DE2019091A1

DE2019091A1 - Verfahren zur Herstellung stabiler Duennfilmwiderstaende

Info

Publication number: DE2019091A1
Application number: DE19702019091
Authority: DE
Inventors: Emanuel Stern
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1969-05-08
Filing date: 1970-04-21
Publication date: 1970-11-12
Also published as: FR2046205A5; GB1255757A; US3591479A

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Gesellschaft mbH

Böblingen, 10. April 1970 ru-sk

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.T. 10504

Amtl. Aktenzeichen: Neuanmeldung

Aktenzeichen d. Anmelderin: Docket YO 968 079

Verfahren zur Herstellung stabiler Dflnnfilmwiderstände

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für stabile Dünnfilmwiderstände, die bei thermischer und elektrischer Belastung stabil sind, mit Hilfe der Kathodenzerstäubung.

Zur Herstellung von Schichten aus hochschmelzendem Material, insbesondere Legierungen, deren Bestandteile verschiedenen Dampfdruck besitzen, auf geeigneten Unterlagen, ist es üblich, die sogenannte Kathodenzerstäubung anzuwenden. Man benützt hierzu eine Kathode aus dem aufzustäubenden Metall und eine gegenüber der Kathode auf positivem Potential befindliche Anode auf der der zu bestäubende Auffänger angeordnet ist.

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Ua eine gleichmäßige Zerstäubung bei großflächigen Grundplatten zu erreichen, wird in der deutschen Offenlegungsschrift 1 HHO 666 vorgeschlagen, zwischen die Kathode und dem bestäubenden Auffänger in einer Entfernung von mehreren freien Weglängen vom Auffänger ein Gitter anzuordnen, das gegenüber der Kathode ein positives Potential aufweist. Außerdem ist es bekannt, bei der Kathodenzerstäubung in einer Schutzgasatmosphäre zu arbeiten oder bestimmte Gase während der Kathodenzerstäubung zuzuführen, um die mechanische Festigkeit der aufzusprühenden Schicht zu erhöhen.

Ein wesentlicher Nachteil dieses bekannten Verfahrens besteht darin, daß es nicht für die Herstellung von Dünnfilmwiderständen geeignet ist, die bei hoher thermischer und elektrischer Belastung eine große Stabilität aufweisen müssen.

Außerdem ist es durch die österreichische Patentschrift 120 bekannt geworden, beim Elektrodenzerstäuben im Vakuum hitzeempfindliehe zu bedampfende Materialien zu kühlen. Die Kühlung erfolgt nach dieser Patentschrift indem zwischen den beiden Elektroden im Vakuumgefäß ein innen hohler Kühlkörper angeordnet ist, dem das Kühlmittel von außen zugeführt wird. Der zu besprühende Gegenstand wird mit der Rückseite im innigen Kontakt über die gekühlte Unterlage geführt. Damit dient die Kühlvorrichtung sowohl zur Führung als auch zur Kühlung. Obwohl diese Kühlung für diese Zwecke ausreicht, um gewünschte Eigenschaften

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in den niedergeschlagenen Schichten zu erreichen, ist jedoch ein derartiges Kühlsystem nicht geeignet, die Herstellung von temperatur- und belastungsstabilen Wiederetfinden zu ermöglichen.

Des weiteren ist in der US-Patentschrift 3 400 066 ein Verfahren sum Niederschlagen eines Dünnfilmwiderstandes mit Hilfe der Kathodenzerstäubung bekannt geworden, indem angegeben wird, daß zur Vermeidung von Schfiden durch anwesenden Sauerstoff ein Edelmetall wie Gold oder Silber in der Verbindung des niedergeschlagenen Metalls vorhanden sein sollte, um einen Einschluß von Sauerstoff zu vermeiden, weil insbesondere der Sauerstoff sich schädlich auf die Stabilität des Widerstands auswirkt.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmwiderstfinden zu schaffen, die insbesondere bei thermischer und elektrischer hoher Belastung stabil sind. f

Die erfindungsgemäfte Lösung der Aufgabe besteht darin, daß das Niederschlagen des Metalls bzw. der Netall-Legierung auf ein Substrat in einer Atmosphäre aus einer Mischung von Argon und Sauerstoff erfolgt, wobei während des Sprühprozesseβ an das Substrat eine negative Gleichspannung angelegt wird.

