DE2215151C3 - Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus TantalInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal in der «-Phase
(kubisch raumzentriertes Gitter) durch Kathodenzerstäubung auf ein bei Temperaturen oberhalb 3000C
ausgeheiztes Substrat aus Glas, wobei die Zerstäubungsatmosphäre sehr geringe Anteile von reaktiven
Fremdgasen enthält
Ein solches Verfahren ist bereits vorgeschlagen worden (DE-OS 21 10 987). Zur Herstellung von dünnen
hochreinen und niederohmigen Schichten aus Tantal in der «-Phase wird dort ein Substrat, dessen Oberfläche
frei ist von absorbierten Fremdatomen, in einer Kathodenzerstäubungsvorrichtung mit Ringentladungsplasma
bestäubt. Durch geeignete Wahl der Zerstäubungsparameter können dabei Schichten für Widerstände,
Leiterbahnen und Kondensatoren erzeugt werden. Wird durch thermische und anodische Oxidation das
Tantalmetall in nichtleitenden Tantaloxid übergeführt, so ist es als Schutzschicht gegen atmosphärische
Einwirkungen und als Kondensatordielektrikum geeignet
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, zusätzlich zu dem bereits vorgeschlagenen und mit einer
Kathodenzerstäubungsvorrichtung mit Ringentladungsplasma arbeitenden Verfahren ein weiteres Verfahren
zu schaffen, das wahlweise gleichfalls zur Herstellung derartiger reiner und niederohmiger Tantalschichten
auf isolierenden Substraten für Dünnfilmschaltkreise geeignet ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß
dadurch gelöst, daß in einer Kathodenzerstäubungsvorrichtung mit Hochfrequenzentladung gearbeitet wird.
Die Abscheidung von hochreinem «-Tantal mit Hilfe der Hochfrequenzzerstäubung war bisher noch nie
beobachtet worden. Da Kathodenzerstäubungsvorrichtungen mit Hochfrequenzentladung die auf dem Markt
üblich erhältlichen Vorrichtungen sind, bietet die Möglichkeit, wahlweise auf diese ausweichen zu können,
erhebliche Vorteile. Zudem kann, was fertigungstechnisch und hinsichtlich Zerstäubungsanfälligkeit bedeutend
ist, das Gehäuse dieser Vorrichtungen aus Metall hergestellt werden. Im Unterschied hierzu bedarf es bei
der mit Ringentladungsplasma arbeitenden Vorrichtung eines Glasbehälters.
Vorzugsweise wird vor Beginn der Schichtabscheidung eine Vorzerstäubung vorgenommen. Damit
erreicht man eine Säuberung der Tantal-Kathode. Außerdem wird dabei durch die bekannte Getterwirkung
von Tantal die Zerstäubungsatmosphäre zusätzlich von reaktiven Fremdgasen gereinigt
Vorzugsweise werden die Tantalschichten auf ein oberflächlich mit Ta2O5 bedecktes Substrat abgeschieden.
Die Oberfläche dieser Ta2O5-Schicht läßt sich
leichter von unerwünschten absorbierten Fremdatomen reinigen, die das Entstehen der hochreinen «-Phase
behindern.
Zur Verstärkung des Zerstäubungsplasmas wird
vorzugsweise in dem Bereich zwischen Anode und
is Kathode ein axiales magnetisches Gleichfeld erzeugt
Dieses magnetische Gleichfeld bewirkt daß die Elektronen und Ionen auf ihrem Weg von Anode zur
Kathode auf schraubenlinienförmigen Bahnen kufen, wodurch die Zahl der ionisierten Gasatome erhöht wird.
Anhand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden.
F i g. 1 zeigt eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung 1, die zur Durchführung des beschriebenen Verfahrens
geeignet ist Man erkennt eine Vakuumglocke 2 aus unmagnetischem Material, die auf einer Grundplatte 3
sitzt In der Grundplatte 3 ist eine öffnung 4 zum Anschluß einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt). Man
erkennt weiterhin ein Ventil 5 für den Einlaß des Zerstäubungsgases, z. B. Argon und ein zweites Ventil 6
zum Einlaß reaktiver Gase. Die Magnetspule 7 wird an eine (nicht dargestellte) Gleichstromquelle angeschlossen
und erzeugt ein axial gerichtetes magnetisches Gleichfeld, wodurch das Zerstäubungsplasma verstärkt
wird. Im Inneren der Vorrichtung 1 ist eine Heizvorrichtung 8 vorgesehen, die zur intensiven Ausheizung der zu
bestäubenden Substrate 9 dient die an der Grundelektrode 10 befestigt sind. Vor den Substraten befindet sich
eine bewegliche Blende 11, die während der Vorzerstäubung
die Abscheidung des Tantalmaterials auf dem Substrat verhindert. Ein Target 12 aus hochreinem
Tantal ist gegenüber dem Substrat 9 angeordnet. An seiner dem Substrat 9 abgewendeten Seite ist eine
Abschirmung 13 vorgesehen. Die hochfrequente Zerstäubungsspannung wird über die Leitung 14 zugeführt.
