abscheidungsparameter die abzuscheidende Schicht und deren Eigenschaften in gewünschter Weise beeinflußt werden können. So ist es möglich, durch Erhöhung der Substrattemperatur während der Abscheidung dichtere Schichten auf den Substraten zu erzielen. Dabei kann nicht ausgeschlossen werden, daß gleich­ zeitig mit der Erzielung einer verbesserten Eigenschaft andere Substrat­ eigenschaften, wie Substrathärte oder die Biegefestigkeit des beschichteten Substrats, negativ beeinflußt werden. Auch kann durch Änderung des Druckes in der Sputteranlage während der Magnetron­ zerstäubung eine Änderung des Schichtaufbaus bewirkt werden. Die Abhängigkeit der Schichtstruktur eines beschichteten Substrates von Druck und Temperatur ist im Thorton Diagramm (J. Vac. Sci. Technol 12 (1975) S. 830/835) wiederge­ geben. Auch ein Anlegen von negativer Biasspannung an das zu beschichtende Substrat kann zu einer günstigen Beeinflussung der Schichtstruktur auf dem Substrat führen. In vielen Fällen gelingt es jedoch nicht durch Änderung von Substrattemperatur, von Druck während des Beschichtens oder Anlegen einer negativen Biasspannung die gewünschten Schichteigenschaften zu erzielen. So erhält man beispielsweise bei der Beschichtung von Messing mit einer Sil­ ber-Zinn 37-Legierung durch Magnetronzerstäubung bei Substrattemperaturen von unterhalb 200°C und Drücken im Bereich von 5×10-3 bis 20 × 10-3 mbar und negativen Biasspannungen von weniger als 200 V stark poröse, matte Schichten mit geringer Korrosionsbeständigkeit und hohem Reibungskoeffizienten, wodurch diese Schichten als Kontaktwerkstoff für Steckkontakte ungeeignet sind. Bei der Beschichtung von Eisen-Nickel-Substraten mit Molybdän werden selbst bei Substrattemperaturen von 500°C stark stengelförmige Schichten geringer Haft­ festigkeit erhalten, die als Kontaktpartner in einem Relais ungeeignet sind.In these known processes it was observed that the deposited metallic layers did not have the required properties due to their partly very porous stem structure. It is known that the layer to be deposited and its properties can be influenced in a desired manner by various deposition parameters. It is thus possible to achieve denser layers on the substrates by increasing the substrate temperature during the deposition. It cannot be ruled out that other substrate properties, such as substrate hardness or the flexural strength of the coated substrate, may be adversely affected at the same time that an improved property is achieved. A change in the layer structure can also be brought about by changing the pressure in the sputtering system during the magnetron sputtering. The dependence of the layer structure of a coated substrate on pressure and temperature is shown in the Thorton diagram (J. Vac. Sci. Technol 12 (1975) pp. 830/835). Applying negative bias voltage to the substrate to be coated can also have a favorable influence on the layer structure on the substrate. In many cases, however, the desired layer properties cannot be achieved by changing the substrate temperature, the pressure during coating or the application of a negative bias voltage. For example, when coating brass with a silver-tin 37 alloy, one obtains magnetron sputtering at substrate temperatures of below 200 ° C and pressures in the range of 5 × 10 -3 to 20 × 10 -3 mbar and negative bias voltages of less than 200 V highly porous, matt layers with low corrosion resistance and high coefficient of friction, which makes these layers unsuitable as contact material for plug contacts. In the coating of iron-nickel substrates with molybdenum, even at substrate temperatures of 500 ° C, strongly stem-shaped layers of low adhesive strength are obtained, which are unsuitable as contact partners in a relay.

