DE1931412A1 - Duennschichtwiderstaende und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Duennschichtwiderstaende und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
von Dünnschichtwiderständen und insbesondere die Herstellung von Widerständen durch Vakuumabscheidung von
Wolfram oder Molybdän in einer Atmosphäre eines stickstoffhaltigen, kohlenstoffhaltigen oder eines inerten Gases.
Widerstände in Form dünner Schichten müssen sich für die Verwendung in hochentwickelten elektronischen, gedruckten
Schaltungen im allgemeinen durch einen hohen spezifischen Widerstand, einen niedrigen Temperaturkoeffizienten des
Widerstandes und nach Alterung durch sehr beständige elektrische Eigenschaften auszeichnen. Zu den für die Herstellung,
geeigneter Filme vorgeschlagenen Verfahren gehören die Abscheidungen von Wolfram oder Molybdän im Hochvakuum
mittels Elektronenstrahlverdampfung und/oder die Zerstäubungsverfahren. So werden in der eigenen deutschen
Patentanmeldung (Amtl. Aktenzeichen: P 17 90 074.2) Dünn-
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schichtwiderstände und ein Verfahren zu ihrer Herstellung durch
Abscheidung einer verdampften Wolframquelle unter gesteuerten Umgebungsbedingungen des Sauerstoffdruckes und der Substrattemperaturen
geoffenbart und beansprucht. Die Bildung von Dünnschichtwiderständen
durch Verdampfen eines Metalles der Gruppe IV oder V des Periodensystems in N2-Atmosphäre wird in der US
Anmeldung, Serial No. 670,091, eingereicht am 25. Sept. 1967,
geoffenbart. Ungeachtet der brauchbaren Eigenschaften dieser
Dünnschichtwiderstände für die Verwendung in gedruckten Schaltungen, verlangt die handelsmäßige Herstellung von Dünnschichtwiderständen
zum Zwecke der Erniedrigung der Herstellungskosten auch eine minimale Zahl gesteuerter Variablen bei der
Herstellung des Dünnschichtwiderstandes. Viele der gegenwärtigen
angewandten technischen Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtwiderständen
verlangen eine hochentwickelte Apparatur, um das Substrat entweder während der Abscheidung oder während
des anschließenden Glühens des abgeschiedenen Films auf einer bestimmten, erhöhten Temperatur zu halten, damit geeignete
Widerstandseigenschaften erhalten werden.
Die Vorteile der vorliegenden Erfindung werden allgemein dadurch
erzielt, daß ein dielektrisches Substrat und eine Material— quelle aus der Gruppe Molybdän/Wolfram in eine Verdampfungskammer
eingebracht werden, die nach ihrer Evakuierung mit ausreichenden Mengen eines Gases aus der Gruppe der stickstoff-,
haltigen, kohlenstoffhaltigen und der inerten Gase gefüllt wird, so daß das arithmetische Produkt aus Entfernung und Druck
—2
zwischen Quelle und Substrat mehr als 14 χ 10 Torr·cm beträgt.
Anschließend wird die Quelle mittels irgendeines der bekannten
Verfahren, beispielsweise mit Hilfe der Elektronenstrahlverdampfung
verdampft und eine Widerstandsschicht auf dem Substrat abgeschieden. Im allgemeinen werden bei einem gegebenen
Abscheidungsdruck Schichten mit größtem spezifischen Widerstand erhalten, wenn das Substrat nicht erwärmt ist, wobei brauchbare
Wolframschichten bis zu einer maximalen Substrattemperatur von etwa 455°C und brauchbare Molybdänschichten bis zu einer maximalen
Substrattemperatur von 155°C erhalten werden.
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OSJGlNAL INSPECTED
■*~ ο ■■"
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnungen näher
beschrieben, von denen:
Fig. 1 eine sctiematische Ansicht einer zur Herstellung erfindungsgemäßer
Dünnschichtwiderstände geeigneten Apparatur darstellt;
Fig. 2 eine graphische Darstellung ist, die die Änderung des
spezifischen Widerstandes mit dem Druck für verschiedene
Substrattenperaturen während der Wolframabscheidung zeigt;
Fig. 3 eine graphische Darstellung ist, die die Änderung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes mit dem
spezifischen Widerstand für Widerstandsschichten zeigt, die durch Wolframabscheidungen erhalten wurden;
Fig. 4 eine graphische Darstellung ist, die die Änderung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes in Abhängigkeit
vom Widerstand der Schicht für Schichten zeigt, die erfindungsgemäß durch Abscheidung von Wolfram erhalten
wurden;
Fig. 5 eine graphische Darstellung ist, die die Alterungs- .
Charakteristika von Widerstandsschichten aus Wolfram
zeigt;
Fig. 6 eine graphische Darstellung ist, die die Änderung des spezifischen Widerstandes in Abhängigkeit vom Druck für
verschiedene Substrattemperaturen während der Molybdänabscheidung zeigt; '
Fig. 7 eine graphische Darstellung ist, die die Änderung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes in Abhängigkeit
vom spezifischen Widerstand für Widerstandsschichten zeigt, die erfindungsgemäß durch Molybdänabseheidungen
erhalten wurden und
Fig. 8 eine graphische Darstellung ist, die die Änderung des Temperaturkoeffizienten des Widerstandes in Abhängigkeit
vom spezifischen Widerstand von Schichten zeigt, die erfindungsgemäß
durch Molybdänabscheidung erhalten wurden.
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.4. 193 1 A
Fig. 1 zeigt eine zur Herstellung erfindungsgemäßer Widerstandsschichten geeignete Apparatur, die allgemein eine Verdampfungskammer
10 enthält, in der ein schräg gestellter Elektronenstrahlbeschleuniger 11 zur Verdampfung eines Teils des Quellenmaterials
12 angebracht ist, beispielsweise eines Materials aus der Gruppe Wolfram und Molybdän, das sich in einer Vertiefung
13 eines wassergekühlten Tiegels 14 befindet. Die verdampfte Quelle wandert anschließend durch die kontrollierte
gasförmige Umgebung innerhalb der Kammer, wird bis zu einer Dicke von weniger als 10 000 A auf dem Substrat 15 abgeschieden
und ergibt eine Widerstandsschicht von hohem spezifischen Widerstand und mit einem niedrigen Temperaturkoeffizienten.
Die Bauweise der Verdampfungskammer 10 ist von herkömmlicher
Art und weist im allgemeinen einen Mantel 17 aus rostfreiem Stahl auf, der auf einer ringförmigen Basis 18 aufsitzt, wobei
eine geeignete Isolierung, die als Dichtung 19 gezeigt ist,
zwischen dem Mantel 17 und der Basis 18 vorgesehen ist, um die Isolierung des Inneren der Verdampfungskammer zu gewährleisten.