Zur Durchführung des Verfahrens mit einer in F i g. 1 dargestellten Zerstäubungsvorrichtung verwendet man
mit Vorteil Argon mit einer Reinheit von 99,999% und einem Druck von 1,5 · 10~3 Torr. Der Abstand zwischen
Target und Substrat beträgt ca. 4 cm, die Spannung etwa 2,5 kV bei 27 MHz und der Strom ca. 0,6 A. Sehr wichtig
ist die Reinigung der verwendeten Glassubstrate. Nach einer Reinigung im Ultraschallbad, Kochen in H2O2 und
Waschen in deionisiertem Wasser werden sie in der Vakuumvorrichtung bei Temperaturen oberhalb 3000C
ausgeheizt. Nach einer halbstündigen Vorzerstäubung wird die Blende geöffnet und Schichten von 100 bis
400 nm Dicke bei einer Rate von ungefähr 14 nm/Minute abgeschieden.
F i g. 2 zeigt den spezifischen Widerstand 9 der nach dem beschriebenen Verfahren hergestellten Tantalschichten
in Abhängigkeit vom Stickstoff-Partialdruck Pn 2- Man erkennt, daß mit abnehmendem Stickstoffdruck
zunächst TaN, Ta2N und schließlich «-Tantal gebildet wird. Dieses «-Tantal ist jedoch noch relativ
stark mit Fremdgasen verunreinigt. Mit weiter abnehmendem Stickstoffgehalt der Zerstäubungsatmosphäre
wird ^-Tantal abgeschieden, das sich durch ein tetragonales Gitter auszeichnet. Der spezifische Wider-
stand ρ des j3-Tantals liegt bei ΙβΟμΩαη. Bei noch
weitergehender Verringerung des Fremdgasgehalts in der Zerstäubungsatmosphäre spaltet sich die experimentelle Kurve auf in die Äste a und b. Die Kurve b
erhält man, wenn man die Substrate nicht bei Temperaturen oberhalb 3000C ausheizt; es wird
weiterhin ß-Tantal abgeschieden. Difc Kurve a erhält
man bei Durchführung des beschriebenen Verfahrens. Bei einem Partialdruck der reaktiven Fremdgase von
weniger als 10~6 Torr erhält man auf sorgiältig
ausgeheizten Substraten eine hochreine «-Modifikation des Tantal, die hier als «'-Tantal bezeichnet ist Der
spezifische Widerstand des «'-Tantal beträgt 20 bis
25 μΩ cm, während die bisher bekannten, durch
Kathodenzerstäubung hergestellten a-Tantal-Schichten
einen spezifischen Widerstand von 50 μΩ cm aufweisen. F i g. 3 zeigt die Abhängigkeit des Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes TCr in Abhängigheit vom Stickstoff-Partialdruck Pn 2- Auch hier
spaltet sich die experimentelle Kurve in die Äste a und b auf. Das nach dem beschriebenen Verfahren hergestellte α'-Tantal besitzt einen TCr von ca. +1500 ppm/" C,
während man auf nicht ausgeheizten Substraten Schichten in der ^-Modifikation mit einem Temperaturkoeffizienten zwischen —150 und -200 ppm/" C
erhält
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal in der «-Phase (kubisch raumzentriertes
Gitter) durch Kathodenzerstäubung auf ein bei Temperaturen oberhalb 3000C ausgeheiztes Substrat
(9) aus Glas, wobei die Zerstäubungsatmosphäre sehr geringe Anteile von reaktiven Fremdgasen
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Kathodenzerstäubungsvorrichtung (1) mit
Hochfrequenzentladung gearbeitet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor Beginn der Schichtabscheidung
eine Vorzerstäubung vorgenommen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung der Schicht auf ein
oberflächlich mit Ta2Os bedecktes Substrat erfolgt
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Anode und Kathode ein
axiales magnetisches Gleichfeld erzeugt wird.
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