Aus der DE-PS 35 03 398 ist eine Sputteranlage zum reaktiven Beschichten eines Substrats mit aus Metallverbindungen bestehenden Hartstoffen, wie Titan-Nitrid oder Titankarbid, bekannt. Bei dieser Anlage befindet sich das Substrat wäh­ rend seiner Beschichtung zwischen einer zusätzlich zum Magnetron vorhandenen Ionisationseinrichtung mit wenigstens zwei Elektroden, wovon die eine Elek­ trode als Elektronenemitter dient und die andere Elektrode gegenüber dem Emitter auf positives Potential gelegt ist. Das Substrat besteht aus einzel­ nen, im Vergleich zum Target kleinen Teilen, die auf einer Halterung angeord­ net sind. Die vom Elektronenemitter ausgesandten Elektronen können durch die Zwischenräume zwischen den einzelnen Substraten zur Anode gelangen und be­ wirken so durch Stoß eine Ionisationserhöhung. Bei großflächigen Substraten wären Elektronenemitter und Anode durch das Substrat getrennt, so daß keine Elektronen zur Anode gelangen können, wodurch die zusätzliche Ionisations­ einrichtung wirkungslos wäre. From DE-PS 35 03 398 is a sputtering system for the reactive coating of a Substrate with hard materials consisting of metal compounds, such as titanium nitride or titanium carbide. In this system, the substrate is located rend its coating between an existing in addition to the magnetron Ionization device with at least two electrodes, one of which is an elec trode serves as an electron emitter and the other electrode opposite the Emitter is set to positive potential. The substrate consists of individual NEN, compared to the target small parts, which are arranged on a bracket are not. The electrons emitted by the electron emitter can by the Gaps between the individual substrates reach the anode and be act as an ionization increase by impact. For large-area substrates electron emitter and anode would be separated by the substrate, so that none Electrons can get to the anode, causing the additional ionization would be ineffective.  

In der U.S. Patentschrift 43 89 299 wird die Magnetronaufstäubung von Metallen mit Gleich- oder Wechselspannung beschrieben, bei der zusätzlich zum Aufstäubungsplasma eine Ionisation mittels einer beheizten Wolframglühkathode und einer Spannung von 15 Volt zwischen Glühkathode und Anode eingesetzt wird, wobei der Wolframdraht auf die zur Elektronenemission erforderliche Temperatur erhitzt wird.In the U.S. Patent 43 89 299 is the magnetron sputtering of metals described with DC or AC voltage, in addition to Sputtering plasma ionization using a heated tungsten glow cathode and a voltage of 15 volts is used between the hot cathode and the anode, the tungsten wire being at the temperature required for electron emission is heated.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Beschichten von Substraten, bei dem diese Substrate an großen Halterungsflächen angebracht sind, mit Me­ tallen oder Metall-Legierungen bereitzustellen, mit dem die Eigenschaften der aufgesputterten Schichten, wie Haftfestigkeit, Reibungskoeffizient, Kontakt­ übergangswiderstand und Reflexion, reproduzierbar verbessert werden.The object of the invention is to provide a method for coating substrates, in which these substrates are attached to large mounting surfaces, with Me tallen or metal alloys with which the properties of the sputtered layers, such as adhesive strength, coefficient of friction, contact contact resistance and reflection, reproducibly improved.