Der wesentliche Portschritt der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß die in der oben genannten US-Patentschrift aufge-

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stellte These, daß der Sauerstoff die Stabilität des Widerstands negativ beeinflußt* wiederlegt worden ist. Außerdem sind für die Herstellung nach dem vorliegenden erfindungsgemäßen Verfahren keine Beimengungen an Edelmetallen mehr erforderlich, um den Sauerstoffeinschluß zu verhindern.

Die Erfindung wird im folgenden anhand.von Ausführungsbeispielen und zugehörigen Zeichnungen näher erklärt.

Es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Kathodenzerstäubungsvorrichtungj

Fig. 2 in einer Kurve die Widerstandsänderung über der

Zeit bei Dünnfilmwiderständen, die in einer Atmosphäre von Argon allein und in einer Atmosphäre hergestellt sind, die Argon und Sauerstoff enthält, wobei jedoch beim Sprühen keine Oleichstrom-Vorspannung an das Substrat angelegt ist;

Fig. 3 in einer Kurve die Widerstandsänderung über der

Zeit eines Dünnfilmwiderstandee, der genauso hergestellt wurde, wie im Zusammenhang mit Fig. 2 beschrieben, jedoch wurde hier eine Gleichstromvorspannung an das Substrat angelegt. 0098A6/ 1 594

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In Fig.1 ist ein Gleichstrom-Kathodenzerstäubungsgerät mit zwei Kathoden gezeigt, welches eine Sprühkammer 1 mit einem zylindrischen Teil 3 umfaßt, das in entsprechenden Vertiefungen in den unteren und oberen Platten 5 und 7 gelagert ist. Das zylindrische Teil 3 und die Platten 5 und 7 begrenzen bei Verbindung miteinander eine hohe Vakuumkammer, die Drücke in der

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Größenordnung von 10 Torr oder darüber aufrechterhält. Das zylindrische Teil 3 sowie die Platten 5 und 7 sind aus einem metallischen Material hergestellt und werden auf Erdpotential gehalten, um beim Sprühverfahren als Anode zu dienen.

Eine erste Elektrode 9 ist unterhalb der oberen Platte 7 in einer Abschirmung 15 durch einen leitenden Stab 15 gelagert. Eine zweite Elektrode 11 ist oberhalb der Unterplatte 5 in einer Abschirmung 13' durch den leitenden Stab 15' gelagert. Die beiden Stäbe 15 und 15' laufen durch Unterdruckdiehtungen in der oberen Platte 7 bzw. in der unteren Platte 5· Die ebenen Flächen der Elektroden 9 und 11 liegen in parallelen Ebenen. Die Elektroden 9 und 11 lind entsprechend an Hochspannungsquellen 17 bzw. 17* angeschlossen, welche -1000 bis 5000 V liefern, und zwar über die Widerstände I9 und 19* sowie die Leitungen¹21 und 21', die an die Stäbe 15 und 15' anger schlössen sind.

Wie nachfolgend genauer beschrieben, dienen die Präaiiionswidierstände 19 und 19'dazu, die Ionenladung (I_n) an den

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Elektroden 9 bzw. 11 zu überwachen« die eine Anzeige für die Dicke des Niederschlags t während des Sprühprozesses liefern.

Die Elektrode 9 besteht aus einem bestirnten Material, aus dem der DUnnfllmwiderstand zu bilden ist. Im beschriebenen Verfahren ist die Elektrode 9 aus einer Nickel-Chrom-Legierung im Verhältnis 80:2Q gebildet, die Elektrode 11 aua einem geeigneten Kontaktmetall, wie z.B. Aluminium, ^üold usw., welches als Schutzschicht auf der dünnen Nickel-Chrom-Schicht niedergeschlagen wird, ohne daß der Unterdruck in der Kammer 1 unterbrochen wird. Eine derartige Schutzschicht verhindert die Oxydation und ermöglicht so ein Ätzen der dünnen Nicke1-Chrom-Legierungsschioht. Während hier eine Nickel-Chrom-Legierung im Verhältnis 8θ:2θ beschrieben wird, können natürlich auch andere Legierungsmaterialien auf ähnliche Welse verwendet werden, w»^ z.B. eine Niokel-Chrom-Legierung im Verhältnis 76:18 mit geringen Prozentsätzen an Silicium und Aluminium oder eine 74:16 Nicke1-Chrom-Legterung mit geringen Prozentsätzen von Bisen und Silicium (Karma) sowie Kupfer-Nickel-Legierungen (Manganin)·

