DE4421045C2 - Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material - Google Patents
Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem MaterialInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur plasmagestützten
Beschichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, insbeson
dere zur Beschichtung von temperaturempfindlichen Substraten,
z. B. optische Linsen aus Kunststoff. Plasmagestützte Schich
ten können dabei optisch transparente, mechanisch sowie che
misch beständige Oxid- und Nitridschichten oder Magnesium
fluorid sein.
Nach dem Stand der Technik sind bereits Verfahren bekannt,
bei denen die Schichtabscheidung in einer Atmosphäre mit
angeregten Ionen bzw. mit Ionenbeschuß durchgeführt wird. Die
Ionenbehandlung erfolgt dabei sowohl während der Schicht
abscheidung als auch danach. Die optischen Verluste konnten
damit erheblich reduziert werden. In jüngerer Zeit hat sich
das sogenannte reaktive Niedervoltionenplattieren bewährt,
bei dem in Ar/O₂- oder Ar/N₂-Atmosphäre Schichten mit dichtem
amorphen Gefüge und glatter Oberfläche hergestellt werden
konnten. Diese Schichten weisen bessere Adhäsionswerte und
eine gute Stöchiometrie auf.
Ein derartiges Verfahren wird z. B. in der DE 35 43 316 A1
beschrieben. Das jeweilige schichtbildende Material wird
dabei in einem Tiegel durch einen hochenergetischen Elek
tronenstrahl verdampft. Gleichzeitig wird zwischen einer
Glühkathode und dem Verdampfungstiegel, der als Anode geschal
tet ist, eine Niedervoltbogenentladung aufrechterhalten, die
die Ausbildung eines Plasmas in der Beschichtungskammer
bewirkt. Verfahrensgemäß wird durch den hochenergetischen
Elektronenstrahl das schichtbildende Material verdampft und
der Dampf in dem Plasma zumindest teilweise ionisiert. Die
Substrate werden auf einer negativ vorgespannten Halterung
montiert, so daß die Abscheidung unter wesentlicher Beein
flussung durch das Plasma erfolgt. Wie bereits erwähnt,
werden grundsätzlich vorteilhafte Schichten mit dieser Ver
fahrensführung erzielt. Nachteilig ist bei diesem Verfahren
jedoch, daß das Verdampfungsmaterial elektrisch leitend sein
muß und die Verdampfung und die Plasmaerzeugung über den
Verdampfer verkoppelt sind, was die Regelung des Gesamtpro
zesses kompliziert. Die Ionen des Plasmas können dadurch auch
nicht zur Vor- und Nachbehandlung der Substrate eingesetzt
werden. Dieser Nachteil könnte an sich beseitigt werden, indem
eine separate Anode für die Niedervoltbogenentladung einge
setzt wird. Bei der Abscheidung von dünnen isolierenden
Schichten führt diese Maßnahme jedoch nicht zum Erfolg, da
zwangsläufig eine solche Anode im Beschichtungsraum in kurzer
Zeit mit einer isolierenden Schicht bedeckt würde, und damit
die Niedervoltbogenentladung erlischt.
Die DE 42 21 361 C1 gibt eine Lösung dieses Problems an, bei
der eine niederenergetische Bogenentladung zwischen einer
Hohlkathode und einer Anode erzeugt wird, wobei ein Teil der
Anode auf eine Temperatur erhitzt wird, die wesentlich über
der Schmelztemperatur des verdampften schichtbildenden Mate
rials bzw. der Zersetzungstemperatur der Reaktionsprodukte
des verdampften Materials liegt. Damit wird erreicht, daß die
Anode teilweise metallisch blank bleibt und die Bogenentla
dung zur Plasmaerzeugung stabil aufrechterhalten werden kann.
Nachteilig an dieser Lösung ist, daß die hohe Temperatur der
Anode auch zu relativ hohen Temperaturstrahlungen innerhalb
der Beschichtungskammer führt. Insbesondere temperaturemp
findliche Substrate können nur mit erheblichem technischem
Aufwand durch Strahlungsblenden oder gar nicht beschichtet
werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung
zur plasmagestützten Beschichtung von Substraten, insbesonde
re mit elektrisch isolierendem Material zu schaffen, welche
eine kalte Anode aufweist und bei der die Substrate während
der Beschichtung thermisch nur gering belastet werden. Eine
unmittelbar weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, daß
die Schichtausbildung auf den Substraten sehr homogen er
folgt.