Diese Aufgabe wird für das eingangs charakterisierte Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei Verwendung von Halterungsflächen, die größer als die Target-Fläche sind, die Substrate einem zu dem Ionenstrom durch Magnetron­ zerstäubung zusätzlichem Ionenstrom ausgesetzt werden, der durch Stoß­ ionisation von aus einer im wesentlichen außerhalb des Magnetfeldes des Magnetrons vor dessen Target angeordneten Glühkathode emittierten Elektronen erzeugt wird, die von einer im wesentlichen außerhalb des Magnetfeldes des Magnetron vor dem Rand des Targets angeordneten Anode abgesaugt werden, daß als Glühkathode eine Wolfram-Kathode verwendet wird, die auf einer Temperatur zwischen 2200°C und 3000°C gehalten wird, daß zwischen Glühkathode und Anode eine Spannung von < 0 und 60 V aufrechterhalten wird, daß die zusätz­ liche Ionenstromdichte während der Beschichtung zwischen 0,05 und 5 mA/cm2 gewählt wird, und daß während des Aufsputterns der ersten Atomlagen auf die Substrate eine Biasspannung im Bereich von -60 bis -200 V aufrechterhalten wird, die danach auf einen Wert von < 0 bis -60 V vermindert wird.This object is achieved for the initially characterized method according to the invention in that when using mounting surfaces that are larger than the target surface, the substrates are exposed to an ion current that is atomized by magnetron sputtering and that is essentially ionized by impact ionization Electrons emitted outside the magnetic field of the magnetron in front of its target are generated, which are sucked off by an anode arranged essentially outside the magnetic field of the magnetron in front of the edge of the target, that a tungsten cathode is used as the hot cathode, which is at a temperature between 2200 ° C and 3000 ° C is maintained that a voltage of <0 and 60 V is maintained between the hot cathode and anode, that the additional ionic current density during the coating is chosen between 0.05 and 5 mA / cm 2 , and that during the sputtering of the first atomic layers on d The substrates maintain a bias voltage in the range of -60 to -200 V, which is then reduced to a value of <0 to -60 V.

Vorteilhafterweise wird während des Aufsputterns der ersten Atomlagen eine Biasspannung im Bereich von -100 bis -200 V aufrechterhalten.Advantageously, a during the sputtering of the first atomic layers Maintain bias voltage in the range of -100 to -200 V.

Durch die erfindungsgemäßen Verfahrensmaßnahmen wird durch die Erhöhung der Ionisation des Teilchenstroms zum Substrat ein Auftreffen von mehr hochener­ getischen Teilchen auf das Substrat erreicht, was sich in einer Erhöhung des Substratstroms bemerkbar macht. Diese hochenergetischen Teilchen bewirken ein Absputtern von Substratmaterial und damit in der Grenzschicht eine Schicht­ mischung und ein Absputtern von schwach gebundenem Schichtmaterial. In Mikrobereichen wird durch den Aufprall und die Konden­ sation der hochenergetischen Teilchen das Substrat stark erwärmt, ohne daß die zulässige Substrattemperatur überschritten wird. Durch die Mischschichtbildung wird eine hohe Haftfestigkeit der auf das Substrat abgeschiedenen Schicht erzielt, durch die starke Temperaturerhöhung in Mikrobereichen und die Dif­ fusion hochenergetischer Teilchen wird der Aufbau einer sehr dichten Schicht auf dem Substrat begünstigt. In jedem Fall hat es sich als zweckmäßig er­ wiesen, den günstigsten Ionisationsgrad des Plasmas zu ermitteln. Dazu ist es erforderlich, daß der Ionisationsgrad kontinuierlich variierbar ist, was da­ durch bewirkt wird, daß der Emissionsstrom der Glühkathode und/oder die Anodenspannung erhöht wird.The process measures according to the invention increase the Ionization of the particle stream to the substrate impacts more high getischen particles on the substrate, which results in an increase in Makes substrate current noticeable. These high-energy particles have an effect Sputtering off substrate material and thus a layer in the boundary layer mixture and a sputtering of weakly bound  Layer material. In micro areas is due to the impact and the condensate sation of the high-energy particles heated the substrate very much without the permissible substrate temperature is exceeded. Through the formation of the mixed layer becomes a high adhesive strength of the layer deposited on the substrate achieved by the strong temperature increase in micro areas and the dif Fusion of high-energy particles will create a very dense layer favored on the substrate. In any case, it has proven useful showed to determine the most favorable degree of ionization of the plasma. It is for that required that the degree of ionization is continuously variable, what there is caused by that the emission current of the hot cathode and / or Anode voltage is increased.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden vorteilhafterweise die Glühkathode in einem Abstand von 4 bis 5 cm vor dem Target und die Anode 3 bis 4 cm vor dem Rand des Target angeordnet. Hierdurch ist sichergestellt, daß die emittierten Elektronen auf ihrem Weg zur Anode in das Plasma vor dem Target gelangen und zur Erhöhung des Ionisationsgrades beitragen.In the method according to the invention, the hot cathode is advantageously used at a distance of 4 to 5 cm in front of the target and the anode 3 to 4 cm in front arranged the edge of the target. This ensures that the emitted electrons on their way to the anode in the plasma in front of the target arrive and contribute to increasing the degree of ionization.