Die aus leitendem Material bestehende drehbare rechteckige Platte 23 1st swlsohen den Elektroden 9 und 11 angeordnet und bestimmte Flächen dieser Platte sind für die Aufnahme und elektrisch· Verbindung von Substraten 2$ geeignet, auf welchen ein 911« aus einer Wickel-Chrom-Legierung niedergeschlagen werden soll·

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Die Substrate 25 wiederum «erden gegenüber den Elektroden 9 und 11 in einem solchen Abstand gehalten, daft eine Glühentladung stattfinden kann. Die blanke Oberfläche 27 der Platte tragt ein Substrat nicht, sondern wird während dee Versprühen« der Elektroden 9 und 11 dasu benutzt, Verunreinigungen der Oberflächen, wie s. B. Oxidschichten, zu entfernen und das ganze System vor des eigentlichen Niederschlag ins Oleichgewicht su bringen» Die Oberfläche der Substrate 25« die nicht den Elektroden 9 und 11 gegenüberstehen, wird durch ringförmige Verschlusslamente 29 und 29* geschüttt, die aus leitendem Material bestehen. Die Innenkanten der Verschlufielemente 29 und 29* sind in Vertiefungen gelagert, die in Offnungen der Platte 23 eingeschnitten sind. Die Außenkanten der Verschlußelemente 29 und 29* haben einen geringen Abstand von der Innenfläche des Zylinders 3 und begrenzen verschiedene Sprühkammern. Die Yerschlumelemente 29 bsw. 29' sind über Leitungen 31 und 31'· die durch ünterdruckdichtungen im Zylinder 3 laufen, mit negativen.Stromquellen 33 bsw. 33' verbunden und werden so sur Torspannung der Substrate benutzt. Wenn die Versehlu*- elemente 29 und 29* die Struktur 23 berühren, werden die Substrate 25 mit -70 bis etwa -250 Y vorgespannt. Während des Miederschlages sind nur die den Elektroden 9 oder 11 gegenüberliegenden Substrate 25 tos Sprühmaterial ausgesetzt, wogegen die übrigen Substrate 25 geschützt sind. Die Yerschluftelemente 29 und 29' sind vertikal beweglich, wie es durch die Pfeile angezeigt ist, und gestatten so eine Drehung der Platte 23 um ^¹" "'^:l '"'['" t''' 009846/ 1594

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die Welle 35 und die aufeinanderfolgende Einstellung der Substrate 25 gegenüber den Elektroden 9 und 11,

Das Innere der Kammer 1 ist über eine mit einem Ventil ausgerüstete Leitung 37 mit einer Hochleistungs-Unterdruckpumpe (nicht dargestellt) verbunden, die die Drücke in der Kammer

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| auf beispielsweise 10 Torr oder noch weniger reduzieren kann.

Außerdem ist das Innere der Kammer 1 über eine Ventilleitung mit einer Gasquelle, wie 2«B. einer Argonquelle und über eine Ventilleitung 41 mit einer Sauerstoffquelle verbunden. Beim Niederschlag wird der Teilöruok des Sauerstoffs auf einer vorbestimmten Höhe gehalten, d.h. das Verhältnis des Sauerstoffdruokes und der Sprühatmosphäre wird ganz genau vor dem Niederschlag festgelegt und während des Niederschlages konstant gehalten. Das System ist auf ein bestimmtes Verhältnis von Sprühgas, wie z.B„ Argon und Sauerstoff in der Kammer 1 geeicht. Wenn das in Fig.1 gezeigte System auf ein bestimmtes Verhältnis geeicht ist, liefert die Gesamtionenladung 4 an einer Elektrode 9 odei» 11 eine direkte Anzeige des Sprühergebnisses pro Aufschlag und Ion und somit der Dicke t des Elektrodenmaterials oder des auf einem der- Elektrode gegenüberstehenden Substrat £5 kondensierten Niederschlagsstoffes. Um das Verhältnis Sauerstoffs Argon au überwachen, ist über eine Ventilleitung #5 ®in Massespektrometer 43 mit der Kammer- 1 verbunden. Nach dem anschließend beschriebenen Vorsprühen und der Einführung des Sprühgases, d.h. des Argons über die Ventilleitung 39 wird

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das Verhältnis Sauerstoff:Argon in der Kammer 1 genau gemessen und die Ventilleitung 41 so geregelt« daß das vorbestimmte Verhältnis erreicht wird« auf weIohea das System geeicht ist* Während des Niederschlages wird der Teildruck des Sauerstoffs in Kammer 1 nicht verändert und somit das Verhältnis von Sauer· stoff:Argon aufrechterhalten. Dementsprechend ist der Anteil der Sauerstoffionen an der Ionenladung I_Q der Elektroden 9 und 11 und damit auch das Sprühergebnis pro auftreffendes Ion bekannt.