Die Evakuierung der Kammer erfolgt durch eine Öffnung 20, die etwa in der Mitte der Basis 18 angebracht ist und eine Verbindung
darstellt, um die Pumpe 21 durch die Auslaßverbindungen , 22 und 23 zu leeren. Eine Falle 24 für flüssigen Stickstoff
befindet sich zwischen den Auslaßverbindungen 22 und 23, damit eine Verunreinigung der Kammer durch Rückfluß über die
Auslaßverbindungen während der Evakuierung der Kammer 10 vermieden wird.
Eine zweite Öffnung 25 innerhalb der Basis 18 erlaubt das Einlassen einer geeigneten Abscheidungsatmosphäre, wie z. B.
eines Gases wie Stickstoff, Ammoniak, Methan, Kohlenmonoxid, Kohlendioxid, Argon oder Neon durch das Rohr 28 und ein motorbetriebenes
einstellbares Ventil 29 in die Kammer, damit der Gasdruck innerhalb der Verdampfungskammer für die Bildung von
Widerstandsschichten mit hohem spezifischen Widerstand und einem geringen Temperaturkoeffizienten ständig auf der ge-
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— ο —
wünschten Höhe (wie später beschrieben werden wird) gehalten wird. Ein Ionisierungsmanometer 30, das innerhalb der ummantelten
Kammer angebracht ist und über die elektrische Leitung 32 mit der automatischen Ventilkontrolle 31 in Verbindung
steht, steuert den Betrieb des einstellbaren Abflußventiles 29 und reguliert den Gasdruck innerhalb der Kammer 10.
Das Substrat 15, auf dem die Widerstandsschicht aufgebracht wird, kann jedes geeignete nichtleitende Material, wie beispielsweise
Kronglas, Quarz , Glimmer oder Aluminiumoxid sein und befindet sich innerhalb eines rechteckigen Rahmens 33,
der auf dem oberen Ende eines eckig ausgebildeten Ständers befestigt ist, der sich von der Basis 18 nach oben erstreckt.
Um gegebenenfalls das Substrat während der Abscheidung erwärmen zu können, ist eine Wolfram-Heizspirale 35 über dem
Substrat angebracht und wird aus einer Wechselstromquelle 37 mittels einer Abschaltvorrichtung 38 mit Strom versorgt. Ein
Wärmereflektor 40 umgibt die Wolfram-Heizspirale 35, um die
erzeugte Wärme aus der Spule auf die Oberfläche des Substrates zu konzentrieren. Ein Thermo-Element 41 aus Platin/Platinrhodium,
das über eine Leitung 43 mit einem Temperaturmesser verbunden ist, ist entlang der Kante des Substrates im Abstand
von der Quelle 12 angebracht, damit die Substrattemperatur visuell überwacht werden kann. Eine Lochblende 44 befindet
sich unter dem Substrat, um die Abscheidungsflache der Schicht
auf eine geeignete Größe, wie z. B. auf 1 mm χ 10 mm zu begrenzen,
wodurch vereinfachte Messungen des Schichtwiderstandes mit Hilfe herkömmlicher Verfahren, wie des "four-probe Verfahrens",
ermöglicht werden.
Der schräg gestellte Elektronenbeschleuniger 11 für die Verdampfung
der Quelle 12 weist im allgemeinen eine durch ein negatives Gleichstrompotential 46 über die Leitungen 36
mit Strom versorgte Kathode 47 für die Emission der Elektroden und eine geerdete Anode 48 auf, die eine ovale öffnung 49 aufweist,
durch die der erzeugte Elektronenfluß ausströmt. Nach
Durchgang des Elektronenflusses durch die Anode 48 lenkt das,
durch ein Paar im allgemeinen aufrechtstehender geringfügig
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konvergierender Polstücke 26 erzeugte magnetische Feld die
Elektronen in eine spitze Richtung, so daß der Elektronenstrom auf die Quelle 12 auftrifft, wodurch ein Teil der Quelle
verdampft wird. Die Versorgung der Kathode 47 durch ein Gleichstrompotential von -7,5 kV und die Erzeugung eines Stromes von
700 mA aus der Elektrode hat sich als ausreichend erwiesen, um
eine ausreichende Verdampfung der Quelle zu erreichen, damit auf eineji etwa 35,5 cm von der Quelle entfernten Substrat je
ο
Minuten 245 A abgeschieden werden.
Minuten 245 A abgeschieden werden.
Bei der Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein
nichtleitendes Substrat, wie z. B. Kronglas, nach seiner Reinigung innerhalb des rechteckigen Rahmens 33 gelegt und
" eine Materialquelle aus der Gruppe Wolfram/Molybdän in die
Vertiefung 13 eines wassergekühlten Tiegels 14 hierzu in
geeigneter Entfernung, z. B. 35,5 cm, vom Substrat entfernt
angebracht. Anschließend wird der rostfreie Mantel 17 auf die ringförmige Basis 18 gesetzt und mit Hilfe der Äuslaßpumpe 21
die Kammer auf einen verhältnismäßig niedrigen Druck von etwa
5 χ 10 Torr gebracht. Nach Evakuierung der Kammer wird mittels des einstellbaren Auslaßventiles 29 das System während eines ■
Zeitraumes von beispielsweise 10 Minuten mit deni Gas gereinigt,
das während des Verdampfens verwendet wird, und der Öruck der
Kammer, abhängig vom Abstand der Quelle zum Substrat,>äo eingestellt, daß das arithmetische Produkt aus Gasdruck und Ab-
—3 . stand zwischen Quelle und Substrat zwischen 35,5 χ 10 Torr«cm
-4
bis 35,5 χ 10 Torr'cm beträgt, beispielsweise für einen Abstand der Quelle zum Substrat von 35,5 cm ein Gasniveau zwisöhen
-3 -4
1 χ 10 bis 1 χ 10 Torr eingehalten wird. Anschließend wird der Elektronenstrahlbeschleuniger 11 so in Betrieb gesetzt, daß die gewählte Quelle mit einer Geschwindigkeit verdampft wird, die ausreicht, eine Widerstandsschicht von beispielsweise 300 A je Minute auf einem, aus untenstehend häfier ;<zu erörternden Gründen, vorzugsweise ungeheizten Substrat, abzuscheiden. Nach Abscheidung einer Schicht des gewünschten Widerstandes, z. B. bis zu einer Dicke von wehiger als 10 000 A, wird die Verdampfung der Quelle beendet, und man läßt die Schicht sich in der Atmosphäre des Abscheidungsgases abkühlen.
1 χ 10 bis 1 χ 10 Torr eingehalten wird. Anschließend wird der Elektronenstrahlbeschleuniger 11 so in Betrieb gesetzt, daß die gewählte Quelle mit einer Geschwindigkeit verdampft wird, die ausreicht, eine Widerstandsschicht von beispielsweise 300 A je Minute auf einem, aus untenstehend häfier ;<zu erörternden Gründen, vorzugsweise ungeheizten Substrat, abzuscheiden. Nach Abscheidung einer Schicht des gewünschten Widerstandes, z. B. bis zu einer Dicke von wehiger als 10 000 A, wird die Verdampfung der Quelle beendet, und man läßt die Schicht sich in der Atmosphäre des Abscheidungsgases abkühlen.