Die Glühkathode wird bei der Durchführung des Verfahrens zweckmäßigerweise auf einer Temperatur von 2500 bis 2800°C gehalten, daß ausreichend Elektronen zur Verfügung stehen, um die erforderliche zusätzliche Ionenstromdichte zu er­ halten.The hot cathode is expediently opened when the method is carried out a temperature of 2500 to 2800 ° C that sufficient electrons for Are available to provide the required additional ion current density hold.

Bewährt hat es sich zur Erzielung optimaler Ergebnisse zwischen Glühkathode und Anode eine Spannung von 30 bis 60 V aufrechtzuerhalten.It has proven itself to achieve optimal results between the hot cathode and anode maintain a voltage of 30 to 60 volts.

Die zusätzliche Ionenstromdichte während der Zerstäubung wird zwischen 1,5 und 3,5 mA/cm2 verändert, um den günstigsten Ionisationsgrad des Plasmas einzustellen.The additional ion current density during atomization is changed between 1.5 and 3.5 mA / cm 2 in order to set the most favorable degree of ionization of the plasma.

Vorteilhafterweise wird nach Aufsputtern der ersten Atomlagen auf die Sub­ strate, die Biasspannung auf -20 bis -50 V vermindert. After the first atomic layers have been sputtered onto the sub strate, the bias voltage reduced to -20 to -50 V.  

Als Halterungsflächen für die Substrate hat sich die Oberfläche einer Trommel besonders bewährt.The surface of a drum has become the support surface for the substrates especially proven.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 beschrieben.An embodiment of the invention is described below with reference to FIGS. 1 and 2.

Es zeigenShow it

Fig. 1 einen Längsschnitt durch eine Sputteranlage zur Durch­ führung des erfindungsgemäßen Verfahrens, Fig. 1 shows a longitudinal section through a sputtering system for the implementing of the method according to the invention,

Fig. 2 einen Querschnitt durch Fig. 1 entlang der Linie A......B. Fig. 2 shows a cross section through Fig. 1 along the line A ...... B.

Die Sputteranlage weist ein geerdetes Gehäuse 1 auf, das über einen im Boden­ bereich befindlichen Stutzen 2 evakuierbar ist. Über die Zuleitung 3 wird ein Inertgas, beispielsweise Argon, in das Gehäuse 1 eingeleitet. In die Seiten­ wandung 5 ist ein Magnetron 6 eingesetzt, das ein Target aus metallischem Beschichtungswerkstoff aufweist. Die zu beschichtenden Substrate sind auf der Außenoberfläche der Trommel 12 angeordnet. Die Trommel 12 ist in Isolatoren 16 an einem drehbaren Halter 13, der, wie durch Pfeil 14 angedeutet, um die Rotationsachse 10, die in der Gehäuseachse liegt, drehbar ist. Mit 15 ist eine Heizstation bezeichnet. Während der Rotation der Trommel 12 bewegt sich diese mit den Substraten durch die Heizstation hindurch. Zwischen Magnetron 8 und der Trommel 12 ist die Anode 7 und als Elektronenemitter 8 eine Wolfram-Glüh­ kathode angeordnet, wobei wie aus Fig. 2 ersichtlich, die Anode vor dem Rand des Magnetrons angeordnet ist.The sputtering system has a grounded housing 1 , which can be evacuated via a nozzle 2 located in the bottom area. An inert gas, for example argon, is introduced into the housing 1 via the feed line 3 . In the side wall 5 , a magnetron 6 is used, which has a target made of metallic coating material. The substrates to be coated are arranged on the outer surface of the drum 12 . The drum 12 is in insulators 16 on a rotatable holder 13 which, as indicated by arrow 14 , is rotatable about the axis of rotation 10 which lies in the housing axis. 15 is a heating station. While the drum 12 is rotating, it moves with the substrates through the heating station. Between the magnetron 8 and the drum 12 , the anode 7 and, as the electron emitter 8, a tungsten glow cathode is arranged, the anode being arranged in front of the edge of the magnetron as shown in FIG. 2.