Die Erfindung löst die Aufgabe mit den Mitteln des kennzeich
nenden Teils des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen
sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Mit der erfindungsgemäßen Lösung wird erreicht, daß der Dampf
des Beschichtungsmaterials, insbesondere ein isolierendes
Material oder ein Reaktionsprodukt aus einem verdampften
Material, welches in der reaktiven plasmaaktivierten Atmo
sphäre in der Beschichtungskammer als isolierendes Material
auf den Substraten abgeschieden wird, nicht auf die Anode
gelangt, da sich diese geschützt hinter der Substratanordnung
befindet. Dazu ist es erforderlich, daß die flächige Sub
stratanordnung bezüglich der Achse zwischen der Anode und der
Dampfquelle optisch dicht erfolgt oder die entsprechende
Substrathalterung optisch dicht ist. Die elektrische Ver
bindung zwischen der Kathode der Niedervoltbogenentladung, das
kann eine Hohlkathode oder eine Glühkathode sein, und der Anode
ist über entsprechende Spalte zwischen der Substratanordnung
und der Beschichtungskammer gewährleistet.
Das erfindungsgemäße Merkmal der geometrischen Anpassung der
Anode an die Substratanordnung führt zu einer homogenen
Ausbildung des Plasmas vor den Substraten in Richtung zur
Dampfquelle und dadurch zu einer gleichmäßigen Schichtdicke
der abgeschiedenen Schicht. Die gleichmäßige Schichtabschei
dung kann durch Rotation der Substrate während der Beschich
tung weiter verbessert werden.
Bei der geometrischen Anpassung der Anode an die Substrat
anordnung ist es besonders wesentlich, die Randbereiche
anzupassen. Die Anode kann demnach auch ringförmig sein.
Technisch einfacher ist jedoch oft eine flächige Ausbildung
der Anode, die zur Senkung der Temperaturbelastung der Sub
strate auch gekühlt sein kann.
Zur Verhinderung, daß abgelenkte Dampfteilchen oder Reak
tionsprodukte dennoch auf die Anode gelangen und diese mit
einer isolierenden Schicht-überziehen ist es vorteilhaft, den
Bereich zwischen der Substratanordnung und der Beschichtungs
kammer mit plasmadurchlässigen Dampfblenden zu versehen.
Die grundsätzliche erfinderische Lösung ermöglicht auch bei
der Verdampfung von bzw. Beschichtung der Substrate mit
isolierendem Material die ungestörte Aufrechterhaltung der
Plasmaentladung und vermeidet unerwünschte Temperaturbela
stungen durch eine heiße Anode der Plasmaentladung.
Insbesondere zur Beschichtung von Substraten mit sehr gerin
ger Temperaturbelastbarkeit, wie es bei Kunststoff der Fall
ist, ist es vorteilhaft zusätzliche Maßnahmen an der Kathode
der Niedervoltbogenentladung zu treffen, daß auch von dieser
keine unerwünschte Temperaturbelastung der Substrate ausgeht.
Vorteilhaft wird dazu die verlängerte Achse der Niedervoltbo
genentladung an der Kathode derart gelegt, daß diese außerhalb
der Substratanordnung liegt. Damit wird verhindert, daß eine
direkte Temperaturstrahlung auf die Substrate erfolgt. Weite
re Maßnahmen können mit Einhausungen der Kathode bzw. Blenden
anordnung getroffen werden.
Als besonders wirksam hat sich die Anordnung einer gekühlten
zusätzlichen Anode im Bereich der Kathode erwiesen, die ins
besondere die schnellen Elektronen innerhalb der Nieder
voltbogenentladung auf sich zieht.
Die Vorteile der erfindungsgemäßen Einrichtung bestehen
insbesondere darin, daß mit einfachen technischen Mitteln,
bei stabilen Plasmabedingungen Substrate mit geringer Tempe
raturbelastbarkeit homogen mit isolierendem Material be
schichtet werden können.
Nachfolgend soll die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert werden.
Die zugehörige Zeichnung zeigt schematisch eine Beschich
tungseinrichtung mit der erfindungsgemäßen Einrichtung im
Schnitt.
Die Zeichnung zeigt eine Beschichtungskammer 1 mit einer
drehbaren Substrathalterung 2 und den daran angeordneten zu
beschichtenden Substraten 3. Zur Verdampfung des Beschich
tungsmaterials dient ein Elektronenstrahlverdampfer 4.