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Obwohl erfindungsgemäß als Abscheidungsgase sowohl stickstoffhaltige
Gase, wie z. B. Stickstoff oder Ammoniak; kohlenstoffhaltige Gase, z. B. Kohlenmonoxid, Kohlendioxid, Methan usw.
oder Inertgase, .wie z. B. Argon, Neon usw. Verwendung finden können, wird Stickstoff vorgezogen, da die darin abgeschiedenen
Widerstandsschichten einen beträchtlich höheren spezifischen Widerstand aufweisen als Widerstandsschichten, die unter gleichen
Bedingungen in anderen, im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendbaren gasförmigen Atmosphären abgeschieden wurden. Beispielsweise
zeigte eine Wolframschicht von etwa 900 A Stärke, die auf einem Substrat bei Raumtemperatur unter einem Argon-
-4
druck von 8 χ 10 Torr abgeschieden wurde, einen spezifischen Widerstand von 1040 ,u Ohm«cm, und eine auf gleiche Weise in
druck von 8 χ 10 Torr abgeschieden wurde, einen spezifischen Widerstand von 1040 ,u Ohm«cm, und eine auf gleiche Weise in
einer Ammoniakatmosphäre abgeschiedene Wolframschicht von ο
813 A Dicke, einen spezifischen Widerstand von 10287u Ohm·cm,
ο / während eine etwas dickere, beispielsweise 1473 A dicke Wolfram-
die unter Stickstoffatmosphäre unter sonst gleichen Bedingungen
abgeschieden worden war, einen beträchtlich höheren spezifischen Widerstand von 2290/U Ohm'cm aufwies.
Wie aus der graphischen Darstellung der Fig. 2 entnommen werden kann, die die Änderung des spezifischen Widerstandes mit dem
Druck für Widerstandsschichten zeigt, die durch Elektronenstrahlverdampfung
von Wolfram unter Stickstoffatmosphäre bei einer Entfernung von Quelle zu Substrat von 35,5 cm erhalten
wurde, daß eine Zunahme des Abscheidungsdruckes eine Zunahme
des gemessenen spezifischen Widerstandes der abgeschiedenen Widerstandsschicht bewirkt. Beispielsweise bewirkte eine
Zunahme des Druckes von 0,1 Torr auf 0,8 Torr Stickstoff generell etwa eine Verdoppelung des gemessenen Widerstandes
der Wolfram-Widerstandsschichten, die unter sonst gleichen Bedingungen abgeschieden wurden^. Um extrem hohe Schichtwiderstände,
wie z. B. von mehr als 1000 ,u Ohm·cm zu erhalten, ist
bei einer Entfernung von Quelle zum Substrat von 35,5 cm ein
Abscheidungsdruck oberhalb etwa 0,4 Torr erforderlich, d. h.
ein arithmetisches Produkt aus Abstand zwischen Quelle und
-3 Substrat und Druck von mehr als 40,2 χ 10 Torr'cm. Da die
mittlere freie Weglänge eines Moleküls, beispielsweise der
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■ . - β- ■ 193U12
durchschnittliche Weg, den ein verdampftes Wolframmolekül zurücklegt, bis es innerhalb der Verdampfungskammer mit einem
Gasmolekül zusammenstößt, durch ein arithmetisches Produkt aus Abstand zwischen Quelle und Substrat mal Druck von mindestens
—3
5 χ IO Torr»cm charakterisiert ist, werden Wolframschichten mit hohem spezifischen Widerstand nur erhalten, wenn zwischen dem verdampften Wolfram und der gasförmigen Abscheidungsatmosphäre vor der Abscheidung der Schicht auf dem Substrat ein oder mehrere Zusammenstöße auftreten. Obgleich die obere Grenze des für die erfindungsgemäße Herstellung von Schichten angewandten Druckbereiches in erster Linie durch die für die Abscheidung verwendete Apparatur begrenzt wird, und beispielsweise eine Elektronenstrahl-Apparatur bei Drucken oberhalb etwa 2 ,u nicht mehr funktioniert, kann eine zu große Zahl von Zusammenstößen zwischen dem verdampften Metall und dem Gas innerhalb der Kammer, beispielsweise von mehr als zehn, zu einem schlechten Zusammenhang und Adhäsion des abgeschiedenen Materials führen.
5 χ IO Torr»cm charakterisiert ist, werden Wolframschichten mit hohem spezifischen Widerstand nur erhalten, wenn zwischen dem verdampften Wolfram und der gasförmigen Abscheidungsatmosphäre vor der Abscheidung der Schicht auf dem Substrat ein oder mehrere Zusammenstöße auftreten. Obgleich die obere Grenze des für die erfindungsgemäße Herstellung von Schichten angewandten Druckbereiches in erster Linie durch die für die Abscheidung verwendete Apparatur begrenzt wird, und beispielsweise eine Elektronenstrahl-Apparatur bei Drucken oberhalb etwa 2 ,u nicht mehr funktioniert, kann eine zu große Zahl von Zusammenstößen zwischen dem verdampften Metall und dem Gas innerhalb der Kammer, beispielsweise von mehr als zehn, zu einem schlechten Zusammenhang und Adhäsion des abgeschiedenen Materials führen.
Obwohl die graphische Darstellung der Fig. 2 die Änderung des
spezifischen Widerstandes mit dem Druck für einen Abstand von Quelle zu Substrat von 35,5 cm zeigt, muß man sich vor Augen
halten, daß extrem hohe gemessene spezifische Widerstände der abgeschiedenen Schicht durch gezielte Reaktion bzw. Kollision
der verdampften metallischen Moleküle der Quelle mit dem Abscheidungsgas innerhalb der Kammer erhalten werden und deshalb
nicht auf die spezifischen Drucke der Fig. 2 beschränkt sind.
Beispielsweise zeigte eine unter einem Stickstoffdruck von
-4
4 χ 10 Torr verdampfte Wolframquelle bei einem Abstand von 70,71 cm zwischen Quelle und Substrat und einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 300 A je Minute auf einem Glassubstrat einen gemessenen spezifischen Widerstand von 545 ,u Ohm·cm (wesentlich oberhalb des spezifischen Massewiderstands von Wolfram) und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von 105 ppm/°C.
4 χ 10 Torr verdampfte Wolframquelle bei einem Abstand von 70,71 cm zwischen Quelle und Substrat und einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 300 A je Minute auf einem Glassubstrat einen gemessenen spezifischen Widerstand von 545 ,u Ohm·cm (wesentlich oberhalb des spezifischen Massewiderstands von Wolfram) und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von 105 ppm/°C.