Zur Beschichtung von auf der Außenoberfläche der Trommel 12 gehaltertem Messingband mit einer Silber-Zinn-Legierung, die aus 37 Gew.-% Zinn, Rest Silber besteht, die Legierung bildet den Target-Werkstoff des Magnetrons, wird wie folgt vorgegangen:
Die mit Messingband bewickelte Trommel 12 wird in der Sputteranlage in die Isolatoren 16 des drehbaren Halters 13 eingesetzt. Der Abstand zwischen dem Target und dem Messingband beträgt 10 cm. Das Messingband wird während seiner Beschichtung mit Hilfe der Heizstation 15 auf einer Temperatur von 150°C ge­ halten. In der Anlage wird eine Argonatmosphäre von 6×10-3 mbar aufrecht­ erhalten; es wird eine Sputterleistung von 12 W/cm2 eingestellt, die Glüh­ kathode 8 auf einer Temperatur von 2600°C gehalten, sowie eine Biasspannung von -100 V für die ersten Atomlagen, aufrechterhalten, die danach auf -30 V vermindert wird. Die Trommel 12 wurde mit einer Geschwindigkeit von 2 U/min gedreht. So wurde bei einem zusätzlichen Ionenstrom von 2 mA/cm2 auf dem Messingband eine hochglänzende, sehr dichte Schicht aus Silber-Zinn 37-Le­ gierung, die einen Reibungskoeffizienten von 0,28 und sehr gute Korrosions­ beständigkeit aufweist (die Korrosionsbeständigkeit wurde mittels Auslagerung in Schadstoffklima bestimmt) erhalten. Vergleichsversuche unter identischen Bedingungen jedoch ohne zusätzlichen Ionenstrom lieferten eine sehr matte Silber-Zinn 37-Legierungs-Schicht mit stark stengeliger Struktur und einem Reibungskoeffizienten von 0,45; außerdem wies sie eine schlechte Korrosionsbeständigkeit auf, sie wurde korrosiv angegriffen.To coat the brass tape held on the outer surface of the drum 12 with a silver-tin alloy consisting of 37% by weight of tin, the rest being silver, the alloy forms the target material of the magnetron, the procedure is as follows:
The drum 12 wound with brass tape is inserted into the insulators 16 of the rotatable holder 13 in the sputtering system. The distance between the target and the brass band is 10 cm. The brass band is kept at a temperature of 150 ° C during its coating using the heating station 15 ge. An argon atmosphere of 6 × 10 -3 mbar is maintained in the plant; a sputtering power of 12 W / cm 2 is set, the glow cathode 8 is kept at a temperature of 2600 ° C., and a bias voltage of -100 V is maintained for the first atomic layers, which is then reduced to -30 V. The drum 12 was rotated at a speed of 2 rpm. With an additional ion current of 2 mA / cm 2, a high-gloss, very dense layer of silver-tin 37 alloy was used on the brass band, which has a coefficient of friction of 0.28 and very good corrosion resistance (the corrosion resistance was determined by aging in Determined pollutant climate). Comparative tests under identical conditions but without additional ion current yielded a very matt silver-tin 37 alloy layer with a strongly stiff structure and a coefficient of friction of 0.45; it also had poor corrosion resistance and was attacked corrosively.