Zur Plasmaerzeugung mittels Niedervoltbogenentladung wird
eine Hohlkathode 5 eingesetzt. Die Anode 6 befindet sich
erfindungsgemäß gegenüber der Hohlkathode 5 und dem Elektro
nenstrahlverdampfer 4 hinter der Substratanordnung, d. h. der
Gesamtheit der einzelnen Substrate 3 bzw. der Substrathalte
rung 2. Die geometrische Ausbildung der Anode 6 entspricht
erfindungsgemäß im wesentlichen dem äußeren Durchmesser der
Substratanordnung, d. h. sie ist im Ausführungsbeispiel
kreisförmig und weist den gleichen Durchmesser auf wie die
Substrathalterung 2.
Zwischen der Beschichtungskammer 1 und der Substratanordnung
befinden sich zwei Dampfblenden 7 und 8, die insbesondere das
Eindringen von gestreuten Teilchen des Beschichtungsmaterials
in den Bereich hinter der Substratanordnung und auf die Anode
6 verhindern sollen. In der Mitte der Substrathalterung 2
befindet sich ein Testglaswechsler 9. Seitlich an der Be
schichtungskammer 1 ist ein Gaseinlaß 10 zum Einlaß des
jeweils erforderlichen Prozeßgases angeordnet.
Nachfolgend soll die erfindungsgemäße Einrichtungen im Be
trieb näher beschrieben werden. Dabei wird davon ausgegangen,
daß eine Vielzahl von Linsen aus Kunststoff mit einer optisch
transparenten und harten, kratzfesten Siliziumoxidschicht
beschichtet werden sollen.
Nach der Bestückung der Substrathalterung 2 mit den Substra
ten 3 und den bekannten Verfahrensschritten zur Glimmreini
gung der Substrate 3 innerhalb der Beschichtungskammer 1
beginnt die plasmagestützte Beschichtung. Dazu wird zuerst
die Niedervoltbogenentladung zwischen der Hohlkathode 5 und
der Anode 6 gezündet. Durch die erfindungsgemäße Einrichtung
steht dazu innerhalb der Beschichtungskammer 1 eine saubere
beim vorhergehenden Beschichtungszyklus unbeschichtete Anode
6 der Hohlkathode 5 gegenüber. Die Niedervoltbogenentladung
führt zur Ausbildung eines Plasmas innerhalb der Beschich
tungskammer 1, wobei das Plasma durch die Lage der Anode 6 um
die äußeren Kanten der Substrathalterung 2 herumgezogen wird
und im Bereich der Substrate 3 eine außerordentlich homogene
Dichte aufweist. Danach beginnt die Verdampfung von Silizium
aus dem Tiegel des Elektronenstrahlverdampfers 4 bei gleich
zeitigem Einlaß von O₂ über den Gaseinlaß 10. Das verdampfte
Silizium wird in der plasmaaktivierten Sauerstoffatmosphäre
als SiOx-Schicht auf der Oberfläche der Substrate 3 und
zwangsläufig auch auf allen übrigen Oberflächen innerhalb der
Beschichtungskammer unterhalb der Substratanordnung abge
schieden. Hinter der rotierenden Substratanordnung kommt es
durch die Dampfblenden 7 und 8 praktisch zu keiner Beschich
tung. Das gilt insbesondere auch für die Anode 6 der Nieder
voltbogenentladung, die sich ebenfalls hinter der Substrat
anordnung befindet. Damit kann mit einer sauberen elektrisch
leitfähigen Anode 6 während des gesamten Beschichtungszyklus
ses eine stabile Niedervoltbogenentladung aufrechterhalten
werden.
Zur Senkung der Temperaturbelastung der Substrate 3 sind
innerhalb der Beschichtungseinrichtung des Ausführungsbei
spieles weitere Maßnahmen vorgesehen. Die Anode 6 weist ein
Kühlrohrsystem 15 auf, welches die Anode 6 auf relativ nied
riger Temperatur hält und damit auch die Substrate 3 bzw. die
Substrathalterung 2 von der Rückseite kühlt.
Die Hohlkathode 5 ist seitlich an der Beschichtungskammer 1 in
einem Rohrstutzen 16 angeordnet, derart daß die Achse 17 der
Niedervoltbogenentladung an der Hohlkathode 5 parallel zu der
Oberfläche der Substrate 3 liegt und damit außerhalb der Sub
stratanordnung. Damit wird eine direkt Wärmestrahlung von der
Hohlkathode 5 auf die Substrate 3 grundsätzlich vermieden.