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- 9 - 193U12
Werden für die Abscheidung verschiedene Abstände zwischen Quelle und Substrat gewählt, so wird der Abscheidungsgasdruck
innerhalb der Kammer geändert, damit die gewünschte Zahl von Zusammenstößen zwischen der verdampften Quelle und dem Abscheidungsgas
gewährleistet und der hohe spezifische Widerstand der Schicht erhalten werden. Da beispielsweise die mittlere
freie Weglänge des Moleküls der verdampften Quelle durch eine
Zunahme des Abseheidungsgasdruckes vermindert wird, wird der
Abstand zwischen Quelle und Substrat verkleinert, um zwischen den Molekülen der verdampften Quelle und der gasförmigen
Atmosphäre vor der Abscheidung auf dem Substrat eine ähnliche Reaktion zu gewährleisten. Aus praktischen Gründen sind jedoch
für die Vakuumverdampfung von Schichten mit hohem spezifischen Widerstand Abstände zwischen Quelle und Substrat zwischen
125 und 9 cm erforderlich. Im allgemeinen erlauben größere
Abstände zwischen Quelle und Substrat einen gleichmäßigeren Überzug auf einer größeren Substratfläche. Die mit den
größeren Abständen zwischen Quelle und Substrat verbundenen niedrigeren Abscheidungsdrucke können die Anwesenheit von
Restgasen, d. h. von anderen Gasen als den Abscheidungsgasen, innerhalb der Abscheidungskammer verstärken, was zu einer
geringfügigen Änderung der Eigenschaften der Widerstandsschichten
führt. Schichten mit höchstem spezifischen Widerstand wurden bei einem Abstand zwischen Quelle und Substrat von mehr
als 20 cm erhalten.
Ungeachtet des Wunsches nach einem relativ hohen Gasdruck während der Wolframabscheidung, damit genügend Zusammenstöße
für die Bildung von Schichten mit hohem spezifischen Widerstand erreicht werden, zeigt die Röntgenstrahlanalyse ausgewählter
erfindungsgemäßer Schichten mit hohem spezifischenWiderstand,
daß die Filme aus beta-Wolfram und nicht aus Wolframnitrid
oder Wolframcarbid bestehen. Es muß deshalb von der Voraus-
die
setzung ausgegangen werden, daß alle/verschiedenartigen gasförmigen Atmosphären, die während der Abscheidung Verwendung
finden, in den abgeschiedenen Schichten eingelagerte Fremdatome hervorrufen, wodurch der spezifische Widerstand in der
abgeschiedenen Schicht im Verhältnis zum spezifischen Masse-
9 O 9 8 8 5 /Ί G 9 8 ο c G;;
widerstand Wolfram erhöht wird, während die reaktionsfähigeren
mit
Gase, wie z. B. Stickstoff und Methan/dem verdampften Wolfram
unter Bildung von Schichten aus ß-Wolfram mit extrem hohem ;
spezifischen Widerstand "chemisch reagieren".
Wie ebenfalls aus der graphischen Darstellung der,Fig. 2 zu
ersehen ist, ändert sich der spezifische Widerstand von Wolfram*-
schichten, die bei einem gegebenen Druck abgeschieden wurden, ;
umgekehrt mit der Substrattemperatur während der Abscheidung, wobei Filme mit höchstem Widerstand auf Substraten bei Raumtemperatur
erhalten werden. Werden Substrattemperaturen oberhalb 455 C angewendet, wird eine herkömmliche Schicht aus
alpha-Wolfram anstelle der beta-Wolframstruktur erhalten, die für Schichten mit extrem hohem spezifischen Widerstand erforderlich
ist. Schichten, die auf Substraten abgeschieden wurden, die dabei auf einer Temperatur von etwa 240° C gehalten
wurden, zeigen sowohl beta- als auch alpha-Wolframeigenschaften*:
Um Schichten mit hohem spezifischen Widerstand zu erhalten, _ -■;■ :;-τ
sollte das Substrat während der Abscheidung auf einer Temperatur
unterhalb mindestens 455 und vorzugsweise unterhalb 240° C gehalten werden. Da die auf ungeheizten Substraten abgeschiedenen
Schichten den höchsten spezifischen Widerstand ergeben und im
allgemeinen keine Steuerung der Substrattemperatur verlangen
und dadurch die Herstellungskosten erniedrigen, wird die Bildung von Schichten auf ungeheizten Substraten bevorzugt. -,-■
Wie sich näher aus Fig. 3 ergibt, können die erfindungsgemäßen .,
Wolframschichten einen spezifischen Widerstand von bis zu etwa 1100 ,u Ohm'cm aufweisen, ehe der Temperaturkoeffizient des T
spezifischen Widerstandes des Filmes - 50 ppm/°C übersteigt
und die Temperatur zwischen 25 und 125°C schwankt. Da außerdem der Temperaturkoeffizient der spezifischen Widerstandskurve
der Fig. 3 relativ flach ist, können Schichten, die ähnliche
Temperaturkoeffizienten des spezifischen Widerstandes auf- ,
weisen, über einen weiten Bereich des spezifischen Widerstandes
erhalten werden, so daß, beispielsweise WiderstandsschichtenfrjiY
die einen Temperaturkoeffizienten des spezifischen Widerstandesinnerhalb
- 25 ppm/°C aufweisen, spezifische Widerstände
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zeigen können, die zwischen etwa 450/U Ohm*cm bis 850>u Ohm*cm
schwanken.
Erfindungsgemäß hergestellte Wolframschichten zeichnen sich
wegen eines im allgemeinen erträglichen Temperaturkoeffizienten
des Widerstandes j"beispielsweise eines Temperaturkoeffizienten
des Widerstandes von weniger als i 200 ppm/ C1 durch einen
extrem hohen Widerstand aus. Wie Fig. 4 zeigt, wurden Wolframschichten, die Widerstände oberhalb 2000 Ohm je 9.29 m aufweisen,
mit einem Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von
weniger als -150 ppm/°C erhalten.
Es wurde gefunden, daß die Abscheidungsgeschwindigkeit bei der Herstellung erfindungsgemäßer Widerstandsschichten nicht sehr
kritisch ist, und daß bei Abscheidungsgeschwindigkeiten
ο
zwischen 50 bis 1000 A je Minute Wolframschichten mit hohem spezifischen Widerstand gebildet werden. Während die Abscheidungsgeschwindigkeit auf die Eigenschaften der gebildeten Schichten eine gewisse Wirkung ausübt, so daß beispielsweise geringere Abscheidungsgeschwindigkeiten, im allgemeinen Schichten mit höherem spezifischen Widerstand, bewirken, ist die Wirkung der Abscheidungsgeschwindigkeit auf die Eigenschaften des Filmes minimal, verglichen mit der Wirkung, die durch Änderungen entweder der Substrattemperatur oder des während der Schichtabscheidung angewandten Druckes hervorgerufen wird.
zwischen 50 bis 1000 A je Minute Wolframschichten mit hohem spezifischen Widerstand gebildet werden. Während die Abscheidungsgeschwindigkeit auf die Eigenschaften der gebildeten Schichten eine gewisse Wirkung ausübt, so daß beispielsweise geringere Abscheidungsgeschwindigkeiten, im allgemeinen Schichten mit höherem spezifischen Widerstand, bewirken, ist die Wirkung der Abscheidungsgeschwindigkeit auf die Eigenschaften des Filmes minimal, verglichen mit der Wirkung, die durch Änderungen entweder der Substrattemperatur oder des während der Schichtabscheidung angewandten Druckes hervorgerufen wird.