Claims (8)

1. Verfahren zum Beschichten von Substraten mit einem Metall oder einer Me­ tall-Legierung durch Magnetronzerstäubung, wobei die Substrate auf einer an negativer Spannung liegenden Halterungsfläche angebracht und vor einem Target des Magnetrons zur Beschichtung wiederholt vorbei bewegt werden, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Halterungsflächen, die größer als die Target-Fläche sind, die Substrate einem zu dem Ionenstrom durch Magnetronzerstäubung zusätzlichem Ionenstrom ausgesetzt werden, der durch Stoßionisation von aus einer im wesentlichen außerhalb des Ma­ gnetfeldes des Magnetrons vor dessen Target angeordneten Glühkathode emittierten Elektronen erzeugt wird, die von einer im wesentlichen außer­ halb des Magnetfeldes des Magnetron vor dem Rand des Targets angeordneten Anode abgesaugt werden, daß als Glühkathode eine Wolfram-Kathode verwendet wird, die auf einer Temperatur zwischen 2200°C und 3000°C gehalten wird, daß zwischen Glühkathode und Anode eine Spannung von < 0 und 60 V aufrechterhalten wird, daß die zusätzliche Ionenstromdichte während der Beschichtung zwischen 0,05 und 5 mA/cm2 gewählt wird, und daß während des Aufsputterns der ersten Atomlagen auf die Substrate eine Biasspannung im Bereich von -60 bis -200 V aufrechterhalten wird, die danach auf einen Wert von < 0 bis -60 V vermindert wird. 1. A method for coating substrates with a metal or a metal tall alloy by magnetron sputtering, the substrates being attached to a support surface lying at negative voltage and being repeatedly moved past in front of a target of the magnetron for coating, characterized in that when using Mounting surfaces that are larger than the target area, the substrates are exposed to an ion current in addition to the ion current by magnetron sputtering, which is generated by collision ionization of electrons emitted from a hot cathode arranged essentially outside the magnetic field of the magnetron in front of its target, by an anode arranged essentially outside the magnetic field of the magnetron in front of the edge of the target can be suctioned off, that a tungsten cathode is used as the hot cathode, which is kept at a temperature between 2200 ° C and 3000 ° C, that between hot cathode and anode e voltage of <0 and 60 V is maintained, that the additional ion current density during the coating is chosen between 0.05 and 5 mA / cm 2 , and that during the sputtering of the first atomic layers on the substrates a bias voltage in the range of -60 to -200 V is maintained, which is then reduced to a value of <0 to -60 V. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß während des Auf­ sputterns der ersten Atomlagen eine Biasspannung von -100 bis -200 V aufrechterhalten wird.2. The method according to claim 1, characterized in that during the up sputtering the first atomic layers a bias voltage of -100 to -200 V is maintained. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Glühkathode in einem Abstand von 4 bis 5 cm vor dem Target und die Anode 3 bis 4 cm vor dem Rand des Targets angeordnet werden.3. The method according to claim 1, characterized in that the hot cathode in a distance of 4 to 5 cm in front of the target and the anode 3 to 4 cm in front the edge of the target. 4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Glühkathode auf einer Temperatur von 2500°C bis 2800°C gehalten wird.4. The method according to claims 1 or 3, characterized in that the Hot cathode is kept at a temperature of 2500 ° C to 2800 ° C. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Glühkathode und der Anode eine Spannung von 30 bis 60 V auf­ rechterhalten wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a voltage of 30 to 60 V between the hot cathode and the anode is maintained. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Ionenstromdichte während der Zerstäubung zwischen 1,5 und 3,5 mA/cm2 verändert wird.6. The method according to claim 1, characterized in that the additional ion current density is changed during the atomization between 1.5 and 3.5 mA / cm 2 . 7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nach Aufsputtern der ersten Atomlagen auf die Sub­ strate die Biasspannung auf -20 bis -50 V vermindert wird.7. The method according to one or more of the preceding claims, characterized characterized in that after sputtering the first atomic layers onto the sub strate the bias voltage is reduced to -20 to -50 V. 8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Halterungsfläche die Oberfläche einer Trommel verwendet wird.8. The method according to one or more of the preceding claims, characterized characterized in that the surface of a drum as a support surface is used.
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