—8 Der Druck in der Kammer wird zuerst auf 5 x 10" Torr oder darunter reduziert, um die Einflüsse von aktiven Restgasen so klein wie möglich zu halten, so daß eine niedergeschlagene metallische Schicht einen gesamten spezifischen Widerstand aufweist, der im wesentlichen gleich dem des die Elektrode bildenden Legierungsmaterials 1st.

Dieses Sprühverfahren ist ähnlich dem Verfahren, welches νοη L. Maissei u.a., in "Thin Film Deposited by Biae Sputtering¹*, Journal of Applied Physics, Vol.36, No.1, January I965, beschrieben ist, wo die Gleichstrom-Vorspannung am Substrat während des Niederschiagens angelegt wird. Die Vorspannung des Substrates während des Niederschlagens unterwirft das Substrat 25 gegenüber der Elektrode 9 einer niedrigen Energiebeaufschlagung duroh positive Ionen, wodurch absorbierte Verunreinigungen verdrängt und reinere Filme erzeugt werden. Bei bisher üblichen Verfahren neigen die auf der Elektrode 9

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• *

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und anderweitig in der Kammer 1 entstehenden .Verunreinigungen dazu, den gesamten spezifischen Widerstand eines niedergeschlagenen metallischen DUnnfilms zu erhöhen· Da die Qualität der Verunreinigungen sich unkontrolliert änderte« wurde der spezifische Widerstand des niedergeschlagenen Dünnfllme nicht wiedergegeben· Der gesamte spezifische Widerstand ist der ideale spezifische Widerstand eines reinen Metalls oder einer Lösung in einem Legierungsmaterial und der spezifische Rest-Widerstand der durch die Anwesenheit von Verunreinigungen oder Lösungen in einem Legierungsmaterial hervorgerufen wird· Im Falle von reinen Metallen ist der gesamte spezifische Widerstand ungefähr gleich dem idealen Widerstand. Somit reduziert sich der Restwiderstand im Idealfall auf O. Da der ideale spezifische Widerstand dtark temperaturabhängig 1st« zeigen DUnnfilm-WiderStandselemente, die aus reinen Metallen gebildet sind, einen hohen Temperatur-»Wider Standskoeffizienten, der ihre praktische Anwendung ausschließt. PUr integrierte Hochgeschwindigkeit «schaltungen liegt der Temperatur-Widerstandskoeffizient eines DUnnfilra-Widerstandselementes vorzugsweise unterhalb von 100 p.p.m/°C, wodurch die Änderung des Gesamt» Widerstandes unterhalb 1# über einen Temperaturbereich zwischen 0 und 100° C beträgt. Da der Restwiderstand nicht temperaturabhängig 1st, werden aus Legierungsmaterialien hergestellte DUnnfilm-Widerstandeelanente bevorzugt, da sie einen niedrigeren Temperatur-Koeffizienten aufweisen, der im wesentlichen konstant ist und einen reproduzierbaren Qesamtwiderstand in metallischen

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Dünnfilmen ergibt, die aus Legierungsmaterial hergestellt sind. Die Zusammensetzung solcher Filme« d.h. der Grad der Verunreinigung« muß genau gesteuert werden.

Außer der Erzeugung eines reproduzierbaren GesamtwiderStandes bei metallischen Dünnfilmen müssen diese Filme noch gegen thermische und elektrische Belastung stabil sein· Die Stabilität wird als das Verhältnis Δ R:R ausgedrückt. Wenn DÜnnfilmwlderstände in einer Argonatmosphäre aufgesprüht werden, ohne daß das Substrat mit Gleichstrom vorgespannt wird, und dann bei einer Temperatur von 200° C In Luft gelagert werden, erhöht sich der Widerstand der Einheiten kontinuierlich mit der Zeit, wie aus FIg.2 zu ersehen 1st. Wenn diese Dünnfilmwiderstände andererseits in einer Atmosphäre aus Argon und etwa 5$ Sauerstoff aufgesprüht und unter ähnlichen Bedingungen gelagert werden, erreicht der Widerstand eine bestimmte Höhe und fällt dann In relativ kurzer Zelt ab, wodurch die Verbesserung der Widerstandsstabilität gezeigt ist. In Flg.5 ist gezeigt, wie Dünnfilmwiderstände wieder In einer Atmosphäre aus reinem Argon und in einer Atmosphäre von Argon und 5p Sauerstoff erzeugt werden. , Bei beiden wird jedoch eine Gleichstrom-Vorspannung von etwa -I50V während des Aufwachsens des Films angelegt· Aus der vorliegenden Erfindung Ist zu ersehen, daß der spezifische Widerstand der Widerstände beträchtlich unter dem in Fig.2 gezeigten Widerstand liegt, wo die Widerstände ohne Vorspannung erzeugt wurden. Es ist wiederum zu sehen, daß das Verhältnis ^RsR der