Extrem dünne Schichtwiderstände aus Wolfram, wie z. B. Schichten,
2 die einen Widerstand von mehr als 1500 Ohm je 9.29 m
(1500 Ohms per square) aufweisen, zeigen im allgemeinen, wie aus Fig. 5 hervorgeht, unbeständige Alterungseigenschaften.
Werden deshalb Widerstandsschichten aus Wolfram mit hohem Widerstand verlangt, dann ist es zweckmäßig, daß
Schutzüberzüge, wie beispielsweise Siliciummonoxid, auf der
Widerstandsschicht abgeschieden werden, ehe die Atmosphärengase in die Abscheidungskammer 10 eingelassen werden, damit
eine Alterung der Widerstandsschicht verhindert wird. Da extrem dicke Wolframschichten Glassubstrate infolge von
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193 TA. 12
Spannungen, die in der Schicht während der Abscheidung erzeugt werden oder infolge der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
der Schicht und des unterliegenden Substrates zum Brechen bringen können, werden die Widerstands—
schichten, vorzugsweise bis zu einer Dicke von weniger als ο
10 000 A, abgeschieden.
Molybdänschichten zeigen im allgemeinen einen spezifischen Widerstand, der sich abhängig vom Stickstoffabscheidungsdruck,
ähnlich wie beim Wolfram, ändert; beispielsweise erhöht sich der spezifische Widerstand mit zunehmendem Stickstoffdruck,
wie aus der Fig. 6 entnommen werden kann, in der die Änderung des spezifischen Widerstandes, abhängig vom Stickstoffdruck,
ψ für Molybdänabscheidungen gezeigt ist, wobei der Abstand
zwischen Quelle und Substrat etwa 35,5 cm beträgt. Deshalb ist das für die Bildung von Molybdänschichten mit hohem
spezifischen Widerstand erforderliche arithmetische Produkt aus dem Druck des Abseheidungsgases und dem Abstand zwischen
—3 Quelle und Substrat größer als 3,6 χ 10 Torr cm, wobei
Molybdänschichten mit spezifischen Widerständen von mehr als
350/U Ohm*cm nur bei Gasdrucken erhalten werden, die größer als
die mittlere freie Weglänge des dampfförmigen Molybdänmoleküls sind, beispielsweise größer als 0,15,u Stickstoffdruck in der
graphischen Darstellung der Fig. 6.
. Die spezifischen Widerstände der erfindungsgemäß abgeschiedenen
Molybdänschichten ändern sich im allgemeinen umgekehrt mit der während der Abscheidung herrschenden Substrattemperatur, wobei
Molybdänschichten mit relativ hohem spezifischen Widerstand
auf Substraten bei etwa 25°C gebildet werden. Wie Fig. 6 zeigt, nimmt der spezifische Widerstand der abgeschiedenen
Molybdänschichten mit zunehmender Substrattemperatur rasch ab, und es werden Filme mit hohem spezifischen Widerstand nur dann
erhalten, wenn das Substrat während der Abscheidung auf einer Temperatur von weniger als 150°C gehalten wird. Die extreme
Abhängigkeit der Mo-Widerstandseigenschaften von der Substrattemperatur
wurde durch Abscheidung von 3 Molybdänschichtproben unter identischen Bedingungen und nur unter Änderung der
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Substrattemperatur gezeigt. Die bei Raumtemperatur abgeschiedene Molybdänschicht zeigte einen spezifischen Widerstand von etwa
174OyU Ohm*cm, einen Temperaturkoeffizienten des spezifischen
Widerstandes von etwa O ppm/°C, während die Mo-Widerstandsschichten,
die bei Temperaturen von 2Q5°C und 465°G abgeschieden wurden, abnehmende spezifische Widerstände von
425yU Ohm*cm bzw. 27 ,u Ohm·cm aufwiesen.
Wie aus der graphischen Darstellung der Fig. 7 entnommen werden kann nähert sich der Temperaturkoeffizient des spezifischen
Widerstandes der abgeschiedenen Molybdänschichten asymptotisch einer Höhe von etwa weniger als +50 ppm/°C bei N2-Drucken oberhalb 0,6yU, wenn die Temperatur zwischen 25°C und 125°C
schwankt und ein Abstand zwischen Quelle und Substrat von 35,5 cm angewandt wird. Molybdänabscheidungen bei relativ
hohem Druck, beispielsweise bei einem arithmetischen Produkt aus dem Abstand von Quelle zu Substrat und Druck von mehr als
—3
21,3 χ 10 Torr'cm, werden im allgemeinen Filme erzeugt, die einen niedrigen Temperaturkoeffizienten, beispielsweise von weniger als +50 ppm/°C, und einen hohen gemessenen spezifischen Widerstand von beispielsweise mehr als 1000 ,u Ohm·cm für ein nicht erwärmtes Substrat aufweisen. Wie ein Vergleich der Fig. 4 und 8 zeigt, sind durch Molybdänabscheidungen erzeugte Schichten im allgemeinen durch einen etwas niedrigeren Widerstand bei einem gegebenen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes gekennzeichnet als dies bei den auf gleiche Weise erhaltenen Wolframschichten der Fall ist. Zeigen beispielsweise Wolframschichten einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von weniger als -100 ppm/°C bis zu etwa 1100 Ohm je 9.29 m , so zeigen MoIybdänschichten einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von -100 ppm/°C nur bis zu etwa 900 Ohm je 9.29 m2.
21,3 χ 10 Torr'cm, werden im allgemeinen Filme erzeugt, die einen niedrigen Temperaturkoeffizienten, beispielsweise von weniger als +50 ppm/°C, und einen hohen gemessenen spezifischen Widerstand von beispielsweise mehr als 1000 ,u Ohm·cm für ein nicht erwärmtes Substrat aufweisen. Wie ein Vergleich der Fig. 4 und 8 zeigt, sind durch Molybdänabscheidungen erzeugte Schichten im allgemeinen durch einen etwas niedrigeren Widerstand bei einem gegebenen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes gekennzeichnet als dies bei den auf gleiche Weise erhaltenen Wolframschichten der Fall ist. Zeigen beispielsweise Wolframschichten einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von weniger als -100 ppm/°C bis zu etwa 1100 Ohm je 9.29 m , so zeigen MoIybdänschichten einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von -100 ppm/°C nur bis zu etwa 900 Ohm je 9.29 m2.