Zusätzlich bildet der Rohrstutzen 16 bzw. die Öffnung an der
Wand der Beschichtungskammer 1 eine optische Blende, die
auch für die Wärmestrahlung wirkt. Des weiteren ist im Be
reich der Mündung der Hohlkathode 5 eine relativ kleinflächige
Ringanode 18 angeordnet, deren Potential etwas geringer ist
als das Potential der Anode 6. Diese Ringanode 18 ist ge
kühlt, wodurch der Rohrstutzen gegen hohe Wärmebelastung
geschützt ist und was für die Erfindung von besonderer Bedeu
tung ist, die für die Wärmebelastung der Substrate ungün
stigen schnellen Elektronen innerhalb der Niedervoltbogenent
ladung werden von dieser Ringanode 18 abgesaugt.
Die plasmagestützte Beschichtung der Substrate 3, im Beispiel
optische Linsen aus temperaturempfindlichem Kunststoff, mit
einer SiOx-Schicht erfolgt problemlos und mit hoher Gleich
mäßigkeit mit allen Vorteilen einer plasmagestützten Schicht
abscheidung.
Claims (7)
1. Einrichtung zur plasmagestützten Beschichtung von Sub
straten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Materi
al, mit einer Dampfquelle zum Verdampfen des Beschich
tungsmaterials bzw. einer Komponente des schichtbildenden
Materials und einer Niedervolt-Plasmaeinrichtung, beste
hend aus einer Glüh- oder Hohlkathode, die sich in der
Nähe der Dampfquelle befindet und einer Anode, dadurch
gekennzeichnet, daß die Anode (6) der Niedervolt-Plas
maeinrichtung gegenüber der Kathode (5) und der Dampfquelle (4)
hinter der Substratanordnung (2, 3) angeordnet ist, derart daß
die Anode (6) von der Kathode (5) optisch getrennt ist und
geometrisch, mindestens in Bezug auf die äußere Kontur,
im wesentlichen an die Substratanordnung (2, 3) angepaßt ist.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen der Substratanordnung (2, 3) und der Wand der Beschich
tungskammer (1) plasmadurchlässige Dampfblenden (7, 8)
vorhanden sind.
3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Substratanordnung (2, 3) um eine zentrische Achse drehbar
angeordnet ist.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die optische Linie zwischen der Kathode (5) der Niedervolt-
Plasmaeinrichtung und der Substratanordnung (2, 3) durch Blenden
unterbrochen ist.
5. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
in der Nähe der Kathode (5) der Niedervolt-Plasmaeinrichtung
eine zusätzliche Anode, insbesondere eine gekühlte Ringa
node (18) vorhanden ist.
6. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die verlängerte Hauptachse (17) der Niedervoltbogenentla
dung an der Kathode (5) außerhalb der Substratanordnung liegt.
7. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Anode (6) der Niedervolt-Plasmaeinrichtung eine
Kühleinrichtung (15) aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19944421045 DE4421045C2 (de) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material |
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DE19944421045 DE4421045C2 (de) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material |
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Families Citing this family (3)
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DE19705884A1 (de) * | 1997-02-15 | 1998-08-20 | Leybold Ag | Plasma-Zündvorrichtung |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD135216A1 (de) * | 1977-10-21 | 1979-04-18 | Dietmar Schulze | Verfahren zum ionenplattieren |
CH645137A5 (de) * | 1981-03-13 | 1984-09-14 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material unter vakuum. |
DD201359A1 (de) * | 1981-07-01 | 1983-07-13 | Eckhard Goernitz | Einrichtung zur vakuumbedampfung |
CH664163A5 (de) * | 1985-03-01 | 1988-02-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum reaktiven aufdampfen von schichten aus oxiden, nitriden, oxynitriden und karbiden. |
US4777908A (en) * | 1986-11-26 | 1988-10-18 | Optical Coating Laboratory, Inc. | System and method for vacuum deposition of thin films |
DE4221360C1 (de) * | 1992-06-29 | 1993-12-02 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Verfahren zur Regelung einer Glühkatodenglimmentladung |
DE4221361C1 (en) * | 1992-06-29 | 1993-07-01 | Vtd-Vakuumtechnik Dresden Gmbh, O-8017 Dresden, De | Plasma-supported deposition of thin insulating layers on substrates - buy vaporising insulating material and ionising in plasma of low energetic arc discharge |
DE4228499C1 (de) * | 1992-09-01 | 1993-10-07 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Verfahren und Einrichtung zur plasmagestützten Beschichtung von Substraten |
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1994
- 1994-06-17 DE DE19944421045 patent/DE4421045C2/de not_active Expired - Fee Related
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