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in einer Atmosphäre aus Argon und 5/ί Sauerstoff erzeugten Widerstände eine bestimmte Höhe erreicht und dann in einer relativ kurzen Zeit abfällt und eine Konstanz in einer ebenfalls kurzen Zeit erreicht bei Lagerung unter einer Temperatur von 200° C in Luft.

Auf der anderen Seite erreichen die in einer reinen Argonatmosphäre erzeugten Widerstände keine bestimmte Höhe, sondern AR:R (siehe Fig.2 und 3) steigt kontinuierlich an. Der Niederschlag eines Dünnfilmwiderstandes unter anwesenheit von Sauerstoff zur Erzielung einer Stabilität widerspricht den bisher bekannten Thesen. Wie z.B. in der o.a. Patentschrift von L.I. Maissei gezeigt wird, ist die Anwesenheit von Sauerstoff schädlich für die Stabilität des Widerstandes. Um die Schaden des Sauerstoffes zu beseitigen, gibt der Autor an, daß ein Edelmetall wie Gold oder Silber in der Verbindung des niedergeschlagenen Metalles vorhanden sein sollte, um einen Einschuß von Sauerstoff zu vermeiden.

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der metallische Dünnfilm genauso niedergeschlagen wird wie der Film auf der Elektrode 9; eine Gleichstrom-Vorspannung einmal am Substrat, auf dem der Metallfilm niedergeschlagen werden soll, und zum anderen an den Metallfilm angelegt wird, um absorbierte Verunreinigungen zu verdräigen und dadurch reinere Filme zu erzeugen; eine Sprühatmosphäre aus Argon mit einem Teildruck von etwa \-j> - 10# Sauerstoff geschaffen wird, um eine Filmstabilität ohne nachträgliche stabilisierende Wärmebehandlung nach dem Niederschlag und/oder sorgfältige Passivierung zur Erreichung eines gewissen Stabilitätsgrades zu erzielen.

Bei der praktischen Durchführung der vorliegenden Erfindung werden Substrate 2$ in die Kammer 1 gesetzt. Die Substrate 2$ können aus thermisch oxydierten Siliziumplättchen bestehen. Diese Plättchen werden mit Ultraschall in einer Reinigungslösung aus Kaliumdichromat gereinigt. Am Umfang des Substrates wird ein Metallring oder eine Metallkante durch Sprühen oder Verdampfen eines Metalles oder einer metallischen Legierung, wie Molybdän, Nickel, Chrom usw., aufgebracht, um sicherzustellen, daß sie die an das Substrat angelegte Gleichspannung auf der Oberfläche des wachsenden Filmes findet. Die Substrate 25 werden in die Sprühkaramer 1 durch Federklemmen geladen, die so angeordnet sind, daß die Substrate in der Nähe der Metallkante so gehalten werden, daß bei Anlegen der Vorspannung diese auch an den wachsenden Film angelegt wird. Die Kammer 1 wird über die Ventilleitung yj unter einen niedrigeren Unterdruck, als^ 5.,* 10-8 Torr gesetzt. Während der Evakuierung der

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Kaminer 1 erfolgt der Gasentzug durch Erregen einer Heizspule t>3 und dadurch Anheben der Temperatur der Platte 23 und des Substrates 25 auf über 200° C. Wenn der Gasentzug und der endfültige Systeradruck erreicht sind, werden die Substrate 25 auf einer vorbestimmten Temperatur, z.B. 150° C, gehalten und die Kammer 1 über die Ventilleitung 37 abgedichtet. Um die Kammer sauberzuhalten, wird dauernd eine nicht dargestellte Titan-Sublimationspumpe verwendet.