Die Erfindung wird im folgenden anhand bestimmter Ausführungsbeispiele der Abscheidung von Widerstandsfilmen unter Verwendung
verschiedener Quellen und Abseheidungsgase erläutert.
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Ein mikroskopischer Schliff aus Kronglas wurde zum Zweeke der
Reinigung in detergenshaltigem Wasser gekocht, in kaltem und .,-anschließend
in heißem entionisiertem Wasser abgewaschen, ^ mit Isopropylalkohol abgespült, in Isopropylalkoholdämpfen
getrocknet und anschließend das Substrat in einen Rahmen aus
rostfreiem Stahl gegeben, der sich etwa in 35,5 cm Entfernung
von einer Wolframquelle in einer Verdampfungskammer befand.
Anschließend wurde die Kammer auf einen Druck von etwa
5 χ 10~* Torr evakuiert und anschließend zum Zwecke der
Reinigung der Kammer etwa 10 Minuten lang in die Kammer Stickstoff eingeleitet. Nach dem Ausspülen wurde die Kammerver-
-4
schlossen, der Druck in der Kammer auf 8 χ 10 Torr N2 erhöht und der zur Verdampfung der Wolframquelle verwendete
Elektronenstrahlbeschleuniger mit ausreichend Strom versorgt, um auf dem Glassubstrat eine Abscheidungsgeschwindigkeit von
ο
etwa 275 A je Minute zu erhalten. Die Abscheidung wurde etwa
etwa 275 A je Minute zu erhalten. Die Abscheidung wurde etwa
weitere 320 Sekunden fortgesetzt und ergab eine Widerstands-
schicht, die eine Dicke von etwa 1473 Λ aufwies. Nach Abkühlung der abgeschiedenen Schicht in der Stickstoffatmosphäre
der Abseheidungskammer ergab eine anschließende Messung der ....
Widerstandseigenschaften der abgeschiedenen Schicht unter Verwendung des herkömmlichen "four probe"-Verfahrens, daß der
spezifische Widerstand der Schicht 2290 λχ Ohm'cm betrug, während
eine Änderung der Temperatur der Widerstandsschicht von 25°C ;
auf 125°C ergab, daß der Film einen Temperaturkoeffizienten '
des Widerstandes von -12O pptn/°C aufwies.
Wie in Beispiel 1 wurde ein Substrat aus Kronglas gereinigt ; :
und in einen Halter aus rostfreiem Stahl eingebracht, der sich. :
35,5 cm entfernt von einer Wolframquelle in einer Vakuumkammer, V
befand. Anschließend wurde das Substrat während der Evakuierung der
Kammer auf einen Druck von etwa 5 χ IO Tore auf 295°e vorgewärmt,
worauf die Kammer 15 Minuten lang mit Methan ausgespült wurde, während das Erwärmen des Substrates auf 28OC
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193 H 12
vermindert wurde. Nach dem Spülen und Verschließen der Kammer
-4 wurde der Methandruck innerhalb der Kammer auf 8 χ 10 Torr
eingestellt und der Elektronenstrahlbeschleuniger so mit Energie versorgt', daß das Wolfram in ausreichenden Mengen ver-
o dampfte, um eine Abscheidungsgeschwindigkeit von etwa 360 A
je Minute auf dem Substrat zu erzielen. Das Abscheiden wurde
12 Minuten läng fortgesetzt und ergab auf dem Substrat eine
Widerstandsschicht von etwa 4500 A, wobei das Substrat anschließend
"an die Abscheidung 15 Minuten lang bei 2800C in
der Methanatmosphäre der Kammer gehalten wurde. Nach Abkühlen in der Methanatmosphäre ergab eine anschließende Messung der
Wolframschicht einen spezifischen Widerstand von 386 ,u Ohm*cm
und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von +78 ppm/ C bei Änderung der Temperatur zwischen 25°C und 125°C.
Es wurden Abscheidungsverfahren wie in Beispiel 1 mit der Abänderung angewandt, daß während der Abscheidung innerhalb
der Kammer Ammoniak als gasförmiges Medium verwendet, die Abscheidung während einer Zeitdauer von 220 Sekunden durchgeführt
wurde und eine Schicht von 813 A erhalten wurde.
Anschließende Widerstandsmessungen der Schicht ergaben, daß die Schicht einen gemessenen spezifischen Widerstand von 1028,u
Ohm*cm und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von
-160 ppm/°C aufwies, wenn die Temperatur zwischen 25°C und 125°C geändert wurde.
ο
Eine etwa 893 A dicke Widerstandsschicht wurde in einer Argon-
Eine etwa 893 A dicke Widerstandsschicht wurde in einer Argon-
-4
atmosphäre bei 8 χ 10 Torr unter Bedingungen abgeschieden, die identisch waren mit denen des Beispiels 3. Anschließende Widerstandsmessungen ergaben einen spezifischen Widerstand des Filmes von 1040 ,u Ohm*cm und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von -120 ppm/°C bei Änderung der Temperatur zwischen 25°C und 125°C. ,.i-j-
atmosphäre bei 8 χ 10 Torr unter Bedingungen abgeschieden, die identisch waren mit denen des Beispiels 3. Anschließende Widerstandsmessungen ergaben einen spezifischen Widerstand des Filmes von 1040 ,u Ohm*cm und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von -120 ppm/°C bei Änderung der Temperatur zwischen 25°C und 125°C. ,.i-j-
90988 5/1098
Innerhalb des Substrahthalters einer Verdampfungskammer wurde
ein gereinigtes Glassubstrat gebracht und eine Molybdänquelle innerhalb der Kammer bei einem Abstand von 35,5 cm vom Substrat
angebracht. Nach Evakuierung der Kammer auf einen Druck von etwa 5 χ 1O-" und nach 15 minütigem Spülen der Kammer mit
Stickstoffgas wurde der Druck innerhalb der Kammer auf
-4
8 χ 10 Torr eingestellt. Anschließend wurde der Elektronenstrahlbeschleuniger so mit Strom versorgt, daß während etwa
8 χ 10 Torr eingestellt. Anschließend wurde der Elektronenstrahlbeschleuniger so mit Strom versorgt, daß während etwa
ο 3 Minuten eine Abscheidungsgeschwindigkeit von 265 A je Minute
ο erhalten wurde, und eine Schicht von etwa 789 A Dicke, er-
W halten wurde. Anschließende Messungen der Schichteigenschaften
ergaben, daß die Schicht einen gemessenen spezifischen Widerstand
von 1170/U Ohm·cm und einen Temperaturkoeffizienten des
Widerstandes von -30 ppm/ C aufwies, wenn die Temperatur zwischen
25°C und 125°C geändert wurde.
Innerhalb einer Verdampfungskammer wurde in einem Abstand von
35,5 cm von einem gereinigten Glassubstrat eine Molybdänquelle
—4 angebracht und die Kammer bis zu einem Druck von 8 χ 10
mit Methan gefüllt, nachdem zuerst das Gas abgelassen und etwa 10 Minuten mit Methangas gespült worden war. Nach Inbetriebnahme
des Elektronenstrahlbeschleunigers wurde mit einer Ge-
o
schwindigkeit von etwa 885 A je Minute während 20 Sekunden
schwindigkeit von etwa 885 A je Minute während 20 Sekunden
eine Schicht abgeschieden und auf dem Substrat eine Schicht
von 295 A Dicke erhalten. Anschließende Messungen des Widerstandes
der Schicht ergaben, daß diese einen spezifischen Widerstand von 337 ,u Ohrn'cm und einen Temperaturkoeffizienten
des Widerstandes von +130 ppm/°C aufwies, wenn die Temperatur zwischen 25°C und 125°C geändert wurde. Der Widerstand der
abgeschiedenen Schicht wurde zu etwa 1070 Ohm/9.29 m gemessen.
Dieses Beispiel wurde wie Beispiel 5 mit der Abwandlung durch-
90988H / 1 09 8
geführt, daß innerhalb der Kammer Amtnoniakgas als Atmosphäre
verwendet wurde. Die Molybdänquelle wurde mit einer Geschwindig-
o
keit von 935 A je Minute während 70 Sekunden verdampft und er-
keit von 935 A je Minute während 70 Sekunden verdampft und er-
o
gab eine 1090 A starke Schicht. Anschließende Messungen der
gab eine 1090 A starke Schicht. Anschließende Messungen der
Widerstandseigenschaften der Schicht ergaben einen gemessenen
spezifischen Widerstand von 2580 ,u 0hm*cm, einen Temperaturkoeffizienten
des Widerstandes von -290 ppm/°C bei Änderung der Temperatur zwischen 25 C und 125 C und einen Widerstand
von 23OO Ohm/9.29 m .
90988S/ 109 8
Claims (9)
1.) Verfahren zur Herstellung von Widerstandsschichten mit
hohem spezifischen Widerstand und niedrigen Temperaturkoeffizienten
des Widerstandes, dadurch gekennzeichnet , daß ein dielektrisches Substrat
und eine Materialquelle aus der Gruppe Molybdän und Wolfram in eine Verdampfungskammer eingebracht, die Kammer
evakuiert und ein Abscheidungsgas aus der Gruppe der stickstoffhaltigen, kohlenstoffhaltigen und der inerten
Gase in die Kammer eingeleitet wird, so daß das arithmetische
Produkt aus dem Abstand zwischen Quelle und Substrat und dem Druck mehr als 14 χ 1O~ Torr*cm beträgt, daß mindestens ein
Teil des als Quelle dienenden Materials verdampft und auf dem Substrat eine Widerstandsschicht abgeschieden wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge k e anzeichnet , daß die Quelle Wolfram ist und das
Substrat während des Abscheidens auf einer Temperatur unterhalb
370° C gehalten wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennze
ichnet , daß das Abscheidungsgas aus der Gruppe · Stickstoff, Methan, Ammoniak und Argon gewählt wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Abscheidungsgas Stickstoff
ist, das Substrat nicht erwärmt und die Quelle durch Elektronenbestrahlung verdampft wird.
5. Verfahren nach Anspruch lr dadurch gekennzeichnet
, daß die Quelle aus Molybdän besteht und das Substrat während des Abscheidens auf einer
Temperatur unterhalb 150°C gehalten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch .gekennzeichnet,
daß das Abscheidungsgas Stickstoff ist, das Substrat nicht erwärmt und die Quelle durch Elektronen-
90 9 8 85/1098
_ 19 - 193 H 12
bestrahlung verdampft wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Abscheidungsgas aus der Gruppe
Stickstoff, Ammoniak und Methan auf die Weise in die Kammer eingeleitet wird, daß, bezogen auf den Abstand von Quelle
zu Substrat, ein Druck erzeugt wird, so daß zwischen einem verdampften Molekül der Quelle und einem gasförmigen
Molekül vor der Abscheidung des verdampften Materials aus
der Quelle auf dem Substrat mindestens ein Zusammenstoß stattfindet, daß die Quelle verdampft wird und auf dem
Substrat eine Widerstandsschicht mit einer Stärke von
ο
weniger als IO 000 A abgeschieden wird.
weniger als IO 000 A abgeschieden wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat während des Abscheidens. bei einer Temperatur von weniger als etwa 50° C gehalten
wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, da durch gekennzeichnet
, daß die Quelle Wolfram ist und die Schicht in einer Stickstoffatmosphäre bis zu einer Dicke
abgeschieden wird, die einen Widerstand von weniger als 5 χ 10 Ohm/9.29 m hervorbringt.
10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet:, daß der Abscheidungsgasdruck innerhalb
der Kammer abhängig vom Abstand zwischen Quelle und Substrat so eingestellt wird, daß vor der Abscheidung eine Vielzahl
von Zusammenstößen zwischen einem verdampften Quellenmolekül und einem Gasmolekül stattfinden.
11. Widerstandsschicht, dadurch g e k e η η —
ζ ei c h η e t , daß sie nach einem Verfahren der
Ansprüche 1 bis 10 erhalten wird.