Ein ausreichender partieller Druck des hochgradig reinen Argons, welches mit einer vorbestimmten Menge Sauerstoff, Z₀B. 5$, vermischt ist, wird über die Ventilleitung 39 in die Kammer 1 eingeführt, um eine Glühentladung von s.B. 20 - 40 micron aufrechtzuerhalten. Die Substrate 25 sind durch anlegen eines Kathodenpotentials von den Spannungsquellen 17 und 17' an die Elektroden 9 und 11 vorgesprüht. Das Kathodenpotential beträgt etwa 200 /, der Strom 100 mA. Der Druck in der Kasuar 1 liegt zwischen 20 und 40 micron und eine Vorspannung -worn -100 V wird an die Sub» sfcrate 25 angelegt und das Vorsprühera. etwa 30 Minuten lang fortgesetst· Die'blanken Oberfläche» 27 der Platten 23 werden vor öle Elektrode 9 gestellt und die YerschluSeIement3 29 und 29' zurückgeführt* um die 'Stromquelle 33 anzuschließen, wodyr©Ii öle Platte 23 susaissaea mit den Substraten 25 mit -I80 bis =15'®? r gespannt. u@rd®a₀ iiemi &<sr Schalter 5I betätigt wird, fistelet

sfeafefe Wifi file Elektrode 9 wird einer energie-Ionen ausgesetzt« Bi-.-; Aisßsnteile

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der Elektrode 9 werden etwa JO - 60 Minuten lang besprüht. Diese Zeit reicht aus, um ein Gleichgewicht der Anlage herzustellen, wodurch dünne Metallfilme 47 zuverlässig die Zusammensetzung des Elektrodenmaterials wiedergeben. Während dieser Zeit sind die Substrate 25 durch die Verschlußelemente 29 und 29' vor dem von der Elektrode 9 versprühten Material geschützt.

Wenn die Elektrodenstruktur vorbereitet worden ist, wird die GlUhentladung durch öffnen des Schalters 51 unterbrochen und die Verschlußelemente 29 und 29* werden so verschoben, daß sich die Platte 2JJ durch eine nicht dargestellte äußere Einrichtung der Kammer 1 drehen kann und die Substrate 25 vor die Elektrode 9 gesetzt werden. Wenn die Substrate 25 vorbereitet sind, wird wieder durch Schließen des Schalters 51 eine Glühentladung vorgenommen und. die Elektrodenstruktur 9 vorgespannt. Zu diesem Zeltpunkt wird das versprühte Elektrodenmaterial auf der Oberfläche der Substrate 25 als metallischer Film 47 niedergeschlagen. Wenn der Durchmesser der Elektrode9 relativ zu dem der Substrate 25 groß ist, z.B. 15 cm : 7*5 cm, undder Abstand dazwischen klein ist, z.B. 3,7 cm, liegt die Gleichförmigfeeit. der niedergeschlagenen Dicke in der Größenordnung von t 1^_e Das Evakuieren eier Kammer 1 sowie die Vorspannung des 8\ib&\~νν>.Ρ·-.ι: und die Temperatursteuerung am Anfang des Prozesses ei^efcsn einen dünnen metallischen Fil.n η7, der einen spezifisch.«:* widerstand aufweist, welcher im wesentlichen gleich ff cm Εφ;?; ϊ« fischen Widerstand des Elektrodenmaterials ist. Der dü>iiiü ^=~

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tallfilm ist gemäß Darstellung in Fig.3 bei Lagerung bis zu 200° C stabil· Somit ist keine nachträgliche Wärmebehandlung zur Stabilisierung des Niederschlages und/oder Passivierung erforderlich,um die Stabilität der metallischen Dünnfilme zu erreichen. Integrierte Schaltungen, in welchen Dünnfilm-Widerstandselemente verwendet werden, können somit durch herkömmliche photolithographische Verfahren hergestellt werden.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

1. J Verfahren zur Herstellung stabiler Dünnfilmwiderstände,

die insbesondere bei thermischer und elektrischer Belastung stabil sind, mit Hilfe der Kathodenzerstäubung, dadurch gekennzeichnet, daß das Niederschlagen des Netalls bzw. der Metall-Legierung auf ein Substrat in einer Atmosphäre aus einer Mischung von Argon und Sauerstoff erfolgt, wobei während des Sprühprozesses an das Substrat eine negative Gleichspannung angelegt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Atmosphäre während des Sprühvorgangs aus Argon und 1 bis 10 % Sauerstoff besteht.

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