9 0 9 B & S / 1 0 9 8
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691931412 Pending DE1931412A1 (de) | 1968-06-20 | 1969-06-20 | Duennschichtwiderstaende und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4389876A (en) * | 1980-08-26 | 1983-06-28 | Honeywell Inc. | Temperature sensor and detector cell utilizing the same |
DE3609503A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-10-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Heizwiderstandselement und heizwiderstand unter verwendung desselben |
GB2174877B (en) * | 1985-03-23 | 1989-03-15 | Canon Kk | Thermal recording head |
US4783369A (en) * | 1985-03-23 | 1988-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat-generating resistor and heat-generating resistance element using same |
US4845513A (en) * | 1985-03-23 | 1989-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Thermal recording head |
DE3609975A1 (de) * | 1985-03-25 | 1986-10-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Thermoaufzeichnungskopf |
GB2176443B (en) * | 1985-06-10 | 1990-11-14 | Canon Kk | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
EP0337329A3 (de) * | 1988-04-12 | 1990-11-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung dünner Metallfilme durch Aufdampfen |
US6452276B1 (en) | 1998-04-30 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Ultra thin, single phase, diffusion barrier for metal conductors |
US6689976B1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-02-10 | Agilent Technologies, Inc. | Electrically isolated liquid metal micro-switches for integrally shielded microcircuits |
US7078849B2 (en) * | 2001-10-31 | 2006-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal piezoelectric optical latching relay |
US6741767B2 (en) * | 2002-03-28 | 2004-05-25 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectric optical relay |
JP4225081B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2009-02-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法、電子部品及び弾性表面波フィルタ |
US20030194170A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Wong Marvin Glenn | Piezoelectric optical demultiplexing switch |
US6927529B2 (en) | 2002-05-02 | 2005-08-09 | Agilent Technologies, Inc. | Solid slug longitudinal piezoelectric latching relay |
US6750594B2 (en) | 2002-05-02 | 2004-06-15 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US6756551B2 (en) | 2002-05-09 | 2004-06-29 | Agilent Technologies, Inc. | Piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US20040112727A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Wong Marvin Glenn | Laser cut channel plate for a switch |
US6743990B1 (en) | 2002-12-12 | 2004-06-01 | Agilent Technologies, Inc. | Volume adjustment apparatus and method for use |
US6774324B2 (en) | 2002-12-12 | 2004-08-10 | Agilent Technologies, Inc. | Switch and production thereof |
US6787719B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Switch and method for producing the same |
US7022926B2 (en) * | 2002-12-12 | 2006-04-04 | Agilent Technologies, Inc. | Ultrasonically milled channel plate for a switch |
US6855898B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-02-15 | Agilent Technologies, Inc. | Ceramic channel plate for a switch |
US7019235B2 (en) * | 2003-01-13 | 2006-03-28 | Agilent Technologies, Inc. | Photoimaged channel plate for a switch |
US6809277B2 (en) | 2003-01-22 | 2004-10-26 | Agilent Technologies, Inc. | Method for registering a deposited material with channel plate channels, and switch produced using same |
US6747222B1 (en) | 2003-02-04 | 2004-06-08 | Agilent Technologies, Inc. | Feature formation in a nonphotoimagable material and switch incorporating same |
US6825429B2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-30 | Agilent Technologies, Inc. | Hermetic seal and controlled impedance RF connections for a liquid metal micro switch |
US6803842B1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-12 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal mode solid slug optical latching relay |
US6740829B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-05-25 | Agilent Technologies, Inc. | Insertion-type liquid metal latching relay |
US6879089B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Damped longitudinal mode optical latching relay |
US6879088B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Insertion-type liquid metal latching relay array |
US6925223B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | Pressure actuated optical latching relay |
US6870111B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Bending mode liquid metal switch |
US6946776B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for maintaining a liquid metal switch in a ready-to-switch condition |
US7012354B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-03-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US6903493B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Inserting-finger liquid metal relay |
US6876131B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | High-frequency, liquid metal, latching relay with face contact |
US20040201447A1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-14 | Wong Marvin Glenn | Thin-film resistor device |
US6798937B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-09-28 | Agilent Technologies, Inc. | Pressure actuated solid slug optical latching relay |
US6924443B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-08-02 | Agilent Technologies, Inc. | Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch |
US6885133B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-26 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency bending-mode latching relay |
US6765161B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug caterpillar piezoelectric latching reflective optical relay |
US6882088B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-19 | Agilent Technologies, Inc. | Bending-mode latching relay |
US6774325B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-08-10 | Agilent Technologies, Inc. | Reducing oxides on a switching fluid in a fluid-based switch |
US7071432B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Agilent Technologies, Inc. | Reduction of oxides in a fluid-based switch |
US6876132B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric relay |
US6903287B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal optical relay |
US6961487B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-11-01 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
US6768068B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-27 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal switch |
US6831532B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-12-14 | Agilent Technologies, Inc. | Push-mode latching relay |
US6730866B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-05-04 | Agilent Technologies, Inc. | High-frequency, liquid metal, latching relay array |
US6818844B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-11-16 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug assisted pusher-mode piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
US7048519B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-05-23 | Agilent Technologies, Inc. | Closed-loop piezoelectric pump |
US7070908B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Agilent Technologies, Inc. | Feature formation in thick-film inks |
US6891116B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Substrate with liquid electrode |
US6894237B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | Formation of signal paths to increase maximum signal-carrying frequency of a fluid-based switch |
US6900578B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-31 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency latching relay with bending switch bar |
US6946775B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a slug assisted longitudinal piezoelectrically actuated liquid metal optical switch |
US6888977B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-03 | Agilent Technologies, Inc. | Polymeric liquid metal optical switch |
US6906271B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-14 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switch |
US6770827B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-08-03 | Agilent Technologies, Inc. | Electrical isolation of fluid-based switches |
US6903490B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal mode optical latching relay |
US6891315B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Shear mode liquid metal switch |
US6841746B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-01-11 | Agilent Technologies, Inc. | Bent switching fluid cavity |
US6894424B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-05-17 | Agilent Technologies, Inc. | High frequency push-mode latching relay |
US6762378B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-07-13 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal, latching relay with face contact |
US6903492B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-06-07 | Agilent Technologies, Inc. | Wetting finger latching piezoelectric relay |
US6876130B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Damped longitudinal mode latching relay |
US6920259B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal electromagnetic latching optical relay |
US6956990B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-10-18 | Agilent Technologies, Inc. | Reflecting wedge optical wavelength multiplexer/demultiplexer |
US6838959B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-01-04 | Agilent Technologies, Inc. | Longitudinal electromagnetic latching relay |
US6816641B2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-11-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for a solid slug caterpillar piezoelectric optical relay |
US6794591B1 (en) | 2003-04-14 | 2004-09-21 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switches |
US6876133B2 (en) * | 2003-04-14 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Latching relay with switch bar |
US6750413B1 (en) | 2003-04-25 | 2004-06-15 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal micro switches using patterned thick film dielectric as channels and a thin ceramic or glass cover plate |
US6777630B1 (en) | 2003-04-30 | 2004-08-17 | Agilent Technologies, Inc. | Liquid metal micro switches using as channels and heater cavities matching patterned thick film dielectric layers on opposing thin ceramic plates |
US6759610B1 (en) | 2003-06-05 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Multi-layer assembly of stacked LIMMS devices with liquid metal vias |
US6833520B1 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-21 | Agilent Technologies, Inc. | Suspended thin-film resistor |
US6759611B1 (en) | 2003-06-16 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Fluid-based switches and methods for producing the same |
US6781074B1 (en) | 2003-07-30 | 2004-08-24 | Agilent Technologies, Inc. | Preventing corrosion degradation in a fluid-based switch |
US6787720B1 (en) | 2003-07-31 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Gettering agent and method to prevent corrosion in a fluid switch |
JP2007291506A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Canon Inc | 成膜方法 |
EP2113584A1 (de) * | 2008-04-28 | 2009-11-04 | LightLab Sweden AB | Verdampfungssystem |
US9856578B2 (en) * | 2013-09-18 | 2018-01-02 | Solar-Tectic, Llc | Methods of producing large grain or single crystal films |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL283435A (de) * | 1961-10-03 | |||
US3140460A (en) * | 1961-10-16 | 1964-07-07 | Space Age Materials Corp | Tungsten resistance elements |
US3258413A (en) * | 1961-12-20 | 1966-06-28 | Bell Telephone Labor Inc | Method for the fabrication of tantalum film resistors |
-
1968
- 1968-06-20 US US738563A patent/US3639165A/en not_active Expired - Lifetime
-
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US3639165A (en) | 1972-02-01 |
NL6909530A (de) | 1969-12-23 |
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